TW200594B - - Google Patents

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200594 A6 B6 五、發明說明（J ) 把济郎十处梂个而"工消';'合作;1卬踅 本發明係關於支撐於基片上之薄膜可熔元件及其在保險 絲之用途。 在絕緣基片上設有薄膜傳導材霣而提供可熔元件為已知 的。這允許一元件其厚度為少於由横衝所達成即0.002时 提供低電流容最及製造時容易處理。有瞄專利描述由各種 沉穡技術所提供之具有在基Η上傳導材料之薄祺的可熔元 件包括：美國專利第3,271,544 ; 4,140,988 ; 4,208,645 ； 4,376,927 ; 4,494,104 ; 4,520.338 ; 4,749·980 ; 4,873,506 及 4,926,543 。 —般上，本發明之特點在於在一保降低高峰淬熄霉 壓。此保險絲利用一薄膜可熔元件支撐於一基片上。造是 藉在基Η之不同於可熔元件之區上提供一電阻元件以提供 一分流路徑霣學上連接平行於可熔元件。在超霣流情況時 ，該可熔元件清除，該霉阻分流路徑變成降低高峰淬熄霉 壓，不然的話，在保險絲霉導上，當接近零霣流情況時會 造成（在清除時）陡然減少。 在《拖例中，轚阻元件係弒由提供雷限元件材笛Jfg基 Η表面的一大面積，及該可熔元件係沉楫於電陏元件衬宵 的一部份，而產生一部份的曝露材筲供電阻元件。基片係 钿長形，及可熔元件及雷姐元件兩者係自一端延伸至另__ 端。該基片係氧化鋸製成（較佳為少於97%之纯度） 電阻元件係自一金靨製成•為足夠薄的沉植以對茁流提供 電阻及在一超笛流情況時之 清除可熔元件時降低高峰淬®霣懕。霣阻元件係自約400 -3 - 本纸張尺度適用中Β Β家樣準（CNS)甲4規格（210x297公嫠） (請先聞讀背面之注意事項再填駕本頁) -線· 200594 A6 B6 五、發明說明（2 ) A厚之鉻製成。該可熔元件係由銀或綢（較佳為後者•少 於1,0 00微时厚）所製成。可熔元件在其長度上設有減少 的截面積之缺口部份。 本發明之優點及特點將可自較佳實施例的描述及申請專 利範園而暸解。 圖1係根據本發明之保險絲的立體圖。 圖2係沿圖1之2- 2的部份，垂直截面圈。 圖3係一基片的平面圖，該基片支撐用於圖1之保險絲 的薄膜可熔元件及薄膜電阻元件。 圖4係沿圖3的基片及設有元件之4- 4的示意剖面圖。 结欏 請參閱圖1 ，為顯示一保險絲10具一圓柱形保險躲外兗 12及端蓋端子14, 16於保險絲管12之端。 請參閲圖2，3及4，顯示在保險躲外赁'12内，設有基片 1 8 ( 9 6 it A 1 2 0 3 )具有薄膜層2 1 ( 4 0 0 A厚之銘）及薄膜可熔 元件20(對1安培保險絲而言•網的厚度約70微吋）（對更 高定額用保險絲，該可熔元件為較厚者*例高達1000微时 的飼）。由片金靨製成之具彈性金羼連接片22提供端蓋端 子16及可熔元件20及基片18之端的層21之間，經焊接塊 24(圖2僅顯示一端）連接。金《Η22亦在保險絲外背 12内捉供基片18之櫬械支撐。焊接塊26. 28為H22的端部 份及端蓋端子16之間的雷連接。谢維墊圈29係設於片22及 端蓋端子16的内表面之間。 -4 - 本纸張尺度適用中國國家样準（CNS)甲4規格（210x297公釐） (請先W讀背面之注意事項再琪寫本页) _^. *打…： •線. A6 B6 200594 五、發明說明（3 ) 請參閱圖3 ，可見該可熔元件20在其長度上具有複數個 缺口部份30。 請參関圖4，顯示絡層21係沉積於基片18的整個上表面 •及該铜可熔元件20係沉稽於層21之頂面。層21包括三部 份：兩外部份位於可熔元件20之兩邊，它提供電阻元件 23及一第三部份25位於可熔元件20下方。在可熔元件20下 的基片18之頂表面區涤一可熔元件支撐區，及在電阻元件 23下的基片頂表面區係一電阻元件支撐區。層21具一電阻 為約 1 , 0 0 0 Ω。 在製造上，鉻層21係以DC平面磁控管噴鍍於基片18的整 個上表面約400 A厚度。可熔元件20之加入係藉沉積70微 吋的飼。此沉積70係藉DC平面磁控管噴鍍，施於UV感光阻 劑，施一期望形狀之元件20的Myla「（聚酯}罩•將組件曝 光於UV光，及蝕刻未罩蔽之飼。