TW200532395A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Description
200532395 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種元件製造方法 【先前技術】
微影裝置係將-戶斤要圖案施加至一基板之一目標區上的 機器。微影裝置可用於(例如)製造積體電路(lc)、平板顯示 器及包含精細結構之其它元件。在一習知微影裝置中,圖 案化構件(或者稱作光罩或主光罩)可用於產生一與1(:(或其 匕元件)之一個別層對應之電 q木 一〜哗示1风1豕主一 具有—輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如,矽晶圓或玻 璃板)上之-目標區(例如,包含—或若干個晶粒之部分) 上除光罩外’該圖案化元件可包含個別可控組件之一陣 列,其用以產生該電路圖案。 槪D之I個基板可含有經連續曝光之相鄰目標區之 網狀物。已知之料岑壯里41 牛…鎮置包括:步進器及掃描器、,在該等 步進益中各目標區係藉由 ^ . 正個圖案一次性曝光至該目 太^ 。中各目軚區係藉由在一給定 ..^ L 术你彳田该圖案,同時與此方向平行 或反千订地同步掃描該基板來照射。 錢用個別可控組件陣列之微影投影 用複數個該等陣列以僮快將該圖 …:吏 約待於該裝置中曝光之—= 土板上,以即 ㈣。此外,各陣列在=的產出時間(加―卿 於其支援服於心 。圍而要一相對較大的空間以用 叉杈服務,諸如將該 又疋在各陣列上所需之資料 99482.doc 200532395
谓測器來連績監控該輻射, 痛射为配至複數個陣列。 之輸出處的99%鏡面後,輻射束之99%被導引至該圖案化元 *通道之該輻射可儘量保持均 苑,其適於在該源處藉由使用 ’該偵測器被置放在一輻射源 為。此偵測 而非實際被 件且剩餘的1%被導引至量測輻射之強度的偵測器 器有效地量測進入該圖案化元件之輻射的強度而 投影至該基板上的強度。為此,先前技術亦描述了 一種置 放在該基板側之靜態偵測器(static detect〇r)。該靜態偵測器 在基板之曝光之間的设定間隔内移入該輻射束中。此靜態 偵測器之問題在於:此系統假定該99%鏡面與該基板之間 的光學路徑之傳輸在藉由該偵測器感測該光束強度之時間 期間不會改變。此外,在光束被分割進入複數個輻射分配 通逼之狀況下,或在存在複數個輻射源之狀況下,各通道 必須具有一偵測器且必須校正所有此等偵測器且比較其輸 出以保證所有該等通道分配相同(或至少恰當)強度之輻射。 先前技術之另一問題在於:若感測到強度差異,則假定 该差異係發生在輻射源且相應地調整該輻射源。該等偵測 99482.doc
此配置提供一簡單的受控元件以分割(例如)該圖案化元 件之間的照明系統。舉例而言,可選擇由該等連續的部分 定(time-constant)的,可量測與來自該照明系統之該輻射束 之該輻射強度的完全相等分配之差異且因此隨後補償該差 200532395 器不考慮由該圖案化元件中之有缺陷的個別可控組件導致 之強度差異。 【發明内容】 本發明之一實施例可提供一用於量測複數個輻射分配通 道之輻射強度且補償此量測到之強度中之任何差異的系 統0 本發明之另一實施例提供一微影投影裝置,其包括:一 用於提供一輻射束之輻射系統、一用於固持一基板之基板 台、用於根據一所要圖案圖案化源自該輻射系統之輻射束 之複數個圖案化元件、一用於將該圖案化光束投影至該基 板之-目標區上的投影系統、—將來自該輻射系統之轄射 分配至該圖案化元件的輻射分配元件,其中該輻射分配元 件將來自該輕射系統之該輻射導引至複數個輻射分配通 道;且該等輻射分配通道為該圖案化元件提供輻射束;一 用於量測與每一該圖案化元件相關聯之輻射之強度的輻射 偵測系統。該等輻射分配通道可組成一輻射束或該等輻射 分配通道可為導引該輻射之物理光學通道。 反射性表面中之每一個反射至該等相關輻射分配通道之輻 射束的比例以使得被導引至該等輻射分配通道中之每一個 的該輻射束的強度係相同。由於此等比例大體上係時間-恆 99482.doc 200532395 異。 該輕射偵測系統較佳包括—_器,其依次連續地 =各圖案化元件相關聯之輕射。一可移動的她可消除 哭=分配通道配備一偵測器的需要…系列此類偵測 °。而要枝正且可能潛在地危及該微影系統之精確度。 Θ偵測H較佳經配置以移動穿過舆該圖案化元件中之卞 -個相關聯之輕射的一部分。舉例而言,藉由使用—部: =面(pmial mirr〇r)可使該輕射之—部分移出其正常: 且该偵測器移動穿過此被移除之部分以使該輻射之強 度的谓測連貫,同時該微影裝置在運行中。 被影投影系統較佳包括—與該制器相關聯之探針,其 /偵測态係’止的且該探針而非該整個偵測器移動穿過 與該圖案化元件中之每—個相關聯之該幸昌射的一部分。此 可用於此等境況中:在微影裝置之相關部分中沒有足夠的 空間留給㈣器’但存在用於諸如光纖之探針的空間,探 針係更小的且在特定環境中較易於操控。 。亥幸田射偵測系統可包括一與該圖案化元件中每一個相關 聯之偵測器,此優於所古 、斤有该圖案化元件使用一單一偵測 器。舉例而言’此系統在各圖案化元件具有一分開的轄射 源且需要不斷地監控各源之韓射強度之波動的狀況下可能 有用。 一 4射統可經配置以偵測離開該韓射分配系統之 、、在此點4 4軺射已藉由該輻射分配系統分配且在 至該等輻射分配通道的途中。監控純射強度係可能的, 99482.doc 200532395 因為可收集由該幸昌身+ 平田射/刀配糸統導致之任何波動。 該= = ;:Π::置該_貞測系_測離開 該輕射之物理實^ 下’該等通道被限制為導引 動。若在該輕射分㈣Μ 收木。亥專通道中的任何波 ΡΊ -Τ kl· i- ^ ^ — '、、,,4及在该等通道後皆有偵測器, 則可比較δ亥專伯消丨# τ 須心輸出以#定輕射強度之波動出自_ 處。 仆了:^ I方式或另外地配置該偵測系統以偵測在該圖案 投影系w㈣。各通道可具有—侦測器 、二σ之所有通逼具有—單,此決取於微影裝 置之布局。