JP4648036B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4648036B2 JP4648036B2 JP2005055657A JP2005055657A JP4648036B2 JP 4648036 B2 JP4648036 B2 JP 4648036B2 JP 2005055657 A JP2005055657 A JP 2005055657A JP 2005055657 A JP2005055657 A JP 2005055657A JP 4648036 B2 JP4648036 B2 JP 4648036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- intensity
- patterning
- substrate
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 412
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 103
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 93
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000003491 array Methods 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ここで使う“個々に制御可能な素子のアレイ”という用語は、基板の目標部分に所望のパターンができるように、入射放射線ビームにパターン化した断面を与えるために使えるあらゆる手段を指すと広く解釈すべきである。“光バルブ”および“空間光変調器”(SLM)という用語もこの文脈で使うことができる。そのようなパターニング手段の例には以下のものがある。
図1は、この発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置100を概略的に描く。装置100は、少なくとも放射線システム102(例えば、Ex、IL(例えば、AM、IN、CO等)等)、個々に制御可能な素子のアレイPPM104、物体テーブルWT106(例えば、基板テーブル)、および投影システム(“レンズ”)PL108を含む。
1.ステップモード:個々に制御可能な素子のアレイ104上のが全パターンを目標部分120上に一度に(即ち、単一“フラッシュ”で)投影する。次に基板テーブル106をxおよび/またはy方向に異なる位置へ移動して異なる目標部分120をビーム110で照射できるようにする。
2.走査モード:与えられた目標部分120を単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、ステップモードと本質的に同じである。その代りに、個々に制御可能な素子のアレイ104が与えられた方向(所謂“走査方向”、例えば、y方向)に速度vで動き得て、それで投影ビーム110がこの個々に制御可能な素子のアレイ104の上を走査させられる。同時に、基板テーブル106がそれと共に同じまたは反対方向に速度V=Mvで動かされ、このMは投影システム108の倍率である。この様にして、比較的大きい目標部分120を、解像度について妥協する必要なく、露出することができる。
3.パルスモード:個々に制御可能な素子のアレイ104を本質的に固定し、パルス化した放射線システム102を使って全パターンを基板114の目標部分120上に投影する。基板テーブル106を本質的に一定速度で動かして投影ビーム110に基板114を横切る線を走査させるようにする。個々に制御可能な素子のアレイ104上のパターンを放射線システム102のパルス間で必要に応じて更新し、これらのパルスは、連続する目標部分120を基板114上の必要な場所で露出するように時間が決めてある。従って、投影ビーム110は、基板114のストリップに対して完全なパターンを露出するために基板114を横切って走査できる。全基板114を1行ずつ露出するまでこのプロセスを繰返す。
4.連続走査モード:実質的に一定の放射線システム102を使い、個々に制御可能な素子のアレイ104上のパターンを投影ビーム110が基板114を横切って走査し且つそれを露出するとき更新することを除いて、本質的にパルスモードと同じである。
図2、図3および図4は、本発明の種々の実施例によるリソグラフィ投影装置の一部を概略的に示す。照明システム5;60は、放射線のビーム6を作り、それを、図3および図4の場合は、放射線分配システム7によって複数の光エンジン8へ分配し、それらが放射線ビームをパターン化してそれを基板9上に投影する。各光エンジン8は、所望のパターンに従って放射線のビームをパターン化するための個々に制御可能な素子のアレイおよびこのパターン化したビームを基板上に投影するための投影システムを含む。これらの光エンジンは、放射線のビームが個々に制御可能な素子のアレイに入射する前にそれを調製するための追加の素子も含んでよい。例えば、それは、光エンジン8が放射線分配システム7から放射線を受ける角度を補償するための部品を含んでもよい。
6 放射線ビーム
7 放射線分配装置
9 基板
20 放射線検出システム、検出器
22 放射線検出システム、検出器
30 放射線分配装置
44 補償システム
46 減衰器
60 放射線システム
62 検出器
Claims (14)
- リソグラフィ投影装置であって、
放射線のビームを供給する放射線システム、
基板を保持する基板テーブル、
前記放射線システムから導出した放射線のビームを所望のパターンに従ってパターン化するための複数のパターニング手段、
前記パターン化したビームを前記基板の目標部分上に投影するための投影システム、
前記放射線システムからの放射線を前記パターニング手段に分配する放射線分配装置、
放射線分配チャンネル、
前記パターニング手段に入力する放射線の強度を測定する第1の放射線検出器、
前記パターニング手段によりパターン化された後の放射線の強度を測定する第2の放射線検出器を含み、
前記放射線分配装置が前記放射線システムからの放射線を複数の前記放射線分配チャンネルへ向け且つ前記放射線分配チャンネルが前記放射線のビームを前記パターニング手段へ供給し、
複数のパターニング手段に関連し且つ前記投影システムから基板上に投影される放射線の強度を調整する補償システムをさらに含み、
前記パターニング手段が、放射線のビームの断面に所望のパターンを与えるようにセットできる、個々に制御可能な素子のアレイであり、
