TW200804577A - Compositions for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride having improved endpoint detection - Google Patents

Description

200804577 九'發明說明： ^【發明所屬之技術領域】 ^ 本發明係關於一種用在半導體基材上研磨二氧化矽及 氮化矽的組成物之製造方法，並提供一種在半導體基材上 化學機械研磨二氧切及氮化料方法。該組成物i方法 可土曰進用於化學終點偵測系統中之終點偵測信號。 【先前技術】 @在半導體工業中，生產積體電路的關鍵步驟是於基材 上選擇性生成及移除膜。該膜可由各種物質製成，且並可 為導電或不導電者。導電膜係典型用作配線或配線連輪。 非導電或介電膜係用於數個領域，例如：做為金屬化層之 =的:間介電質（interleveldielectrie)，或作為鄰二 路兀件間之隔絕物。 咖^型Γ製程步驟包括：⑴沉積膜，⑴利用微影及钱 ^將膜之數個區域圖案化，⑶沉積膜以填充該等經敍刻區 ^ =⑷經由_或化學機械研磨（CMP)平坦化該結 的方21由各種已知的方法在基材上形成，此等已知 ’為經由濺鍍或蒸發的物理氣相沉積⑽)，化學 i膜：：Γβ)，以電漿強化的化學氣相沉積(PECVD)。該 方法之任—種移除，此等方法包含··化 蝕刻:雷二：’蝕刻’如：反應性離子蝕刻(RiE)，濕式 x 予％ ’氣相钱刻及喷塗式㈣。 要。除正:Γ厚度時’終止移除膜之製程極為重 要換句話，兄，在移除臈的期間，知道製程何時達到終點 93959 5 200804577 頗為重要。在CMP中，於化學反應性漿液存在下，藉由於 抆制里之壓力下使晶圓抵靠著研磨墊轉動（或是使該墊抵 *靠著晶圓轉動，或兩者皆轉動）而從半導體晶圓中選擇性移 除膜。若過度研磨該膜會造成產率降低，而若研磨不足就 得重做而耗費成本。因此，已利用各種方法偵測何時達到 所欲之移除終點，以及何時該結束研磨。 適用於所有種類薄膜之先前CMP終點偵測方法包括以 下颌垔之測里.（1)僅按照時間，（2)摩擦電流或電動電流， (3)電容’（4)光學，（5)聲學，（6)導電性及（7)化學。化學 終點福測（例如：參見Li等人，美國專利第6, 〇21，679號） 尤=普遍使用，因為其能在研磨期間提供即時及持續的漿 液刀析’一旦研磨達該氮化物層時立即傳送直接訊號終 點，以及回應時間快速（典型少於一秒）等優點。 、 已發現當使用含有氫氧化卸⑽H)之漿液對以標輕氧 〜物（Si〇2)膜覆盍在氮化物（si.)終止膜上而成的基材進 _仃化學機械研磨時，在達_氧化物/氮化物的界面時會發 生化學反應而造成NH3的產生。當研磨氧化物

列反應： V S1O2+ 2K0H+ H2O-K2S1O3+ 2Η2〇 ®研磨氮化物時，發生下列反應： S13N4+ 6K0H+ 3H2〇^3K2Si〇3+4NH3 2產生的氨係溶於漿液中，並主要以·3而非腦+的 下二Γ在因此’錢液中存在氨意味著已到達並研磨到 虱化物膜，且移除氧化物膜的終點可由監控氨在漿 93959 6 200804577 液中的濃度而定出。一旦達終點時，該研磨即終止。 ±典型地，為了铺測及監控氣體形態的氨，將來自研磨 裝置之漿液泵送至氨萃取單元。分析該含氨的氣體流並監 控以偵測移除該標㈣之終點。氣相化學分析如標準質譜 術具有高度靈敏性及快速回應時間，故而適用於終點偵°曰 測。不幸地’進行漿液取樣時，可能因㈣液組成物本身 所產生之任何殘餘氨而產生實質上的干擾，使得準確的終