因此可監控由該圖案化元件引起之波動。 可以其它方式或另外地配置該偵 偵列态系統以偵測離開該 才又衫糸統之輻射。在此點卜,鈇 、 隹此2上輻射被導引至基板且因此偵 測该輪射之最後形式非常重要。 中受此可在基板之間作為一校 正步驟來完成,或該輻射之一邱八 罕田耵之邛刀可被導引至在微影期間 用於摘測之债測器。該微影裳置中之每一個以上情況下之 :债測器使得波動之原因被正確指出且得到最有效地補 仏。舉例而言’若照明源有缺陷,則在該源補償該缺陷最 有效,此優於稍後試圖在該裝置中補償該缺陷。 微影投影裝置較佳包括一用於調整該輕射之該強度的補 仏糸統:該輕射與至少一圖案化元件相關聯且該幸昌射係由 該投影系統來投影。該债測器與該補償元件之組合保證恰 當的密度被用於被投影至該基板上之每個圖案,從而增加 該圖案化系統之效率。可在校正期間或即時地使用該補償 99482.doc 200532395 系統,同時對一基板進行投影。 該補償系統經較佳配置以獨立地調整與該圖案化元件中 之每一個相關聯之該輻射的該強度。 較佳地’該圖案化元件中至少之—者為個別可控址件之 一陣列,該等個別可控組件可經設定以在—㈣束之橫截 面中賦予其-所要圖案;可將各獨立可控組件設定為複數 個狀態中之-種,該等個別可控組件中之每—個將不同比 例之該幸畐射導引至該投影系統;且其中該補償系統藉由改 變該等個別可控組件中之每一個的設定來調整該輕射,以 使得該輻射之圖案得以維持而強度被改變。 補償元件較佳包括一用於使輻射衰減之輻射衰減器,該 ㈣與至少-®案化元件相關聯且係由該投影系統來投 影。在輕射強度高於系統應有之強度且多餘的輛射必須被 移除的狀況下,衰減器可用於使輻射衰減。 、 邊補償系統可經配置以調整該輕射比例之強度,该輕射 與至少-圖案化相關聯且係由該投影系統來投影。該^ 之此比例可為意欲投影至該基板之目標區之一特定部分上 ㈣射比例或與複數個圖案化元件中的-個相關聯的輻射 比例等。 當然,如同調整整個与P &未# ^ Μ先束守,在調整該光束之比例時, 可相寺地應用所有補償形式(衰減器等)。 Ρ影投影裝置較佳包括—控制系統,其用於在一時間間 ,射… 省存的輪射強度資料更新該補償系統, 幸田射係在该時間間隔期間被投影至該基板之一部分上。此 99482.doc -10- 200532395 允井對該輪射強唐之说無 $強度之波動進仃即時補償。舉例 藉由諸园安儿二阳a “ ^ 益山斗η 一 4叫1貝。举例而言,若在 猎由该圖案化元件圖案化該輻射 ^ 之則偵測到強度之波動, 、J 了抓用一反饋系統在該輻 ^ ^ ^ ^ 圖案化元件時使該圖 案化兀件補償此強度波動。強度 饋及控料、統來補償。 _改艾亦可措由该反 ρ::Γ=置較佳包括一控制系統,其用於在-時間間 ::二門 輕射強度資料更新該補償系統,輻射係 •間間隔期間被投影至該基板之-部分上,其中該預 偵測的輻射強度資料係指由 /、人 在力 Μ 士 輻射偵測糸統預先偵測並儲 存在一儲存媒體中之資料。為 昱,日抑六,h 仅止4糸統,監控該強度差 因此以比較其與稍後之偵測系統資料。 地)得=_㈣㈣…增(意即,即時 所儲存之資料較佳為當 .t . u系化凡件具有一普通圖荦 (Plain pattern)時強度差显 ” , ,、之里冽值。當量測先於該基板上 之貝P示奴衫發生時,舉例而言, 出於权正的目的,該圖案 化兀件經設定以具有一普 一 圖案(思即,所有該等個別可控 、、且件被没定在相同狀態(例 ^ 較該等輕射強度以保㈣引—攻大強度)。接著比 已對準等。 仔也4心裝置之所有部分皆在工作且 ::射侧統可經配置以伽亥輕射分配系統中及/ 強度的差里曰^ 们之该專輻射分配通道中之輻射 異。,、 補償系統經配置以補償輻射強度之此差 99482.doc 200532395 該輻射偵測系統可以其它方式或另外地配置以偵測該投 影系統中該圖案化元件中之每一個之輻射強度的差異:: 該補償系統經配置以補償輻射強度之此差異。 、 本發明之更進一步實施例提供一種校正一微影投影裝置 中之輻射強度的方法,#包括以下步驟:當該圖案化元件 具有-普通圖案時,偵測在該微影投影置中許多階段中之 任一者的該輻射之該強度;將許多階段中之任一者之該輻 ^強度資料儲存在-儲存媒體U測運行中之該微影^ 影裝置中之相同階段内的該輻射之強度;使用一控制系‘ 比較該所儲存之資料與所獲取之資料,同時該微影投^裳 置正在運行中;及使用—補償系統根據該控制系統之輪' 調整該輻射之該強度。 、本發明之更進一步態樣提供一種元件製造方法,其包括 以下步驟.提供—基板;使用射系統提供—輕射投影 束,使用複數個圖案化兀件根據一所要圖案來圖案化源自 該輻射系統之輻射束;將該等圖案化輻射束投影至該基板 之—目標區上;及使用-輻射分配元件將來自姉㈣統 之輻射經由複數個輻射分配通道分配至該圖案化元件;使 用一輻射偵測器量測該等㈣分配通道中之姉射強度。 本發明之更進一步實施例提供一種元件製造方法,1包 括以下步驟:提供一基板;使用一輕射系統提供一輕射投 影束;使用複數個圖案“件根據—所要圖案來圖案化源 自該輕射系統之輻射束;將該等圖案化輕射束投影至該基 板之—目標區上;及使用-輻射分配元件將來自該轄射系 99482.doc -12- 200532395 統之輻射經由複數個輻射分配通道分配至該圖案化元件; 使用一輻射偵測器量測該等輻射分配通道中之該輜射強 度,該輻射偵測器為該等輻射分配通道中之每一個輸出一 強度值;及補償該等輻射分配通道之該輻射強度的任何差 別。 根據本發明之另一態樣,提供一種根據上文參考之元件 製造方法及/或藉由上文參考之微影裝置來製造的元件。 • 本發明之進一步實施例、特徵與優勢以及本發明之各種 實施例之結構與操作將參看附圖於下文中詳細描述。 【貫施方式】 概述及術語 此處採用之術語”個別可控組件陣列”應被廣義地解釋為 係指可用於賦予一入射輻射束一圖案化橫截面之任何構 件,因此可在該基板之一目標區中創建一所要圖案。術語 ’’光閥’’與’’空間光調變器,,(SLM)亦可用於本說明文中。該圖 φ 案化元件之實例可包括下列元件。 一黏彈性控制層及