前記補償システムは、前記第1の放射線検出器が前記複数のパターニング手段に入力する放射線の強度が異なることを検出したとき、基板上に投影すべきパターンの強度を変えるように前記パターニング手段を設定し、前記第2の放射線検出器が前記複数のパターニング手段によりパターン化された放射線の強度が異なることを検出したとき、前記放射線のパターンを維持しつつ、前記個々に制御可能な素子のオフセットによってグレースケールを変更して前記投影システムに向ける放射線の強度を調整することを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記第1の放射線検出器または前記第2の放射線検出器が前記パターニング手段の各々に関連する放射線の一部を横切って移動する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記第1の放射線検出器または前記第2の放射線検出器に関連するプローブをさらに含み、前記検出器が実質的に固定で、前記プローブが前記パターニング手段の各々に関連する放射線の一部を横切って移動する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記第1の放射線検出器が前記放射線分配装置を出る放射線を検出する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記第1の放射線検出器が前記放射線分配チャンネルを出る放射線を検出する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記第2の放射線検出器が前記パターニング手段と前記投影システムの間で放射線を検出する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記第2の放射線検出器が前記投影システムを出る放射線を検出する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記補償システムが前記パターニング手段の各々と関連する放射線の強度を独立に調整する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記放射線を前記基板の一部上に投影するとき、前記補償システムを先に検出し且つ記憶した放射線強度データで更新する制御システムをさらに含み、前記記憶したデータが、前記個々に制御可能な素子を全て同じ状態にセットするように前記パターニング手段をセットするとき、強度変動の尺度である請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記補償システムが、少なくとも一つのパターニング手段に関連し且つ前記投影システムが投影する放射線を減衰する放射線減衰器を含む請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 前記放射線を前記基板の一部上に投影するとき、前記補償システムを先に検出し且つ記憶した放射線強度データで更新する制御システムをさらに含む請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- 放射線を前記基板の一部上に投影するとき、前記補償システムを先に検出した放射線強度データで更新する制御システムをさらに含み、前記先に検出した放射線強度データは、前記第1の放射線検出器または前記第2の放射線検出器が現動作の前に検出し、記憶媒体に記憶する強度データに対応する請求項1に記載されたリソグラフィ投影装置。
- リソグラフィ投影装置で放射線強度を較正する方法であって、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
放射線分配装置を使って前記放射線システムからの放射線を複数の放射線分配チャンネルを介して前記複数のパターニング手段へ分配する工程、
複数のパターニング手段を使って前記放射線システムから導出した放射線のビームを所望のパターンに従ってパターン化する工程、
投影システムを使って前記放射線のパターン化したビームを前記基板の目標部分上に投影する工程、
第1の放射線検出器を用いて、前記複数のパターニング手段に入力する放射線の強度を測定する工程、
第2の放射線検出器を用いて、前記複数のパターニング手段によりパターン化された後の放射線の強度を測定する工程、
補償システムを使って前記制御システムの出力に従って前記放射線の強度を調整する工程、を含み、
前記複数のパターニング手段が、放射線のビームの断面に所望のパターンを与えるようにセットできる、個々に制御可能な素子のアレイであり、
前記補償システムは、前記複数のパターニング手段に入力する放射線の強度が異なることを検出したとき、基板上に投影すべきパターンの強度を変えるように前記複数のパターニング手段を設定し、前記複数のパターニング手段によりパターン化された放射線の強度が異なることを検出したとき、前記放射線のパターンを維持しつつ、前記個々に制御可能な素子のオフセットによってグレースケールを変更して前記投影システムに向ける放射線の強度を調整することを特徴とする方法。 - デバイス製造方法であって、
基板を用意する工程、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
放射線分配装置を使って前記放射線システムからの放射線を複数の放射線分配チャンネルを介して前記複数のパターニング装置へ分配する工程、
複数のパターニング装置を使って前記放射線システムから導出した放射線のビームを所望のパターンに従ってパターン化する工程、
投影システムを使って前記放射線のパターン化したビームを前記基板の目標部分上に投影する工程、
第1の放射線検出器を用いて、前記複数のパターニング装置に入力する放射線の強度を測定する工程、
第2の放射線検出器を用いて、前記複数のパターニング装置によりパターン化された後の放射線の強度を測定する工程、
前記放射線分配チャンネルの放射線強度の変動を補償する工程、を含み、
前記複数のパターニング装置が、放射線のビームの断面に所望のパターンを与えるようにセットできる、個々に制御可能な素子のアレイであり、
前記補償する工程は、前記第1の放射線検出器が前記複数のパターニング装置に入力する放射線の強度が異なることを検出したとき、基板上に投影すべきパターンの強度を変えるように前記複数のパターニング装置を設定し、前記第2の放射線検出器が前記複数のパターニング装置によりパターン化された放射線の強度が異なることを検出したとき、前記放射線のパターンを維持しつつ、前記個々に制御可能な素子のオフセットによってグレースケールを変更して前記投影システムに向ける放射線の強度を調整することを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/790,257 US7061586B2 (en) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009233770A Division JP2010093262A (ja) | 2004-03-02 | 2009-10-07 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005252256A JP2005252256A (ja) | 2005-09-15 |
JP4648036B2 true JP4648036B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=34750565
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005055657A Active JP4648036B2 (ja) | 2004-03-02 | 2005-03-01 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2009233770A Pending JP2010093262A (ja) | 2004-03-02 | 2009-10-07 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009233770A Pending JP2010093262A (ja) | 2004-03-02 | 2009-10-07 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7061586B2 (ja) |
EP (1) | EP1571494A1 (ja) |
JP (2) | JP4648036B2 (ja) |