這會產生絡覆蓋整個基Η 及綢並具可熔元件20於鉻的幾何形狀。 於姐合已完成之可熔元件於保險絲外f，Η22係利用焊 接塊24焊接於基片18的各端 > 及基片18係設於保險躲外背 12。在未將端部端子14壓入保險絲外贅12的端及熔化資 26, 28之前，焊資26, 28係施於外脅一端的一端部份32。 保險絲外骨12係随後填入雷弧淬熄填充材料40(例如 50/70石英），如部份的顯示於圈2。另一端Μ端子《後 Κ相同方式完成保險絲10的製造。 本纸張尺度適用中國國家格準（CNS)T4規格（210x297公釐） (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. ‘訂…·( 时：汧郎屮欠桴平局：^工消';'合作^卬製 200594 A6 B6 五、發明說明（4 ) 播作 在操作上，在正常電流情況•電流通過可熔元件20*及 並不會明顯的被層21影響。在超®流情況，可熔元件20» 溫度而增加並熔解及在缺口部份蒸發•起初在可熔元件的 缺口部份產生通弧。當接近零電流情況時，®弧路徑的電 導減少，及電壓增加使得有一些霣流開始流經霣阻元件 23，此電阻分路徑成為滅少高峰淬熄電®，為不然會使電 弧鼋導產生陡然滅少。因此，電阻元件2 3在保險絲電導提 供一逐漸滅少（當可熔元件清除該霣路）·因此，控制了高 峰淬熄電®。當接近主要元件濟除笛路時，霣流會傅遞至 電阻元件23，該電阻元件23開始薄由一有條紋分解機構而 熔化。在電阻元件之條紋形式横向可熔元件•因而產生一 非常高電阻路徑•及随後產生一開電路。 霣阻分路徑的利用提供一賨際上較低峰淬熄電懕，如不 利用它將會產生。這允許一非常快速動作保殮絲而不損害 高電壓尖光，此尖光會損壊該保險絲所欲保說者。 甚胞例 本發明之其他實施例係界於下例申謫範圍其他的材宵 及嫌何形狀將可用於基片、霣阻元件、及可熔元件•該 96¾ Α12〇3具有足夠表面粗随度（約25微时於”如熵製 "情況）Μ允許一飼層的鲇著之直接的沉楨於基片上而不 利用所謂”膠著”層，如路（參照· 985Κ Α12〇3(通常用為沉 (請先Μ請背面之注意事項再填寫本頁) .V ·.装. .打…《 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Τ4規格(210x297公釐> A 6 B6 200594 五、诠明説明（3 ) 積材料的基片 > 具有一典型表面粗隨度約2微时於一”如 燒製”倩況•及鉻與此基Η其用Μ進行將銀或铜鐽合於 Al2〇3)。因此，如果期望的，該可熔元件（例如銅）可直接 的鐽合於基片的一區，及該電阻元件可鐽合於基片上的不 同區。 路層的厚度被控制Μ提供期望的電阻，如實施例中所描 述為約1000Ω。絡層的厚度及寬度及霄姐元件的數目可被 選擇以當保險絲具不同定額時變化分路電阻。該層應不製 成太厚。或者，不然改變原度Μ減少在提供一實際傳導路 徑與可熔元件平行的霉阻，及該層也不應做得大薄Μ使電 阻太高Μ控制該高峰淬熄電整。其他的創造薄膜可熔元件 及電阻元件的其他技術亦可應用。除了氧化鋁之外，其他 可用為基片的絕緣材枓為，熔化矽玻璃，其他較不純之玻 璃，其他陶瓷*及印制雷路板材料·除了平面基片，其他 形狀的基片（例如柱基Η)也可應用。 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) .装. 打…f -線. 本纸張尺度適用中Β國家梂準（CNS)甲4規格（210x297公釐）

Claims (1)