定址區域將入射光反射成非繞射光。 使用一適當的空間濾 可程式化鏡面陣列。其可包含一具有一 一反射性表面之矩陣可定址表面。該裝 光器’可將該非繞射光自該反射光束中濾出,僅留下該繞 射光到達4基板。以此方式,該光束根據該矩陣可定址表 面之定址圖案而被圖案化。
99482.doc 200532395 留下該非繞射光到達該基板。亦可以—對應方錢用一繞 射光學微f子·機械系統(mem狀件之陣列。各繞射光學 、-件匕3可相對於彼此變形之複數個反射條帶以形 成一將入射光反射成繞射光之格柵。
可程式化鏡面陣列之另一替代實施例採用微小鏡面之矩 陣配置’㈣鏡面中之每一個可藉由施加一合適的區域化 電場或藉由採用壓電致動元件來分·於—軸線傾斜。再 -人口亥等鏡面為矩陣可定址的,以使得定址鏡面可將一不 同方向内之一入射輻射束反射至未定址鏡面;以此方式, 根據该等矩陣可定址鏡面之該定址圖案來圖案化該反射光 束。所需之矩陣定址可使用合適的電子元件來執行。 在上述兩種境況下,個別可控組件之該陣列可包含一個 或多個可程式化鏡面陣列。有關本文提及之鏡面陣列之更 多資訊可自(例如)美國專利第5,296,891號與第5,523,193號 及PCT專利申請案wo 98/38597與彻98/33〇96中收集,該 等專利及申請案之全文以引用的方式併入本文中。 可程式化LCD陣列。該構造之一實例係於美國專利第 5,229,872號中給出,其全部内容以引用的方式併入本文中。 應瞭解:在使用部件的預偏壓、光學鄰近效應修正部件、 相位變動技術及多重曝光技術之裝置中,舉例而言,”顯示,, 在個別可控組件之該陣列上之圖案可實質上不同於最終轉 移至該基板之一層或該基板上之圖案。類似地,最終產生 在該基板上之該圖案未必對應於在任一瞬間在個別可控組 件之该陣列上形成之圖案。此可為以下狀況:在一配置中, 99482.doc 14 200532395 形成於該基板之各部分上之最終圖案係在一給定的時間 週期内或藉由曝光之給定數目而構建的,在該等時間期間 個別可控組件陣列上之圖案及/或該基板之相對位置改 變〇 儘管在本文中可特定參考微影裝置在1(:製造中之使用, 但請瞭解:本文所述之微影裝置可具有其它應用,諸如, 用於整合光學系統、磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板 , 顯示态、薄膜磁頭等的製造。熟練技術人員將明白:在兮 等替代應用案之情形下,本文中之術語”晶圓”或"晶粒,,之任 何使用都應被認為可分別與更一般性術語”基板,,或,,目桿 區’’同義。本文中所指之基板可在曝光前或曝光後在(例如) 一磁軌(一種通常將一抗蝕劑層塗覆至一基板並顯影該經 曝光之抗蝕劑的工具)或一度量或檢測工具中處理。若適 合,可將本文之揭示内容應用至該等及其它基板處理工 具。另外,可不止一次地處理該基板,(例如為了創建一多 • 層1c),因此本文中所用之術語基板亦可指稱已含有多個經 處理之層的基板。 ^ 本文中所用之術語”輻射,,及,,光束”涵蓋所有類型的電磁 輻射,包括紫外線(uv)輻射(例如,具有365、248、=、 157或126 nm波長之輻射)及遠紫外(EUV)輻射(例如,具有 在5-20 nm範圍内之波長的輻射)以及諸如離子束或電子束 的粒子束。 本文中所用之術語”投影系統”應被廣義地解釋為涵蓋各 種類型之投影系統,包括適於(例如)所使用之曝光輻射或其 99482.doc 15 200532395 它要素(諸如使用一浸沒流體或使用真空)的折射光學系 …先反射光學系統及反射折射光學系統。本文中術語"透鏡, 的任何使用可被認為與更一般性術語”投影系統π同義。 該照明系統亦可涵蓋各種類型的光學組件,包括用以導 引、成型或控制輻射投影束之折射、反射及折射反射光學 組件,且下文中亦可將該等組件統稱或單獨稱為,,透鏡,,。 忒u衫ι置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及 Φ /或兩或兩個以上光罩台)的類型。在該等,,多平臺,,機器中, 可並行地使用額外台,或可在—或多個臺上進行預備步 驟,同時使用一或多個其他台來進行曝光。 該微影裝置亦可為此種類型:其中基板被浸沒在一具有 相對車乂回折射率 < 液體(例如水)中以填充該投影系統之最 f、且件與4基板之間的空間。浸沒液體亦可應用於該微影 衣置中的其它空間,例如,在該光罩與該投影系統之第一 :且件之間的空間。在此項技術中,浸沒技術用於增加投影 • 糸統之數值孔徑已為吾人所熟知。 微影投影裝置 另θ 丁心地杬繪了一根據本發明之一實施例的微影投影 農置100。1置1〇〇包括至少一輜射系、统1〇2(例如,Εχ、几(例 、AM IN、C〇等)等)、個別可控組件PPM 104之陣列、 • 載物° WT 1〇6(例如’一基板台)及-投影系統(,’透鏡,,)PL 1 0 8 〇 田射系統102可用於提供一輻射(例如,UV幸畐射)投影束 10 ’在此特定狀況下,該帛射系統1G2亦包含-輕射源 99482.doc • 16 - 200532395 LA 112。
個別可控組件114之陣列(例如,可程式化鏡面陣列)可用 於將一圖案施加至該投影束110。概言之,個別可控組件i J 4 之該陣列之定位可相對於該投影系統108固定。然而,在一 替代配置中,個別可控組件114之一陣列可被連接至一用於 相對於該投影系統108精確定位該陣列之定位元件(未圖 示)。如本文所述,個別可控組件114為反射類型(例如,具 有個別可控組件之一反射陣列)。 載物台106可具有一用於固持一基板WU4(例如,一經抗 蝕劑塗覆之矽晶圓或玻璃基板)之基板固持器(未明確展 示),且載物台106可被連接至用於相對於該投影系統1〇8精 確疋位基板114之定位元件pw 132。 投影系統(例如,透鏡)1〇8(例如,石英及/或CaF2透鏡系 統或一包含由該等材料製造之透鏡組件之折射反射系統或 一鏡面系統)可用於將自光束分裂器118接收之該圖案化光 束才又影至該基板114之-目標區c m(例如,—或多個晶粒) 上'^杈衫系統1 08可將個別可控組件114之該陣列之影像 技〜至4基板114上。