JP3194429B2 - 過電流遮断構造 - Google Patents

過電流遮断構造

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、負荷に継がる通電経路
に過電流が流れる状態になったとき、その通電経路を応
答性よく確実に遮断することができる過電流遮断構造に
係り、特に、金，銅，アルミニウム等の良導体を相対的
に高抵抗のものとして取り扱えるようにした例えば微細
な金線，銅線，アルミ線等の線材を、過電流で発熱する
導電線材として用い、この導電線材の周囲を樹脂で覆っ
た構成において、過電流が流れる通電経路を完全に遮断
することができるようにした過電流遮断構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、負荷に継がる通電経路にヒュー
ズを挿入配置することで、過電流が流れる状態になった
とき、ヒューズの溶断で通電経路を遮断している。この
ヒューズは、よく知られているように、ヒューズ線材を
保護するため、例えば、事故電流が大きい負荷電源ライ
ンでは、図１６に示されるような筒形ヒューズ１０１の
構成を採り、また、事故電流が小さい電子機器等の保護
用には図１７に示されるような管形ヒューズ１０２の構
成を採る。しかし、これらのヒューズには、次のような
問題点がある。
【０００３】（１）筒形ヒューズ１０１は、構造複雑で
製造難易度が高く高価なものであるため、負荷電源ライ
ンにおける過負荷保護において、大きなコストアップと
なる。
【０００４】（２）筒形ヒューズ１０１及び管形ヒュー
ズ１０２は、共にヒューズホルダーを使用することにな
るため機器に内蔵する場合、専有スペースが大きくな
る。
【０００５】そこで、このような問題点を抱えるヒュー
ズに代わる過電流遮断構造についての検討及び実験を繰
り返し実施し、新たな過電流遮断構造を提案するに至っ
た。この新たな過電流遮断構造は、金，銅，アルミニウ
ム等の良導体を相対的に高抵抗のものとして取り扱える
ようにした例えば微細な金線，銅線等の如く過電流で発
熱する導電線材を芯材として用い、この導電線材の周囲
を樹脂で覆う構成としたものである。このため、通電経
路の容量確保（経路周辺への放熱）と、導電線材により
接続される一対の導電体（例えば端子）の固定とを達成
できる。加えて、取扱易さ、耐環境性、周辺部品との絶
縁性の観点で有利となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電線
材の周囲を樹脂で覆う構成とした場合においては、導電
線材が過電流で溶断状態に至る過程で導電線材周りの樹
脂の炭化が進行し、この炭化部分がバイパス電流経路
（炭化経路）となることに留意しなければならない。つ
まり、導電線材が過電流で溶断しても、炭化部分のバイ
パス電流経路が残存し、負荷へと過電流を供給しつづけ
ることになる。このため、従来は、導電線材の周囲を樹
脂で覆う構成とした場合、実用性に欠けるという問題が
あった。
【０００７】本発明は、上記した問題点に着目してなさ
れたものであり、導電線材の周囲を樹脂で覆う構成にお
いて、過電流が流れる通電経路を応答性よく確実に遮断
できる実用的な過電流遮断構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１に記
載の発明は、一対の導電体と、それらの導電体間に接続
される線径の細い導体ワイアと、導体ワイアの周囲を封
止する樹脂層と、導体ワイアの経路付近の樹脂層を窪ま
せて形成した薄肉被覆層とを有し、薄肉被覆層を形成す
るための窪み深さは、導体ワイヤが露出しない深さとさ
れ、それにより、導体ワイアが過電流で溶断するか否か
に拘わらず、薄肉被覆層の破壊により通電経路が遮断さ
れるようにしたことを特徴とする過電流遮断構造にあ
る。
【０００９】そして、こような構成によれば、一対の導
電体間に接続した導体ワイアが過電流により発熱して温
度上昇し、同時に樹脂層も発熱して温度上昇する際、樹
脂層の温度上昇が薄肉被覆層の形成部分に集中する。こ
のため、樹脂層の厚肉のままの部分よりも薄肉被覆層の
形成部分において、樹脂の炭化過程で多量のガスが発生