1. 200594 六、申請專利範面 A7 B7 C7 D7 一種用於電保險 一絕緣材質所形 一由薄_導®材 蓋於基Μ的一可 提供一傅辱路徑 2. 3 . 4. 6 . 7 . 經濟部中央搮準局印裝 —由轚阻 於該基片 元件支撐 超鼋流情 根據申誚 接的支撐 根據申謫 靨電阻元 撐匾及霣 件材料上 根據申誚 具兩纗， 端。 根據申請 件係在可 根據申謫 缺卩部份 根據申請 鋁所製成 元件材 的一電 區為不 況時清 専利範 於該基 專利範 件材料 阻支撐 絲之可 成之* 霣形成 熔元件 ，及 料製成 阻元件 同匾· 除可熔 園第1 Η表面 圈第2 沉積於 匾，及 熔元件姐件，該 片及具有一基片 之可熔元件且設 支撐區，及在正 姐件包含： 表面， 於該基片上，覆 常電流悄況之下 之《阻元件設於 支撐匾•即該基 及係電學上平行 該基片上，覆蓋 片表面S與可熔 於可熔元件以在 元件時提供一分流路徑。 項之姐件·其中該電阻元件係直 〇 項之姐件，其中該霣阻元件係一 該基片的一部份及覆蓋該元件支 其中該可熔元件係沉積於電阻元 専利範第3項之姐件，其中基片為细長形並 及該電阻元件及可熔元件係自一镧延伸至另一 専利範園第4項之姐件•其中 熔元件之兩邊。 専利範園第5項之姐件，其中 ，為在其長度設有減少截面積 専利範園第1項之姐件，其中 有部份的霣阻元 該可熔元件具有 的傅等材霣。 該基片係由氧化 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. •打· •線· 肀 4(210X297 公;<) A7 200594 g _ D7 六、申請專利範面 8. 根據申謫專利範園第7項之姐件，其中該氧化鋁係少於 9 7 »：純氧化鋁。 9. 根據申謫專利範園第1項之姐件·其中該電阻元件材質 係一金属為足夠薄的沉棟Μ對電流提供電阻並在超電流 情況時之清除可熔元件時降低高峰淬熄電壓。 10. 根據申謫專利範圍第9項之姐件，其中該金厲包含絡。 11. 根據申請専利範圓第10項之姐件，其中該絡係Μ —厚度 約為400 Α沉積。 12. 根據申誚專利範鼷第1項之姐件，其中該傅等材質包含 銅。 13. 根據申請専利範園第1項之姐件·其中該傅導材霣包含 銀。 14. 根據申謫專利範園第3項之姐件·其中該電阻元件材質 係一金廳為足夠薄的沉稹Μ對電流提供電阻並在超電流 情況時之淸除可熔元件時降低高峰淬《電懕。 15. 根據申讅専利範園第14項，其中該金屬包含鉻。 16. 根據申請專利範園第15項之姐件，其中該絡係Μ —摩度 約為400Α沉積。 17. 根據申讅專利範園第16項之姐件，其中該傳導材質包含 飼° 18. 根據申誧専利範園第17項之姐件，其中網係Ml,000微 吋厚層沉積。 經濟部中央揉準局印«. (請先閑讀背面之注意事項再填窝本页) 19. 根據申誚專利範國第17項之姐件，其中該傳導材質係箱 甲 4(210X297 公;¥) • A7 200594 B7 C7 —__D7_ 六、申請專利範面 DC平面磁控管曠鍍。 20. 根據申請専利範園第19項之姐件，其中該傅等材質係鶫 DC平面磁控管唄鏤。 21. —保瞼絲包含 一保除絲外贅； 設於該保嫌躲外竇的蟠子； 一基片由絕緣材霣製成並具一基片表面，該基片係設於 該保險絲外實； 一由薄臢導鼋材霣形成之可熔元件且設於該基片•覆藎 於基Η的一可熔元件支撐區，及並連接Μ在正常«流情 況之下提，在斓子之間提供一傅導路徑；及 一由電阻元件材料製成之電阻元件設於該基Η上，覆蓋 於該基片的~電阻元件支》區，即該基片表面g與可熔 元件支撐®為不同匾*及在纗子之間霣學上平行於可熔 元件以在超電滾情況時清除可熔元件時提供一分流路徑 〇 22. 根據申講専利範園第21項之保嫌絲，進一步在保除絲外 臂包含電弧淬熄填充材質。 23. 根據申請專利範園第21項之保瞼絲，其中該霣阻元件係 直接的支撐於該基片表面上。 經濟部中央揉準扃印裝 (請先閑讀背面之注惫事項再填穽本頁) 24. 根據申誧專利範園第23項之保險絲，其中該電阻元件係 一層霄姐元件材料沉積於該基片的一部份及覆蘧該元件 支播區及霄阻支播画，及其中該可培元件係沉稹於笔姐 元件材料上。 肀 4(210X297 公廣） A7 B7 C7 D7 200594 #、申請專利範面 25. 根據申誚專利範園第24項之保險絲，其中該霣阻元件材 霣係一金靨為足夠薄的沉棟Μ對電流攞供電阻並在超轚 流情況時之清除可熔元件時降低高峰淬熄電壓。 26. 根據申誚専利範國第25項之保險絲，其中該金羼包含絡 〇 27. 根據申請專利範_第26項之保驗絲，其中該絡係以一厚 度約為400 Α沉稹。 28. 根據申請専利範謂第27項之保險躲，其中該傅導材料包 含鋦。 (請先閱績背面之注意事項再填有本頁) k. •打· •線· 經濟部中央搮準扃印裝 肀 4(210X297 公羶)