FR2901802A1 - Procede de production d'une composition de polissage mecano-chimique et procede de polissage mecano-chimique. - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 37
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 41
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 19
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical group [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogen phthalate Chemical group [K+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CPOUUWYFNYIYLQ-UHFFFAOYSA-M tetra(propan-2-yl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC(C)[N+](C(C)C)(C(C)C)C(C)C CPOUUWYFNYIYLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- HBCNJOTXLRLIAB-UHFFFAOYSA-M tetracyclohexylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1CCCCC1[N+](C1CCCCC1)(C1CCCCC1)C1CCCCC1 HBCNJOTXLRLIAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- YZTANSPZKPAMGE-UHFFFAOYSA-M tetracyclopentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1CCCC1[N+](C1CCCC1)(C1CCCC1)C1CCCC1 YZTANSPZKPAMGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DOYCTBKOGNQSAL-UHFFFAOYSA-M tetracyclopropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1CC1[N+](C1CC1)(C1CC1)C1CC1 DOYCTBKOGNQSAL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 1
- JCJNUSDBRRKQPC-UHFFFAOYSA-M tetrahexylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCC[N+](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC JCJNUSDBRRKQPC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- RROIKUJKYDVRRG-UHFFFAOYSA-M tetrakis(2-methylpropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC(C)C[N+](CC(C)C)(CC(C)C)CC(C)C RROIKUJKYDVRRG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 abstract description 4
- 150000003022 phthalic acids Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 11
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- -1 halide anions Chemical class 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 3
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 3
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-M perbromate Chemical compound [O-]Br(=O)(=O)=O LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIYCHXAGWOYNNA-UHFFFAOYSA-N vinyl sulfide Chemical compound C=CSC=C UIYCHXAGWOYNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVAFEFUPWRPQSY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tris(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=CC(C=C)=C1C=C WVAFEFUPWRPQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJQIXGGEADDPQB-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)-3,4-dimethylbenzene Chemical group CC1=CC=C(C=C)C(C=C)=C1C ZJQIXGGEADDPQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLLUAUADIMPKIH-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C=C)C(C=C)=CC=C21 QLLUAUADIMPKIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromo-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IROFMMHLTOVXFS-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2,3-bis(ethenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=C)=C1C=C IROFMMHLTOVXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOC=C SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCMUPMSEVHVOSE-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(ethenyl)pyridine Chemical compound C=CC1=CC=CN=C1C=C FCMUPMSEVHVOSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISRGONDNXBCDBM-UHFFFAOYSA-N 2-chlorostyrene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=C ISRGONDNXBCDBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBQJCDLKJGOHEA-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylbut-3-enylbenzene Chemical compound C=CC(C=C)CC1=CC=CC=C1 LBQJCDLKJGOHEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TURITJIWSQEMDB-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-[(2-methylprop-2-enoylamino)methyl]prop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NCNC(=O)C(C)=C TURITJIWSQEMDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 3-chloroprop-1-enylbenzene Chemical compound ClCC=CC1=CC=CC=C1 IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CC1CCCCNC1=O MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHAHWKLZGBIAKT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-methylpyrimidin-2-yl)benzaldehyde Chemical compound CC1=CC=NC(C=2C=CC(C=O)=CC=2)=N1 KHAHWKLZGBIAKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFTSFLPSYGKNLF-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OC.C(#N)C(C(=O)O)=C Chemical compound C(C=C)(=O)OC.C(#N)C(C(=O)O)=C QFTSFLPSYGKNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L Copper gluconate Chemical class [Cu+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000003109 Disodium ethylene diamine tetraacetate Substances 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical class OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical class OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical class OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020451 K2SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] Chemical compound [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- OSKNUZYLXFBIHL-UHFFFAOYSA-N azanium;hydron;phthalate Chemical compound N.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O OSKNUZYLXFBIHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZPOLOEWJWXZUSP-AATRIKPKSA-N bis(prop-2-enyl) (e)-but-2-enedioate Chemical compound C=CCOC(=O)\C=C\C(=O)OCC=C ZPOLOEWJWXZUSP-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- ZPOLOEWJWXZUSP-WAYWQWQTSA-N bis(prop-2-enyl) (z)-but-2-enedioate Chemical compound C=CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC=C ZPOLOEWJWXZUSP-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- VPPSHXIFIAJKMX-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) 2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound C=CCOC(=O)C(O)C(O)C(=O)OCC=C VPPSHXIFIAJKMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HABAXTXIECRCKH-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) butanedioate Chemical compound C=CCOC(=O)CCC(=O)OCC=C HABAXTXIECRCKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKJWYKGYGWOAHT-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) carbonate Chemical compound C=CCOC(=O)OCC=C JKJWYKGYGWOAHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPODCVUTIPDRTE-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) hexanedioate Chemical compound