する。換言すれば、樹脂層の厚肉のままの部分でのガス
の圧力上昇よりも薄肉被覆層の形成部分でのガスの圧力
上昇が急峻となる。
【００１０】よって、導電線材に過電流が流れることに
起因して導電線材周りに樹脂の炭化による炭化経路が形
成される過程において、樹脂層の厚肉のままの部分で
は、ガス圧がガス破裂の限界圧になるにはほど遠い状態
にあるとき、薄肉被覆層の形成部分では、ガス破裂の限
界圧に到達し、小規模にガス破裂する。これにより、薄
肉被覆層の形成部分では、導電線材が過電流で溶断する
か否かに拘らず、瞬時に炭化経路もろとも断層に亀裂が
生じるように破壊されることになる。その結果、一対の
導電体間の通電経路を流れる負荷電流等が過電流になっ
たとき、樹脂層の厚肉のままの部分の非破壊状態で薄肉
被覆層の形成部分の通電経路を応答性よく確実に遮断で
きよう。加えて、薄肉被覆層の厚み調整を行なうことに
より、通電経路の遮断時期を微調整すための設計自由度
が得られよう。
【００１１】好ましい実施の形態では、導体ワイアの材
質が、導電率の高い金属とされる。このような構成によ
れば、過電流で発熱する導体ワイアを配置するための設
計自由度が得られよう。
【００１２】好ましい実施の形態では、導体ワイアが一
対の導電体間に複数本接続される。このような構成によ
れば、一対の導電体間に過電流が流れたときに生じる熱
源領域を拡大させ、破壊開始点を拡大させることができ
よう。なお、これは、導体ワイアの本数に反比例して線
材径を細くことで対処できよう。
【００１３】好ましい実施の形態では、一対の導電体
は、導体ワイアに過電流による発熱が集中するように材
質や体積が選定されている。このような構成によれば、
通電経路に過電流が流れたとき、導電線材が応答性よく
発熱されよう。
【００１４】好ましい実施の形態では、一対の導電体
が、表面実装仕様の形状とされる。このような構成によ
れば、表面実装技術を利用して、回路基板上に、容易に
実装できよう。
【００１５】好ましい実施の形態では、窪みを有する樹
脂層が成形金型を用いるトランスファーモールドで形成
される。このような構成によれば、薄肉被覆層は、導電
体間に接続した導電ワイアを成形金型を用いるトランス
ファモールドで形成したため、生産工程が簡略されよ
う。
【００１６】好ましい実施の形態では、窪みの底部に
は、温度感知物質や物理力感知物質等の異常検知手段が
設けられる。このような構成によれば、薄肉被覆層の発
熱破壊を外側から視覚では識別できない場合に、温度感
熱物質の温度感知等による色調等の変化で、その破壊が
生じたことを知らせることができよう。
【００１７】
【発明の実施形態】以下、本発明の好ましい実施形態に
つき、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】図１の模式的斜視図に、本発明にかかる過
電流遮断構造の第１の実施形態の構成を示す。同図にお
いて、１，２は各々一対の導電体をなす端子構造の各電
極片、３は例えば金，銅，アルミニウム等のように導電
率の高い金属からなる微細な線径の導体ワイヤであり、
相対的に高抵抗にされて過電流で発熱するようにしたも
のである。なお、本実施形態では、金線とした場合は５
０ミクロン、アルミ線とした場合は３００ミクロンの線
径のものを適用した。また、４は樹脂層、５は薄肉被覆
層である。
【００１９】この実施形態の過電流遮断構造は、一対の
電極片１，２間に、過電流で発熱する導体ワイヤ３をワ
イヤボンディングで接続し、次に、成形金型を用いるト
ランスファモールドで導体ワイヤ３の周囲を例えばエポ
キシ樹脂等の成形樹脂で封止された状態に覆うことによ
り樹脂層４を形成する。そして、樹脂層４を形成する
際、同時に導体ワイヤ３の経路付近を円形に窪ませて薄
肉被覆層５を形成したものである。なお、薄肉被覆層５
を形成するための窪み深さは、導体ワイヤ３が露出しな
い深さで、具体的には、薄肉被覆層５の表面から導体ワ
イヤ３の頂部までの寸法が０．５ｍｍ程度の肉厚となる
ように定める。
【００２０】また、一対の電極片１，２としては、材質
や質量の大きさを選んで、導体抵抗を下げ、かつ熱容量
を上げたものを用い、一対の電極片１，２間に過電流が
流れたときに導体ワイヤ３に発熱が集中するようにして