或者,該投影系統1〇8可投影以個別 可控組件114之該陣列的該等組件充當擔板之次級源之影 ^ °亥扠衫系統108亦可包含一微透鏡陣列(MLA)以形成該 等次級源及將微型點投影至該基板ιΐ4上。 源112 (例如,準分子雷 122直接或在穿過諸如射 饋入至一照明系統(照明 射器)可產生一輻射束122。該光束 束放大器Ex之調節元件126之後被 器)IL 124。該照明器124可包含用 99482.doc -17- 200532395 於设定該光束122中之該強度分佈的外部及/或内部徑向範 圍(通常分別稱作σ-外部與cj-内部)的調整元件am 12 8。另 外’該照明器124通常包含各種其它組件,諸如積光器IN 130及聚光器c〇 132。以此方式,照射在個別可控組件114 之陣列上之該光束11 〇在其橫截面中具有所要的均勻度及 強度分佈。 凊注意,關於圖1,該源11 2可位於該微影投影裝置i 〇〇之 _ 外殼内(舉例而言,當該源112為汞燈時通常為此狀況)。在 替代實施例中,源112亦可遠離該微影投影裝置1〇〇。在此 狀況下,輻射束122可被導入至該裝置1〇〇(例如,借助於合 適之導向鏡)中。當該源112為一準分子雷射器時,此後一 假定通常為該狀況。應瞭解此等兩種假定皆涵蓋於本發明 之範疇内。 在使用光束分裂器118進行導引後,該光束11〇隨後截取 個別可控組件114之該陣列。在藉由個別可控組件丨丨4之該 Φ 陣列反射後,該光束110穿過該投影系統108,其將該光束 110聚集至該基板114之一目標區120上。 借助於該定位元件132(及接收經過光束分裂器14〇之干 涉光束138之底板BP 136上的可選干涉量測元件IF 134),可 精確地私動基板台1 〇 6以便在該光束η 〇之路徑中定位不同 的目標區120。使用時,個別可控組件丨14之該陣列之該定 位凡件可用於(例如)在掃描期間相對於該光束丨丨〇之該路徑 精確地修正個別可控組件之該陣列114之該定位。概言之, 該載物台106之移動係借助於長衝程模組(粗定位)及短衝程 99482.doc -18- 200532395 模組(精定位)來實現,該等模組在圖丨中未明確描述。一類 似系統亦可用於定位個別可控組件丨丨4之該陣列。應瞭解, 該投影束110可以其它方式/另外地移動同時該載物台1〇6 及/或個別可控組件114之該陣列可具有一固定定位以提供 所需之相對移動。 在該實施例之一替代組態中,該基板台1〇6可被固定,並 且該基板114可在該基板台1〇6上移動。在此完成後,該基 板台106在一平坦的最上部表面上具有許多開口,氣體通過 該等開口饋A以提供-能夠支撐該基板114之氣體塾如s cushion)。此通常被稱作空氣承載配置。使用能夠相對於該 光束no之該路徑精確定位該基板114之一或多個致動器 (未圖不)使該基板114在該基板台1〇6上移動。或者,該基板 114可藉由選擇性地起動及停止氣體通過該等開口之過程 來在該基板台106上移動。 儘管在本文中將根據本發明之該微影裝置⑽描述為用 於曝光-基板上之抗姓劑,但應瞭解:本發明不限於此用 途且該裝置1〇〇可用於在無抗敍劑之微影術中投影—圖案 化投影束11 0。 所述之裝置1 〇 〇用於四種較佳模式: 1·步進模式:將個別可控組件114之該陣列上的整個圖案 一次性地(意即’—單—”快閃”)投影至—目標區12〇上。缺 後將該基板台1〇6W/”方向内移動至一待被 110照射之一不同目標區120的不同定位。 2.掃描模式:除給定目標區12〇不在單一 ”快閃,曝光 99482.doc < 19- 200532395 外’其基本上與步進模式相同。實情為,個別可控組件114 之該陣列可以速度V在一給定方向(所謂的”掃描方向”,例 如’ y方向)上移動,以使該投影束110可於個別可控組件114 之該陣列上方掃描。同時,該基板台106可同時以速度v=Mv 在相同或相反方向内移動,其中M為該投影系統1〇8之放大 么率以此方式,可曝光一相對較大的目標區120而不會損 害解析率。
3·脈衝模式··個別可控組件114之該陣列基本上保持固 疋’且使用一經脈衝調製之輻射系統1 02將該整個圖案投影 至該基板114之一目標區12〇上。該基板台1〇6以一基本恆定 之速度移動以使得該投影束11〇越過該基板1〇6掃描一行。 個別可控組件114之該陣列上之該圖案可&需要在該輻射 系統102之脈衝之間更新且定時該等脈衝以使得連續目標 區120可在該基板114上之所需位置曝光。因而,該投影束 110可越過該基板114掃描以使用於剝離該基板丨14之完整 圖案曝光。重複该過程’直至將該全部基板i 逐行曝光。 4·連續掃描模式··除使用-大體上恆定之輕射系統102 / 4板式基本上與脈衝模式相同,且當該投影束⑽掃描 撼板114且將其曝光時,更新個別可控組件i 之該陣 上之圖案。 亦可運用上述使用槿式 ^ 、式之、、且a及/或變體或完全不同 使用模式。 的 例示性應用案 圖 3及4示意地表現了 根據本發明之各種實施例之一微 99482.doc 200532395 影投影裝置之部分。照明系統5、60產生一輕射束6,在圖3 及圖4之狀況下,該輻射束6係藉由一輕射分配系統7來分配 至複數個光引擎8,該等光引擎8圖案化該輕射束且將盆投 影至一基板9上。各光引擎8包括一用於根據一所要圖案來 圖案化一輻射束之個別可控組件之一陣列及一用於將該圖 案化光束投影至該基板上之投影系統。該等光引擎亦可包 括用於在該輻射束入射在個別可控組件之陣列上之前製備 鲁職射束的額外組件。舉例而言,其可包括用於補償該等 光引擎8接收來自該輻射分配系統7之輻射之角度的組件。 應瞭解··除了具有單獨投影系統外,複數個光引擎可配 置有一共同的投影系統以同時將由個別可控組件之該等陣 列產生之該圖案化光束投影至該基板上。各通道亦可具有 一部分鏡面以使一定量的輸入輻射偏轉從而不斷監控^通 道中之該輻射的強度。此外,亦應意識到本發明不限於與 用於圖案化該等輕射束之個別可控組件之陣列一起使用。 籲概3之,可使用賦予該輻射束之該橫截面-圖案的任何圖 案化元件來替代所述之個別可控組件之該等陣列。 