C=CCOC(=O)CCCCC(=O)OCC=C FPODCVUTIPDRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKXRKRANFLFTFU-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) oxalate Chemical compound C=CCOC(=O)C(=O)OCC=C BKXRKRANFLFTFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol A dimethacrylate Chemical compound C1=CC(OC(=O)C(=C)C)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- MPMBRWOOISTHJV-UHFFFAOYSA-N but-1-enylbenzene Chemical compound CCC=CC1=CC=CC=C1 MPMBRWOOISTHJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229940023913 cation exchange resins Drugs 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- OVHKECRARPYFQS-UHFFFAOYSA-N cyclohex-2-ene-1,1-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCC=C1 OVHKECRARPYFQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001990 dicarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000019301 disodium ethylene diamine tetraacetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000004119 disulfanediyl group Chemical group *SS* 0.000 description 1
- AFOSIXZFDONLBT-UHFFFAOYSA-N divinyl sulfone Chemical compound C=CS(=O)(=O)C=C AFOSIXZFDONLBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229940048820 edetates Drugs 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000003893 lactate salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-L malate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C(O)CC([O-])=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004701 malic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- AYGYHGXUJBFUJU-UHFFFAOYSA-N n-[2-(prop-2-enoylamino)ethyl]prop-2-enamide Chemical compound C=CC(=O)NCCNC(=O)C=C AYGYHGXUJBFUJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940039748 oxalate Drugs 0.000 description 1
- 150000003901 oxalic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-one Chemical compound C=CC(=O)C=C UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBSDMAPJGHBWAL-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-ylbenzene Chemical compound C=CC(C=C)C1=CC=CC=C1 DBSDMAPJGHBWAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- MHWRYTCHHJGQFQ-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid hydrate Chemical compound O.OC(=O)C=C MHWRYTCHHJGQFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTECDUFMBMSHKR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl prop-2-enoate Chemical compound C=CCOC(=O)C=C QTECDUFMBMSHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003900 succinic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003899 tartaric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZHHDFRSEQSGLN-ZRDIBKRKSA-N tris(prop-2-enyl) (e)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C\C(C(=O)OCC=C)=C/C(=O)OCC=C NZHHDFRSEQSGLN-ZRDIBKRKSA-N 0.000 description 1
- PLCFYBDYBCOLSP-UHFFFAOYSA-N tris(prop-2-enyl) 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)CC(O)(CC(=O)OCC=C)C(=O)OCC=C PLCFYBDYBCOLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHGIFBQQEGRTPB-UHFFFAOYSA-N tris(prop-2-enyl) phosphate Chemical compound C=CCOP(=O)(OCC=C)OCC=C XHGIFBQQEGRTPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de production d'une composition pour polir la silice et le nitrure de silicium sur un substrat semiconducteur. Le procédé comprend :- la fourniture d'un polymère d'acide carboxylique dans une solution aqueuse ;- la mise en contact de la solution aqueuse avec une résine échangeuse d'ions pour retirer les cations solubles et l'ammoniac soluble de la solution aqueuse, la solution aqueuse fournissant un polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse ;- l'ajout ou l'addition (i) d'un abrasif, (ii) d'un composé d'ammonium quaternaire et (iii) d'acide phtalique ou d'un sel d'acide phtalique au polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse afin d'obtenir une suspension ayant 0,01 à 5 % en masse du polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions, 0,001 à 1 % en masse de composé d'ammonium quaternaire, 0,001 à 1 % en masse d'acide phtalique ou de sel d'acide phtalique et 0,01 à 5 % en masse d'abrasif.
Description
ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Dans l'industrie des semiconducteurs, la
formation sélective et le retrait sélectif de couches sur un substrat sous-jacent sont des étapes critiques dans la production des circuits intégrés. Les couches sont constituées par différentes substances et peuvent être conductrices ou non conductrices. Les couches conductrices sont typiquement utilisées pour le câblage ou les connexions de câblage. Des couches non conductrices ou diélectriques sont utilisées dans plusieurs domaines, par exemple comme diélectriques interniveaux entre des couches de métallisation, ou comme isolations entre des éléments de circuit adjacents. Les étapes de traitement typiques comprennent : (1) le dépôt d'une couche, (2) la formation de motifs dans des zones de la couche par lithographie et gravure, (3) le dépôt d'une couche qui remplit les zones gravées, et (4) la planarisation de la structure par gravure ou polissage mécano-chimique (CMP). Des couches sont formées sur un substrat par différents procédés bien connus, par exemple le dépôt physique en phase vapeur (PVD) par pulvérisation cathodique ou évaporation, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Les couches sont retirées par des procédés quelconques parmi plusieurs procédés bien connus incluant le polissage mécano-chimique, la gravure sèche comme la gravure à ions réactifs (RIE), la gravure humide, la gravure électrochimique, la gravure en phase vapeur et la gravure à pulvérisation.
Il est extrêmement important dans le retrait des couches d'arrêter le processus quand l'épaisseur correcte a été retirée. En d'autres termes, pendant le retrait des couches, il est important de savoir quand le point limite a été atteint. En CMP, une couche est retirée sélectivement d'une plaquette semiconductrice en faisant tourner la plaquette contre un feutre de polissage (ou en faisant tourner le feutre contre la plaquette, ou les deux) avec une quantité de pression contrôlée en présence d'une suspension chimiquement réactive. Le surpolissage d'une couche conduit à des pertes de rendement, et le sous-polissage nécessite une nouvelle opération coûteuse, Ainsi, différents procédés ont été employés pour détecter le moment où le point limite souhaité pour le retrait a été atteint, et où le polissage devrait être arrêté.