點偵測變得極為困難。 .因此，需要一種對淺溝槽隔離製程（处&11挪trench isolat1C)n prQcess)r^，具有增進終點偵測能力的二氧 化矽及氮化矽之化學研磨方法及組成物。 【發明内容】 二在第—態樣中，本發明提供—種在半導體基材上研磨 氮切用之組成物的製造方法，該方法包括： 鏖至5久合物進行離子交換以降低其氨含量；以及將0.01 重旦里百刀比的經離子交換的羧酸聚合物與0. 001至1 苯=分比的四級銨化合物、請4 i重量百分比的鄰 甲酸及其鹽、0.01至5重量百分比的研磨料及餘量水 機械及树明提供一種在半導體基材上化學 磨塾及含切的方法，該方法包括：提供研 聚人物、——减鈽研磨料之滎液，·使將用於鎌的叛酸 至^减進行離子錢以降低錢中的氨濃度至10ppb ⑽之間’以及利用該研磨墊及含有該羧酸聚合物之氨 93959 7 200804577 含量減低溶液之漿絲研磨該基材。 ‘【實施方式】 ’—及更方特=學r侧統中所用之终點 取降低氛含量，二本發明的組成物及方法係採 於Ηθ ^ b改ϋ化學終點偵測系統的準確性。太 :播利用離子交換樹脂降低該組成 低任何源自漿液中鱗令L 3里以降 物進扞雜早六始、 干擾。特別是使該羧酸聚合 外，今组成二屮=降低含二氧化飾之衆液令的氨含量。此 合移之外地選擇性移除二氧化石夕而較不 二I卞 ㈣溝槽隔離$程而s’該組成物利於的 切Γ 擇性增強劑’以選擇性研磨二氧化石夕而較不 :研磨鼠切。包括四級銨化合物之組成物在施用之帥 下尤其能選擇性研磨二氧化矽’而較不會研磨氮化矽。 本發明之四級銨化合物包含下列結構··

Ri

I R4—N+—R2

Rs 其中Rl’R2，R3及R4是具有1至15個碳原子碳鏈長度之有 機基。較佳者，Rl，r2，1及R4具有丄至1〇個石炭原$之碳 鏈長度。最佳者Rl，R2’ RS及R4具有丨至5個碳原子之碳 鏈長度。該有機化合物的R, ’ Rz ’匕及L可為經取代或未 、二取代之芳基、烧基、芳烧基或烧芳基。該等陰離子的例 T包含：硝酸根、硫酸根、鹵化物（如：溴化物、氯化物、 氟化物及碘化物）、檸檬酸根、磷酸根、草酸根、蘋果酸根、 93959 8 200804577 葡萄糖酸根、氳氧根、醋酸根、硼酸根、 子匕S夂很、硫氰酸 根、氰酸根、磺酸根、矽酸根、過鹵化物f 切、如·過溴酸醆、 過氯酸鹽及過碘酸鹽）、鉻酸根，及包括上述陰離子之丨、 一種之混合物。 ϋ