いるので、そのときに導体ワイヤ３が応答性よく発熱さ
れるものとなる。
【００２１】このように過電流が流れたときに発熱が集
中する導体ワイヤ３の経路付近を円形に窪ませて薄肉被
覆層５を形成した構成を採ることにより、一対の電極端
子片１，２間に接続した導体ワイヤ３が過電流により発
熱して温度上昇する際、この温度上昇による樹脂層４の
発熱が薄肉被覆層５に集中する。このとき、樹脂層４の
うち特に薄肉被覆層５の形成部分に樹脂の炭化過程で多
量のガスが発生する。
【００２２】よって、導体ワイヤ３に過電流が流れるこ
とに起因して導体ワイヤ３周りに樹脂の炭化による炭化
経路が形成される過程において、樹脂層４の厚肉のまま
の部分では、ガス圧がガス破裂の限界圧になるにはほど
遠い状態にあるとき、薄肉被覆層５の形成部分では、ガ
ス破裂の限界圧に到達し、小規模にガス破裂する。これ
により、薄肉被覆層５の形成部分では、導電線材が過電
流で溶断するか否かに拘らず、瞬時に炭化経路もろとも
断層に亀裂が生じるように破壊されることになる。その
結果、一対の導電体間の通電経路を流れる負荷電流等が
過電流になったとき、樹脂層４の厚肉のままの部分の非
破壊状態で薄肉被覆層５の形成部分の通電経路を応答性
よく確実に遮断できる。加えて、以下列挙するような利
点が生じる。
【００２３】（１）薄肉被覆層５の厚み調整を行なうこ
とにより、通電経路の遮断時期を微調整すための設計自
由度が得られる。
【００２４】（２）過電流で発熱する導電線材を接続配
置するための設計自由度が得られる。
【００２５】（３）取扱易さ、耐環境性、周辺部品との
絶縁性の観点で有利となる。
【００２６】（４）薄肉被覆層５を含む樹脂層４は、導
電体間に接続した導電線材を成形金型を用いるトランス
ファモールドで形成するため、生産工程が簡略され、ま
た、一般的な半導体パッケージ品生産ラインを流用して
製造できるため、過電流遮断構造を作製する生産能力の
向上及びコスト低減を図れる。
【００２７】また、本実施形態の構成において、薄肉被
覆層５の形状を図２〜図７に示される各実施例のように
種々工夫すると、過電流による導体ワイヤ３の発熱で薄
肉被覆層５の形成部分が破壊する応答性が促進される。
【００２８】図２（ａ）の上面図及び同図（ｂ）の断面
図に示される実施例は、導体ワイヤ３のボンディング形
状に沿わせて外面を湾曲させた薄肉被覆層５ａが樹脂層
４に形成されている。この場合、過電流通電時に導体ワ
イヤ３に交差する方向に亀裂が走りやすくなり、薄肉被
覆層５ａの形成部分が破壊する応答性が促進される。
【００２９】図３の断面図に示される実施例は、図２に
示される実施例の変形例であり、薄肉被覆層５ａが形成
された位置の底面に導体ワイヤ３の樹脂被覆の厚みを薄
くする凹部６が形成されている。この場合、過電流通電
時に導体ワイヤ３に交差する方向に更に亀裂が走りやす
くなり、薄肉被覆層５ａの形成部分が破壊する応答性が
促進される。
【００３０】図４（ａ）の上面図及び同図（ｂ）の断面
図に示される実施例は、導体ワイヤ３の線上に沿った方
向の溝７と、これに交差する方向の溝８とを各々有する
外面形状の溝薄肉被覆層５ｂが樹脂層４に形成されてい
る。この場合、過電流通電時に溝７，８が構造上の弱点
となって亀裂が走りやすくなり、薄肉被覆層５ｂの形成
部分が破壊する応答性が促進される。
【００３１】図５（ａ）の上面図及び同図（ｂ）の断面
図に示される実施例は、導体ワイヤ３の線上の中央点を
中心として円形に加工された溝９を有する外面形状の薄
肉被覆層５ｃが樹脂層４に形成されている。この場合、
過電流通電時に溝９が構造上の弱点となって亀裂が走り
やすくなり、薄肉被覆層５ｃの形成部分が破壊する応答
性が促進される。
【００３２】図６（ａ）の上面図及び同図（ｂ）の断面
図に示される実施例は、導体ワイヤ３の線上の中央点を
交差する方向に加工された溝１０を有する外面形状の薄
肉被覆層５ｄが樹脂層４に形成されている。この場合、
過電流通電時に溝１０が構造上の弱点となって亀裂が走
りやすくなり、薄肉被覆層５ｄの形成部分が破壊する応
答性が促進される。なお、図７の上面図に示されるよう
に、導体ワイヤ３の線上に沿う方向に加工された溝１１
