TW200522393A - Light-emitting device and its manufacturing method - Google Patents

Light-emitting device and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TW200522393A
TW200522393A TW093128760A TW93128760A TW200522393A TW 200522393 A TW200522393 A TW 200522393A TW 093128760 A TW093128760 A TW 093128760A TW 93128760 A TW93128760 A TW 93128760A TW 200522393 A TW200522393 A TW 200522393A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
semiconductor
layer
hole
substrate
Prior art date
Application number
TW093128760A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI246783B (en
Inventor
Kenichiro Tanaka
Masao Kubo
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Publication of TW200522393A publication Critical patent/TW200522393A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI246783B publication Critical patent/TWI246783B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/82005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

200522393 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一發光元件及其製造方法。 【先前技術】 以往，通常使用打線(wirebonding)或覆晶(flip_chip)接合的接 合技術將接合由發光二極體組成科導體發光元件接合在 -基材(substrate)上。因為這些技術需要高度精確的定位，所以預 期此等發光元件能贼絲φ接合技術雜次製程加以接合。 近來’大量運用-種使用氮化物(nitride)轉體的發光元件作 為半導體發光元件。藉由在-藍f^(sap幽e)的基材上沉積半導 體以製造此等發光元件，所以光線從鱗元件透過該透明的藍寶 石基材被萃取。不過介於半導體薄膜和藍寶石基材之間、藍寶石 基材和大氣之間，都存在有折射率的差異，如此，—部分的光線 被限制在該元件的-晶片之中，並以熱的形式被輻射。如果光線 係萃取自位於該藍寳石基材反面的該半導體表面，而且光線無法 牙透該藍寶石基材，則該元件接合可接合至該藍寳石基材侧，不 過由方、„亥藍寶石基材的阻礙，所以熱釋放的效率不理想。於是， 長:出個私除5亥藍寶石基材，並於該基材的移除處加入一熱槽的 技術(如日本專利早期公開號2000-196197)。 接著，說明上述#除該藍寶石基材的技術。該技術使用在雷 射二極體陣列(laserdi〇dearray)的生產中，其為多重雷射二極體之 200522393 集合。圖19AS19F顯示-系列雷射二極體陣列的製程。如圖i9A 所示’在該具有半導體102和電極m之薄膜層的藍寶石基材上 製作-雷射二極體陣列。其次，如圖削所示，該提供電極i2i 並位於該監賛石基材反面的表面被以蠟1〇3黏到該支撐基材川4 上，用以支撐該包含藍寶石基材的陣列。 在此情況下，將雷射光束1〇5經由該藍寶石基材施加到該半 導體1〇2上’在该半導體102表面預先形成的氮化鎵(Ga聊層可 被分解成金屬鎵和氮氣，並如圖19C所示，可分離出並移除該藍 寶石基材。 在下-步中’如圖19D所示，-金屬層祕形成於該藍寶石 基材已被移除之半導體102表面上，並且製作具有一金屬層1〇7 的熱導基材108 (假如使用金屬基材，金屬層1〇7就不需要)。其次， 如圖19E所示，半導體1〇2和熱導基材（熱槽)藉由焊接層 (solder layer) 109而於各金屬層處進行接合。