TW200529698A - Organic light emitting display and manufacturing method thereof - Google Patents

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Joon-Hoo Choi
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Description

200529698 九、發明說明： L發明戶斤屬之技術領域3 (a>發明領域 本發明係有關於一種有機發光顯示器及其製造方 5 法。 H ^tr (b>相關技藝描述 有機發光顯示器（OLED)係一自體發射顯示裝置，其 係藉由將一發射有機材料激發至發光而顯示影像。該OLED 10 包括一陽極（電洞注入電極）、一陰極（電子注入電極），以 及一插置於其間之有機發光層。當電洞與電子被注入該 發光層内時，其等係重新組合並藉由發光而成對相消 (annihilated) 〇該發光層進一步包括用於增進發光之一 電子移動層（ETL)與一電洞移動層（HTL)以及一電子注入 15 層（EIL)與一電洞注入層（HIL)。該0LED之各像素係包 括二TFTs，即，一開關TFT與一驅動TFT。用於發光之 電流係藉由該驅動TFT而驅動，而由該驅動TFT所驅動之 電流的量係藉由來自該開關TFT之數據訊號而加以控制。 多數個該0LED之像素（各包括一陽極、一陰極以及 20 一發光層）係設置成一矩陣並以無源矩陣（或簡易矩陣）定 址或有源矩陣定址而驅動。 該無源矩陣型0LED係包括多數個陽極線、多數個 插置該陽極線之陰極線以及多數個像素，各包括一 200529698 發光層。陽極線中之一者與陰極線中之一者的選擇係使像 素之發光位在所選擇訊號線之交叉位置上。 該有源矩陣型〇LED係包括多數個像素，各包括一 開關電晶體、一驅動電晶體與一儲存電容器以及一陽極、 5 一陰極與一發光層。該〇led進一步包括多數個傳輸 閘極汛號之閘極線以及多數個傳輸數據電壓之數據線。該 開關電晶體係連接至該閘極線中之一者與該數據線中之一 者並因應該閘極訊號傳輸來自數據線之數據電壓。該 驅動電晶體接收來自該開關電晶體之數據電壓，並驅動一 10具有依據該數據電壓與諸如供應電壓之預定電壓之間的差 而決定大小的電流。該來自驅動電晶體之電流係進入該 發光層’以產生具有一依據該電流之強度的發光。該 儲存電容器係連接於該數據電壓與該供應電壓之間，以維 持其等之電壓差。該有源矩陣型〇LED之灰色定標（gray 15 SCaling )係藉由控制該數據電壓以調整由該驅動電晶體 所驅動之電流而完成。該0LED之色彩呈現係藉由設置紅、 綠與藍色發光層而獲得。 在此同時，依據該發光方向，該〇LED係區分成頂 發射型與底發射型。該頂發射型〇LED係包括一通常由銦 20錫氧化物（IT0)或銦鋅氧化物（IZO)所製成之透明陰極與 一不透明陽極，而該底發射型〇LED係包括一不透明陰極 與-透明陽極。若有需要，可以改變該陽極與陰極之相對 位置。 由於ITO與IZO具有高電阻率，該頂發射型〇LED可 200529698 =一具有低電_之_電極至該陰極。 電加係需要額外的光微影步驟，其可能 複雜化並同時增加製造花費。 衣k軼序 【發明内容】 發明概要 本I月之_動機在於解決習知技術的問題。 本發明係提供一種有機發光顯示器，其包含： 電極，其係形成在—基材上；一分隔件，其具有1該= 10 電極曝露至少_部分的開口 ；—辅助電極，其係、 分隔件上並具有與該分隔件實質上相同的平坦形狀j 有機么光構件’其係形成在該第—電極上並實質上設 J内，以及-第二電極，其係形成在該發光 ^ 輔助電極上。 /、该 4有機發光顯示||可進_步包括：―閘極線，其係 傳輸閘極訊號；一數據線，其係傳輸數據訊號；一 ’關電03體’其係連接至該閘極線與讀數據線；-訊號 傳輸線’其係傳輸驅動訊號，·以及—驅動電晶體，其係連 接至該訊號傳輸線與該第—電極並由該數據訊號加以控 制。 遠開關電晶體與該驅動電晶體可相互連接且該有機 發光顯示器進一步包括一連接於該開關電晶體與該訊號 傳輸線之間的儲存電容器。 該第一電極可包括反射性材料，而該第二電極可包 括透明材料。 200529698 該輔助電姉佳係具有-比該第：電極為低之電阻 率。 本發明係提供一種有機發光顯示器，其包含 # 5 10 15 與=半導體構件，其分別包括第—與第二本徵部並^括 不定形矽或多晶矽；多數個閘極導體，其包括一具有 疊本徵部之第-閘極電極與—重疊該第二 笫二閘極電極的閘極線；一閘極絕緣層，其係設置在飞第 及第二半導體構件與該閘極導體之間；多數個數據2 = 其包括—數據線’其具有-連接至該第—半導體構件之 第一源極電極、一相對於該第一本徵部而與該第—源極 電極對立並連接至該第—半導體構件的第―沒極電極= 包括一連接至該第二半導體構件之第二 ，原極電極的電壓 傳輸線，以及-相對於該第二本徵部而與該第二源極電極 對立並連接至該第二半導體構件的第2沒極電極；一 像素電極’其錢接线帛二&極冑極； 右^•蓝兮主 丨网件’其具 有將雜素電極曝露至少一部分的開口； =置二機發光構件，其係形成在該像 貝上。又置於該開Π内；以及—般電極 與該輔助電極上。 /、，、沁成在發光構件 錢素電極可包括反祕 括透明材料。 而戎一般電極可包 该輔助電極較佳係具有一 率。 般電極為低之電阻 20 200529698 該有機發光顯示器可進一步包括一連接該第一 >及極電極與該弟二閘極電極的連接構件。 本發明係提供一種製造有機發光顯示器的方法，其 包含：形成多數個第一顯示電極；形成一具有一將該第一 5 顯示電極曝露至少一部分之多數個開口的分隔件；將一 輔助電極形成在該分隔件上；將多數個有機發光構件形成 於該開口内；以及將一第二顯示電極形成於該發光構件與 該輔助電極上，其中該分隔件的形成與該輔助電極的形成 係藉由使用單一光微影（single lithography)而執行。 10 該分隔件的形成與該輔助電極的形成可包括：依序 沈積一絕緣層與一導電性層；將一第一光阻形成於該 導電性層上；使用該第一光阻作為一蝕刻罩模而依序蝕刻 該導電性層與該絕緣層，以形成一導體與該分隔件；灰化 該第一光阻，以形成一第二光阻；以及使用該第二光阻作 15 為一#刻罩模而餘刻該導體，以形成該輔助電極。 該第一顯示電極可包括反射性材料而該第二顯示 電極可包括透明材料。 