KR (1) | KR100660506B1 (ja) |
CN (1) | CN1664704B (ja) |
SG (1) | SG114763A1 (ja) |
TW (1) | TWI269944B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100548134B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 무선 네트워크 환경에서의 tcp의 데이터 전송효율을향상시킬 수 있는 통신시스템 및 그 방법 |
US7061586B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-06-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070235378A1 (en) * | 2004-03-05 | 2007-10-11 | Donaldson Corporation Company, Inc. | Top Load Liquid Filter Assembly for Use with Treatment Agent; and, Methods |
US7342644B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-03-11 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for lithographic beam generation |
JP5025157B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-09-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置および画像記録方法 |
TWI479271B (zh) * | 2005-11-15 | 2015-04-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method |
US7728955B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation supply and device manufacturing method |
NL2003204A1 (nl) * | 2008-08-14 | 2010-02-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
JP4868034B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2012-02-01 | 横河電機株式会社 | 放射線検査装置 |
US8243115B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-08-14 | Eastman Kodak Company | Method for adjusting a spatial light modulator |
US20110102780A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Karassiouk Valentine A | Calibration of a spatial light modulator |
NL2006625A (en) * | 2010-05-26 | 2011-11-29 | Asml Netherlands Bv | Illumination system and lithographic apparatus. |
JP6206945B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2017-10-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 走査露光装置及び走査露光方法 |
US9823572B2 (en) | 2013-06-18 | 2017-11-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method |
KR102307190B1 (ko) * | 2014-01-21 | 2021-09-30 | 카티바, 인크. | 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술 |
TWI728951B (zh) * | 2014-07-31 | 2021-06-01 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 投影曝光系統之照明裝置 |
TWI701517B (zh) * | 2014-12-23 | 2020-08-11 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 光學構件 |
EP3395406A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-10-31 | EFSEN Engineering A/S | A system and a method for irradiating an object |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237169A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Canon Inc | 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置 |
JP2002506236A (ja) * | 1998-03-02 | 2002-02-26 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 変調装置の設計を改良したパターン・ジェネレータ |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2134144A1 (de) * | 1970-07-09 | 1972-01-20 | Thomson Csf | Opto-elektrisches Schreibsystem zur Herstellung von Mikroschaltungen |
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
KR100210569B1 (ko) * | 1995-09-29 | 1999-07-15 | 미따라이 하지메 | 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 |
AU1975197A (en) | 1996-02-28 | 1997-10-01 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
JPH10199800A (ja) * | 1997-01-09 | 1998-07-31 | Nikon Corp | オプティカルインテグレータを備える照明光学装置 |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
US6229639B1 (en) | 1998-07-09 | 2001-05-08 | Cymer, Inc. | Multiplexer for laser lithography |