Les procédés de l'état de la technique pour la détection des points limites en CMP appropriés pour tous les types de couches comprennent les types de mesure suivants : (1) simple chronométrage, (2) courant de frottement ou de moteur, (3) capacitive, (4) optique, (5) acoustique, (6) conductrice et (7) chimique. En particulier, la détection chimique des points limites (par exemple Li et al., brevet US n 6 021 679) a été populaire du fait de son aptitude à permettre une analyse en temps réel et continue de la suspension pendant le polissage, à fournir un point limite de signal direct dès que la couche de nitrure est polie et un temps de réponse rapide, typiquement inférieur à 1 s, en plus d'autres avantages. Il a été découvert que, lors du polissage mécano-chimique d'un substrat comportant une couche cible d'oxyde (SiO2) sur une couche d'arrêt de nitrure (Si3N4) avec une suspension contenant de l'hydroxyde de potassium (KOH), il se produit une réaction chimique quand l'interface oxyde/nitrure est atteinte, ce qui conduit à la production d'ammoniac (NH3). Dans le cas du polissage d'oxyde, la réaction suivante se produit :
SiO2 + 2KOH + H2O ---> K2SiO3 + 2H2O Dans le cas du polissage de nitrure, la réaction suivante se produit :
Si3N4 + 6KOH + 3H2O --> 3K2SiO3 + 4 25 L'ammoniac produit est dissous dans la suspension et est principalement sous forme de NH3 plutôt que de NH4. Ainsi, la présence d'ammoniac dans la suspension indique que la couche de nitrure sous-jacente a été atteinte et polie, et le point limite pour le retrait d'une 30 couche d'oxyde peut être déterminé en contrôlant le niveau d'ammoniac dans la suspension. Lorsque le point limite est atteint, le polissage est arrêté. Typiquement, pour détecter et surveiller l'ammoniac sous forme gazeuse, la suspension provenant d'un appareil de polissage est pompée 35 dans une unité d'extraction d'ammoniac. Le courant gazeux contenant l'ammoniac peut être analysé et surveillé pour la détection du point limite20 pour le retrait de la couche cible. L'analyse chimique en phase gazeuse, comme la spectrométrie de masse standard, peut être très sensible et avoir un temps de réponse rapide, ce qui serait souhaitable pour la détection du point limite. Malheureusement, avec le prélèvement d'échantillons de suspension, il peut se produire une interférence sensible avec tout ammoniac résiduel provenant de la composition de la suspension elle-même, ce qui rend extrêmement difficile la détection précise du point limite. Ainsi, ce qui est nécessaire c'est une composition et un procédé 10 pour le polissage mécano-chimique de la silice et du nitrure de silicium pour les procédés d'isolation de tranchée peu profonde ayant une capacité améliorée de détection du point limite.
EXPOSE DE L'INVENTION 15 Dans un premier aspect, la présente invention fournit un procédé de production d'une composition ou suspension pour polir la silice et le nitrure de silicium sur un substrat semiconducteur, comprenant : - la fourniture d'un polymère d'acide carboxylique dans une solution aqueuse ; 20 - la mise en contact de la solution aqueuse avec une résine échangeuse d'ions pour retirer les cations solubles et l'ammoniac soluble de la solution aqueuse, la solution aqueuse fournissant un polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse ; - l'ajout ou l'addition (i) d'un abrasif, (ii) d'un composé 25 d'ammonium quaternaire et (iii) d'acide phtalique ou d'un sel d'acide phtalique au polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse afin d'obtenir une suspension ayant 0,01 à 5 % en masse du polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions, 0,001 à 1 % en masse de composé d'ammonium quaternaire, 0,001 à 1 % 30 en masse d'acide phtalique ou de sel d'acide phtalique et 0,01 à 5 % en masse d'abrasif. Dans un second aspect, la présente invention fournit un procédé de polissage mécano-chimique de la silice et du nitrure de silicium sur un substrat semiconducteur, comprenant : 35 - la fourniture d'un feutre de polissage 4 - la fourniture d'une suspension obtenue par le procédé de production comme décrit dans la présente demande - le polissage du substrat semiconducteur au moyen du feutre de polissage et de la suspension.
Avantageusement, le procédé de polissage mécano-chimique comprend en outre la détection chimique d'un point limite de polissage et l'arrêt du polissage, la détection chimique comprenant le contrôle de la teneur en ammoniac dans la suspension.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1A représente les moyennes de résultats de post-polissage provenant de puces centrales, intermédiaires et du bord pour maintenir le degré d'uniformité à l'échelle d'une plaquette la figure 1B illustre les moyennes de résultats de post-polissage 15 provenant de puces centrales, intermédiaires et du bord pour maintenir le degré d'uniformité à l'échelle d'une plaquette ; la figure 2 illustre les résultats obtenus au moyen de différentes techniques de détection de point limite ; la figure 3A illustre les efficacités de planarisation obtenues au 20 moyen de différentes techniques de détection de point limite ; la figure 3B illustre les efficacités de planarisation obtenues au moyen de différentes techniques de détection de point limite.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 25 La composition et le procédé fournissent des signaux de détection de point limite améliorés en vue d'une utilisation dans des systèmes de détection chimique de point limite. En particulier, la composition et le procédé de la présente invention sont réduits en ammoniac, ce qui améliore la précision du système de détection chimique 30 de point limite. L'invention utilise avantageusement une résine échangeuse d'ions pour réduire la teneur en ammoniac de la composition afin de réduire l'interférence provenant de toute contamination de la suspension par l'ammoniac. En particulier, le polymère d'acide carboxylique est soumis à un échange d'ions pour réduire la teneur en 35 ammoniac dans la suspension à base d'oxyde de cérium. De plus, la composition confère une sélectivité inattendue pour retirer la silice par rapport au nitrure de silicium. La composition est basée avantageusement sur un agent chélatant ou un agent augmentant la sélectivité pour polir sélectivement la silice par rapport au nitrure de silicium pour les procédés d'isolation de tranchées peu profondes. En particulier, la composition comprend un composé d'ammonium quaternaire pour polir sélectivement la silice par rapport au nitrure de silicium, au pH de l'application. Les composés d'ammonium quaternaire de la présente invention incluent la structure suivante : où R1, R2, R3 et R4 sont indépendamment ou simultanément un composé organique qui a une longueur de chaîne carbonée de 1 à 15 atomes de carbone. De préférence encore, RI, R2, R3 et R4 ont une longueur de 15 chaîne carbonée de 1 à 10. De manière particulièrement préférable, RI, R2, R3 et R4 ont une longueur de chaîne carbonée de 1 à 5 atomes de carbone. Le composé organique de R1, R2, R3 et R4 peut être un groupe aryle, alkyle, aralkyle ou alkylaryle substitué ou non substitué. Les exemples d'anions incluent les anions nitrate, sulfate, halogénures 20 (comme bromure, chlorure, fluorure et iodure), citrate, phosphate, oxalate, malate, gluconate, hydroxyde, acétate, borate, lactate, thiocyanate, cyanate, sulfonate, silicate, per-halogénures (comme perbromate, perchlorate et periodate), chromate, et les mélanges comprenant au moins l'un des anions précédents. 25 Les composés d'ammonium quaternaire préférés incluent l'hydroxyde de tétraméthylammonium, l'hydroxyde de tétraéthylammonium, l'hydroxyde de tétrapropylammonium, l'hydroxyde de tétraisopropylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopropylammonium, l'hydroxyde de tétrabutylammonium, l'hydroxyde de tétraisob 30 ammonium, l'hydroxyde de tétratertbutylammonium, l'hydroxyde de tétrasecbutylammonium, l'hydroxyde de tétracyclobutylammonium, l'hydroxyde de tétrapentylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopentylammonium, l'hydroxyde de tétrahexylammonium, l'hydroxyde de R2 0 tétracyclohexylammonium et leurs mélanges. Le composé d'ammonium quaternaire particulièrement préféré est l'hydroxyde de tétraméthylammonium. La composition contient avantageusement 0,001 à 1 % en masse de composé d'ammonium quaternaire pour retirer sélectivement la silice par rapport au nitrure de silicium. Avantageusement, la composition contient 0,01 à 0,5 % en masse de composé d'ammonium quaternaire. En plus du composé d'ammonium quaternaire, la composition contient avantageusement 0,001 à 1 % en masse d'agent complexant.
