TW200541392A - Method for manufacturing organic el panel - Google Patents

Description

200541392 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機EL面板之製造方法。 【先前技術】 近年來，使用有機化合物而藉由電場發光來進行顯示之 自身發光型顯示面板、即所謂有機E L (電場發光）面板係頻 繁地進行開發。

圖1係用以說明有機EL面板構造之概略剖面圖。有機 E L面板1 0係如圖1所示，具有在基板1 1上呈依序層合： 陽極12、有機EL層13、陰極14等構造。於現今，接著為 了賦予可撓性於有機EL面板10，不使用玻璃基板，而大 多使用聚碳酸酯薄膜、聚對苯二曱酸乙二酯（P E T )薄膜、聚 醚砜薄膜、聚芳基化物薄膜、聚乙烯亞硫酸酯（P E S)薄膜等 薄膜基板作為基板1 1。此外，電極係通常使用透明電極。 但是，有機E L層1 3係極為敏感地反應於水分或氧而惡 化，因此，如上所述，在使用薄膜基板來作為基板1 1時， 必須預先除去薄膜基板内所存在之水分。 在此種狀況下，於製造有機E L面板1 0時，對於形成（蒸 鍍）透明電極1 2之前階段之薄膜基板，實際地進行： (1)在加熱器上，直接載置薄膜基板，藉由加熱器之熱 而直接進行加熱之處理； (2 )與加熱器隔出間隔，載置薄膜基板，藉由加熱器之 輻射熱而進行加熱之處理； (3 )對薄膜基板照射電漿之處理； 5 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298

200541392 (4 )對薄膜基板照射紫外線之處理；以及 (5 )對薄膜基板照射準分子光之處理等。 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 但是，作為有機EL面板10之製造方法中之薄膜基 處理，係例如在採用上述（1 )在加熱器上直接載置薄月 板，並藉由加熱器之熱而直接進行加熱之方法時，雖 使用加熱器之性質有關，但一般係不容易均勻加熱薄 板整體，又，有由於加熱而使得薄膜基板發生變形之 發生，故難以穩定提供除去水分之薄膜基板。 另一方面，在採用上述（2)與加熱器隔出間隔，載j 膜基板，藉由加熱器之輻射熱而進行加熱之方法時， 上述（1)藉由加熱器之熱而直接進行加熱之方法，可更 於均勻加熱薄膜基板整體或抑制因加熱所造成之薄膜 形，因此，花費相當時間在加熱上，產率不佳。 此外，在製造有機E L面板1 0時，如上所述，有機 層1 3之惡化係必須一直考慮之問題，因此，不僅是在 1 1，即使是2片之電極1 2、1 4，甚至有機EL層1 3之 等階段，就該等脫水而言，也有改良之餘地。 本發明係有鑑於此種問題而完成者，以提供一種能 勻加熱薄膜基板且不使薄膜基板變形，並可短時間進 除去有機EL面板所使用之薄膜基板内水分之方法，來 課題之一例。 (解決問題之手段） 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94109298 板之 I基 與所 膜基 情形 ί薄 比起 有利 變 EL 基板 燒成 夠均 行之 作為 6 200541392 為了解決上述課題，因此，申請專利範圍第1項所記載 之發明係依序層合：基板、第1電極、有機EL層、第2 電極和保護膜所構成之有機E L面板之製造方法，其特徵 為，為了進行基板之脫水、第1電極之脫水、有機EL層之 燒成和保護層之脫水中之至少任何一種，因而施行介電加 熱處理、感應加熱處理和微波加熱處理中之至少一種處理。 【實施方式】

以下，針對本發明之有機E L面板之製造方法，進行更 具體之說明。此外，圖2、圖3係顯示藉由本發明之方法 所製造之有機EL面板構造之概略剖面圖。 本發明之方法係依序層合：基板、第1電極、有機E L 層、第2電極和保護膜所構成之有機EL面板之製造方法， 其特徵為，為了進行基板之脫水、第1電極之脫水、有機 EL層之燒成和保護層之脫水中之至少任何一種，因而施行 介電加熱處理、感應加熱處理和微波加熱處理中之至少一 種處理，亦即，本發明之方法係在依序層合：基板、第1 電極、有機EL層、第2電極和保護膜所構成之有機EL面 板之製造方法中，以施行下述（I )〜（I V )之任何一種處理為 其特徵為： (I )對於層合第1電極之前階段之基板，以該基板之脫 水為目的，施行介電加熱處理、感應加熱處理和微波加熱 處理中之至少一種處理； (II)對於層合在基板上之第1電極，以該第1電極之脫 水為目的，施行介電加熱處理、感應加熱處理和微波加熱 7 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298 200541392 處理中之至少一種處理； (III)在燒成層合於第1電極上之有機EL層之際，施行 介電加熱處理、感應加熱處理和微波加熱處理中之至少一 種處理，來作為該燒成手段；以及 (I V )在有機E L面板形成保護膜時，對於該保護膜，以 其脫水為目的，施行介電加熱處理、感應加熱處理和微波 加熱處理中之至少一種處理。