を形成し、薄肉被覆層５ｅの破壊が促進されるようにし
てもよい。
【００３３】図８の模式的斜視図に、本発明にかかる過
電流遮断構造の第２の実施形態の構成を示す。この実施
形態では、同図に示されるように、一対の導電体として
ＳＭＤ仕様の各電極片１Ａ，２Ａを用い、この一対の電
極片１Ａ，２Ａ間に導体ワイヤ３をワイヤボンディング
で接続後、樹脂封止することにより前記第１の実施形態
に準じて機能される過電流遮断構造を構成している。
【００３４】この実施形態の過電流遮断構造であって
も、樹脂層４を形成する際、同時に導体ワイヤ３の経路
付近に薄肉被覆層５を形成したものであるので、一対の
電極端子片１Ａ，２Ａ間に接続した導体ワイヤ３が過電
流で溶断するか否かに拘らず、導体ワイヤ３に過電流が
流れることに起因して多量に発生するガスにより、瞬時
に薄肉被覆層５の形成部分が炭化経路もろとも断層に亀
裂が生じるように破壊されることになる。よって、前記
第１の実施形態同様の効果が得られる。加えて、表面実
装技術を利用して導体パターン上に、容易に実装するこ
とできる。
【００３５】なお、この実施形態の過電流遮断構造を製
造する場合、図９に示されるように、リードフレーム１
２を対象にして、製造ラインの上流側からその下流側へ
と並べて設置された電極片形成工程（１）、ワイヤボン
ディング工程（２）、樹脂モールド工程（３）を順次実
施し、樹脂モールド工程（３）の終了後、フレームカッ
トを実施して図８の過電流遮断構造を得る。
【００３６】図１０の斜視図に、本発明にかかる過電流
遮断構造の第３の実施形態の構成を示す。この実施形態
では、同図に示されるように、一対の導電体として、一
方が適宜選定した長さ分だけ導電体を引出した端子構造
の電極片１Ｂで、他方が端子なしの電極片２Ｂである各
電極片１Ｂ，２Ｂを用い、この一対の電極片１Ｂ，２Ｂ
間に導体ワイヤ３をワイヤボンディングで接続後、樹脂
封止することにより前記第１の実施形態に準じて機能さ
れる過電流遮断構造を構成している。
【００３７】この実施形態の過電流遮断構造であって
も、樹脂層４を形成する際、同時に導体ワイヤ３の経路
付近に薄肉被覆層５を形成したものであるので、一対の
電極片１Ｂ，２Ｂ間に接続した導体ワイヤ３が過電流で
溶断するか否かに拘らず、導体ワイヤ３に過電流が流れ
ることに起因して多量に発生されるガスにより瞬時に薄
肉被覆層５の形成部分が炭化経路もろとも断層に亀裂が
生じるように破壊されることになる。よって、前記第１
の実施形態同様の効果が得られる。
【００３８】なお、この実施形態の過電流遮断構造を製
造する場合、図１１に示されるように、リードフレーム
１３を対象にして、製造ラインの上流側からその下流側
へと並べて設置された電極片形成工程（１）、端子構造
加工工程（２）、ワイヤボンディング工程（３）、樹脂
モールド工程（４）を順次実施し、樹脂モールド工程
（４）の終了後、フレームカットを実施して図１０の過
電流遮断構造を得る。
【００３９】前述した各実施形態の過電流遮断構造は、
導電体間をワイヤボンディング特有の曲線を描く導体ワ
イヤ３で接続したが、図１２（ａ）の上面図及び同図
（ｂ）の断面図に示される第４の実施形態の過電流遮断
構造では、一対の電極片１，２間を直線的形状の導電線
材３Ａで接続後、樹脂封止することにより前記第１の実
施形態に準じた過電流遮断構造を構成している。なお、
導電線材３Ａには、前記導体ワイヤ３と同様の線材や、
導体箔等を適用できる。
【００４０】この実施形態の過電流遮断構造であって
も、樹脂層４を形成する際、同時に導電線材３Ａの経路
付近に薄肉被覆層５を形成したものであるので、一対の
電極片１，２間に接続した導電線材３Ａが過電流で溶断
するか否かに拘らず、導電線材３Ａに過電流が流れるこ
とに起因して多量に発生されるガスにより、瞬時に薄肉
被覆層５の形成部分が炭化経路もろとも断層に亀裂が生
じるように破壊されることになる。よって、前記第１の
実施形態同様の効果が得られる。加えて、直線的形状の
導電線材３Ａを利用するため、構造全体を更にコンパク
トにすることが可能となる。
【００４１】また、図１３に示される第５の実施形態の
過電流遮断構造のように、一対の電極片１，２間に複数