Avantageusement, la composition contient 0,01 à 0,5 % en masse d'agent complexant. Les exemples d'agents complexants incluent les composés carbonylés (par exemple acétylacétonates et analogues), les carboxylates simples (par exemple acétates, carboxylates d'aryle et analogues), les carboxylates contenant un ou plusieurs groupes hydroxyle (par exemple glycolates, lactates, gluconates, acide gallique et ses sels, et analogues), les di-, tri- et polycarboxylates (par exemple oxalates, phtalates, citrates, succinates, tartrates, malates, édétates (par exemple EDTA de disodium), leurs mélanges, et analogues), les carboxylates contenant un ou plusieurs groupes sulfoniques et/ou phosphoniques. Egalement, d'autres agents 20 complexants appropriés incluent par exemple les di-, tri- ou polyalcools (par exemple éthylèneglycol, pyrocatéchol, pyrogallol, acide tannique et analogues) et les composés contenant du phosphate (par exemple sels de phosphonium et acides phosphoniques). De préférence, l'agent complexant est l'acide phtalique et ses sels. Les sels phtalates préférés 25 incluent l'hydrogénophtalate d'ammonium et l'hydrogénophtalate de potassium, et leurs mélanges. Avantageusement, la nouvelle composition de polissage contient environ 0,01 à 5 % en masse d'un polymère d'acide carboxylique. De préférence, la composition contient environ 0,05 à 3 % en masse d'un 30 polymère d'acide carboxylique. En outre, le polymère a de préférence une masse moléculaire moyenne en nombre d'environ 20 000 à 1 500 000. De plus, il est possible d'utiliser des mélanges de polymères d'acide carboxylique de masse moléculaire moyenne en nombre plus élevée et de masse moléculaire moyenne en nombre plus basse. Ces polymères d'acide 35 carboxylique sont généralement en solution mais peuvent être en dispersion aqueuse. La masse moléculaire moyenne en nombre des polymères mentionnés précédemment est déterminée par CPG (chromatographie par perméation de gel). Les polymères d'acide carboxylique sont formés à partir d'acides monocarboxyliques insaturés et d'acides dicarboxyliques insaturés. Les monomères d'acide monocarboxylique insaturé typiques contiennent 3 à 6 atomes de carbone et incluent l'acide acrylique, l'acide acrylique oligomère, l'acide méthacrylique, l'acide crotonique et l'acide vinylacétique. Les acides dicarboxyliques insaturés typiques contiennent 4 à 8 atomes de carbone et incluent leurs anhydrides et sont par exemple l'acide maléique, l'anhydride maléique, l'acide fumarique, l'acide glutarique, l'acide itaconique, l'anhydride itaconique et l'acide cyclohexène dicarboxylique. De plus, il est possible aussi d'utiliser des sels hydrosolubles des acides mentionnés précédemment. En outre, il est possible d'utiliser des copolymères et terpolymères contenant un acide carboxylique dans lesquels le composant acide carboxylique constitue 5-75 % en masse du polymère. Sont typiques de tels polymères les polymères de l'acide (méth)acrylique et de l'acrylamide ou du méthacrylamide ; les polymères de l'acide (méth)acrylique et du styrène et d'autres monomères vinyliques aromatiques les polymères de (méth)acrylates d'alkyle (esters de l'acide acrylique ou méthacrylique) et d'un acide mono- ou dicarboxylique, comme l'acide acrylique ou méthacrylique ou l'acide itaconique ; les polymères de monomères vinyliques aromatiques substitués ayant des substituants, comme un halogène, c'est-à-dire chlore, fluor, brome, nitro, cyano, alcoxy, halogénoalkyle, carboxyle, amino, aminoalkyle et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé et d'un (méth)acrylate d'alkyle les polymères de monomères monoéthyléniquement insaturés contenant un cycle azoté, comme la vinylpyridine, une alkylvinylpyridine, le vinylbutyrolactame, le vinylcaprolactame, et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé le polymère d'oléfines, comme le propylène, l'isobutylène, ou d'alkyloléfines à longue chaîne ayant 10 à 20 atomes de carbone et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé les polymères d'esters d'alcool vinylique, comme l'acétate de vinyle et le stéarate de vinyle ou d'halogénures de vinyle comme le fluorure de vinyle, le chlorure de vinyle, le fluorure de vinylidène ou de vinylnitriles comme l'acrylonitrile et le méthacrylonitrile et d'un acide mono- ou dicarboxylique insaturé ; les polymères de (méth)acrylates d'alkyle ayant 1-24 atomes de carbone dans le groupe alkyle et d'un acide monocarboxylique insaturé, comme l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique. Ceux-ci ne sont que quelques exemples de la variété de polymères qui peuvent être utilisés dans la nouvelle composition de polissage de cette invention. Egalement, il est possible d'utiliser des polymères qui sont biodégradables, photodégradables ou dégradables par d'autres moyens. Un exemple d'une telle composition qui est biodégradable est un polymère de poly(acide acrylique) contenant des segments de copolymère de poly(acrylate-2-cyanoacrylate de méthyle).