較佳=四級銨化合物包含：氯氧化四甲錢、氣氧化四 ?銨、氳氧化四丙銨、氫氧化四異丙銨、氫氧化四環丙銨、 氫氧化四丁銨、氫氧化四異丁銨、氫氧化四第三丁銨、氡 氧化四第二τ銨、氫氧化四環丁錢、氫氧化四戊銨、^ 化四環戊銨、氫氧化四己錢、氫氧化四環己銨及其混合物。 取佳之四級銨化合物為氫氧化四甲銨。 該組成物利於含有〇.謝幻重量百分比㈣㈣化 合物，以選擇性移除該二氧切而較不移除氮切。該植 成物利於含有G. 01至G. 5重量百分比的四級銨化合物。 除了四級銨化合物，該組成物宜含有〇〇〇1至〗重量 百分比的錯合劑。該組成物更宜含有0·01 1 0.5重量百分 #比的錯合劑。錯合劑的實例包含：«化合物（例如：乙醢 化物等），單㈣鹽（如：醋酸鹽、芳基㈣鹽等），含 们或夕個經基之羧酸鹽（如：乙醇酸鹽、乳酸鹽、葡萄 1酸鹽、沒食子酸及其鹽等），二、三及錄酸鹽（如：草 酉:鹽、鄰苯二甲酸鹽、檸檬酸鹽、丁二酸鹽、酒石酸鹽、 ^果酉 1鹽、乙二胺四乙酸鹽（如：edtaD，及其混合物 3有個或多個磺酸基及/或膦酸基之羧酸鹽。同樣 一户其匕適合的錯合劑包含：例如：二，三或多醇（如：乙 醇兒余酜、焦性沒食子酚、鞣酸等）及含磷酸化合物 9 93959 200804577 (如：鱗鹽及膦酸）。該錯合劑較佳為 較佳之鄰苯二曱酸鹽包含 氫鉀及其混合物。 鄰苯二甲 鄰苯二曱酸及其鹽。 酸氫銨、鄰苯二甲酸 該新穎研磨組成物宜含有〇 ^ r _ 3有01至5重量百分比的羧酸 聚合物。該組成物宜含有〇 〇5 $ ^ 至3重量百分比的羧酸聚合 旦丁 L 1 户、有 20, 000 至 1，500, 000 之數 里平均分子量。此外，還可利用έ 、， j才』用車乂向的數量平均分子量的

羧酸聚合物與較低的數量平约八 B ^ _ 十9刀子1的羧酸聚合物之摻合 物。這些缓酸聚合物一般呈容 、 壬/合/夜形式，但也可呈水性分散 液形式。前述聚合物的數量平妁八 双里十均分子量是由GPC(凝膠滲透 層析術）測定。