圖2祂繪一實施例,其中存在若干輻射源60a、60b、60c、 6〇d ’ 60e及60f,各輻射源供給一光引擎8。可組合任何數 目之_源與光引擎’並且如下文所述,可在複數個光引 ,I 8之間分割來自_個源之輻射或可組合來自複數個源之 • 射、將其輸入至一單個光引擎中。目為複數個源向複數 個光引擎供應輕射,所以線内(in-line)輻射劑量監控可使用 偵測為系統62來進行。該偵測器系統可包含一用於各韓射 99482.doc 200532395 源60之一單獨偵測器且涉及一該等偵測器之間的校正步 驟,及/或其可包含在該等輻射束之間移動之較少數目的偵 測器。使用部分鏡面及/或其它光學導引器,可將該等光束 中之母一個的一部分導引至一監控該等光束強度之偵測 器。 輻射分配系統7係描繪於圖3中且其包含一旋轉地安裝在 來m明系統5之該輻射束6之該路徑中的反射器。在不 • 同的疋轉角度5亥等反射态將來自該照明系統之該輻射束6 反射至不同光引擎8。因而,當一驅動器(未圖示)使該反射 器7旋轉時,來自該照明系統5之該輻射又被導引至該等光 引擎8中之每一個。該反射器7可經配置以使其可相應旋轉 以㈣該輻射係沿一列光引擎S來回地導引。為達成此,該 反射器可藉由壓電致動器、靜電式致動器、勞舍兹致動器 或任何”匕口適的凡件來致動。或者,該反射器可經配置 使其以7恆疋速度圍繞一軸線旋轉,以使得該輻射係沿該 籲二光引擎8來反覆地導引。該輕射分配系統7之該旋轉反射 口口可為如圖3中所示之平坦組件。在該配置中,該平坦組 件之兩側皆可包含反射性表面,以使得在該組件之各半旋 轉中又將該輻射分配至該等光引擎8中之每—個。或者,$ 旋轉反射器可為任何形狀,當其旋轉時將輻射導引至不同/ 先引擎8。在一實例中,該輻射分配組件之該平坦反射器被 曰換為_有圍繞一軸線安裝的複數個反射性表面且呈有 不㈣多邊形形狀之輻射分配組件。當該輻射分配时旋 轉日”各反射性表面又與來自該照明系統5之該輻射束6相 99482.doc •22· 200532395 ::在广f過程期間,各反射性表面提供給來自該照明系 、、一之4射束6之角度改變。因❿,由該反射性表面反射 ::輪射束亦在該時間内改變方向。因此,以-對應於與 弟—實施例相關之上述方式之方式,各反射性表面可用 :在輪射截取來自該照明系統5之該輕射束6期間依次在該 專輻射分配通道中之每—個之間分配該輕射。
θ應:解:儘管該等圖顯示光引擎8被配置成一單獨列,但 是在實踐中’該等光引擎可被便利地配置成任何方式,例 如兩列或兩列以上。因Λ,必須在垂直於該等圖之平面之 方向内以及在所示平面时配來自該照明系統5之該輕 射。此可精由使該輻射分配系統7之該反射器不但繞一垂直 於(比如)圖3之平面的軸線旋轉,而且(或許在一更受限制的 乾圍内)繞-第二正交軸線旋轉來配置。或者,該反射器可 圍繞圖3中所示之一單一軸線分配該轄射且可提供分配組 件以將該輻射傳送至該等光引擎8。 作為另一變體,來自該輻射分配組件7之該輕射可不必直 接導引至各光引擎。相反,各輻射分配通道可包括一或多 個輻射束分裂器,其用於分割在任何給定瞬間被導引至該 通道之该輪射且將其分配給兩或兩個以上 疋拏。類似 地,各光引擎可包括個別可控組件之一或多個陣列,該等 組件在相同場内被照射及/或共用一共同的投影系統 雖然該照明系統5通常使用一恆定源(例如, —用於製造 平板顯示器之的恆定UV源),但該照明系統5可以有規律的 間隔產生輻射脈衝,意即,該照明系統5包括—經脈衝調製 99482.doc -23- 200532395 之輕射源。此狀況下,使嗲γ
.c 吏。亥幸田射分配組件7之旋轉盥嗲0刀M 糸、、充5之脈衝率同步。舉 /、μα月 配組件7之一 °違丹步可為:在該#Μί分 度旋轉且為雙:的^ 於所需角度之各時二 射分配通道中之每—個(/==_反射至該等輕 a敬〇、 —直接反射至圖3中所示之該笨氺 引擎8)。或者,舉例 之Μ先 5亥同步可為··在各旌餹如Μ 該照明系統僅為該等_ M Hu 各疋轉d間, m “ 射刀配通道中之一者提供脈衝或在 各凝轉中為交替通道提供輻射。 應瞭解:亦可考唐直 二、, 匕作週期。舉例而言,若如上所 淪述,光引擎8被配置成— 斤 射分配組件7圍繞一垂直 ,、、、 μ輻 ^ 罝於圖3之平面之軸線的各次旋韓 中,该照明系統為一單獨列巾 习〜r之違專光引擎8中之每一 供轄射脈衝。隨後,該輕射分配組件圍繞該第二軸線移動 :該輕射分配組件7的下次旋轉將輕射傳遞給另一列光引 筆0 因而,如上所述,該輕射分配組件7具有一工 該工作週期中來自該昭明系 / ^ …、月糸統之該輻射被依次分配給複數 個輻射分配通道。隨後,該等 考丁刀配通道中之每一個將 該輪射導引至含有用於圖幸化q ^ 、 口茶化4專輻射束之個別可控組件 之陣列的-或多個光引擎。因此,當照射個別可控组件之 -陣列且將由此得到的圖案化輻射束投影至該基板上時, 個別可控組件之其它陣列可正在 牡運仃下一個圖案的設定。 因為經脈衝調製之輻射源提供_ 捉仏軺射脈衝比可將個別可控組 99482.doc -24- 200532395 件之:車列設娜斤圖案更快,所以此係有用的。因此,藉 由將f自早個照明系統之輻射的脈衝分配給個別可控組 二之稷數個陣列’可更為有效地使用該照明系統,且(例如) 右各光引擎需要獨立的照明系統,則裝置之尺寸及費用可 更少。 、 應瞭解:除使該輕射分配系統與該經脈衝調製之輻射源 5卜有必要使其兩者與個別可控組件之每—陣列上 之圖案的更新同步。 對於給絲目之用於將圖案化㈣束投影至該基板上之 光引擎而言,該衷置可包括:一照明系統,其具有與光” 擎數目相同之輻射源;-用於組合由該等源中之每一個產 生之該等車昌射束的系統;及隨後,一如上文或下文所述之 用於在4等光引擎中之每—個之間重新分配該輻射 分配系統。 應瞭解:概言之,任何數目之源可與任何數目之光引擎 :合使用。此外,即使該經組合輕射束之強度仍會有一點 夂化另仁與一使用與各光引擎相關聯之複數個獨立照明系 統冗置相比,在一給定時刻被圖案化且被投影至基板丄 之該等輻射束之該等強度之間的差異可減小。 