Avantageusement, le polymère d'acide carboxylique de la présente invention est soumis à un échange d'ions pour réduire la teneur en ammoniac qui peut interférer avec un système de détection de point limite détectant l'ammoniac. En particulier, la résine échangeuse d'ions de la présente invention contient des groupes anioniques. Ces groupes anioniques rendent la résine échangeuse d'ions cationiques capable d'adsorber des cations solubles, comme des ions métalliques (par exemple Na+, K+, Ca2+, Fe3+, etc.) et l'ammoniac provenant d'une solution aqueuse. Les résines de la présente invention sont capables de réduire les concentrations de cations à 10 ppb à 2 ppm. De préférence encore, les résines de la présente invention sont capables de réduire les concentrations de cations à 50 ppb à 1 ppm. De manière particulièrement préférable, les résines de la présente invention sont capables de réduire la concentration en cations à moins de 100 ppb à 200 ppb. Ces résines échangeuses d'ions sont typiquement régénérées au moins d'acides forts pour désorber des ions adsorbés et pour les remplacer par des ions hydronium. Les résines échangeuses d'ions préférées incluent les résines échangeuses d'ions Amberlite de Rohm and Haas Company, de Philadelphie, PA. Une résine échangeuse d'ions préférée est Amberlite IRN-77. Les résines échangeuses de cations de la présente invention peuvent avoir la forme physique de billes de gel, par exemple de billes de gel sphériques, ou de billes macroporeuses, incluant des billes macroréticulaires ou des particules de résine pulvérisées qui sont sous forme de gel ou de résine macroporeuse. De telles particules pulvérisées 35 peuvent être obtenues à partir de polymères polymérisés en masse ou polymérisés en suspension au moyen de techniques de pulvérisation connues. Des particules de résines échangeuses d'ions préférées sont celles préparées par fonctionnalisation de billes de copolymère réticulé polymérisé en suspension qui sont bien connues dans la technique comme précurseurs de résines échangeuses d'ions. Les billes de copolymère sous forme de gel portent leurs groupes fonctionnels dans une enveloppe externe de profondeur uniforme. Du fait que les processus de fonctionnalisation utilisés pour préparer ces billes pénètrent le copolymère à une vitesse uniforme, l'épaisseur des couches fonctionnalisées a tendance à être uniforme pour toutes les billes quelle que soit la taille des billes, à condition seulement que les billes les plus petites ne soit pas fonctionnalisées complètement, c'est-à-dire ne soient pas sulfonées complètement. Il en résulte que les trajets de diffusion sont très uniformes, quelle que soit l'uniformité de la taille des billes. Les monomères appropriés pour préparer un copolymère réticulé incluent les monomères monovinyliques aromatiques, par exemple le styrène, le vinyltoluène, le vinylnaphtalène, l'éthylvinylbenzène, le vinylchlorobenzène, le chlorométhylstyrène et analogues, qui peuvent constituer d'environ 50 à environ 99,5 mol %, de préférence 80 à environ 99 mol %, des monomères à partir desquels le copolymère est préparé, et les monomères polyvinyliques ayant au moins deux groupes vinyle actifs polymérisables avec le monomère monovinylique, qui peuvent constituer d'environ 0,5 à environ 50 mol %, de préférence de 1 à environ 20 mol %, des monomères à partir desquels le copolymère est préparé. Des exemples de monomères polyvinyliques appropriés incluent le divinylbenzène, le triméthacrylate de triméthylolpropane, le diméthacrylate d'éthylèneglycol, le divinyltoluène, le trivinylbenzène, le divinylchlorobenzène, le phtalate de diallyle, la divinylpyridine, le divinylnaphtalène, le diacrylate d'éthylèneglycol, le diméthacrylate de néopentylglycol, le divinyléther de diéthylèneglycol, le diméthacrylate de bisphénol A, les tétra- et triméthacrylates de pentaérythritol, le divinylxylène, le divinyléthylbenzène, la diviny1sulfone, la divinylcétone, le sulfure de divinyle, l'acrylate d'allyle, le maléate de diallyle, le fumarate de diallyle, le succinate de diallyle, le carbonate de diallyle, le malonate de d'allyle, l'oxalate de diallyle, l'adipate de diallyle, le sébaçate de diallyle, le tartrate de diallyle, le silicate de diallyle, le tricarballylate de diallyle, l'aconitate de triallyle, le citrate de triallyle, le phosphate de triallyle, le ,N'-méthylène-diacrylamide, le N,N'-méthylène-di méthacrylamide, le N,N'-éthylènediacrylamide, le trivinylnaphtalène, les polyvinylanthracènes et les polyallyl- et polyvinyléthers de glycol, glycérol, pentaérythritol, résorcinol et les dérivés monothio et dithio de glycols. Le mélange de monomères peut contenir aussi jusqu'à environ 5 mol % d'autres monomères vinyliques qui n'affectent pas la nature basique de la matrice de résine résultante, par exemple l'acrylonitrile, le butadiène, l'acide méthacrylique et d'autres connus dans la technique. Dans un mode de réalisation de l'invention, les particules de copolymère sont les particules de copolymère d'ester acrylique. Une forme souhaitable de fonctionnalisation est la sulfonation, et la présente invention est capable de fournir des résines partiellement sulfonées qui sont sensiblement mieux capables de résister aux contraintes du cycle de chargement et de régénération dans des applications d'échange d'ions en milieu aqueux que les résines formées par sulfonation de copolymères conventionnels, à l'état gonflé dans un solvant ou à l'état non gonflé. 