以下，首先針對本發明中，對上述（I )亦即對構成有機 EL面板之基板，施行介電加熱處理、感應加熱處理和微波 加熱處理中之至少一種處理之事項，進行說明。 本發明之方法係依序層合：基板21、第1電極2 2、有 機EL層23、第2電極24和保護膜25所構成之有機EL面 板2 0之製造方法，其特徵為，對於層合第1電極2 2之前 階段之基板2 1，以該基板之脫水為目的，施行介電加熱處 理、感應加熱處理和微波加熱處理中之至少一種處理（關於 符號，參照圖2)。此外，第1電極2 2和第2電極2 4係一 邊作用成為陽極之電極，另一邊則作用成為陰極之電極， 任一邊皆可成為陽極或陰極。在以下說明中，以第1電極 2 2為陽極、第2電極為陰極而進行說明。此外，本發明之 方法係如前所述，為依序層合：基板、第1電極、有機EL 層、第2電極和保護膜所構成之有機EL面板之製造方法， 其特徵為，為了進行基板之脫水、第1電極之脫水、有機 EL層之燒成和保護層之脫水中之至少任何一種，因而施行 介電加熱處理、感應加熱處理和微波加熱處理中之至少一 8 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298

200541392 種處理；基板、第1電極、有機E L層、第2電極和保 之材質或形狀本身暨有機E L面板之構造、形狀、製造 本身係配合其目的和用途而可使用先前習知之各種物 根據此種方法的話，則正如使用加熱器來作為加熱 之情形，並非由外部加熱基板2 1，可藉由介電加熱處 感應加熱處理或微波加熱處理而由内部加熱基板2 1， 起習知方法，可更加均勻進行加熱，其結果係也可防 板2 1之變形。又，正如前所述，本發明之方法係因可 部加熱基板2 1，故相較於習知之使用輻射熱之方法， 短處理時間，可提高產率，並進而分別提高製造之有；I 面板之保存壽命、驅動壽命。如此之本發明之方法係 適於使用薄膜基板來作為基板2 1之情形。 此外，根據本發明之方法的話，則比起記載於上述 技術所記載之（1 )〜（5 )之處理，因可確實除去基板2 1 水分，故可在有機EL面板上形成用以遮斷來自外部之 的保護膜2 5。亦即，在習知處理中，有在基板内殘留 之情形發生，在此時形成保護膜2 5的話，在保護膜开j 後，由基板内釋出水分之際，成為該水分被關入於基 保護膜（即，有機E L面板内部）間之狀態，而有用以遮 自外部之水分之保護膜2 5係相反地成為有機E L面板 原因，但若根據本發明之方法，則可完全除去基板内 水分，故可安心形成保護膜2 5。此外，圖2所示保護月 係密合於第2電極24或有機EL層23所形成之單層保 構造。並非限定於此，即使是圖3所示之多層構造， 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298 護膜 方法 質。 手段 理、 故比 止基 由内 可縮 幾EL 特別 先前 内之 水分 水分 板和 斷來 惡化 部之 莫25 護膜 也可 9 200541392 以適用本發明之方法（圖3所示符號2 6係中間接著層）。 屬於本發明之方法特徵之層合陽極2 2之前階段之基板 2 1之處理係可大致分為（A )介電加熱處理、（B )感應加熱處 理和（C )微波加熱處理3種。 以下，分別進行詳細說明。 (A )介電加熱處理 該處理係將為處理對象物之基板設置在2片電極間，在 該2片電極上施加南頻電壓之處理。

藉由如此在2片電極上施加高頻電壓，而使得基板内之 雙極子沿電力線之方向排列而進行旋轉運動，其結果係相 鄰分子間相互摩擦而產生摩擦熱，藉由該熱而急速加熱基 板，使存在於基板内之水分成為蒸氣而釋出至基板外。根 據該處理，則由内部來加熱電極所夾住之基板整體，故比 起習知方法，沒有加熱不均，或未在基板上產生歪斜。 介電加熱處理係最好是施加適合於為被處理物之基板 材質的高頻電壓，如單純列舉高頻輸出的話，不會上升加 熱溫度之緣故。作為施加之電壓頻率係可列舉例如 13.56MHz、 27.12MHz、甚至 40·68ΜΗζ 等 ° 又，即使就施行介電加熱處理之時間而言，也並非特別 限定於本發明之方法，可配合基板種類或基板中之水分 量、甚至基板大小等而任意設定。但是，必須設定成為不 破損基板本身（例如，在使用薄膜基板作為基板時，於超過 該薄膜基板之T G時所產生之熔融等）程度之時間。例如， 向來將在有機EL面板所使用之由聚對苯二甲酸乙二酯樹 10 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94109298