圖2描綠監控被輸入至該等光引擎中之該輕射的強度之 π列偵測62及一大體上在基板水平上、監控該等光引 擎及投影系統後之光的強度之债測器2 〇。使用此等偵測器 62' 20或個別偵測器之組合,可能需要頻繁的校正步驟, 在該步驟中該系統之整體強度得到校正;及一較不頻繁的 99482.doc 200532395 校正步驟,其勺 第―、更為=及補償穿過各通道之強度分佈。該 生,較不頻,的:步驟可在各基板與後面的基板之間發 示娜=圖4:可在(例如)各批基㈣ 引擎8中測11 22°⑽器22沿輸人至該等光 係沿(例如 擎之輸人或”移動或—探針或光學導引料沿該等光引 系統旁靜止之ΐ 而將該㈣之—部分導引至在該 ^ ^。事實上,亦可能需要一單個的大 :板位準偵測器,其覆蓋所有光引擎 陣列。由於光之相同分配強度照射…: ^貞心上’相對於無重疊而言,偵測器範圍内之重疊可 地校正該等偵測器。 除此,外或另-選擇,偵測器可被置放在該等光引擎8 内。^等偵測器用作與圖2之價測㈣相同的目的。在該輕 、疋被要求用於投影至該基板時可偵測該輻射強度,或 可使用一部分鏡面或類似物將該輻射之一部分導引至該 偵測器。 由^該輻射分配組件7中之缺陷或該輻射源5之差異,進 入该等光引擎8中之每一個的該輻射可能不均勻。若係此狀 况則5亥债測益22將該資訊反饋給補償強度之差別的補償 系統。藉由量測來自該等光引擎8且預定投影至該基板9上 ,該圖案化輻射之強度,偵測器2〇可取代或輔助偵測器 22。舉例而言,當輻射穿過圖案化元件時,此偵測器量測 由光引擎自身導致之輻射的任何差異。偵測器Μ更適合用 99482.doc -26- 200532395 於各光引擎具有其特有的投影丰έ 又〜糸統的狀況下。由於比僅具 有一個投影系統更可能產生投影 /、 〜軛射之至異,在彼狀況 下,在光引擎後置放一偵測哭争 貝』的更加重要,因為有更多組件 需要校正。 補償輻射之差異有若干方法。第_ 禾 種方法係經由該圖案 化元件。若一諸如偵測器22之偵旦 谓而為夏測不同於其餘的輸 入輻射強度之輸入至該圖案化元株 二 口系化兀件之輻射,則其可將此資 訊饋給該圖案化元件,該圖案化 疋件改變待投影至該基板 上之韻案的強度。舉例而言,若偵測器別量測相對於1 它光引擎輸出之該圖案化輕射之該強度的差異,其將⑽ 減饋給—補償系統,且由光引擎導致之任何差異可(例如) 藉由偏移個別可控組件以導引 守W个问里之輻射來補償,從而 使該圖案保持相同而該圖荦中 α茶干之忒輻射的強度不同(亦稱 為灰階)。 在一實施例中,該圖案化元件中 ιτ Υ I该等個別可控組件可 經偏移以影響自該光引擎輸出 〆_ 侧Θ圖案中之各點的強度。 更詳言之,個別可控组件之_十夕 1干之或多個陣列接收來自該投 料'統之輕射且該等組件被單獨偏移以創建圖案,該圖案 係藉由投影在該基板上之輻射的較大或較小強度而形成。 若提供給該等個別可控組件之強度高於進入立它光引擎之 輸入’則該等組件可偏移一不同的量以改變該灰階及減小 被^引至$投影系統之純射的強度。另 發現與-光引擎相關聯之投影系統較與另—光引擎;: 之才又影糸統使輪射衰減的更多’則可改變該灰階以增加導 99482.doc -27- 200532395 引至該投影系統之該強度。 可使輕射強度變得均勾之另一方式係藉由安裝衰机 该專衣減錢前往該# Μ擎或自㈣擎出來之輕 減,其中由彼等光引擎投影之幸畐射大於其餘光引擎投影之又 輕射。㈣光束之衰減可在圖案化元件後發生,但盆較户 在圖案化元件前發生’因為相對於已圖案化之光束,使: 未圖案化之光束衰減更容易。可能藉由(例如)補償各通道中
劑量的不均勻性僅使一弁壶夕立β八 >、上 ^尤釆之部分哀減,但此亦較佳在該 光束已進入該圖案化元件之前完成。 圖4顯示該輻射分配系統之不同實施例。此提供一可同時 為兩或兩個以上輻射分配通道(或光引擎8)提供輕射的轄射 分配系統。特定而言,若使用一經脈衝調製之照明系統, 則輻射分配組件30可在該等輻射分配通道之間分割各脈 衝。此外,如上所述,所示之配置可用作一在該等輻射分 配通道中之一者内的光束分割器。 如圖4中所示’該輕射分配組件3 〇包含複數個區段3 ^、 32、33、34、35、36,各區段與一輻射分配通道或光引擎8 相關聯。各區段包含一對所用之輻射而言係大體上透明的 材料,且特定而言,各區段可由玻璃棒、石英棒或CaF2棒 製成。然而,應瞭解··此等區段之橫截面形狀可為任何適 宜形狀,且不必機械連接該等區段。 弟一區段3 1具有一接收來自該照明系統5之一輻射束6之 第一端31b。在另〆端,該第一區段具有一與該輻射束6成 一角度配置之部分反射的表面3 1 a。該輻射束6之一部分被 99482.doc -28- 200532395 從該輻射分配組件30反射至一相關輻射分配通道或光引擎 8。該輻射束之剩餘部分穿過該部分反射的表面進入該輕射 /分配組件30之第二區段32。如所示,該第二區段經適宜地 成型以使得接收該輻射之端具有一對應於該第一區段之部 分反射的表面3U之形狀。然而,此不必是該狀況。該第二 區段32在相對端亦具有—類似於該第—區段之部分反㈣ 表面之部分反射的表面,其又從該輕射分配組件%内反射 籲乘>1餘“射束之-部分且允許剩餘輻射進入第三區段。此可 杈而要重複,直至最後區段(在所示實例中為第六區段Μ) 具有-用於將來自該照明系統5之該輻射束6的剩餘部分反 射至該相關輻射分配通道或光引擎8中之完全反射的表面 36a ° 藉由適田配置s亥等部分反射的表面,該輻射分配組件3 〇 可經配置以將來自該照明系統5之該輻射束6分割成在各輻 射分配通道中具有相同強度之複數個光束。舉例而言,可 在每一該等部分反射的表面上使用不同的塗層。用於該等 土層之合適材料包括氟化物,諸如冰晶石。此外,可被導 引至3亥寺轉射分配通道中之每_個的該輕射束6之此例將 隨時間保持恆定。因此,若該輕射強度之分配不十分均句, 則可量測該等韓射分配通道中之每—個之相對強度且在如 上所論述之裝置的剩餘部分中適當補償。 應瞭解:如同先前實施例’可將該等輻射分配通道或光 引擎8可配置成除圖4中所示之單獨列之外的形式。