20 Avantageusement, la composition de polissage contient 0,01 à 5 Io en masse d'abrasif pour faciliter le retrait de la silice. Dans cette plage, il est souhaitable que l'abrasif soit présent en une quantité supérieure ou égale à 0,1 % en masse. Egalement, une quantité inférieure ou égale à 3 % en masse est souhaitable dans cette plage. 25 L'abrasif a une taille de particule moyenne entre 50 et 200 nanomètres (nm). Pour les besoins de cette description, la taille de particule désigne la taille de particule moyenne de l'abrasif. De préférence encore, il est souhaitable d'utiliser un abrasif ayant une taille de particule moyenne entre 80 et 150 nm. La diminution de la taille de l'abrasif à une 30 valeur inférieure ou égale à 80 nm a tendance à améliorer la planarisation de la composition de polissage mais a également tendance à abaisser la vitesse de retrait. Des exemples d'abrasifs incluent les oxydes inorganiques, les hydroxydes inorganiques, les borures métalliques, les carbures métalliques, les nitrures métalliques, les particules de polymère et les mélanges comprenant au moins l'un des précédents. Les oxydes inorganiques appropriés incluent par exemple la silice (SiO2), l'alumine (AI203), la zircone (ZrO2), l'oxyde de cérium (CeO2), l'oxyde de manganèse (MnO2) ou les combinaisons comprenant au moins l'un des oxydes précédents. Il est possible aussi d'utiliser si on le souhaite des formes modifiées de ces oxydes inorganiques, comme des particules d'oxyde inorganique recouvertes de polymère et des particules recouvertes de substances inorganiques. Les carbures, borures et nitrures métalliques appropriés incluent par exemple le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le carbonitrure de silicium (SiCN), le carbure de bore, le carbure de tungstène, le carbure de zirconium, le borure d'aluminium, le carbure de tantale, le carbure de titane ou les combinaisons comprenant au moins l'un des carbures, borures et nitrures métalliques précédents. Le diamant peut aussi être utilisé comme abrasif si on le souhaite. D'autres abrasifs incluent aussi les particules polymères et les particules polymères revêtues. L'oxyde de cérium est l'abrasif préféré. Les composés procurent une efficacité sur une large plage de pH dans les solutions contenant un complément d'eau. Cette plage de pH utile en solution s'étend d'au moins 4 à 7. De plus, la solution est basée avantageusement sur un complément d'eau désionisée pour limiter les impuretés accidentelles. Le pH du fluide de polissage de cette invention est de préférence de 4,5 à 6,8, de préférence encore de 5 à 6,5. Les acides utilisés pour ajuster le pH de la composition de cette invention sont par exemple l'acide nitrique, l'acide sulfurique, l'acide chlorhydrique, l'acide phosphorique et analogues. Des exemples de bases utilisés pour ajuster le pH de la composition de l'invention sont par exemple l'hydroxyde de potassium. Ainsi, la présente invention fournit une composition et un procédé, ayant des signaux de détection de point limite améliorés, destinés à être utilisés dans des systèmes de détection chimique de point limite. En particulier, la composition et le procédé de la présente invention sont réduits en ammoniac, ce qui améliore la précision du système de détection chimique de point limite. L'invention utilise avantageusement une résine échangeuse d'ions pour réduire la teneur en ammoniac de la composition afin de réduire les interférences dues à toute contamination de la suspension par l'ammoniac. En particulier, le polymère d'acide carboxylique subit un échange d'ions pour réduire la teneur en ammoniac de la suspension à base d'oxyde de cérium. De plus, la composition comprend avantageusement des composés d'ammonium quaternaire en vue d'une sélectivité améliorée. En particulier, la présente invention fournit une composition aqueuse utile pour polir la silice et le nitrure de silicium sur une plaquette semiconductrice comprenant un composé d'ammonium quaternaire, de l'acide phtalique et des sels de celui-ci, un polymère d'acide carboxylique, un abrasif et le complément d'eau. La composition présente en particulier une sélectivité améliorée dans une plage de pH de 4 à 7. On notera que, bien que le présent mode de réalisation concerne la réduction de la teneur en ammoniac par le polymère d'acide carboxylique, l'invention n'est pas limitée ainsi. En d'autres termes, tout constituant ou composant de la suspension, par exemple, le composé d'ammonium quaternaire, peut être soumis à un échange d'ions pour réduire toute teneur en ammoniac si nécessaire.