200541392 脂而構成之薄膜基板内之水分予以除去之情況下， 1 5〜3 0分鐘左右之時間即已足夠。此外，在習知之 射熱之方法中，通常需要4〜5小時除去水分，相較 本發明之方法，則可大幅縮短處理時間。 關於用以施行介電加熱處理之裝置，本發明亦無 定，可使用先前習知之裝置。 該方法係因在薄膜基板中所存在之水分子作用而 基板，故可適用在向來使用作為有機EL面板之基板 全部。具體地說，可列舉聚碳酸酯薄膜、聚對苯二 二酯（P E T )薄膜、聚醚砜薄膜、聚芳基化物薄膜、聚 酸酯（PES)薄膜等。 (B )感應加熱處理 該處理係向來使用作為金屬加熱方法之方法，設 理對象物之基板在連接於交流電源之線圈中心部分 加電壓於線圈之處理。 藉由如此設置基板在施加交流電壓之線圈中心部 加熱基板，使基板内部之水分成為蒸氣而釋出。亦 處理而防止加熱之不均，且也不產生基板之歪斜。 感應加熱處理係主要以施加低頻電壓（數k Η z〜數 佳，具體地說，最好是1 0 0 k Η ζ〜6 0 0 k Η ζ等。此外， 應加熱處理中，施加之頻率和發熱量係呈比例關係 又，關於施行感應加熱處理之時間，亦相同於上 介電加熱處理，本發明之方法並無特別限定，可配 種類或基板中之水分量、甚至基板大小等而任意設 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298 大約 利用輻 於此， 特別限 加熱 薄膜之 甲酸乙 乙稀硫 置為處 ，並施 分以 藉由該 MHz)為 在該感 〇 述（A) 合基板 定；在 11

200541392 使用由聚對苯二曱酸乙二酯樹脂所構成之薄膜基板 基板之情形下，大約1 5〜3 0分鐘左右之時間即已足 習知之利用輻射熱之方法，相較於需要4〜5小時進 之除去時，在本發明之方法中，可大幅縮短處理時 關於用以施行介電加熱處理之裝置，本發明並無 定，可使用先前習知之裝置。 (C )微波加熱處理 該處理係對為處理對象物之基板照射微波之處理 藉由如此對基板照射微波，可利用入侵至基板内 波電場而振動形成基板之分子，可藉該振動而使相 間互相摩擦以產生摩擦熱，藉由該熱而急速加熱基 去水分。該處理係可藉由相同於上述（a)介電加熱處 理而由内部加熱基板，因而防止加熱不均，且也不 板之歪斜。 微波加熱處理係主要以施加頻率為數百Μ Η z〜數百 度之電壓為佳，例如，可適當使用頻率2.45GHz或 之電壓。 又，關於施行微波加熱處理之時間，亦相同於上 介電加熱處理及（B )感應加熱處理，本發明之方法並 限定，可配合基板種類或基板中之水分量、甚至基 等而任意設定。關於用以施行該微波加熱處理之裝 發明亦無特別限定，可使用先前習知之裝置。 在上述中，雖已針對本發明之方法中之上述（I ) /: 成有機EL面板之基板，施行介電加熱處理、感應加 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298 來作為 夠。在 行水分 間。 特別限 部之微 鄰分子 板並除 理之原 產生基 GHz程 28GHz 述（A) 無特別 板大小 置，本 =即構 熱處理 12 200541392 和微波加熱處理中之至少一種處理而進行說明，但本發明 之方法並非限定於此，針對上述（I I )〜（I V )亦即第1電極、 有機E L層、甚至保護層，施行上述（A )〜（C )之處理亦可。 根據該方法的話，除基板之外，亦可除去存在於第1電 極、有機EL層内部之水分，甚至存在於保護膜内部之水分 亦可除去，其結果係可確實防止有機EL層之惡化。

特別在層合形成複數個障蔽性薄膜作為保護膜之情形 下，在各個障蔽性薄膜間，使用環氧樹脂或丙烯酸樹脂作 為中間接著層，在該等樹脂内部雖存在許多水分，但若根 據本發明之第2方法的話，則亦可除去此種形成保護膜之 中間接著層内部之水分。又，關於有機E L層，不進行燒成， 殘留溶媒亦可能對有機EL元件特性造成不良影響。但若根 據本發明之第2方法的話，則因進行上述（A )〜（C )之處理來 做為該燒成，故能夠除去殘留溶媒。 此外，本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態 係屬例示，具有實質相同於本發明之申請專利範圍所記載 之技術思想之構造並可達到相同作用效果者，均包含在本 發明之技術範圍中。 【圖式簡單說明】 圖1係用以說明有機EL面板構造之概略剖面圖。 圖2係藉由本發明之方法所形成之有機EL面板之概略 剖面圖。 圖3係藉由本發明之方法所形成之有機EL面板之概略 剖面圖。 13 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298 200541392 【主要元 件符號說明】 10^20 有機EL面板 1卜21 基板 1 2 > 22 第1電極（陽極或陰極） • 1 3、23 有機EL層 14^24 第2電極（陰極或陽極） 25 保護膜 26 • 中間接著層 • 14 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94109298

Claims (1)

1. 200541392 十、申請專利範圍： 1 . 一種有機E L面板之製造方法，係依序層合：基板、 第1電極、有機EL層、第2電極和保護膜而成者，其特徵 為，為了進行基板之脫水、第1電極之脫水、有機EL層之 燒成和保護膜之脫水中之至少任何一種，因而施行介電加 熱處理、感應加熱處理和微波加熱處理中之至少一種處理。

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