該竣酸聚合物由不餘和單叛酸或不餘和二致酸形成。 典型的不飽和單㈣單體含有3至6個碳原子，i包含. 丙烯酸、寡聚丙稀酸、甲基丙婦酸1豆酸及乙婦基乙酸。 典型的不飽和二㈣含有4至8個躲子且包含該等之酸 酐’例如：順丁稀二酸、順丁烯二酸酐、反丁烯二酸、戊 :酸、伊康酸、伊康酸酐及環己二羧酸。此外，亦可使用 前述該等酸的水溶性鹽。 ，此外，退可使用含幾酸之共聚物及三元聚合物，其中 破酸成分佔聚合物之5至75重量百分比。此等聚合物之典 型是⑽)丙婦酸與丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺之聚人物· (甲基）丙賴與苯乙料其它乙縣芳族單體之聚合物； (甲基）丙烯酸烧酉旨（丙賴酯或甲基丙蝉酸醋）與單或二羧 酸（如丙烯酸或^基丙婦酸或伊康酸）之聚合物，·具有取代 93959 10 200804577 基如鹵素（例如··氯、氟）、硝基、氰基、烷氧基、鹵烷基、 羧基、胺基、胺烷基之經取代乙烯基芳族單體與不飽和單 或二羧酸及（甲基）丙烯酸烷酯之聚合物；含有氮環如乙烯 基吡啶、烷基乙烯基吡啶、乙烯基丁内醯胺、乙醯基己内 胺之單烯系不飽和單體與不飽和單或二紱酸之聚合物； 烯烴如丙烯、異丁烯或具有10至20個碳原子之長鏈烷烯 烴與不飽和單或二羧酸之聚合物；乙烯醇酯（如乙酸乙烯 醋、硬脂酸乙烯g旨）或乙烯鹵化物（如氟乙埽、氯乙烯、偏 一氟乙烯）或乙烯腈（如丙烯腈及甲基丙烯腈）與不飽和之 單或二羧酸之聚合物；烷基具有1至24個碳原子之（甲基） 丙烯酸烧酯與不飽和之單賴（如丙烯酸或甲基丙稀酸）之 承口物這些僅為可使用在本發明新穎研磨組成物中之各 種聚合物的少數實例。亦可使用生物可分解、光可分解或 用f匕方式可分解之聚合物。此等生物可分解組成物的例 子，含有聚（丙烯酸酉旨/2_氰基丙烯酸甲醋）段之聚丙稀酸 聚合物。 ㈣酸聚合物宜進行離子交換，以降低氨含量， 旎會干擾利用氨偵測之終點偵測系統。尤其本 脂中納入陰離子基團。該陰離子基團使得 =離子讀—能夠吸附可溶解 子（例如：Na+、r、Ca+2、Pm, 丁如i屬離 ^ ^ Fe等）亚吸附水溶液中的氨。 餐月的U脂能降低陽離 去，太狀叩 丁 /辰度至iUPPb至2ppm之間。較佳 者本鲞明的樹脂能降低陽離早：曲译$ μ u 間。最佳去.牛低險雔子艰度至50ppb至“卯之 I’本發明的樹脂能降低陽離子濃度至低於 93959 11 200804577 lOOppb至200卫口1)。這些離子交換樹脂典型地利用強酸使該 ^等被吸附之離子解吸附且以水合氫離子置換而再生。較佳 、的離子交換樹脂包含：購自Rohm and Haas公司 (Philadelphia, PA)之Amber lite®離子交換樹脂。較佳的 離子交換樹脂是Amberlite® IRN-77。 本發明陽離子交換樹脂可具有凝膠珠粒（例如：球面凝 膠珠粒或巨孔珠粒）之物理形式，其包含：巨網狀珠粒或研 成粉末之凝膠或巨孔樹脂之樹脂粒子。此類經研成粉末之 *粒子可利用已知的研成粉末技術自經塊狀聚合化或經懸浮 聚合化之聚合物衍生出。 較佳的離子交換樹脂粒子是由官能性交聯製備，而習 知技術中之經懸浮聚合的共聚物珠粒係作為離子交換樹脂 之前驅物。該等凝膠共聚物珠粒在一致深度的外殼中載有 該等的官能基。因為用來製備該等珠粒的官能性製程係以 一致的速度滲透該共聚物，所以除了只有最小珠粒未完全 •官能化（即；未完全地磺酸化）之外，所有珠粒，不管珠粒 的尺寸如何，經官能化層的厚度傾向一致性。結果，不管 珠粒尺寸是否具備一致性，該擴散路徑具高度一致性。 適用於製備交聯共聚物之單體，包含：單乙烯基芳族 單體，例如：苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基萘、乙基乙烯 基苯、乙烯基氯苯、氯曱基苯乙烯等，其佔製成共聚物之 單體中之50至99. 5莫耳百分比，較佳佔80至99莫耳百 分比；以及具有至少二個可與單乙烯基單體聚合之活性乙 烯基團之多乙烯基單體，其佔製成共聚物之單體之0.5至 12 93959 200804577 50莫耳百分比，較佳佔1至大約20莫耳百分比。適用的 多乙烯基單體的實例包含：二乙烯基苯、三羥曱基丙姨*二 曱基丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙烯基甲苯、 三乙烯基苯、二乙烯基氯苯、鄰苯二甲酸二烯丙醋、二乙 烯基吡啶、二乙烯基萘、乙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二 曱基丙烯酸酯、二乙二醇二乙烯基醚、雙驗二甲基丙烯 酸酯、新戊四醇四曱基丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸 酯、二乙烯基二曱苯、二乙烯基乙基苯、二乙烯基颯、二 乙烯基酮、二乙烯基硫醚、丙烯酸烯丙酯、順丁烯二酸二 烯丙酯、反丁烯二酸二烯丙酯、琥珀酸二烯丙酯、石戾酸二 烯丙酯、丙二酸二烯丙酯、草酸二烯丙酯、己二酸二烯丙 酯、癸二酸二烯丙酯、酒石酸二烯丙酯、矽酸二烯丙酯、 丙烧-1，2，3 -二叛酸二稀丙醋（diallyl tricarballylate)、烏頭酸三烯丙酯、檸檬酸三烯丙酯、 磷酸三烯丙酯、Ν，Ν’-亞甲基-二丙烯醯胺、n，N，-亞甲基〜 一曱基丙細醮胺、N，N，-伸乙基二丙浠 多乙烯基恩；以及二醇、甘油、新戊四醇、間苯二酚的多 烯丙基醚及多乙烯基醚；以及二醇之單硫及二硫衍生物。 該單體混合物亦可含有多達約5莫耳百分比之不會影響最 終樹脂基質的基本性質的其它乙烯系單體，例如：丙稀a睛、 丁二烯、甲基丙烯酸以及其他本技術已知者。在本發^ 具體例中，該共聚物粒子是丙烯酸酯共聚物粒子。 官能化之-所欲形式為石黃化，本發明能提供部分 樹脂，该部分石黃化樹脂不論在溶劑膨潤狀態與非膨潤狀態 93959 13 200804577 於％行水丨生離子父換時，對於負载壓力以及再生循環 之耐受性皆明顯優於磺化習用聚合物所形成的樹脂。 、該，磨組成物宜含有〇· 〇1至5重量百分比的研磨料以 、進氧化;5夕的移除。在此範圍内’期望研磨料之存在量 ί大於或等於0.1重量百分比。同樣地，在此範圍内，期 王研磨料之存在量少於或等於3重量百分比。