Exemple 1 Toutes les solutions de l'exemple contenaient 1,8 10 en masse d'oxyde de cérium, 0,18 0/0 en masse de poly(acide acrylique) et 0,21 % en masse d'hydrogénophtalate de potassium. De plus, les exemples de l'invention contenaient 0,12 Io en masse d'un composé d'ammonium quaternaire, en particulier l'hydroxyde de tétraméthylammonium. La suspension a été préparée en combinant un ensemble abrasif avec un ensemble chimique. L'ensemble abrasif a été produit par dissolution du concentré de poly(acide acrylique) dans de l'eau désionisée au moyen d'un mélange à pales et addition du concentré d'oxyde de cérium dans la solution de poly(acide acrylique). Avantageusement, le polymère de poly(acide acrylique) a été soumis à un échange d'ions avec une résine échangeuse d'ions Amberlite IRN-77. La résine échangeuse d'ions a été achetée en bouteilles chez Siemens Water Technologies, de Warrendale, PA. La solution de polymère d'acide carboxylique est diluée à 5 % pour réduire sa viscosité. La solution est pompée dans les bouteilles garnies de résine échangeuse d'ions cationiques. La solution traverse le lit de résine et sort à un pH inférieur à 3 et sensiblement dépourvue de toute espèce cationique comme les ions métalliques ou l'ammoniac. Puis, le mélange oxyde de cérium-poly(acide acrylique)-eau a été titré avec de l'acide nitrique. mélange a ensuite été introduit dans un broyeur à haut cisaillement Kady Mill. L'ensemble chimique a été préparé par dissolution de tous les produits chimiques restants dans de l'eau désionisée, en les quantités appropriées, mélange avec un mélangeur à pales et titrage au pH final selon ce que l'on souhaite avec de l'acide nitrique. La suspensionfinale est préparée en mélangeant l'ensemble abrasif avec l'ensemble chimique et en titrant au pH souhaité. Les plaquettes munies d'un motif étaient des masques STI-MIT-864TM de Praesagus, Inc. avec des couches de SiN de HDP et LPCVD. Le motif du masque MIT-864 avait des puces de 20 mm sur 20 mm consistant en éléments de 4 mm sur 4 mm. Les éléments dans le masque avaient des pas de 100 pm avec des densités allant de 10 % à 100 0/0 chacune, et des densités de 50 % avec des pas allant de 1 à 1 000 pm. Ici, la densité à 50 % est définie comme étant les espaces dans une rangée de structures répétées où la largeur d'espace/(largeur d'espace + largeur de ligne) x 100 % = 50 0/0. Par exemple, si la largeur d'espace + largeur de ligne = 100 pm, l'espace à 50 % a une largeur de 500 pm. Des feutres de polissage IC101OTm ont été utilisés pour tous les tests. Une machine de polissage Applied Materials Mirra de 200 mm utilisant un feutre de polissage en polyuréthane IC101OTm (Rohm and Haas Electronic 20 Materials CMP Inc. de Newark, DE) dans des conditions d'une force descendante de 2, 7 x 6,9 x Io' Pa (2,7 psi) et d'un débit de la solution de polissage de 85 cm3/min, d'une vitesse du plateau de 123 tr/min et d'une vitesse du support de 44 tr/min a planarisé les échantillons. Les solutions de polissage avaient un pH de 6,1 ajusté avec de l'acide nitrique. Toutes 25 les solutions contenaient un complément d'eau désionisée. Les épaisseurs des couches d'oxyde et de nitrure ont été mesurées au moyen d'un outil de métrologie Opti-probe 2600 de Therma-Wave, Inc. Comme le montrent les figures 1A et 1B, les moyennes des résultats de post-polissage pour des puces centrales, intermédiaires et du 30 bord pour maintenir le degré d'uniformité des informations à l'échelle des plaquettes sont représentées. Comme le montre la figure 1B, la plage moyenne de largeur de tranchée dans les puces était 300-400 x Io' m (St). Comme le montre la figure 1A, la plage moyenne d'épaisseur de nitrure dans les puces était 150 x m (Â). Les pertes totales d'oxyde des tranchées indiquent la combinaison de retrait excessif et d'érosion.
Exemple 2 Cette expérience comparait les résultats des données chimiques de point limite avec les données de frottement et optiques pour analyser la robustesse du point limite. Le système de détection chimique de point limite était un Eco Systems M17 N-EPD de Eco Physics. Tous les autres paramètres étaient les mêmes que ceux de l'exemple 1. Comme le montre la figure 2, le point limite chimique était le plus direct à interpréter ("allumé/éteint") ce qui permettait de grandes possibilités de fabrication. Le point limite chimique était déterminable 10- 0 15 s avant les points limites par frottement ou optiques. Le point limite chimique permettait une plus grande confiance concernant la plage de surpolissage et une plus grande robustesse du procédé.
Exemple 3 15 Cette expérience comparait les résultats des données de point limite chimique avec celui des données par frottement et optiques pour analyser l'efficacité de la planarisation. Le système de détection de point limite chimique était le même que dans l'exemple 2. Tous les autres paramètres étaient les mêmes que ceux de l'exemple 1.
20 Comme le montrent les figures 3A et 3B, le procédé optimisé utilisant le point limite chimique améliorait sensiblement l'efficacité de la planarisation. Le système de point limite chimique améliorait la confiance de dégagement d'oxyde et les conditions de surpolissage plus court. Ainsi, la présente invention fournit une composition et un 25 procédé, ayant des signaux de détection de point limite améliorés, destinés à être utilisés dans des systèmes de détection de point limite chimique. En particulier, la composition et le procédé de la présente invention sont réduits en ammoniac, ce qui améliore la précision du système de détection de point limite chimique. L'invention utilise 30 avantageusement une résine échangeuse d'ions pour réduire la teneur en ammoniac de la composition afin de réduire les interférences dues à toute contamination de la suspension par l'ammoniac.