本發明係提供一種製造有機發光顯示器的方法，其 包含：形成一包括不定形石夕或多晶石夕之第一與第二半導體 20 構件；形成一包括一第一閘極電極與一第二閘極電極之 閘極線；形成一於該第一及第二半導體構件與該閘極線及 第二閘極電極之間的閘極絕緣層；形成一包括一第一源極 電極、一電壓傳輸線以及第一與第二汲極電極的數據線； 將一鈍化層形成於該數據線、該電壓傳輸線以及該第一與 200529698 第二沒極電極上；將一像素電極 像辛雷炼& 沁成於該鈍化層上，該 象素私柽係連接至該第二汲極電極； 像素電極曝露$h 肜成一具有一將該 形成…Γ 分隔件；將一輔助電極 5二:件上;將一有機發光構件形成於該開口内; 以及將—㈣極侃於該發域件與_助電極上。 沈積—ttr的形成能輔助電極的形成可包括：依序 導電性芦上g與一導“生層’將—第-光阻形成於該 用該第—光阻作為—餘刻罩模而依序姓刻 10 i第二該絕緣層，以形成—導體與該分隔件；灰化 二蝕：且，以形成一第二光阻；以及使用該第二光阻作 ‘、、 划罩模而蝕刻該導體，以形成該輔助電極。 該像素電極可包括反射性材料，而該_般電極 括透明材料。 _助電極可具有一比該一般電極為低之電阻率。 本發明將藉由參照附圖而詳細描述其較佳 變得更清楚，其中·· 、 第1圖係根據本發明一實施例之〇LED的配置圖； 第2及3圖係分別沿第1圖之線u—工工，及 工工I-IIP所取之〇LED的截面圖； 第 13 15、17、19、21及23圖係根據本發 明一實施例之顯示於第i至3圖之〇LED於其製造方法之 中間步驟中的配置圖； 200529698 第4、6、8、1〇、12、14、16及18圖係根據本 發明一實施例之顯示於第1至3圖之〇LED於其製造方法 之中間步驟中的配置圖； 第5A及5B圖係分別沿第4圖之線νΑ_νΑ’及 5 VB-VB'所取之〇LED的截面圖； 第7A及7B圖係分別沿第6圖之線V工工A_VIIAA 及VIIB-VIIB’所取之〇LED的截面圖； 第9A及9B圖係分別沿第8圖之線IXA—IXA’及 工XB-IXB，所取之〇LED的截面圖； 10 第11A及11B圖係分別沿第1◦圖之線XIA — XIA’ 及XIB-XIB，所取之〇LED的截面圖； 第13A及13B圖係分別沿第12圖之線 X工工工A-XIIIA，及X工工工B-XIIIB，所取之0LED的截面 圖， 15 第15A及15B圖係分別沿第14圖之線XVA-XVA’ 及XVB-XVB,所取之OLED的截面圖； 第17A及1VB圖係分別沿第16圖之線 XVIIA-XV 工 IA，及 XVIIB-XVIIB，所取之 〇LED 的截面 圖， 20 第19A及19B圖係分別沿第18圖之線 X工XA-X：[XA，及X工XB-XIXB，所取之〇LED的截面圖； 第20A及2 0B圖係分別沿第18圖之線 XIXA-XIXA，及XIXB-XIXB，所取之〇LED的截面圖’並 200529698 例示說明形成顯示於第19A及19B圖中之結構的第一步 驟； 第 21A及21B圖係分別沿第 18圖之線 XIXA-XIXAA及XIXB-XIXBA所取之OLED的截面圖，並 5 例示說明接續在顯示於第20A及20B圖中之步驟後的步 驟； 第 22A及22B圖係分別沿第 18圖之線 XIXA-XIXAf及XIXB-XIXBf所取之OLED的截面圖，並 例示說明接續在顯示於第21A及21B圖中之步驟後的步 10 驟； 第23圖係根據本發明另一實施例之OLED的配置 圖， 第 24 及 25 圖係沿線 XXIV-XXIVr 及 XXV-XXV， 所取之OLED的截面圖； 15 第26、28、3〇、32、34及36圖係根據本發明一 實施例之顯示於第23至25圖之OLED於其製造方法之中 間步驟中的配置圖； 第 27A及27B圖係分別沿第 26圖之線 XXV工工A-W及XXVIIB-XXVIIBf所取之OLED的截面 20 圖； 第 2 9A及2 9B圖係分別沿第 28圖之線 XXIXA-XXIXAf 及 XXIXB-XXIXBf 所取之 OLED 的截面 圖， 12 200529698 第31A及31B圖係分別沿第30圖之線 XXXIA-XXXIA，及 XXXIB-XXXIB，所取之 0LED 的截面 圖， 第33A及33B圖係分別沿第32圖之線 5 XXXIIIA-XXX工工IA，及 XXXIIIB-XXXIIIB’ 所取之 OLED的截面圖； 第35A及35B圖係分別沿第34圖之線 XXXVA-XXXW 及 XXXVB-XXXVB，所取之〇LED 的截面 圖；以及 0 第37A及37B圖係分別沿第36圖之線 XXXV工工Ά-XXXV工工A,及XXXVIIB-XXXVIIB,所取之〇LED 的截面圖。
I：實施方式I 實施例之詳細描述 15 20 以下將苓照顯不本發明之較佳實施例之附圖而更詳 細完全地描述本發明。然而，本發明可以不同的型態加以 實施且本發明應不被解釋限縮於所揭示之實施例。 在圖式中，為了明確顯示，層、_面板、區 t厚度係被放大。相似的構件從頭至尾細相灸 軚號表示。必須瞭解的是，當一諸如房、广♦ 4考 之構件被提及於另-構件''上"時，區域或基材 上或可能亦存在中間構件（interve、n .接於該另—構件 相反地，當—構件被提及''直接"於另:=rnts)。 在有中間構件。 牛上日守，則不存 13 200529698 現在，將參照附圖而描述根據本發明實施例之 〇LEDs及其製造方法。 現在，將參照第1至3圖而詳細描述根據本發明一 實施例之OLED。 5 第1圖係根據本發明一實施例之OLED的配置圖， 第2及3圖係分別沿第1圖之線工工―11；，及I]；I —工工工，所 取之OLED的截面圖。 一較佳由氧化矽或氮化矽所製成之阻擋層11：L係形 成在一較佳由透明玻璃所製成之絕緣基材11〇上。該 10 阻擋薄膜111可具有一雙層結構。 較佳由多晶矽製成之多數個半導體島形物151a以 及l5lb係形成在該阻擋薄膜上。各該半導體島形物 151a以及151b係包括多數個含有N型或p型導電性雜質 之非本徵區域以及至少一幾乎不含有導電性雜質之 15 本徵區域。 對用於一開關TFT Qa之一半導體島形物lsia而 吕’該非本徵區域係包括一第一源極區域153己、一中間 區域1535以及一第一汲極區域1S5a，其等係摻雜有n型 雜質並相互分離開來，而該本徵區域係包括諸如設置在該 20非本徵區域153a、1535以及155a間之一對（第一）通道 區域 154al 與 154a2。 