JP4386274B2 - ヒューズエレメント - Google Patents
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Description
22…セラミック基板
23…導電性薄膜
23a…円部
23b…半円部
23c…並列遮断部
P…狭小部
Claims (3)
- 電気的絶縁性を有する基板と、断面積が狭小にされた狭小部が電気的に並列に配置された並列遮断部がさらに電気的に直列に配置されて前記基板表面に形成された導電性薄膜とから構成されるヒューズエレメントにおいて、
前記導電性薄膜は、前記狭小部の断面積が小さく形成され、この断面積が小さくされた分に基づいて前記狭小部の個数が多く形成されて、前記狭小部の総合最小断面積が、前記狭小部の増加前後の個数比に逆比例した値を最小値とした前記狭小部の断面積と、前記狭小部の増加後の個数との積に設定されていることを特徴とするヒューズエレメント。 - 前記導電性薄膜は、前記狭小部間のピッチが各前記狭小部の冷却特性の独立性を失わないところまで狭く形成され、この狭くされた分に基づいて前記狭小部の個数が多く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のヒューズエレメント。
- 前記導電性薄膜は、前記並列遮断部の厚さが前記並列遮断部以外の厚さに比較して薄く形成され、この薄くされた分に基づいて前記狭小部の個数が多く形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のヒューズエレメント。
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