在此狀 况下’輻射分配組件可用以相應地導引該輻射,或可使用 99482.doc -29- 200532395 圖3中所不之該輻射分配組件3〇之該配置的變體。舉例而 言,全部的反射器可被配置在該輻射分配組件3〇之一或多 個區段之間以使得無需對準該輻射分配組件3〇之該等個別 區段。類似地,亦可使用區段31、32、33、3[ 35及36之 替代組態。舉例而言,可在相反方向使替代區段之部分反 射=表面形成角度,使輻射從該分配組件之相反側内反射 至第邛刀反射的表面。接著可配置平面反射器以9〇〇角反 射轄射束之所有部分(例如,進入圖4之平面),從而產生可 直接投影至兩列光引擎之兩平行的㈣束列。 該等偵測器及該等補償元件之該反饋系統顯示於圖5 中。校正資訊4〇係在該微影裝置之安裝期間測定。此資訊 包括輸入輕射之強度及根據需要圖案化該輻射所需之該圖 案化元件的定位。 在-基板之各圖案化過程之間,該㈣測器2G、^62 2引擎8之前或之後中任-者監控輕射之實際強度且比 :各光:擎8之強度與其他光引擎中之強度及校正資訊 。右由债測器20或22量 度先引擎8中之該輕射的強 二匕先引擎中之強度及校正資訊相同,則補償系統44 起作用。然而,若對於特定 補^ ^ 、特疋先引擎8存在強度差異,則該 補仏糸統44使用(例如)圖荦 食 荼化兀件48或哀減器46之灰階性 月匕補彳員此差異以使多餘的輻 射輸出變得均勻。該輸出二“所有光引擎之輕 判定 1 ^出視情況可被偵測器20感測。此可 J疋该補乜糸統已視需要補 臣^ 茺補秘了 5亥產異。該等偵測器亦可 凰拴與個別可控組件之一 J中之,亥4個別組件相關之資 99482.doc '30- 200532395 訊。以此方式,不但可調整一完整光引擎之強度,而且可
基於该所接收之資訊藉由韻靈I 符田祝而要偏移该荨受監控之組件調 整個別組件之強度。 進一步輸入輻射係藉由偵㈤器2 0或2 2來量測以判定是否 仍存在差異且可對其進行補償。若感測到所有光引擎8具有 相等的偏移’則不但該等個別可控組件需要強度補償,而 且該源亦需要強度補償。
、當然,I貞而易見,該等制器中任—個可以任何組合形 式用於該等實施例中之任一者,且為清楚起見,已將其展 示在本文之單獨實施例中。 儘官已於上文中描述了本發明之各種實施例,但應理 解〜亥寻貫施例僅以實例形式提出而非限制。熟習相關技 術者應瞭解,可在此對形式 丁心式及細即作各種改變而不脫離本 發明之精神及範疇。因此, 、、_ U此本發明之乾圍及範疇不應受到 上述例示性實施例中杯_水 者的限制,而應僅根據隨後之申 請專利範圍及其均等物來界定。 【圖式簡單說明】 圖 圖 1描繪根據本發明 2描繪根據本發明
之一實施例之一微影裝置。 之第一實施例之該裝置之部分的配 圖3彳田繪根據本發明之第 置。 二實施例之該裝置之部分的配 圖4描繪根據本發明 之第三實施例的該裝置之部分的 配 99482.doc -31 - 200532395
圖5描繪根據本發明之反饋系統之流程圖。 現將參看該等附圖來描述本發 相同 ^ η 隹该等圖式中 的爹考數字可指示相同或功能上類似的組件。 【主要元件符號說明】
5 照明系統 6 輻射束 7 輻射分配系統 8 光引擎 9 基板 20 偵測器 22 偵測器 30 輻射分配組件 31 、 32 、 33 、 區段 34 、 35 、 36 31a 部分反射的表面 31b 第一端 36a 完全反射的表面 60 輻射源 6〇a 、 60b 、 60c 、 輻射源 60d 、 60e 62 偵測器系統/偵測器 100 微影投影裝置 102 幸昌射糸統 99482.doc -32- 200532395
104 106 108 110 112 114 118 120 122 124 126 128 130 132 134
個別可控組件PPM 載物台WT 投影系統PL 輻射投影束PB 輻射源LA 個別可控組件/基板W 光束分裂器 目標區C 輻射束 照明系統(照明器)IL 調節元件/射束放大器Ex 調整元件 積光器IN 聚光器CO ;定位元件PW 干涉量測元件IF 136 138 140 底板BP 干涉光束 光束分裂器 99482.doc -33 -
Claims (1)
- 200532395 十、申請專利範圍: 1. 一種微影投影裝置,其包含: 一提供一輻射束之輻射系統; 一固持一基板之基板台; 用於根據一所要圖幸夹 茶不圖案化一源自該輻射系統之一 輪射束之複數個圖案化構件; 一將該圖案化光束投影 ^ 至σ亥基板之一目標區上之投影 糸統; 一將來自該輻射李铱> # 一 糸、、先之该輪射分配至該等圖案化構件 之幸*射分配元件; 多個輻射分配通道;及 一量測與該等圖宰化椹Α > 茶化構件中之每一個相關聯之該輻射 之強度的輻射偵測系統, 其中该幸§射分配元件將夾 ^ 予术自该輻射系統之該輻射導引 數個該等輻射分配 ^ F1 ^ ^ ^ . 且该荨輻射分配通道為該 等圖案化構件提供輻射束。 2. 如請求们之微影投影 依序偵测盘各圖㈣… 射_糸統包含- 3. 如往杰件相關聯之輕射的谓測器。 等圖案化禮杜由— 八fμ偵測盗移動穿過與該 4. 如許,“ 母—個相關聯之該輻射的-部分。 明,項2之微影投影系統,i 一牛 相關聯之探針,1Φ兮 八 /匕3 —與該偵測器 η炙刼針,其中該偵測器係大體上 移動穿過與該等圖荦疋的且该楝針 的-部分。㈡案化構件中之母-個相關聯之該輻射 99482.doc 200532395 5 ·如請求項1之微影投影 個偵測器,其中各:二統:其中該輕射偵測系統包含多 相關聯。 “、…亥專圖案化構件中之每-個 6·如請求項1之微影投影系統 開该輪射分配系統之輕射。 7·如請求項1之微影投影系統 開該分配通道之輻射。 8.如請求項1之微影投影系統 其中该輪射谓測系統谓測離 其中该輪射谓測系統價測離 其中该Y貞測系統偵測在該等 胃 /、 I u|片汐 圖案化構件與該投影系統之間的輻射。 二:求項1之从影投影系統,其中該偵測系統伯測離開該 才又衫糸統之韓射。 m請求項1之微影投影裝置,其進一步包含-調整與至少 一圖案化構件相關聯且係由該投影系統來投影之轄射之 強度的補償系統。 