TW200609249A - Resin for a resist composition, negative resist composition, and method of forming resist pattern - Google Patents
Resin for a resist composition, negative resist composition, and method of forming resist patternInfo
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004131115 | 2004-04-27 | ||
JP2004263753A JP2005336452A (ja) | 2004-04-27 | 2004-09-10 | レジスト組成物用樹脂、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200609249A true TW200609249A (en) | 2006-03-16 |
Family
ID=35241639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094112308A TW200609249A (en) | 2004-04-27 | 2005-04-18 | Resin for a resist composition, negative resist composition, and method of forming resist pattern |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005336452A (zh) |
TW (1) | TW200609249A (zh) |
WO (1) | WO2005105873A1 (zh) |
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JP5690584B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-03-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5856809B2 (ja) | 2011-01-26 | 2016-02-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5677127B2 (ja) | 2011-02-18 | 2015-02-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
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JP6002430B2 (ja) | 2012-05-08 | 2016-10-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
JP6059517B2 (ja) | 2012-05-16 | 2017-01-11 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP6130109B2 (ja) | 2012-05-30 | 2017-05-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
JP6118533B2 (ja) | 2012-06-13 | 2017-04-19 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、レジスト組成物、レジストパターン形成方法。 |
JP6006999B2 (ja) | 2012-06-20 | 2016-10-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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JP6093614B2 (ja) | 2013-03-25 | 2017-03-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6097610B2 (ja) | 2013-03-25 | 2017-03-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6097611B2 (ja) | 2013-03-25 | 2017-03-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6249664B2 (ja) | 2013-07-31 | 2017-12-20 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、酸発生剤、及びレジストパターン形成方法 |
JP6307250B2 (ja) | 2013-11-15 | 2018-04-04 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物 |
JP6322424B2 (ja) | 2014-01-16 | 2018-05-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
JP6397696B2 (ja) | 2014-08-26 | 2018-09-26 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6706530B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-06-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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-
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-
2005
- 2005-04-18 TW TW094112308A patent/TW200609249A/zh unknown
- 2005-04-18 WO PCT/JP2005/007391 patent/WO2005105873A1/ja active Application Filing
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JP2005336452A (ja) | 2005-12-08 |
WO2005105873A1 (ja) | 2005-11-10 |
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