本の導体ワイヤ３ａ〜３ｃを接続することにより、過電
流が通電されたときに生じる熱源を拡大させ、破壊開始
点を拡大させることもできる。
【００４２】なお、この場合は、導体ワイヤの線径を接
続本数分に反比例させて細くすることで対処できる。
【００４３】また、図１４に示される第６の実施形態の
過電流遮断構造のように、薄肉被覆層５の外面に、サー
マルテープ等の温度感熱物質１４を貼着した構成にする
ことができる。この構成では、薄肉被覆層５の形成部分
の発熱破壊を外側から視覚では識別できない場合に、温
度感熱物質１４の温度感知による色調等の変化で、その
破壊が生じたことを知らせることができる。なお、温度
感熱物質を埋め込み構成にすることもできる。
【００４４】また、図１５に示される第７の実施形態の
過電流遮断構造のように、薄肉被覆層５の外面に、物理
力感応紙等の物理力感知物質１５を貼着した構成にする
ことができる。この構成では、薄肉被覆層５の形成部分
の発熱破壊を外側から視覚では識別できない場合に、物
理力感知物質１５の物理力感知による色調等の変化で、
その破壊が生じたことを知らせることができる。なお、
物理力感知物質を埋め込み構成にすることもできる。
【００４５】本発明にかかる過電流遮断構造は、以上説
明したような各実施形態の構成のもであるから、回路部
品としても使用できるとともに、本発明にかかる過電流
遮断構造が挿入接続された通電経路に過電流が流れたと
き、その通電経路を応答性よく確実に遮断できる。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、導体ワイアの周囲を樹脂で覆う構成において、
過電流が流れる通電経路を応答性よく確実に遮断できる
実用的な過電流遮断構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成を示す模式的斜視図である。
【図２】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成に工夫を加えた第１の実施例の構成説明図であ
る。
【図３】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成に工夫を加えた第１の実施例の変形例の構成説
明図である。
【図４】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成に工夫を加えた第２の実施例の構成説明図であ
る。
【図５】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成に工夫を加えた第３の実施例の構成説明図であ
る。
【図６】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成に工夫を加えた第４の実施例の構成説明図であ
る。
【図７】本発明にかかる過電流遮断構造の第１の実施形
態の構成に工夫を加えた第４の実施例の変形例の構成説
明図である。
【図８】本発明にかかる過電流遮断構造の第２の実施形
態の構成を示す模式的斜視図である。
【図９】本発明にかかる過電流遮断構造の第２の実施形
態の構成を得る製造工程説明図である。
【図１０】本発明にかかる過電流遮断構造の第３の実施
形態の構成を示す模式的斜視図である。
【図１１】本発明にかかる過電流遮断構造の第３の実施
形態の構成を得る製造工程説明図である。
【図１２】本発明にかかる過電流遮断構造の第４の実施
形態の構成説明図である。
【図１３】本発明にかかる過電流遮断構造の第５の実施
形態の構成を示す模式的斜視図である。
【図１４】本発明にかかる過電流遮断構造の第６の実施
形態の構成を示す模式的斜視図である。
【図１５】本発明にかかる過電流遮断構造の第７の実施
形態の構成を示す模式的斜視図である。
【図１６】従来の筒形ヒューズの一例を示す斜視図であ
る。
【図１７】従来の管形ヒューズの一例を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
１，１Ａ，１Ｂ 電極片 ２，２Ａ，２Ｂ 電極片 ３ 導体ワイヤ ３ａ〜３ｃ 導体ワイヤ ３Ａ 導電線材 ４ 樹脂層 ５ 薄肉被覆層 ５ａ〜５ｅ 薄肉被覆層 ６ 凹部 ７〜１１ 溝 １２，１３ リードフレーム １４ 温度感熱物質 １５ 物理力感知物質