二、該研磨料具有50至2〇〇奈米（nm)之平均粒子尺寸。以 此說明書之目的而言’粒子尺寸係指研磨料的平均粒子尺 寸車乂仏者’期望使用具有於8〇至⑽之間之平均粒子 士寸的研磨料。右使研磨料尺寸減小至少於或等於術① 日守’則會傾向增進該研練成物之平城能力，但是，其 亦傾向降低移除速率。 研磨料的貫例包含：無機氧化物、無機氫氧化物、金 *硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、聚合物粒子及包括 返中之至J/ 一種的混合物。合適的無機氧化物包含，例 籲如：二氧化矽（Si〇2)、三氧化二鋁（Al2〇3)、二氧化鍅 (Μ)、二氧化鈽（Ce〇2)、二氧化錳_〇或包括前述氧化 物中之至少—種之組合。如有需要，亦可利用這些無機氧 化物的經改質形式，如：經聚合物塗布之無機氧化物粒子 、及、.二,，、、機塗布粒子。合適的金屬碳化物，硼化物及氮化 物包含，例如：碳化石夕、氮化石夕、礙氮化石夕（SiCN)、碳化 领、碳化鶊、碳化錯、领化銘、碳化叙、碳化鈦或包括前 述金屬碳化物、硼化物及氮化物中之至少一種之組合。如 果需要’鑽石亦可用來做為研磨料。替代性研磨^包含 93959 14 200804577 κ 口物粒子n塗布之聚合物粒子。較佳磨料為二 ★鈽。 在3有餘里水的溶液中該化合物在廣泛邱範圍提供 其效力^該溶液適用的pH範圍自4延伸至7。此外，該溶 液較佳罪餘量的去離子水以限制伴隨的雜質。本發明研磨 漿體f PH值較佳係4·5至U，更佳者為pH值係5至6.5。 用來调整本發明組成物pH值之酸係，例如：石肖酸、硫酸、 ^酉夂、％酸等。用來調整本發明組成物⑽值的驗之例子 是，例如：氫氧化鉀。 ，口此，本發明提供—種用於化學終點偵測系統中之具 有增強終點偵測信號之組成物及方法。特別是，本發明的 1成物及方法是用來降低氨含量，藉此可增進化學終點債 準。本發明最佳利用離子交換樹脂降低該組 中的虱含1以降低任何由源自漿液之氨污染物之干 擾。該組成物適用於淺槽溝隔離製程的半導體晶圓上研磨 了乳切錢切。特別是，㈣酸聚合物係用離子交換 乳化鈽系漿液中的氨含量。此外，該組成物最佳 G一用來增進選擇性之四級銨化合物。特別是，本發明提 種t半Γ晶圓上研磨二氧切及氮切用之水性組 成物包括四級銨化合物、鄰苯二甲酸及H '酸聚合物、研磨料及餘量水。該組成物在pH值“二 的乾圍内展現出特別增加的選擇性。須注意的是，雖 ㈣的具體例著重於該鲮酸聚合物中氨含量之降低，：本 發明亚不以此為限。換句話說，若有必要時，裝液中的任 93959 15 200804577 可藉由進行離子 何組成及成分’例如，該四級銨化合物 - 交換而降低任何的氨含量。 、 實施例1 所有樣本溶液含有，以重量百分比計，8重量百八 比的二氧化鈽，0.18重量百分比的聚丙烯酸以及二； 量百分比的鄰苯二？酸氫卸。此外’本發明樣本中還含有 0.12重量百分比的四級銨化合物，特別是，氫氧化四甲 按。該漿液係由混合研磨料包及化學物質包而予以製傷。 該研磨料包係藉由利用葉片混合器將聚丙婦酸的濃縮物溶 於去離子水中並將二氧化鈽濃縮物加入至該聚丙稀酸溶液 而予以製造。該聚丙烯酸聚合物宜以Amberlite irn_77 離子交換樹脂進行離子交換。該離子交換樹脂購自