對用於一驅動TFT Qb之一半導體島形物lslb而 言，該非本徵區域係包括一第二源極區域153b以及一第 二汲極區域155b，其等係摻雜有p型雜質並相互分離開 14 200529698 來，而該本徵區域係包括一設置在该弟二源極區域15 3 b 與第二汲極區域155b間之通道區域l54b。該第二 源極區域l53b係延伸，以形成一儲存區域157。 該非本徵區域可進一步包括設置在該通道區域 5 154al - 154a2以及154b與該源極與汲極區域153a、 155a、153b以及155b間之低度摻雜區域（未示出）。該 低度摻雜區域可以實質上不含有雜質之偏置（offset) 區域加以取代。 另一可供選擇的是，依據驅動條件，該第一半導體 10 島形物l5la之該非本徵區域153a與155a係摻雜有P型 雜質，同時該第二半導體島形物151]〇之該非本徵區域 l53b與IHb係摻雜有n型雜質。該導電性雜質係包括諸 如爛（B)與鎵（Ga)之p型雜質以及諸如磷（P)與砷（As)之 N型雜質。 15 一較佳由氧化石夕或氮化石夕所製成之閘極絕緣層14〇 係形成在忒半導體島形物與isib以及該阻擔薄膜 111 上。 包括具有多數對第一閘極電極124a與多數個第二 閘極電極1Mb之多數個閘極線121的多數個閘極導體係 20形成在该閘極絕緣層14 〇上。 该用於傳輸閘極訊號之閘極線121係大體於一橫向 上延伸。各對該第—閘極電極12 4a係自該閘極線121向 上大出且其等係與該第一半導體島形物 151 a相交，使得 其寺係重®該對第_通道區域i54a。各閘極線i2i可包 15 200529698 括一具有-與另-層或-外部驅動電路相接觸之廣大區域 的擴充端部。該閘極線121可直接連接至_可整合於該基 材110上之用於產生該閘極訊號的閘極驅動電路。 〆弟閘極黾極12 4 b係與該閘極線12 1分離開來 5且與δ亥第一半導體島形物丄灿相交，使得其等係重疊該 第二通道區域l54b。該第二閘極電極124b係延伸，以形 成重亥第一半導體島形物lslb之儲存電極區域I”之 儲存電極127，進而形成儲存電容器Cst。 閘極導體m以及i24b較佳係由包括諸如ai與 A1合金（例如A1 —而）之含A1金屬、諸如岣與岣合金 之含Ag金屬、諸如Cu與Cu合金之含cu金屬之低電阻率 材料所製成。閘極導體以及124b可具有一包括二具 有不同物理性質之多層結構。該二薄膜中之一者較佳係由 包括含A1金屬、含Ag金屬以及含Cu金屬之低電阻率金屬 15所製成，以降低在該閘極導體121以及124b内之訊號延 遲或電壓降。另一薄膜較佳係由具有良好物性、化性以及 與其他諸如銦錫氧化物（ITO)與銦辞氧化物（IZ0)電氣接 觸之諸如Cr、M〇以及m〇合金、Ta或Ti之材料所製 成。該二薄膜之組合的良好實例為一下Cr薄膜與一上 2〇 A1 Nd合金溥膜，以及一下A1薄膜與一上薄膜。 再者，該閘極導體以及：L24b之側邊（lateral sides)係相對於該基材^◦之一表面傾斜，而其傾斜角 度範圍係約30-80度。 16 200529698 一層間絕緣層160係形成在該閘極導體121以及 12 4b上。該層間絕緣層160係由諸如以電漿增強化學蒸 汽沈積（PECVD)所形成之a - Si:C:〇與a -Si:〇：F之具有 良好平坦特性、低介電絕緣材料的光敏性有機材料，或者 5 是諸如氮化矽與氧化矽之無機材料所製成。 該層間絕緣層16◦係具有將該第二閘極電極124b 曝露出來之多數個接觸孔164。再者，該層間絕緣層160 與該閘極絕緣層140係具有分別將源極區域153a與153b 以及汲極區域155a與155b曝露出來之多數個接觸孔 10 163a、163b、165a 以及 165b。 包括多數個數據線171、多數個電壓傳輸線172以 及多數個第一與第二汲極電極175a與175b之多數個 數據導體係形成在該層間絕緣薄膜160上。 用於傳輸數據電壓之數據線171係大體於縱向上延 15 伸並與該閘極線121相交。各數據線171包括經由該等接 觸孔163a而連接至該第一源極區域153a之多數個第一 源極電極173a。各數據線171可包括一具有一用以與另 一層或外部驅動電路相接觸之較大區域的擴充端部。該 數據線171可直接連接至一用於產生閘極訊號之數據驅動 20 電路，其可整合於該基材11◦上。 用於傳輸用於驅動TFT Qb之驅動電壓的電壓 傳輸線172係大體於該縱向上延伸並與該閘極線121相 交。各電壓傳輸線172係包括多數個經由該接觸孔163b 17 200529698 而連接至該第二源極區域l53b的第二源極電極i73b。該 電壓傳輸線172可相互連接。 該第一汲極電極IMa係與該數據線171以及該 電壓傳輸線I72分離開來並經由該接觸孔165而連接至該 5第一汲極區域155a，同時經由該接觸孔164而連接至該 第二閘極電極12 4 b。 該第二汲極電極175b係與該數據線17ι以及該 電壓傳輸線172分離開來並經由該接觸孔ι65]〇而連接至 吞亥苐一汲極區域15 5 b。 10 該數據導體171、172、17 5a以及175b較佳係由 包括Cr、Mo、Ti、Ta或其合金之耐火金屬所製成。其等 可具有一較佳包括一低電阻率薄膜與一良好接觸薄膜之多 層結構。該多層結構之一良好實例包括一 M〇下薄膜、一 A1中間薄膜，及一 Mo上薄膜以及上述一 Cr下薄膜與一 15 Al-Nd上薄膜以及一 A1下薄膜與一价上薄膜的組合。 類似於該閘極導體121以及iMb，該數據導體 171、172、l75a以及l75b係具有相對於該基材110之 一表面的傾斜側邊，且其傾斜角度範圍係約3〇_8◦度。 一鈍化層iso係形成在該數據導體i71、172、175a 20以及l75k)上。該鈍化層180較佳亦係由諸如以電漿增強 化學蒸汽沈積（PECVD)所形成之3^:(：:0與a —si:〇：F 之具有良好平坦特性、低介電絕緣材料的光敏性有機材 料，或者是諸如氮化矽與氧化矽之無機材料所製成。 18 200529698 5 10 15 20 該鈍化層ISO係具有多數個將該第二汲極電極 17讣曝露出來之接觸孔185。該鈍化層18〇可進一步具 有多數個將該數據線17i之端部曝露出來的接觸孔（未示 出）且該鈍化層180與該層間絕緣層16〇可具有多數個將 該閘極線121之端部曝露出來的接觸孔（未示出）。 夕數個像素電極190係形成在該鈍化層180上。該 像素電極係經由該接觸孔185而連接至該第二 沒極電極175b且其等較佳係由諸如A1或Ag合金之至少 』反射性不透明材料所製成。然而，該像素電極可由 諸如ITQ或Ιζ。