フロントページの続き (72)発明者 藤本 卓 佐賀県武雄市朝日町大字中野小字小原 11000番地 オムロン武雄株式会社内 (72)発明者 澤村 哲也 佐賀県武雄市朝日町大字中野小字小原 11000番地 オムロン武雄株式会社内 (72)発明者 松永 信智 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オムロン株式会社内 (72)発明者 吉田 和孝 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オムロン株式会社内 (72)発明者 杉元 周一 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オムロン株式会社内 (72)発明者 土岐 佳久 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オムロン株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−57616（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−134695（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142672（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−314538（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−116546（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−188759（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−43165（ＪＰ，Ｕ) 実開 平６−5089（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭48−56536（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭34−20549（ＪＰ，Ｙ１) 米国特許4862134（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01H 37/76 H01H 69/02 H01H 85/00 - 85/62

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の導電体と、それらの導電体間に接
    続される線径の細い導体ワイアと、導体ワイアの周囲を
    封止する樹脂層と、導体ワイアの経路付近の樹脂層を窪
    ませて形成した薄肉被覆層とを有し、 薄肉被覆層を形成するための窪み深さは、導体ワイヤが
    露出しない深さとされ、 それにより、導体ワイアが過電流で溶断するか否かに拘
    わらず、薄肉被覆層の破壊により通電経路が遮断される
    ようにした 電流遮断構造。
  2. 【請求項２】 導体ワイアの材質が、導電率の高い金属
    である、請求項１に記載の電流遮断構造。
  3. 【請求項３】 導体ワイアが一対の導電体間に複数本接
    続される、請求項１に記載の電流遮断構造。
  4. 【請求項４】 一対の導電体は、導体ワイアに過電流に
    よる発熱が集中するように材質や体積が選定されてい
    る、請求項１に記載の電流遮断構造。
  5. 【請求項５】 一対の導電体が、表面実装仕様の形状で
    ある、請求項１に記載の電流遮断構造。
  6. 【請求項６】 窪みを有する樹脂層が成形金型を用いる
    トランスファーモールドで形成される、請求項１に記載
    の電流遮断構造。
  7. 【請求項７】 窪みの底部には、温度感知物質や物理力
    感知物質等の異常検知手段が設けられる、請求項１に記
    載の電流遮断構造。
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