Siemens Water Technol〇gies(Warrendale，PA)，且呈在 圓筒中之形式。將該羧酸聚合物溶液稀釋至5百分比以降 低該溶液之黏度。將該溶液泵送至裝填有陽離子交換樹脂 #的圓筒中。該溶液通過該樹脂床且在pH值小於3時流出， 流出液實質上不含任何陽離子性物種（如：金屬離子或 氨）。接著，該二氧化鈽-聚丙烯酸—水混合物利甩硝酸滴 定。該混合物接著倒入高剪力的卡第研磨機（Kady Mi i丄） 中。該化學物質包係藉由將剩下的化學物質依適當量溶解 於去離子水中’並用葉片混合器混合，再以硝酸滴定至最 後所欲的pH值而予以製備。該最終漿液是藉由將該研磨料 包與該化學物質包混合並滴定至所欲的pH而予以製備。 、該圖案化晶圓為購自praesagUS，Inc•且具有HDP與 16 93959 200804577 "LPCVD-SiN 膜之 STI-MIT-864tm遮罩。該 MIT-864 遮罩被設 〃計成具有由4mmx4mm特徵構成的20mmx20mm晶片。該遮罩 ’中的特徵具有100//m的間距且密度範圍自10%至100%，以 及5 0 %密度者間距範圍為1至1 0 0 0 // m。在此，5 0 %的密度 是以重複結構陣列中的間隔來定義，其中該間隔寬度/(間 隔寬度+線寬度）xl00%=50%。例如：如果該間隔寬度+線 寬度= 1000微米時，則有50%的間隔具有500微米的寬度。 I CIO 10TM研磨墊係用於所有測試中。Applied Materials • Mirra® 200mm研磨機器係使用IC1010TM聚胺基甲酸酯研磨 墊（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc., Newark, DE)於下壓力2.7psi及研磨溶液流速85cc/min， 平台轉速123RPM及載具轉速44RPM的條件下將樣品平坦 化。該研磨溶液以硝酸調整至pH值6. 1。所有溶液含有餘 量的去離子水。氧化物及氮化物膜厚度是利用來自 Therma-Wave，Inc 的 Opti-probe® 2600 度量衡工具來測 •量。 如第ΙΑ、1B圖所例示說明，呈示研磨後從晶片的中 心、中間及邊緣所得之晶圓尺度均勻性之保持度的平均 值。如第1A圖所示，該晶片範圍内的平均溝槽是300至 400 A。如第1B圖所示，晶片範圍内的氮化物厚度是150 A。溝槽氧化層損失的總量將反映出出現淺碟及凹陷的組 合。 實施例2 本實驗將化學終點資料結果與摩擦及光學資料做比較 17 93959 200804577 以分析終點穩固性。該化學終點偵測系統是Ec〇 physics ^的Eco Systems M17 Ν-EPD。其它所有的參數與實施例工 "相同。 如第2圖所例示說明，該化學終點是最直接的判讀方 法（on/ of f )、’而容許咼速製造。該化學終點係在摩擦 終點或光學終點前1〇至15秒内偵測到。該化學終點容許 增強過度研磨窗口之可靠性及製程穩固性。 實施例3 • ^ 本實驗將化學終點資料結果與摩擦及光學資料做比較 以分析平坦化效率。該化學終點偵測系統與實施例2相 同。其它所有的參數與實施例1相同。 如第3A、3B圖所闡述，該利用化學終點之最佳化製程 顯著^增進平坦化效率。該化學終點系統增進氧化物清除 之可靠度及縮短過度研磨需求。 因此，本發明提供一種用在化學偵測系統中具有增進 籲終點偵測信號之組成物及方法。更特定而言，本發明的組 ^物及方法是用來降低氨含量，藉此可增進化學終點偵測 系統的，確性。本發明最佳利用離子交換樹脂降低該組成 物中的氨含量以降低任何由源自漿液之氨污染物之干擾。 該組成物適合在淺槽溝隔離製程中，於半導體晶圓上研磨 二氧化矽及氮化矽。 【圖式簡單說明】 ^第1 A圖例示說明研磨後從晶片的中心、中間及邊緣所 得之全晶圓尺度均勻性之保持度的平均值，· 93959 18 200804577 第1B圖例示說明研磨後從晶片的中心、中間及邊緣 ^得之全晶圓尺度均勻性之保持度的平均值· ' ，.第2圖例示說明利用各種終點偵測技術所獲得之結 果， 坦化=圖例示說明利用各種終點偵測技術所獲得之平 第兆圖例示說明利用各種終點偵測技術所獲得之平 坦化效率。