Θ长員10之u衫投影裝置,其中該補償系統獨立地調 正與㈣®案化構件中之每—個相關聯之該輻射之該 度。 12·如請求項1〇之微影投影裝置,其中: 該等圖案化構件中的至少一個係個別可控組件之一陣 列,其可經設定以在一輻射束之橫截面中賦予盆一 圖案; 各獨立可控組件經設定為複數個狀態中的一種,在該等 狀怨期間,不同比例之該輻射被導引至該投影系統;且 该補償系統藉由改變該等個別可控組件中之每一個的 99482.doc 200532395 設定來調整該㈣,以使得該_之該圖賴以維 同時改變該輻射之該強度。 13.如請求項12之微影投影裝置,其進一步包含一控制系 統,=控制系統在該輻射被投影至該基板之一部二上二 用先前_到且儲存之輕射強度資料更新該補償系统,寸 其中該儲存資料係當該等圖案化構件經設定以使所有該 等個別可控組件、經設定為相同狀態時該強度差異之—旦 測值。 、 里 14·如請求们〇之微影投影裝置,其中該補償系統包含—輕 射哀減器,該轄射衰減器使與至少—圖案化構件相關: 且係由該投影系統來投影之該輻射衰減。 15.^求項1Q之微影投影裝置,其中該補償系統調整與至 少-圖案化構件相關聯且係由該投影系統來投影之該輻 射之一部分的強度。 X S 16·如請求項1G之微影投影裝置,其進_步包含—控制系 統控制系統在該輕射被投影至該基板之―部分上時 用先則偵測到且儲存之輻射強度資料更新該補償系統。 17. 如請求項10之微影投影裝置,其進一步包含一控制系 統二該控制系統在輻射被投影至該基板之一部分上時用 ^前偵測到之韓射強度資料更新該補償系、統,其中該先 =測到之㈣強度資料對應於在當前操作之前由該輕 射偵测系統偵測且儲存在一儲存媒體中之資料。 18. 如請求項1〇之微影投影裝置,其中: 該轄射偵測系統偵測該輻射分配系統與用於該等圖案 99482.doc 200532395 化構件中之母個之輪射分配通道中的至少一者之輕射 強度的差異;且 該補償系統經配置以補償輻射強度之此差異。 1 9 ·如請求項1 〇之微影投影裝置,其中·· 該輻射偵測系統經配置以偵測用於該等圖案化構件中 之每一個的該投影系統中之輻射強度的差異;且 該補償系統經配置以補償輻射強度之此差異。 20. —種杈正一微影投影裝置中之輻射強度的方法,其包括: 當一圖案化構件致使個別可控組件被設定在一相同狀 心時偵測一微影投影裝置中在許多階段中任一者内之 輻射的強度; 將泞夕&奴中任一者内之該輻射強度資料儲存在一 存媒體中; 偵測《亥U衫投影裝置在運行時於相同階段之裝置内的 該輻射之該強度; Φ 在Λ微〜杈心裝置在運行的同時使用一控制系統比較 該儲存資料與所獲取之資料;且 使用紹貝I统以根據該控制系、統之一輸出調整 射之該強度。 ^ 2 1. —種元件製造方法,其包含·· 提供一基板; 要圖案來圖案化源 使用釔射系統提供一輻射投影束 使用複數個圖案化元件以根據一所 自該輻射系統之輻射束; 99482.doc 200532395 =等=輻射束投影至該基板之1標區上;且 複數個分::、Γ!將來_射系統之該議由 田射刀配通道分配至該等圖案化構件; 使用一輻射偵測器量測等’ 強度。 射刀配通逼中之該輻射 22· —種元件製造方法,其包含·· 提供一基板; 使用一輻射系統提供一輻射投影束; 使用數個圖幸1 ν 4. 純70件以根據-所要圖案來圖案化源 自違輪射糸統之輻射束; 將該等圖案化輻射束投影至該基板之一目標區上;且 、/吏用:輻射分配元件將來自該輻射系統之該輻射經由 複數個輻射分配通道分配至該圖案化元件,· 使用一輻射偵測器量測該等輻射分配通道中之該輻射 強度,該輻射偵測器輸出該等輻射分配通道中之每2 的強度值;且 、固 補償該等輻射分配通道之該輻射強度的任何差別。 99482.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/790,257 US7061586B2 (en) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200532395A true TW200532395A (en) | 2005-10-01 |
TWI269944B TWI269944B (en) | 2007-01-01 |
Family
ID=34750565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094105653A TWI269944B (en) | 2004-03-02 | 2005-02-24 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7061586B2 (zh) |
EP (1) | EP1571494A1 (zh) |
JP (2) | JP4648036B2 (zh) |
KR (1) | KR100660506B1 (zh) |
CN (1) | CN1664704B (zh) |
SG (1) | SG114763A1 (zh) |
TW (1) | TWI269944B (zh) |
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EP1571494A1 (en) | 2005-09-07 |
KR20060043305A (ko) | 2006-05-15 |
KR100660506B1 (ko) | 2006-12-22 |
JP4648036B2 (ja) | 2011-03-09 |
US20050195380A1 (en) | 2005-09-08 |
JP2005252256A (ja) | 2005-09-15 |
TWI269944B (en) | 2007-01-01 |
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JP2010093262A (ja) | 2010-04-22 |
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