之透明導體以及諸如 以及Mg之不透明反射性導體所製成。該像素電極 與該第^及極電極175b合併，以降低製造花費。 多數個接觸助劑或連接構件 該鈍化層180上，使得复耸在⑭ H成在 數攄魂⑺ 心其㈣連接至該閘極線121 數據線171之曝露的端部。 及 μ 刀離開來之分隔件32係形& 在麯切咖與該料電極 w成 同-集群如叫環繞該像素電極19。，=心2係如 發光材料充填之開口。該八 ，疋欲以有機 絕緣材料所製成。牛32較佳係由有機或無機 細彡成在該像料極 认置在由料隔件32所 ，上龙 佳係由發射諸如紅色# 紐光構件3〇較 、'表色以及藍色光之主要顏色光的 19 200529698 有機材料所製成。該紅色、綠色以及藍色發光構件3〇係週 期性地排列。 一較佳諸如金屬之低電阻率材料所製成之輔助電極 2 7 2係形成在该分隔件3 2上。該輔助電極$ 7 2係具有與 5該分隔件32實質上相同的平坦形狀。 供應有一諸如一般電壓之預定電壓的一般電極 27◦係形成在該發光構件3〇、該輔助電極272以及該 鬲件3 2上°亥般電極2 7 0較佳係由諸如工τ〇或工z〇 之透明導電性材料以及諸如A1、Ag、Ca、如以及呵之 ⑺不透明金屬所製成。該一般電極27◦係與該輔助電極Μ 相接觸，使得該輔助電極272係補償該一般電極27◦之導 電丨生並防止傳輸至該一般電極2 7 ◦之訊號的失真 (distortion)。 在上述0LED中，一第一半導體島形物Η。、一連 15接至該閘極線121之第一閘極電極124a、一連接至該 數據線m之第一源極電極153a以及一第_汲極電極 係形成-開關TFT Qa。再者’—第二半導體島形物 151b、-連接至該第—汲極電極i55a之第二閘極電極 U4b、-連接至該電跑專輸線172之第二源極電極⑸匕 以及連接至該像素電極19Q之第二汲極電極is%係形 成一驅動TFTQb。再者，-像素電極190與一般電極^ 係分別作為—陽極與一陰極，而一連接至該第—沒極區域 155a之儲存區域157以及一經由該第二源極電極u北 而連接至-電麼傳輸線172之儲存電# 127係形成一 20 200529698 儲存電容器Cst。由於閘極電極124a與124b係設置在該 半導體15 la與15 lb上，因此，顯示於第1至3圖中之 TFTs Qa與Qb係稱為λΛ頂閘極TFTs"。 該開關TFT Qa係回應來自該閘極線121之 5 閘極訊號，而將來自該數據線171之數據訊號傳輸至該 驅動TFT Qb。在接收該數據訊號時，該驅動TFT Qb係 產生一具有依據該第二閘極電極 124b與該第二 源極電極173b間之電壓差而決定大小的電流。再者，該 電壓差係儲存於該儲存電容器Cst内，以於該開關TFT Qa 10 關閉後維持。由該驅動TFT Qb所驅動之電流係經由該 像素電極190而進入該發光構件30並到達該一般電極 27 ◦。流入該發光構件30内之電流係意指諸如電洞之正電 荷載子以及諸如電子之負電荷載子係分別由該陽極19◦與 陰極27 0而注入該發光構件3◦内，且其等係由該陽極19〇 15 與陰極27 0之電壓差所產生之電場而漂流（drifted)。在 該發光構件30内之電洞與電子係接著彼此相遇，以再結合 成發射一預定波長之光線的激子（excitons)。所發射光 之強度係依據由該驅動TFT Qb所驅動且流入該 發光構件30内之電流而決定。 20 在穿過該一般電極27 ◦或該像素電極19◦後，所發 射光係穿出該顯示面板。一透明一般電極270與一不透明 像素電極190係可應用至一將影像顯示於其頂表面之頂發 射型0LED。相反地，一透明像素電極190與一不透明一 21 200529698 般電極27 0係可應用至一將影像顯示於其底表面之底發射 型 OLED ° 現在，將參照第11至24B圖以及第1至3圖描述 製造顯示於第1至3圖中之OLED的方法。 5 第4、6、8、1〇、12、14、16及18圖係根據本 發明一實施例之顯示於第1至3圖之OLED於其製造方法 之中間步驟中的配置圖，第5A及5B圖係分別沿第4圖之 線VA-VA'及VB-VB'所取之〇LED的截面圖，第7A及7B 圖係分別沿第6圖之線VIIA-VIIA^及VIIB-VIIBf所取 10 之OLED的截面圖，第9A及9B圖係分別沿第8圖之線 IXA-工XAf及工XB-IXBf所取之〇LED的截面圖，第11A 及11B圖係分別沿第1〇圖之線XIA-XIAf及XIB-XIBf 所取之OLED的截面圖，第13A及13B圖係分別沿第12 圖之線X工工工A-X工工工及X工工工B-X工工工所取之〇LED 15 的截面圖，第15A及15B圖係分別沿第I4圖之線 XVA-XVAf及XVB-XVB'所取之〇LED的截面圖，第17A 及17B圖係分別沿第16圖之線XVIIA-XV工工A'及 XVIIB-XVIIB，所取之〇LED的截面圖’第19A及1兜圖 係分別沿第18圖之線X工XA-XIXY及XIXB-XIXB'所取 20 之〇LED的截面圖，第2〇A及2〇B圖係分別沿第18圖之 線XIXA-XIXA，及X工XB-XIXB’所取之OLED的截面圖， 並例示說明形成顯示於第19义及19B圖中之結構的第一步 驟，第21A及21B圖係分別沿第18圖之線XIXA — XIXA' 及XIXB-XIXB，所取之QLED的截面圖’並例不說明接續 22 200529698 圖中之步驟後的步驟，第22A及 18 圖之線 XIXA-XIXAA及 在顯示於第20A及2〇b 22B 圖係分別沿第 XIXB-XIXB，所取之 〇Le ^ 的戴面圖，並例示說明接續在 顯示於第21A及21B圖ψ十& 5 口甲之步驟後的步驟。 阻擔層111係开彡士、 π —在—絕緣基材11◦上，而一由 不疋矽所製成之半導體芦知技 、、今、、六籍、 居車乂佳係藉由LPCVD (低溫化學蒸
Aw兄積）、PECVD (電装择 ， 於該阻擋層111上。日化學蒸汽沈積）或濺鍍而沈積 10 隨後，該半導體 形成多數對如第4至 島形物151a與151b。 層係結晶成多晶矽並經光蝕刻，以 5B圖所示之第一與第二半導體 參照第6至7B圖 — 15 20 金屬層係依序沈積在知°/ 1極絕緣層14G與一閘極 而係形成於其上。該層=上，而—第一光阻 PR1作為罩模^ 屬層係錯由使用該第一光阻 127以及多數個間極金屬：刻’以形成包括儲存電極 124b。？型雜質係被導入4件i20a之多數個閘極電極 該閘極電極12 入°亥第二半導體島形物lsib未被 :二: 12 ◦ a以及該 以形成多數個P型非本徵 係被該第一氺阳n 〜W ’該第一半導體島形物l5la ^ 尤阻PR1所覆芸 呱’而該閘極金屬構件l2〇a係 第一光1¾ 〜此14 5亥閑極金屬構件 被保護不受雜質植入 後形成 參照第8至9B圖第一光阻PR2。 ’該第一光阻pR1係被去除，而 4間極金屬構件l2〇a係藉由使 23 200529698 用。亥第-光阻PR2作為_似彳罩模而加以磁彳，以形成包 括問極屯極124a之多數個閘極線121(3n型雜質係被注入 a亥第一半導體島形物1Sla未被該閘極線i2i與該 問極電極124b以及該第二光阻pR2所覆蓋的部分，以形 5成多數個N型非本徵區域15“與1S5a。在此時，該第二 半V體島形物l5lb係被該第二光阻pRZ所覆蓋，以被保 護不受雜質植入。 麥照第10至11B圖，一層間絕緣薄膜16〇係被沈 積，且遽層間絕緣薄膜160與該閘極絕緣層uo係經光蚀 10刻’以形成分別將該非本徵區域153a、155a、153b以及 15 5b曝露出來之多數個接觸孔ι63^、ι63]〇、ι653以及 16 5b，以及將該閘極電極曝露出來之多數個 接觸孔164。 參照弟12至13 B圖，包括具有第一源極電極丄7 3 & 15之多數個數據線171、多數個電壓傳輸線I72、多數個第一 與第二汲極電極l75a與17 5b之多數個數據導體係形成在 該層間絕緣層160上。 參照第I4至ΙδΒ圖，一鈍化層i8〇係被沈積並經 光14刻，以形成將該第二及極電極I7 5b曝露出來之 20 多數個接觸孔185。 參照第16至17B圖，多數個像素電極IQ◦係形成 在該鈍化層180上。當該像素電極19〇係由反射性不透明 材料製成時，其等可由數據金屬層沿著該數據線17丄而形 成0 24 200529698 參照第18至19B圖，一絕緣層與一導電性層係依 序被沈積並使用單一光微影而形成圖案，以分別形成一 分隔件32與一輔助電極272，使得該分隔件32與該 輔助電極272係具有將參照第2 0A至22B圖而詳細描述 5 之實質上相同的平坦形狀。 參照第2 〇A與2 0B圖，一絕緣層與一導電性層係依 序被沈積，而一第三光阻PR3係形成在該導電性層上。該 導電性層係藉由使用該第三光阻PR3作為一蝕刻罩模而加 以蝕刻，以形成一預電極2 72,，且該絕緣層係經蝕刻，以 10 形成一分隔件32。該導電性層與該絕緣層之蝕刻係產生底 切（undercut)，使得該預電極2 72 a之邊緣係位在該第三 光阻PR3下方，而該分隔件32之邊緣係位在該預電極 272A下方° 參照第21A與21B圖，該第三光阻PR3係經灰化， 15 以形成一具有邊緣設置在該預電極272'上之第四光阻 PR4，使得該預電極272'之邊緣部分係被曝露出來。 參照第22A與22B圖，該預電極272 a係藉由使用 該第四光阻PR4作為一蝕刻罩模而加以蝕刻，以形成一 輔助電極2 7 2。該钱刻亦產生底切，使得該輔助電極2 7 2 20 之邊緣係位在該第四光阻PR4下方以及該分隔件32上。 最後，該第四光阻PR4係被去除，如第19A與19B 圖所示。 25 200529698 '單—光微影步驟之該分隔件32與該輔助電極 $成係簡化製造程序且因此降低製造花費。再者， 此程序係有利於製造-大OLED。 表日楚 〜卑1至3圖，較佳包括多層之多數個有機 5 發光構件3〇 & + 係在掩蔽（masking)後，藉由沈積或噴墨印 刷而化成在該開口内，並隨後形成一般電極270。 在开^成該一般電極2 7 〇前，可形成一較佳由 導電性麵村料所製成之緩衝層 (未不出）。 在'將參照第2 3至2 5圖而詳細描述根據本發明 10 貝方也例之具有底閘極TFTs的OLED。 第 〇 〇 d圖係根據本發明另一實施例之OLED的配置 圖’而第2 4 β。 A 25圖係沿線XX工ν-χΧιν<及XXV-XXV，所 取之OLED的戴面圖。 包括具有第一閘極電極124a與多數個第二 15問極電極12 4b之多數個閘極線121的多數個閘極導體係 形成在一諸如透明玻璃之絕緣基材 11◦上。 傳輸閘極訊號之閘極線121係大體於一橫向上延伸 且相互分離開來。該第一閘極電極124a係向上突出。該 問極線121可延伸，以連接至一整合於該基材11〇上之驅 20動電路（未不出），或其可具有一具有一與另一層或一安裝 在e亥基材11〇上之外部驅動電路或一可附接至該基材11〇 之諸如一挽性印刷電路薄膜（未示出）的另一元件相接觸之 廣大區域的端部（未示出）。 26 200529698 各該第二閘極電極124b係與該閘極線121分離開 來並包括於二相鄰閘極線121間且大體於一橫向上延伸之 一儲存電極127。 閘極導體121以及12 4b較佳係由包括諸如A1與 5 A1合金之含A1金屬、諸如Ag與Ag合金之含Ag金屬、 諸如Cu與Cu合金之含Cu金屬、諸如Mo與Mo合金之含 M〇金屬、Cr、Ti或Ta所製成。閘極導體121以及124b 可具有一包括二具有不同物理性質之多層結構。該二薄膜 中之一者較佳係由包括含A1金屬、含Ag金屬或含Cu金 10 屬之低電阻率金屬所製成，以降低在該閘極導體121以及 124b内之訊號延遲或電壓降。另一方面，另一薄膜較佳係 由具有良好物性、化性以及與其他諸如銦錫氧化物（工T〇） 與銦鋅氧化物（IZ0)電氣接觸性之諸如Cr、Mo、Mo合金、 Ta或Ti之材料所製成。該二薄膜之組合的良好實例為一 15 下Cr薄膜與一上Al-Nd合金薄膜，以及一下A1薄膜與 一上Mo薄膜。 再者，該閘極導體121以及124b之側邊（lateral sides)係相對於該基材110之一表面傾斜，而其傾斜角 度範圍係約3〇-8◦度。 20 一較佳由氮化矽（SiNx)所製成之閘極絕緣層14〇 係形成在該閘極導體121與124b上。 多數個較佳由氫化不定形矽（簡稱為'、a-Si〃）或多 晶矽所製成之半導體帶與島形物151與154b係形成在該 閘極絕緣層140上。各半導體帶151係大體於縱向延伸且 27 200529698 具有多數個朝向該第—閘極電極124a向外分枝之突出部 l54a。各半導體島形物l54b係與一第二閘極電極124b 相交並包括一重疊該第二閘極電極丄以匕之該儲存電極 12 7白勺部分。 夕數個較t由石夕化物或大量摻雜諸如碟之^型雜質 之氫化a-Si所製成之歐姆接觸帶1δ1與歐姆 接觸島形物163b、165a以及165b係形成在該半導體帶 與島形物151與1Mb上。各歐姆接觸帶1S1係具有多數 個突出部l63a，而該突出部163a與該歐姆接觸島形物 1〇 165a係成對地位在該半導體帶151之突出部iwa上。該 歐姆接觸島形物l63b與係成對地位在該半導體 島形物154b上。 半導體帶與島形物151與lWb以及歐姆接觸 161、163b以及165b之側邊係相對於該基材之一表面傾 15斜’而其等之傾斜角度較佳係於約30度至約80度之範圍 内。 包括多數個數據線171、多數個電壓傳輸線172以 及多數個第一與第二汲極電極l75a與ihb之多數個 數據導體係形成在該歐姆接觸、l63t)以及i65^以及 20 該閘極絕緣層140上。 用於傳輸數據電壓之數據線171係大體於縱向上延 伸並與該閘極線121相交。各數據線171包括多數個第一 源極電極173a以及一具有一用以與另一層或外部元件相 接觸之廣大區域的擴充端部。該數據線1V1可直接連接至 28 200529698 一用於產生閘極訊號之數據驅動電路，其可整合於該 基材11Q上。 用於傳輸驅動電壓之電壓傳輸線1?2係大體於該縱 向上延伸並與該閘極線m相交。各電壓傳輸線Μ係包 5括多數個第二源極電極173b。該電壓傳輸線172可相互 連接。 "亥第一與第二汲極電極175a與17513係與該 數據線171以及該電壓傳輸線1?2分離開來，同時相互分 離。各對該第一源極電極丄乃㊀與該第一汲極電極i7h 1〇係相對於一第一閘極電極124a而對立設置，而各對該第二 源極電極17 3 b與该苐二沒極電極17 5匕係相對於一第二 閘極電極12 4 b而對立設置。 一第一閘極電極IMa、一第一源極電極1?3a以及 一沿著一半導體帶1S1之一突出部1Ma的第一汲極電極 15 175^係形成一開關TFT Qa，其具有一形成在設置於該 第一源極電極l73a與第一汲極電極丄758間之突出部 154a内的通道。同時，一第二閘極電極i24b、一第二 源極電極l73b以及一沿著一半導體島形物15化之一第二 汲極電極175b係形成一驅動TFT Qb，其具有一形成在 20設置於該第二源極電極l73b與第二汲極電極i75]D間之 半導體島形物154b内的通道。 該數據導體171、I72、l75a以及ITSb較佳係由 包括Cr、Mo、Ti、Ta之耐火金屬或其合金所製成。其等 可具有一較佳包括一低電阻率薄膜與一良好接觸薄膜之多 29 200529698 層結構。该多層結構之一良好實例包括一 Μ 〇下薄膜、一 Ά1中間薄膜，及一 Μ〇上薄膜以及上述一 cr下薄膜與一 Al-Nd上薄膜以及一 A1 了薄膜與一 M〇上薄膜的組合。 類似於該閘極導體 121以及 12扑，該 5數據導體171、I72、l75a以及l75b係具有相對於該 基材110之一表面的傾斜側邊，且其傾斜角度範圍係約 3〇- 8〇度。 該歐姆接觸161、163b以及165b係僅插置於該底 下半導體帶以及島形物151與l54b之間以及其上之上覆 10 (overlying)數據導體 i71、I”、175a 以及 175b 之 間並降低其間之接觸阻抗。該半導體帶Ιδί係包括多數個 曝露的部分’其等並未被該等數據導體171、172、i75a 以及l75b所覆蓋。 一鈍化層ISO係形成在該數據導體i71、172、175a 15以及175b以及該半導體帶與島形物151與l54b之經曝 露部分上。該鈍化層180較佳係由諸如氮化矽或氧化矽之 無機材料、諸如以電漿增強化學蒸汽沈積（PECVD)所形成 之a-Si:C:〇與a-Si:〇：F之具有良好平坦特性，或具有 低於4 · 0之介電常數之低介電絕緣材料的光敏性有機材料 20所製成。該鈍化層180可包括一無機絕緣體之下薄膜以及 一有機絕緣體之上薄膜。 該鈍化層180係具有分別將該第二閘極電極124]〇 以及该第一與第二汲極電極口化與丄7%之一部分曝露出 來的多數個接觸孔184、185a以及i85b。 30 200529698 讀辣錢極19Q以及錄健接構件85係形 〆純化層180上。該像素電極係經由該接觸孔 185b而連接至該第二汲極電極η%且其等較佳係由諸如 Μ或Ag合金之至少_反射性不透明材料所製成。然而， 。玄像素包極190可由諸如ITQ $工2◦之透明導體以及諸 如Al、Ag、Ca、Ba以及Mg之不透明反射性導體所製成。 該像素電極I9◦可與該第二汲極電極Ihb合併，以降低 製造花費。 多數個接觸助劑或連接構件（未示出）可亦形成在 10該純化層180上，使得其等係連接至該閘極線121或 數據線171之曝露的端部。 類似於第1至3圖中所示者，一分隔件32、一 輔助電極2M、多數個發光構件30以及一般電極27◦係 形成在該鈍化層180、該像素電極190以及該連接構件85 15 上。 現在，將參照第26至37B圖以及第23至25圖詳 細描述製造根據本發明一實施例之顯示於第23至25圖中 之TFT陣列面板的方法。
第26、28、3〇、32、34及36圖係根據本發明一 2〇 實施例之顯示於第23至25圖之OLED於其製造方法之中 間步驟中的配置圖，第27A及27B圖係分別沿第26圖之 線XXVIIA-VA，及XXVIIB-XXVIIB，所取之〇LED的截面 圖，第29A及2 9B圖係分別沿第28圖之線XXIXA—XXIXAf 及XXIXB-XXIXB，所取之OLED的截面圖’第31A&31B 31 200529698 圖係分別沿第 3〇 圖之線 XXXIA-XXXIA'及 XXXIB-XXXIB'所取之OLED的截面圖，第33A及33B圖 係分別沿第32圖之線乂乂乂1工1义-乂乂乂工工工；\'及 XXXIIIB-XXX工工工B’所取之〇LED的截面圖，第35A及 5 35B圖係分別沿第34圖之線χχχνΑ-XXXVA，及 XXXVB-XXXVB^所取之 OLED 的截面圖，以及 第37A及3 7B圖係分別沿第36圖之線XXXVIIA-XXXVI 工A，及XXXVIIB-XXXVIIB，所取之〇LED的截面圖。 參照第26至27B圖，包括具有第一閘極電極124a 1〇與具有儲存電極127之多數個第二閘極電極124b之 多數個閘極線121的多數個閘極導體係形成在一諸如透明 破璃之基材上。 ^ "υτ貝 1甲J 犮巴多豕旧 15 20 =0、-本徵a-Si層以及_非本徵a_si層後，該非本徵 Μ!層以及該本徵a_si層係經光侧，以於該閘極絕緣 層㈣上形成多數個非本徵半導體帶與島形物⑹己與 1Mb以及包括突出部 島 之夕數個本徵半導體帶與 該閘極絕緣層“。較佳係由具有約 a王约5,〇〇〇一 積溫度較佳係_ 25Q。^的氮切所製成，而該沈 灸…“ 『c的範圍内。 >恥第3〇至31B圖，_ 一光阻（未+ ψ u 一泠電性層係被濺鍍並使用 工,（禾不出）加以蝕刻， 173a turnup ^ v成匕括具有第一源極電極 <夕數個數據線1?1、 ，、有弟一源極電極17 3b之 32 200529698 多數個電壓傳輸線1?2以及多數個第一與第二汲極電極 l75a與l75b的多數個數據導體。 在去除該光阻之前或之後，未被該數據線171、 I72、l?5a以及l75b所覆蓋之該非本徵半導體帶164之 5部分係藉由蝕刻加以去除，以完成包括突出部iua之多 數個歐姆接觸帶161與多數個歐姆接觸島形物163b、 IMa以及16北，同時並將該本徵半導體帶與島形物151 與l54b之一部分曝露出來。 其後可進行氧電漿處理，以穩定該半導體帶151之 10 經曝露表面。 參照第32至33B圖，一鈍化層iso係被沈積並形 成圖案’以形成將該第一閘極電極12 4 b以及該第一與第二 汲極電極l75a與175b曝露出來之多數個接觸孔ι84、 185a 以及 185b ° 15 參照第34至3δΒ圖，多數個像素電極19◦與多數個 連接構件85係形成在該鈍化層180上。 參照第36至37Β圖，一分隔件32與一輔助電極 272係藉由使用如第2似至mb圖所示之單一光微影步驟 而形成。 20 最後，較佳包括多層之多數個有機發光構件30係 在掩蔽（masking)後，藉由沈積或喷墨印刷而形成在該 開口内，並隨後形成一如第2 3至2 5圖所示之一般電極 2 7〇。 33 200529698 “ 士上所述，以單一光微影步驟之該分隔件32與該 輔助包極272之形成係簡化製造程序且因此降低製造花 費。再者，此程序係有利於製造一大〇led。 仏苢本毛明之較佳實施例已詳細描述如上，必須清 5楚瞭解到的是，對熟習該項技術者而言，其中所教币之基 礎發明概念的許多變化及/或改良將仍落於本發明之精神 與範圍内，如所附申請專利範圍所定義者。 【圖式簡單說明】 第1圖係根據本發明一實施例之〇LED的配置圖； 10 第2及3圖係分別沿第1圖之線11-11，及 工工I-IIP所取之OLED的截面圖； 第11、13、15、17、19、21及23圖係根據本發 明一實施例之顯示於第1至3圖之OLED於其製造方法之 中間步驟中的配置圖； 15 第4、6、8、10、12、14、16及18圖係根據本 發明一實施例之顯示於第1至3圖之0LED於其製造方法 之中間步驟中的配置圖； 第5A及5B圖係分別沿第4圖之線VA-VA/及 VB-VB，所取t〇LED的截面圖’ 2〇 第7A及7B圖係分別沿第6圖之線VIIA-VIIA， 及viib-viib，所取之〇LED的截面圖； 第9A及9B圖係分別沿第8圖之線IXA-IXY及 IXB-IXB'所取之〇LED的截面圖； 34 200529698 第11ΑΚ 11B圖係分別沿第10圖之線ΧΙΑ-χΐγ 及ΧΙΒ-ΧΙΒΑ戶斤取之〇LED的截面圖， 第13A及1犯圖係分別沿第12圖之線 XIIIA-XIIIA，及X工工工B-XIIIB，所取之OLED的截面 5 圖； 第15A及15B圖係分別沿第14圖之線XVA-XVA' 及XVB-XVB，所取之OLED的截面圖； 第17A及1VB圖係分別沿第16圖之線 XVIIA-ΧνΐΙΑΛ 及 XVIIB-XVIIBA 所取之 OLED 的截面 10 圖； · 第 1从及19B圖係分別沿第18圖之線 ΧΙΧΑ-ΧΙΧΥ及XIXB-XIXBf所取之〇LED的截面圖； 第2〇A及20B圖係分別沿第18圖之線 XIXA-XIXAf及XIXB-XIXBf所取之OLED的截面圖，並 15 例示說明形成顯示於第19A及19B圖中之結構的第一步 驟； 第21A及21B圖係分別沿第18圖之線 ΧΙΧΑ-ΧΙΧΥ及XIXB-XIXBf所取之〇LED的截面圖，並 例示說明接續在顯示於第2 0A及20B圖中之步驟後的步 20 驟； 第 22A及22B圖係分別沿第 18圖之線 XIXA-XIXAA及XIXB-XIXB7所取之0LED的截面圖，並 例示說明接續在顯示於第21A及21B圖中之步驟後的步 驟； 35 200529698 第23圖係根據本發明另一實施例之OLED的配置 圖， 第 24 及 25 圖係沿線 XXIV-XXIV'及 XXV-XXV' 所取之OLED的截面圖； 5 第26、28、3〇、32、34及36圖係根據本發明一 實施例之顯示於第23至25圖之OLED於其製造方法之中 間步驟中的配置圖； 第 2 7A及2 7B圖係分別沿第 26圖之線 XXVIIA-及XXV工工B-XXV工工所取之OLED的截面 10 圖； 第 2 9A及 2 9B 圖係分別沿第 28 圖之線 XXIXA-XXIXAf 及 XXIXB-XXIXBf 所取之 OLED 的截面 圖； 第 31A及31B圖係分別沿第 30圖之線 15 XXXIA-XXX工及 XXXIB-XXXIBf 所取之 OLED 的截面 圖； 第 33A及33B圖係分別沿第 32 圖之線 XXX工工工A-XXX工IIM 及 XXXIIIB-XXXIIIBA 所取之 OLED的截面圖； 20 第 35A及35B圖係分別沿第 34圖之線 XXXVA-XXXVAf 及 XXXVB-XXXVBf 所取之 OLED 的截面 圖；以及
第37A及37B圖係分別沿第36圖之線 XXXVIIA-XXXVIIAf 及XXXVIIB-XXXVIIBf 所取之〇LED 36 200529698 的截面圖。 【主要元件符號說明】 30 發光構件 32 分隔件 85 連接構件 110 絕緣基材 111 阻擋薄膜（層） 120a 閘極金屬構件 121 閘極線/閘極導體 124a 第一閘極電極 124b 第二閘極電極/閘極 導體 127 儲存電極 140 閘極絕緣層 151 半導體帶 151a 半導體(島形物） 151b 半導體(島形物） 153a (第一)源極電極/非 本徵區域/第一源 極區域 153b (第二)源極區域/非 本徵區域/第二源極 電極 154a 第一通道區域/突出 部 154b 半導體島形物 154al 通道區域 154a2 通道區域 154b 第二通道區域/半導 體島形物 155a (第一)汲極電極/非 本徵區域/第一汲極 區域 155b (第二)汲極區域/非 本徵區域/第二汲極 電極 157 儲存(電極)區域 160 層間絕緣薄膜(層） 161 歐姆接觸(帶） 163a 歐姆接觸島形物/接 觸孔/突出部 163b 接觸孔/歐姆接觸 (島形物） 164 接觸孔/半導體帶 37 200529698 165 接觸孔 1535 中間區域/非本徵區 165a 歐姆接觸島形物/接 域 觸孔 Cst 儲存電容器 165b 接觸孔/歐姆接觸 PR1 第一光阻 (島形物） PR2 第二光阻 171 數據線/數據導體 PR3 第三光阻 172 電壓傳輸線/數據導 PR4 第四光阻 體 Qa 開關TFT 173a 第一源極電極 Qb 驅動TFT 173b 第二源極電極 175a 第一汲極電極/數據 導體 175b 第二汲極電極/數據 導體 180 鈍化層 184 接觸孔 185 接觸孔 185a 接觸孔 185b 接觸孔 190 像素電極/陽極 270 一般電極/陰極 272 輔助電極 2ΊΤ 預電極 38

Claims (1)

  1. 200529698 十、申請專利範圍： 1. 一種有機發光顯示器，其包含： 一第一電極，其係形成在一基材上； 一分隔件，其具有一將該第一電極曝露至少一部分 5 的開口； 一輔助電極，其係形成在該分隔件上並具有與該 分隔件實質上相同的平坦形狀； 一有機發光構件，其係形成在該第一電極上並實質 上設置於該開口内；以及 10 一第二電極，其係形成在該發光構件與該輔助電極 上。 2·如申請專利範圍第1項之有機發光顯示器，其進一步包 括： 一閘極線，其係傳輸閘極訊號； 15 一數據線，其係傳輸數據訊號； 一開關電晶體，其係連接至該閘極線與該數據線； 一訊號傳輸線，其係傳輸驅動訊號；以及 一驅動電晶體，其係連接至該訊號傳輸線與該 第一電極並由該數據訊號加以控制。 20 3.如申請專利範圍第1項之有機發光顯示器，其中該 第一電極係包括反射性材料。 4.如申請專利範圍第1項之有機發光顯示器，其中該 第二電極係包括透明材料。 39 200529698 5. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示器，其中該 輔助電極係具有一比該第二電極為低之電阻率。 6. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示器，其中該 開關電晶體與該驅動電晶體係相互連接且該有機 5 發光顯示器係進一步包括一連接於該開關電晶體與該 訊號傳輸線之間的儲存電容器。 7· —種有機發光顯示器，其包含： 第一與第二半導體構件，其分別包括第一與 第二本徵部並包括不定形矽或多晶矽； 10 多數個閘極導體，其包括一具有一重疊該第一本徵 部之第一閘極電極與一重疊該第二本徵部之第二閘極 電極的問極線， 一閘極絕緣層，其係設置在該第一及第二半導體 構件與該閘極導體之間； 15 多數個數據導體，其包括一數據線，其具有一連接 至該第一半導體構件之第一源極電極、一相對於該 第一本徵部而與該第一源極電極對立並連接至該 第一半導體構件的第一汲極電極、一包括一連接至該 第二半導體構件之第二源極電極的電壓傳輸線，以及一 20 相對於該第二本徵部而與該第二源極電極對立並連接 至該第二半導體構件的第二汲極電極； 一像素電極，其係連接至該第二汲極電極； 一分隔件，其具有一將該像素電極曝露至少一部 分的開口； 40 200529698 一輔助電極，其係形成在該分隔件上並具有與該 分隔件實質上相同的平坦形狀； 一有機發光構件，其係形成在該像素電極上並實質 上設置於該開口内；以及 5 一般電極，其係形成在發光構件與該輔助電極上。 8. 如申請專利範圍第7項之有機發光顯示器，其中該 像素電極係包括反射性材料。 9. 如申請專利範圍第7項之有機發光顯示器，其中該一般 電極係包括透明材料。 10 10.如申請專利範圍第7項之有機發光顯示器，其中該 輔助電極係具有一比該一般電極為低之電阻率。 11.如申請專利範圍第7項之有機發光顯示器，其進一步 包括一連接該第一汲極電極與該第二閘極電極的連接 構件。 15 12. —種製造有機發光顯示器的方法，該方法包含： 形成多數個第一顯示電極； 形成一具有一將該第一顯示電極曝露至少一部分 之多數個開口的分隔件； 將一輔助電極形成在該分隔件上； 20 將多數個有機發光構件形成於該開口内；以及 將一第二顯示電極形成於該發光構件與該輔助 電極上， 其中該分隔件的形成與該輔助電極的形成係藉由 使用單一光微影而執行。 41 200529698 13.如申請專利範圍第12項之方法，其中該分隔件的形成 與該輔助電極的形成係包括： 依序沈積一絕緣層與一導電性層； 將一第一光阻形成於該導電性層上； 5 使用該第一光阻作為一蝕刻罩模而依序蝕刻該 導電性層與該絕緣層，以形成一導體與該分隔件； 灰化該第一光阻，以形成一第二光阻；以及 使用該第二光阻作為一#刻罩模而餘刻該導體， 以形成該輔助電極。 10 14·如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一顯示電極 係包括反射性材料。 15 ·如申請專利範圍第12項之方法，其中該第二 顯示電極係包括透明材料。 1 6 . —種製造有機發光顯示器的方法，其包含： 15 形成一包括不定形矽或多晶矽之第一與第二 半導體構件； 形成一包括一第一閘極電極與一第二閘極電極之 閘極線； 形成一於該第一及第二半導體構件與該閘極線及 20 該第二閘極電極之間的閘極絕緣層； 形成一包括一第一源極電極、一電壓傳輸線以及 第一與第二汲極電極的數據線； 將一鈍化層形成於該數據線、該電壓傳輸線以及 該第一與第二汲極電極上； 42 200529698 將一像素電極形成於該鈍化層上，該像素電極係 連接至該第二汲極電極； 形成一具有一將該像素電極曝露至少一部分之開 口的分隔件， 5 將一輔助電極形成於該分隔件上； 將一有機發光構件形成於該開口内；以及 將一般電極形成於該發光構件與該輔助電極上。 17.如申請專利範圍第16項之方法，其中該分隔件的形成 與該輔助電極的形成係包括： 10 依序沈積一絕緣層與一導電性層； 將一第一光阻形成於該導電性層上； 使用該第一光阻作為一蝕刻罩模而依序蝕刻該 導電性層與該絕緣層，以形成一導體與該分隔件； 灰化該第一光阻，以形成一第二光阻；以及 15 使用該第二光阻作為一蝕刻罩模而蝕刻該導體， 以形成該輔助電極。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之方法’其中該像素電極係包 括反射性材料。 1 9 .如申請專利範圍第1 6項之方法，其中該一般電極係包 20 括透明材料。 2 0.如申請專利範圍第16項之方法，其中該輔助電極係具 有一比該一般電極為低之電阻率。 43
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