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Claims (1)

1. 200804577 十、申請專利範圍： 4 -種在半導體基材上研磨二氧切 的製造方法，包括·· ^ 且成物 使竣酸聚合物進行離子交拖 η 〇1 卞又換以降低其氨含量；以及 、·至5重：!：百分比的經離丄 物盥0 001至1會旦百八L I工雔子父換的羧酸聚合 Μ旦石八μ 刀比的四級録化合物、0.001至 1重篁百刀比的鄰苯二甲酸及其鹽、〇 〇1 比的研磨料以及餘量水混合。 ——百刀 2·如申请專利範圍第1項之方 ^ A ^ /、中該四級銨化合物係 k自包括下列化合物之群έ 气 乙铉..„ 砰、、且·虱乳化四甲銨、氫氧化四 化四丙銨、氣氧化四異丙銨、氫氧化四環丙 ==:銨、氣氧化四異丁鏔、氫氧化四第三丁 铵/乐一丁銨、虱乳化四環丁銨、氫氧化四戊 及其混合物。& 4化四己銨、氫氧化四環己銨 3·如申請專利範圍第1項 鄰苯二甲酸氫鉀。、、令該鄰苯二甲酸鹽是 錦U利耗圍第1項之方法，其中該研磨料是二氧化 其中該二氧化鈽具有 其中該二氧化鈽具有 5·如申請專利範圍第4項之方法 5〇至20Onm之平均粒子尺寸 6·如申請專利範圍第5項之方法 8〇至150賴之平均粒子尺寸。 如申请專利範圍第1項 、之方法，其中該水性組成物具有 93959 20 200804577 4至7之pH值。 -8. —種在半導體基材上化學機械研磨二氧化^夕及氮化石夕 ’ 的方法，包括： 提供研磨墊及含有二氡化鈽研磨料之漿液； 使將用於漿液的羧酸聚合物溶液進行離子交換，以 使該溶液中的氨含量減低至1 Oppb至2ppm之間；以及 使用該研磨墊及含有該羧酸聚合物之氨含量減低 溶液之漿液研磨該基材。 ⑩9.如申請專利範圍第8項之方法，其中該二氧化鈽具有 50至200腿之平均粒子尺寸。 10.如申請專利範圍第8項之方法，其中該水性組成物具有 4至7之pH值。

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