US6811953B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
JP2005502914A (ja) * | 2001-09-12 | 2005-01-27 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Slmを用いて改善された方法と装置 |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
TW556043B (en) * | 2001-11-30 | 2003-10-01 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus, device manufacturing method and device manufactured by said method |
JP2003215808A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-30 | Pentax Corp | 多重露光描画装置およびその照明機構 |
KR100545297B1 (ko) | 2002-06-12 | 2006-01-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4174307B2 (ja) * | 2002-12-02 | 2008-10-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482375B1 (en) | 2003-05-30 | 2014-09-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7190434B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-03-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7061586B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-06-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-03-02 US US10/790,257 patent/US7061586B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-16 EP EP05250894A patent/EP1571494A1/en not_active Withdrawn
- 2005-02-24 TW TW094105653A patent/TWI269944B/zh active
- 2005-03-01 SG SG200501175A patent/SG114763A1/en unknown
- 2005-03-01 JP JP2005055657A patent/JP4648036B2/ja active Active
- 2005-03-01 CN CN2005100530403A patent/CN1664704B/zh active Active
- 2005-03-02 KR KR1020050017138A patent/KR100660506B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-10-07 JP JP2009233770A patent/JP2010093262A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002506236A (ja) * | 1998-03-02 | 2002-02-26 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 変調装置の設計を改良したパターン・ジェネレータ |
JP2002506234A (ja) * | 1998-03-02 | 2002-02-26 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 改良型パターン・ジェネレータ |
JP2001237169A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Canon Inc | 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200532395A (en) | 2005-10-01 |
KR100660506B1 (ko) | 2006-12-22 |
JP2010093262A (ja) | 2010-04-22 |
EP1571494A1 (en) | 2005-09-07 |
SG114763A1 (en) | 2005-09-28 |
US7061586B2 (en) | 2006-06-13 |
JP2005252256A (ja) | 2005-09-15 |
KR20060043305A (ko) | 2006-05-15 |
TWI269944B (en) | 2007-01-01 |
CN1664704A (zh) | 2005-09-07 |
CN1664704B (zh) | 2012-03-21 |
US20050195380A1 (en) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4648036B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4310302B2 (ja) | 光学的に位置を評価する機器及び方法 | |
KR100747782B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
US7324186B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7576834B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20050200820A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
EP1672431B1 (en) | Lithographic apparatus and a device manufacturing method | |
US20050243295A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing | |
US7355677B2 (en) | System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus | |
KR100718740B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080827 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090622 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100818 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4648036 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |