TW200529442A - Method for fabricating thin film transistors - Google Patents

Description

200529442 五、發明說明（l) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種薄膜電晶體之製造方法，且特別 有關於一種低溫多晶石夕（Low - Temperature Polysilicon， LTPS)之薄膜電晶體製造方法。 【先前技術】 製作半導體積體電路與 光微影步驟，以定義、形成 需的電路設計。傳統光微影 (光阻層）的平坦基板上， 或元件圖案，待圖案曝光後 基板上的電路或元件圖案， 如敍刻及摻雜等製程步驟。 之薄版電晶體的過程中，進 倍的時間。 其裝置的過程，需使用多道的 各種特定的電路元件與製程所 系統係在覆蓋有一光敏感膜 投射一由光罩定義的特定電路 進行光敏感膜顯影，以留下 該圖案化後之基板繼續進行例 f，作光電顯示裝置與感測器 仃多次光微影的製程須耗費多 母一光微影製程的進行均代』、， 本的耗費、產率的下降以及生產萨讨科、邊動力或技術成 提出任何可減少上述耗費事項的間的浪費，因此，若能 良上來說，均是一大創新與貢獻間化製作流程，對製程改 提供一簡化性製程，若以此優勢而減少光微影製程即是 的競爭，勢必在成本管控及出貨改2市場上其他類似產品 此簡化並降低成本的製作流程率上更形有利。 裝置與元件必要的物理及電性1' β，須同時能維持半導體 衣現。

200529442 五、發明說明（2) 【發明内容】 有鑑於此 光罩製作薄膜 基於上述 法。首先，提 缓衝層。形成 預定區，該源 一石夕層、一’閘 案於該閘金屬 並據以選擇性 該石夕層。選擇 於該第一光阻 層。移除該第 層中以形成一 ，本發明之目的在提供 電晶體的薄膜電晶體製 目的，本發明提供一種 供一基板，該基板至少 該電晶體之源/汲極金 /汲極金屬區定義一開 氧化層以及一閘金屬層 層上，該第一光阻圖案 地移除部分該閘金屬層 性地縮減該第一光阻圖 圖案之第二光阻圖案， 一光阻圖案，並且摻雜 預定型式之一源極區與 一種利用四道光微影 造方法 ° 薄膜電 包括 晶體之玻璃基 該緩衝 屬區於 口，接著於其 °形成 一第一 具有 兩部分 氧4匕層 成覆蓋 As減該 摻雜物 〉及才系區 〇 、該閘 案以形 並據以 一預定 製造方 板與/ 層上之 内形成 光限圖 結構’、以及 面積小 閘金屬 於該碎 【實施方式】 為讓本=之上述和其他“卜特徵和優點能更明顯 f f重’下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖$，作細 說明如下。 '' ^相較於傳統六道光罩的製作流程，本發明係揭露利 四迫光微影光罩，有效製作薄膜電晶體的方法，且 製作而得的薄膜電晶體裝置其主動電晶體區的紐成及^ ^ 係與傳統六道光罩製程的相同。另為簡化敘述，本發: 以製作一P通道的薄膜電晶體為例，但不限定於此，x口係

0632-A50193TWf(5.0) ; AU0306016 ; Alexchen.ptd 第8頁 200529442 五、發明說明（3) 改變摻質，即可製作N通道的裝置_ 請參閱第1 A〜1 J圖，並伤立士, m 傳統p通道薄膜電晶體之剖面示^圖六逼微影光罩製作 供一平坦化破璃基板102，其表‘上：:以圖所示，提 衝層m與-多晶石夕層ί06，复中緩隹，有兩膜層，-緩 質（例如為氧化矽）所組成，：二°4係由-絕緣材 環境下的熱成長而形成，而多曰二軋相沉積或在氣態 沉積法形成於堆疊的玻璃— 6 6則利用化學氣相 # ^ „ P „ „ # ί ^ a t ^ 敫〈么綠〜s 貝 夕日日石夕層1 〇 6的任音狹她 f後” j之電晶體㈣道的起始電麼特 疋，一些傳統的製程有利用單 :二二传/主意的 層10Θ。 7材貝代替此處的多晶矽 接下來，如第1B圖所示，裕士 一 > 1〇8於堆疊的多晶石夕層106、緩衝:一弟—光，影光罩圖案 接著，以光罩圖案108為罩幕 5^板102上。 晶矽層1 0 6俜作A蔣# *螇I a 0案化夕日日石夕層1 0 6，該多 -的乂 ： 衝層1 04與基板1 上形成電晶 ===多晶石夕層咖的步驟中，多晶石夕層…由 二有上t 1〇8的保護，遂形成-獨立的多晶，區 106 ’如弟ic圖所不，以作么 曰# # f μ 1 ^ —乍為將來形成特定或簡單薄膜電

Hi 者’如第1D圖所示，藉由氣態環境的 ==氣相沉積形成—介電層u。（例如氧化梦） 閘金 :飯刻後的多晶石夕層1〇6與缓衝層104上。介電層11〇例如 為-之後作為薄膜電晶體問介電層的間氧化層。此外，第 圖亦顯不以一金屬離子濺鍍或化學電鍍製程沉# 一

I 0632-A50193TWf(5.0) ； AU03G6016 ； Alexchen.ptd t 9頁 !29442 五、發明說明（4) 屬層1 1 2於閘氧化層1 1 〇上。 接下來，如第1 E圖所示，形成一第二光微影光罩圖案 114於閘金羼層1 12上，此光罩圖案丨14可保護特定區域的 閘金屬層11 2避免被蝕刻，以形成薄膜電晶體閘極與水平 設置於基板1 02上連接多數特定薄膜電晶體閘極的閘金屬 導線。蝕刻閘金屬層1丨2的步驟通常為濕蝕刻法或化與 電漿蝕刻法。 卞 第1F圖係顯示蝕刻閘金屬層與移除光罩圖案之後 的閘極11 2剖面示意圖。移除光罩圖案丨丨4後，摻雜p型 質至區域118與120，區域118與12〇係鄰近閘極112但不位 2二方、心—步驟係為p型摻質如删或雙說·的離子 佈植11 6，以於多晶矽層1〇6中形成源極118與汲極，而 ，在閘，士下方沒有摻雜的區域，則形成閑通道，至此 完成主動_薄膜電晶體元件包括源極118、汲極、閘 112以及：晶體通道區的製作。標準化的離子佈植程 11 6，使侍摻質落於多晶矽層中的丨丨8與1 2 〇區且 112一阻撞了電晶體閘通道的摻雜。此外，若要製作/型金^ 的溥朕電晶體結構，將可採用N型摻質如磷的離子佈 ::型的源/沒極區。在上述源，汲極摻 通恭會進行-熱回火製程（未圖示）以修灸^後， 物理，傷害，同時活化、分散摻質。 ，雜層的任何 第1G圖係顯示利用第三道光罩製作立 =意圖。首先，以化學沉積形成—層間介電^曰曰肢的&面 按者圖案化並以濕蝕刻或乾化學電漿製程 ill 第10頁 0632-A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd 200529442 五、發明說明（5) I虫刻層間介電層1 2 2，以形成從層間介電層丨2 2上表面貫穿 至薄膜電晶體源/沒極區11 8與1 2 0的垂直開口 1 2 4。接 著，以離子濺鍍法填入導電金屬至垂直開口 124中，以提 供一從層間介電層122至薄膜電晶體源/汲極區118與12〇 的垂直内連線。 兀成垂直内連線製作後，以金屬離子濺鍍或化學電鍍 製程全面性地沉積一金屬層126於層間介電層122上。之 後，形成一第四罩幕圖案（未圖示）於金屬層丨26上，以 疋義、形成連接各薄膜電晶體源/没極區的水平金屬導 線，以完成電路製作，第1 Η圖即顯示薄膜電晶體裝置於設 置第四罩幕圖案並I虫刻金屬層後的剖面示意圖。圖中顯示 新的金屬導線1 2 6係藉由之前形成並已被充填的垂直開口 124與/專腰電晶體源及極區118與12〇連接。在形成金屬 導線1 2 6後，續利用化學沉積形成一鈍態介電層1 2 8於薄膜 電晶體裝置上。 、、、 第11圖頒示利用第五道光罩製作薄膜電晶體裝置的剖 面示意圖。首先，形成一第五罩幕圖案於鈍態層128上， 且以此為蝕刻罩幕，利用濕蝕刻或乾化學電漿製程形成一 垂直的内連線開口 130並露出金屬導線126，該垂直内連線 開口 1 3 0係用以連接金屬導線1 2 6與未來形成於鈍態層1 2 8 上的金屬導線。之後，以離子錢鏡法填入導電金屬至垂直 開口 1 3 0中。 接著，如第1 J圖所示，沉積一通常為銦錫氧化物的最 終導電層1 3 2於鈍態層1 2 8上，之後，利用第六罩幕圖案，

0632-A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd 第 11 頁 200529442 五、發明說明（6) 屬原；=;與未摻雜摻質之“晶區域二;】= 多：1:域、用於源…接』 雪牧始 山 、 曰 及為了額外的源/;及極接旋斑 電路，之由銦錫氧化物構成的第二層導電層。 、” /、 第2 Α〜21圖係顯示本發明之利用四道先矜旦彡氺w制此 :膜”體之剖面示意圖。如第2a圖所先 平坦化玻璃基板2 〇 2，JL 士 ^ L认田 提七、 204與一金屬層2〇6，另外^有H兩膜層，一緩衝層 -光阻罩幕圖案20 8。該兩堆疊膜層上之第 緣材質所構成，鮮由-例如為氧化矽的絕 -,.. ，、錯由化子虱相沉積或在氣態環境下的埶 電鍍製程沉積在緩衝層2〇4上 光阻罩幕圖案2〇r、阳挥从liW 圖斤不利用弟一 來的金屬圖案區定廷義擇出 該裝置的金屬電路=:匕=%没=屬電極和 除步驟後…綱的剖面示了:”不元成刪移 層薄ίϊΐ::道罩幕圖案，蝕刻程序之前，將另外的三 丄:第、屬圖案及玻璃—緩衝基板疊層2G2—206 202 - 2 0 6 金屬圖案及玻璃'緩衝基板疊層 2 08，剎爾π風友夕日日石夕層。多晶石夕（或非多晶矽）層 上，且在一:氣相沉積於金屬圖案及玻璃〜缓衝基板疊層 積過程中，可摻雜少許Ν型或Ρ型摻質。接著，

200529442 五、發明說明（7) 藉由氣悲壤境下的熱成長或化學氣相沉積法形成一例如氧 化石夕的711層2 1 0於多晶矽層2 〇 8，上。介電層2 1 〇例如為一 之後作為薄膜電晶體閘介電層的閘氧化層。之後，以一金 屬離子濺鍍或化學電鍍製程沉積一閘金屬層2丨2於閘氧化 層210上。接著，將第二罩幕光阻層214覆蓋在閘金屬層 212之選定的區域上。 ^如=2C圖=示，第二罩幕圖案2U以傳統單一部分 (單 咼度.單 I度）區域覆蓋閘金屬層212之選定的 區域上。閘金屬層212之其它選定的區域可為藉由半透式 光罩型罩幕圖形化，其中該半透式光罩型罩幕至少具有兩 個光線穿透速率不同的區域。由於此光線劑量的差異，光 ，層f H ^區f會產生不同程度的活化，而形成對應於 母一 1日日脸的一個兩部分的光阻結構214,。此兩部分的光 :結構2J4:包括-具有-預定幾何㈣（例如高度及Γ :衫的弟#分3以及一在第-部分結構下方具有另-預 $幾何形狀（例如高度與寬度）的 伟 為1同的材質。該兩部分的光阻結構214，亦稱為一階y; ΪΞ的：使ΓΓ透式光罩型罩幕可以有不同的設計。； 了解的疋，在以下的掂 m 部分的寬度係為-表考=弟、·:阻圖木中第-與第二 可更換的，但是應以描逋製造薄膜電晶體材質是 遮光效率，使在單ί::質可為不同材質’以得到不同的 *光製程中於光阻層上獲得不同的曝

0632-A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen Ptd 第13頁 200529442 五、發明說明（8) 光劑量。在另一實施例中，兩區域均使用相同的材質，而 在中心區域另有一預定圖案以遮蔽具有和穿透周圍區域相 同速率的光線。 於堆疊層2 0 2〜212上形成第二光阻圖案21 4和2 14’ 後，如第2D圖所示，該些未圖案化、未曝光的堆疊層續由 任何光阻結構（例如，單一與兩部分的光阻結構2 1 4與 2 1 4 ’）予以定義，係透過蝕刻步驟移除部分的閘金屬層 2、1 2、閘氧化層2 1 0以及多晶矽層2 0 8 ’，典型的蝕刻步驟包 含濕蝕刻與乾電漿蝕刻等方法。 接著，如第2E圖所示，利用乾飯刻或自動電漿製程選 擇性地縮減該單一部分與兩部分光阻結構21 4和21 4，，以 形成一第二光阻圖案2 1 5，使得兩部分光阻結構21 4，變成 單一部分光阻結構。第二光阻圖案2 1 5具有較第一光阻圖 案214’小之面積（即，覆蓋其它下方材質的面積）^要注 意的是，源/汲極金屬電極上的單一部分光阻結構圖宰 214已隨著兩部分光阻結構214’的部分移除同時移除。〃 阻圖案的移除/縮減可藉由乾電漿蝕刻法>(或）渴蝕刻 法完成。剩下之新的光阻結構215可能大 妒 部分結構2U’之第一部分a的覆蓋區域。如第2£圖：：兩 :用乾蝕刻或自動電衆製程選擇性地縮減 構214 ，以在堆疊層2 08〜212上带古、土 κ面也刀尤1且、，、口 著，以此縮減之光阻圖案215為罩幕，利且用\木^=二接 蝕刻蝕刻閘金屬層212，、結果如第2ρ :所。:乞： 70成弟一光罩的使用並移除光阻層215。.

200529442 五、發明說明（9) 在此步驟元成後’即完成兩關鍵的電晶體定義步驟。 其一係為利用第一光阻圖案2 14與2 14，定義閘金屬層212、 閘氧化層2 1 0以及多晶矽層2 〇 8，，使多晶矽層2 0 8，分離成 特定區域用以放置薄膜電晶體，其二係為利用第二光阻圖 案2 1 5定義閘金屬層2 1 2以形成每一電晶體的閘極。因此， 相較於傳統必須利用兩個分離光罩圖案方能完成兩次電晶 體定義步驟，本發明利用此單一、兩部分的光阻結構 2 1 4 ’提供了更簡化的方法，大幅節省製造成本。 第2G圖係顯示移除光阻圖案215後，閘極212的剖面示 意圖。在移除光阻圖案215後，摻雜p型摻質至區域218與 220，區域218與22 0係鄰近閘極2 12但不位於其正下方。摻 雜步驟係為P型摻質如姻或雙氟蝴的離子佈植216，以形成 層208,中的源極21δ與汲極22〇，而位在閘極正下方 2: Λ的區域’則形成閘通道’至此即完成包括源極 曰體二二閑極212以及電晶 :曰==彳丁之製作。標準化的離子佈植程序216，使得摻質 晶石夕層中的218與220區域，且閘金屬212阻撞;電 構，可採用N型摻質如鱗的型通運的溥膜電晶體結 極區218、22 0。在卜、Λ 子佈植，以形細型的源/汲 -熱回火梦程（ίΐ 汲極摻雜步驟後，常會進行 宝，π : 未圖不以修補摻雜層的任何物理性傷 害，f同時活化、分散趨入的捧質。 J物理陡知 第2 Η圖係顯示利用第三# 圖。在薄膜電曰俨、择/ ^厂先罩衣作薄膜電晶體的剖面 厚版電曰曰體源/没極區218、22。形成後，形成一層

0632-A50193TWf(5.〇) ； AU0306016 Alexchen.ptd 第15頁 200529442 五、發明說明（10) (Λ稱為純態介電）層222於間金屬層212與閉氧化 ^門人。者，圖案化並蝕刻層間介電層222，以形成從 2'20 :、Λ層m上表面貫穿至薄膜電晶體源，汲極區21 8、 ρ入〜+源/汲極金屬電極區2〇6的垂直開口 224。通常，層 係以化學沈積製程形成，㈣的方法 蝕刻或乾化學電漿製程。. …、 - ^ ^第2 1圖，以離子錢鍵法填入導電金屬至第2ίί圖所 簟膜：曰，口 ΜΑ中’以提供一從層間介電層22 2的表面至 4 Λ曰曰：源’汲極區218、220與源，汲極金屬電極區 或化學電鐘製程，全面性地沉積一導\層=】 以垂直開° 224上。藉此銦錫氧化物 :”226和垂直内連線’使源/汲極金屬電極區2 至溥膜電晶體的源極218與汲極2 2 0。 接 接著’執行最後一道（即第四道）光罩製程，定義做 ΐ 扠ί晶體的最後連線用及所需的裝置電路之水平金屬 =、、、。第2 I圖係於施行第四道光罩製程且定義和蝕銦 後之薄膜電晶體裝置的剖面圖。如圖所示：位3 ^曰w電層2 22上表面之銦錫氧化物導電層⑽，係垂 直開口 224中填充而形成的垂直内連線連接 、二孟 源極2 1 8與汲極2 2 0。 ’、電日日版的 、、 >由此觀之，本發明之基本薄膜電晶體裴置 道光罩製程完成製作。如傳統六道光罩& 電晶體裝置，本發明之薄膜電晶體包= 〇632-A50193TWf(5.〇) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd 第16頁 200529442

包含閘電極金屬、閘氧化物與 問堆受、做為源/ >及極之摻雜 /没極接線與電路線之第—層 /没極接線舆電路線之由銦錫 層。 未接雜摻質之多矽晶區域之 按質之多矽晶區域、用於源 金屬層、以及為了額外的源 氧化物構成的第二層導電 第3圖係為本發明製作薄膜電晶體時，每一光微影 罩步驟其目的與順序的總結流程圖3 〇 〇。在步驟3 〇 2中，饮 利用第一光罩製造薄膜電晶體之源極與汲極金屬電極，二 及製造玻璃基板與缓衝層上之第一層的元件金屬電路線。 在步驟304中，係利用第二光罩並使用單一光阻圖案圖案 以進行數個钱刻步驟。過程中，利用一單一曝光製程/以 兩部分結構的光阻圖案為罩幕，圖案化並蝕刻多晶矽層、 閘氧化層與閘金屬層，以形成每一薄膜電晶體的特定區 域。該方法僅利用單一光罩即可定義不同寬度的閘金屬層 與多晶矽、閘氧化層，明顯降低薄膜電晶體裝置的製造成 本。在步驟3 0 6中，利用圖案化與蝕刻介電層，以形成連 接薄腺笔aa體源/ ;及極區、源/没極金屬電極與下一道金 屬層的垂直開口，續填入金屬於該源/汲極區與源/汲極 電極線之間’並沉積一金屬層於頂部。在步驟3〇8中，圖 案化該金屬層’以形成〜連接至薄膜電晶體源/汲極區的 最後特定電路線。 本發明薄膜電晶體裴置的製造僅使用四道光微影光 罩，且製作而得的薄膜電晶體裝置，其尺寸大小、材質組 成與元件位置均與傳統上利用六道光罩製作出來的結果相

0632-A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd _ , _ 第17頁 200529442 性操作 首先形 罩的工 場上其 競爭力 現今、 揭式本 助更了 實施例 技藝者 更動與 範圍所 五、發明說明（12) 同，其提供相似的裝置電 薄胺電晶體的簡化製程， 一單一光罩完成傳統兩光 雇的結果’將使在面對市 具成本管控及出貨效率白勺 本發明可順利相容於 中，本文提供數個實例以 元件與製程的實例财為幫 定為本發明的範圍。 雖然本發明已以較佳 限定本發明，任何熟習此 和範圍内，當可作各種之 耗圍當視後附之申請專利 與欵能。本發明係揭露一 成源/汲極金屬層，並以 作。本發明減少光微影製 他類似產品的競爭時，更 0 傳統與未來的製程技術 發明的不同特徵，而特定 解本發明，因此，並不限 揭露如上，然其並非用以 ，在不脫離本發明之精神 潤飾，因此本發明之保護 界定者為準。

0632>A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd 第18頁 200529442 圖式簡單說明 第1 a〜η圖係顯示傳統利用六道光微影光罩製作p通 道薄膜電晶體之剖面示意圖。 第2 Α〜2 I圖係顯示本發明之利用四道光微影光罩製作 薄膜電晶體之剖面示意圖。 第3圖係顯示第2A〜2 I圖之薄膜電晶體之製造方法的 步驟流程圖。 【主要元件符號說明】 102 - ‘玻 璃 基 板 j 104 - -缓 衝 層 106〜多 晶 矽 層 ， 108〜第 一 光 阻 圖 案 11 0〜介 電 層 112 - ‘閘 金 屬 層 114〜第 二 光 阻 圖 案 116 - -離 子 佈 植 j 118- -源 極 1 2 0〜汲 極 ； 122 - '^層 間 介 電 層 f 124、 、130 - ‘開1= 1 ; ) 126 - 屬 導 線 128 - '-鈍 態 介 電 層 1 132〜導 電 層 ， 20 2 - 、玻 璃 基 板 ，

0632-A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd 第19頁 200529442 圖式簡單說明 2 0 4〜缓衝層； 2 0 6〜金屬層； 2 0 8〜第一光阻圖案； 2 0 8 ’〜多晶矽層； 2 0 9〜電晶體閘極通道； 2 1 0〜介電層； 2 1 2〜閘金屬層； 2 1 4〜單一光阻結構； 2 1 4 ’〜兩部分光阻結構（a與b ); 21 5〜第二光阻圖案； 2 1 6〜離子佈植； 2 1 8〜源極； 2 2 0〜汲極； 222〜層間介電層； 2 2 4〜開口； 22 6〜導電層。

0632-A50193TWf(5.0) ； AU0306016 ； Alexchen.ptd 第20頁

Claims (1)

1. 200529442

   六、申請專利範圍 1 · 一種薄膜電晶體之製造方法’包括下列步驟：/ 提供一基板，該基板至少包拍"破璃基板與一缓摘" 層； 形成該電晶體之源/汲極金屬區於該緩衝層上之/ 定區，該源/汲極金屬區定義一開口； 形成一矽層、一閘氧化層以及’閘金屬層於該開口 内； 形成一第一光阻圖案於該閘金肩層上，該第一光陣^ 案具有一兩部分結構，該兩部分結構包括一第一部分結方 與在該第一部分結構下之第二部分結構； 利用該第一光阻圖案選擇性地移除部分該閘金屬屢 該閘氧化層、以及該矽層； / 選擇性地縮減該第一光阻圖案以形成覆蓋面積小於以 第一光阻圖案之第二光阻圖案； 利用該第二光阻圖案縮減該閘金屬層； 移除該第二光阻圖案；以及 γ 接雜一預定掺雜物於該矽層中以形成一預定型式ι 源極區與一没極區。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體之製邊^ 法，其更包括形成覆蓋於具有該滹極與汲極金屬區之該電 晶體之一層間介電層，並且露出該源/汲極金屬區。 3·如申請專利範圍第2項所述的薄膜電晶體之製造方 法，其更包括形成一導電層，其連接露出 與該源/汲極金屬區。 H原"汲極&

   0632.A50193W(5.〇)；AU〇3〇6〇16；Alexcheniptd 200529442 六、申請專利範圍 4 ·如申 .法，其更包 5 ·如申 法，其中， 與弟二區之 材，通過該 與第二部分 6. 如申 法，其中， 成。 7. 如申 法，其中， 請專 括選 請專 該第 預 第 結構 請專 該光 請專 該導 8· —種薄膜 利用一 第 於一玻璃基 層、一閘氧 板上 化層 定義之一開口 利用一第二 該閘 4匕層 地縮 第一光阻圖案之 利用一第三 區之該電晶體之 光阻圖案於 層、該閘氧 選擇性 利範圍第3項所述的+ 擇性地移除部份^^電晶體之製造方 利範圍第1項所述的电曰，形成電路線。 一光阻圖宰之牛醉缚版電晶體之製造方 定光罩利用具有一第一 區之光線較4原：；性地曝光-光阻 。 一 ^為少，以形成該第一 $ : : ΐ5項所述的薄膜電晶體之製造方 罩上之弟-與第二區係由不同材質所構 利範圍第1項所述的埯 電層為銦錫氧化物，膜％晶體之製造方 電晶體之製造方法， 伞罢制立 包括下列步驟： J形成該電晶體之源"没極金屬區 ία @ — ί衝層上的預定區，以及形成一矽 甲金屬層於由該源/沒極金屬區所t ί ^ t形成一具有'兩部分結構之第-金屬曰上，以選擇性移除部分該閘金屬 、以及該矽層； 減該第一光阻圖案以形成覆蓋面積小於該 第二光阻圖案； 光罩製程形成覆蓋於具有該源/汲極金屬 一間層介電層，並且露出該源/汲極金屬

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   形成一導電層，其連接露 汲極金屬區； 孩源/汲極區與該源/ 利用一第四光罩製裎選 形成電路線。 、 夕除預定之部份導電層以 9 ·如申請專利範圍第 + 法，其更包括移除該第二光、阻薄膜電晶體之製造方 製程前摻雜-預定摻雜物於該：】中=行該第三光罩 一源極區與一汲極區。 形成一預定型式之 10.如中請專利範圍第8項所述 膜 · 法，其中，利用該第二繫鞋之牛，爭:膜電日日肢之製造方 程中使用一預定光草形成兮第^光阻於一單一曝光製 , 〜成該弟一光阻圖案，其包括一笙一 部分結構與在該第一部分結構下之第二部分社構。 、11·如申請專利範圍第10項所述的薄膜電’=晶體之製造 方法，其中，該預定光罩具有一中心舆一周圍區域，且通 過該中心區域之光線係較該周圍區域為少，以形成該 與第二部分結構。 ~

   I2·如申請專利範圍第11項所述的薄膜電晶體之製造 方法，其中，該光罩上之該中心與周圍區域係由相同材質 所構成’而該周圍區域上之一預定光罩圖案係用來遮蔽欲 通過之光線。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所达的薄膜電晶體之製造 方法，其中，該光罩上之該中心與周圍區域係由不同材質 所構成，而該中心區域材質所遮蔽之光線係較該周圍區域

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   六、中請專利範圍 材質為多。 1 4 · 一種薄膜電晶體之製造方法，包括下列步驟： 提供一基板，該基板至少包括一玻璃基板與一缓衝 形成該電晶體之源/汲極金屬區於該缓衝層上之預定 區，該源/汲極金屬區定義一開口； 依序形成一矽層、一閘氧化層以及一閘金屬層於該開 口内； 形成一具有一兩部分結構之第一光阻圖案於該閘金屬 層上’該兩部分結構包括一第一部分結構與在該第一部分 結構下且大於該第一部分結構之第二部分結構； 利用該第一光阻圖案選擇性地移除部分該閘金屬層、 該閘氧化層、以及該矽層； 曰 選擇性地縮減該第一光阻圖案以形成覆蓋面積小於 第一光阻圖案之第二光阻圖案； ' 利用該第二光阻圖案縮減該閘金屬層； 移除該第二光阻圖案；以及 摻雜一預定摻雜物於該多晶矽層中以形成一預定型式 之一源極區與一汲極區。 ' 工 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述的薄膜電晶體之製造 方法’其其更包括形成覆蓋於具有該源極與汲極金屬區$ 該電晶體之一層間介電層，並且露出該源/汲極金屬^。 16.如申請專利範圍第15項所述的薄膜電晶體之制° 方法，其更包括形成-導電層，其連接露出之該源^及;

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   ---^ 200529442 六、申請專利範圍 區與該源/没極金屬區。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項戶斤述的薄膜黾曰曰 方法，其中，該導電層為銦錫氧化物^ 。曰 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項戶斤述的薄膜電/曰曰 方法，其更包括選擇性地移除部份導電*層形/ 19·如申請專利範圍第14項所述的薄膜電晶 方法，其中，該第一光阻圖案之少驟更〇括利月 一與第二區之一預定光罩，以一光源選擇性地_ 材，通過該第一區之光線較該第；.區為少，以开 與第二部分結構。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項所述的薄膜電曰日 方法，其中，該光罩上之第一與第；區係由不声 成。 ’、 體之製造 體之製造 〔電路線。 體之製造 1具有一第 i光一光阻 >成該第一 體之製造 丨材質所構

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