Claims (4)
1. Procédé de production d'une composition ou suspension pour polir la silice et le nitrure de silicium sur un substrat semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture d'un polymère d'acide carboxylique dans une solution aqueuse - la mise en contact de la solution aqueuse avec une résine échangeuse d'ions pour retirer les cations solubles et l'ammoniac soluble de la solution aqueuse, la solution aqueuse fournissant un polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse - l'ajout ou l'addition (i) d'un abrasif, (ii) d'un composé d'ammonium quaternaire et (iii) d'acide phtalique ou d'un sel d'acide phtalique au polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse afin d'obtenir une suspension ayant 0,01 à 5 % en masse du polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions, 0,001 à 1 % en masse de composé d'ammonium quaternaire, 0,001 à 1 0/o en masse d'acide phtalique ou de sel d'acide phtalique et 0,01 à 5 % en masse d'abrasif.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composé d'ammonium quaternaire est choisi dans le groupe comprenant l'hydroxyde de tétraméthylammonium, l'hydroxyde de tétraéthylammonium, l'hydroxyde de tétrapropylammonium, l'hydroxyde de tétraisopropylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopropylammonium, l'hydroxyde de tétrabutylammonium, l'hydroxyde de tétraisobutylammonium, l'hydroxyde de tétratertbutylammonium, l'hydroxyde de tétrasecbu ammonium, l'hydroxyde de tétracyclobutylammonium, l'hydroxyde de tétrapentylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopentylammonium, l'hydroxyde de tétrahexylammonium, l'hydroxyde de tétracyclohexylammonium et leurs mélanges.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le sel d'acide phtalique est l'hydrogénophtalate de potassium.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'abrasif est l'oxyde de cérium. . Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'oxyde de cérium a une taille de particule moyenne entre 50 et 200 nm. 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que l'oxyde de cérium a une taille de particule moyenne entre 80 et 150 nm. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la suspension a un pH de 4 à 7. 8. Procédé de polissage mécano-chimique de la silice et du nitrure de silicium sur un substrat semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture d'un feutre de polissage ; - la fourniture d'une suspension obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 ; - le polissage du substrat semiconducteur au moyen du feutre de polissage et de la suspension. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : - la détection chimique d'un point limite de polissage et l'arrêt du polissage, la détection chimique comprenant le contrôle de la teneur en ammoniac dans la suspension.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/446,936 US7297633B1 (en) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | Compositions for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride having improved endpoint detection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2901802A1 true FR2901802A1 (fr) | 2007-12-07 |
FR2901802B1 FR2901802B1 (fr) | 2012-11-30 |
Family
ID=38650726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0755483A Expired - Fee Related FR2901802B1 (fr) | 2006-06-05 | 2007-06-05 | Procede de production d'une composition de polissage mecano-chimique et procede de polissage mecano-chimique. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7297633B1 (fr) |
JP (1) | JP2007324606A (fr) |
KR (1) | KR20070116543A (fr) |
CN (1) | CN101085902B (fr) |
DE (1) | DE102007024142A1 (fr) |
FR (1) | FR2901802B1 (fr) |
SG (1) | SG137837A1 (fr) |
TW (1) | TW200804577A (fr) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5186707B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-04-24 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨剤、cmp研磨剤用添加液及びこれらを用いた基板の研磨方法 |
US20090181475A1 (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Novellus Systems, Inc. | Detecting the presence of a workpiece relative to a carrier head |
WO2010036358A1 (fr) | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Rhodia Operations | Compositions abrasives de polissage chimico-mecanique et procedes d'utilisation associes |
US8735293B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-05-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
CN102714132A (zh) | 2009-12-18 | 2012-10-03 | 睿纳有限责任公司 | 用于去除衬底层的方法 |
US8671685B2 (en) * | 2010-03-08 | 2014-03-18 | Tma Power, Llc | Microturbine Sun Tracker |
CN102464946B (zh) * | 2010-11-19 | 2015-05-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
US9564337B2 (en) * | 2010-12-24 | 2017-02-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing liquid and method for polishing substrate using the polishing liquid |
US8808573B2 (en) * | 2011-04-15 | 2014-08-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials |
WO2023145572A1 (fr) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Agc株式会社 | Agent de polissage, solution additive pour agents de polissage et procédé de polissage |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05269460A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-19 | Kurita Water Ind Ltd | アンモニアおよびアルカリ土類金属イオン含有水の処理方法 |
JP3449600B2 (ja) * | 1998-05-06 | 2003-09-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 化学反応による終点の検出 |
US6126848A (en) * | 1998-05-06 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Indirect endpoint detection by chemical reaction and chemiluminescence |
US6228280B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | Endpoint detection by chemical reaction and reagent |
EP0957086A3 (fr) * | 1998-05-14 | 2003-02-12 | Haldor Topsoe A/S | Procédé pour l'élimination de composés métalliques dans une solution aqueuse acide |
US6021679A (en) * | 1998-08-04 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Probe for slurry gas sampling |
US6899784B1 (en) * | 2002-06-27 | 2005-05-31 | International Business Machines Corporation | Apparatus for detecting CMP endpoint in acidic slurries |
US20050108947A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Mueller Brian L. | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride |
-
2006
- 2006-06-05 US US11/446,936 patent/US7297633B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-23 TW TW096118311A patent/TW200804577A/zh unknown
- 2007-05-24 DE DE102007024142A patent/DE102007024142A1/de not_active Withdrawn
- 2007-05-30 KR KR1020070052556A patent/KR20070116543A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-06-05 FR FR0755483A patent/FR2901802B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-05 SG SG200704055-3A patent/SG137837A1/en unknown
- 2007-06-05 JP JP2007148759A patent/JP2007324606A/ja active Pending
- 2007-06-05 CN CN2007101098948A patent/CN101085902B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101085902A (zh) | 2007-12-12 |
US7297633B1 (en) | 2007-11-20 |
CN101085902B (zh) | 2010-09-08 |
JP2007324606A (ja) | 2007-12-13 |
SG137837A1 (en) | 2007-12-28 |
FR2901802B1 (fr) | 2012-11-30 |
TW200804577A (en) | 2008-01-16 |
US20070281483A1 (en) | 2007-12-06 |
KR20070116543A (ko) | 2007-12-10 |
DE102007024142A1 (de) | 2007-12-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |
Effective date: 20140228 |