如圖19F所示，熔化 该蠟103，以便完成由支撐在該熱導基材108之半導體102及電 極121所組成之雷射二極體陣列。 如上述，藉由移除一藍寶石基材並在該藍寶石基材所在處加 入-熱導基材，則可對陣列巾所有雷射二極體完成在—般表面上 的倒裝接點伽娜⑽她^此外’熱槽得以有效使用 。用以移 除藍寳石基材的技術不僅能運用在雷射二極體，亦能運用在半導 肪-發光元件例如發光二極體(LED) 〇 200522393 不過’如圖到撕或專利文件所示之上述用以齡㈣ 石基材而形成電減接合熱m方轉魏乡錄步驟，而^ 作該支撑細Μ冑。紅，目㈣㈣提供該電極= 表面，所以產生紐光元件之先線萃取效率變低的問題。 【發明内容】 本發明可解決該上述的問題並提供一發光元件及其製造方 法’其能藉由使絲祕合倾她讀針㈣接合，並 光線萃取效率且能以低成本製造。 门 為了實現上述之目的，根據本發明之—藉由沉積複數個Ρ型 和Ν型氮化物半導體層而形成的發統件包括： 複數個半導體表面電極，用以將電流施加至每-半導體層； 一絕緣層’用以支撐該等半導體層；以及 、妓數個表面接合電極，提供於該絕緣層之—表面上，該表面係 為桃緣層上製有該等半導體表面電極之另—表面的反面； 其中該等半導體層之—有—未沉積其它半導體層之非沉積區 域， 该等半導體表面電極之一係建立在該非沉積區域的表面上； 在該絕緣層中製作_透孔，使其電連接至轉半導 極：該等表面接合電極;並且 " 乂等半&肢表面電極，該絕緣層，以及該等表面接合電極係以 200522393 此順序建立在該等沉積半導體層之—側。 之構&目為透過透孔電連制該料導體表面電極 F曰妾。·电極係提供在該絕緣層的表面上，不同於打線、 由 P ChlP_b〇ndmg)或類似的半導體接合技術，所以能夠藉 垃人/面接合電極以及廣泛地運用在該印刷電路板製程之表面 合該發光元件。再者，因為在該等半導體層之表面 /又孤貝石基材或電極等會萃取出光束障礙物，與傳統元件不 同，所以能_接並有效地從該料導體層將光束萃取到外部。 較佳者’在該發光元件中，該絕緣層係由樹脂、爾或石夕1 中之一所製。 a 藉由此-構造，可使此等發光元件依據製造成本或生產績 效，合理地選擇該絕緣層材料。 車乂佳者，在該發光元件中，該透孔中係填入導電體。 、错由此-構造，因為導電體通常是良好的鮮體，所以在構 成發光部分之半導體層·生的熱可透過填人觸透孔之導電體 有效輪射到與讀接合之電路板上，並可降低該發光元件的熱負 載，而且可獲致穩定的光線萃取以及長的發光元件壽命。 較佳者’在該發光元件巾，在鮮半導體層之表面或内部提 供石粦光體(phosphor)。 藉由此一構造，透過使用磷光體，可以高效率將該等半導體 層所發㈣之色調轉換為另—色調。另外，在以樹脂或相似物密 200522393 封=光元件之财，因為碟光體不會分散在該密封的樹脂中， 所以月b夠抑制該密封樹脂的劣化。 包括為了實現上述的目的，根據本發明，—發光元件的製造方法 體其係藉由在—具有部份非沉積部分的透明晶 體土材上"遗P型和N型氮化解賴層，並在鱗 提供半導體表面電極以施加電士曰 體基材，其中每-電極表面係曝露在母一方+向¥上體層而形成一半導 紐ΪΓ形程序，其係於_該_體_極之半導體 柳塊 =彡t嶋’藉_移崎彻表面電極上 所露出之梅’提供_咖緣體移除後 形成職細彻制之内壁上 該等半導％… 層表面上製作經由該透孔電連接到 寻丰w表面電極之表面接合電極’·以及 材鱼序，其係於該透孔成形程序之後_透明晶體基 材與斜+導體層加以分離。 造，可運_的_路_製造低成本且 絲/、 70件。亦即’在該透孔成形程序中，可藉由使用傳 、、先印刷電路板製程中 、 支撐僻半^^積豐(bulId-up)或基材沉積製程來形成用以 接二Γ因:絕緣層以及用以接合半導體叫^ ”'、私除翻晶體基材後所完成的發光元件在該絕緣 10
I 200522393 層的表面上具有表面接合電極，所以不必使用如* 等料體接合技術即可執行表面接合。另外復晶接合 材已加以分缝㈣，所柯直接從半導體=4明晶體基 取光束。如此，該發光元件在接合能力和發纽==萃 並且能以低本製造。 W者都很優良， 較佳者，在該發光元件的製造方法中，該絕 陶瓷或矽其中之一所製。 」由树月曰 藉由此-構造，可使此等發光元件依 效，合理地選擇該絕緣層材料。 錢成本或生產績 ㈣itr娜細峨撕，蝴物程序中 I成的魏緣層制—塗財樹脂之_絕緣材料所形成。 構造，可使用傳統印刷電路板製程之塗覆有樹脂之 亚可使用該傳統印刷電路板製程來進行該基材成形程序以及 該透孔成形程序。 序以及 =者，在該發光元件的製造方法中，在該透孔成形程序中 縣面電極上之該概之部份移除係先移除位在該 nr之銅的預定樹脂上的鋪，接著利用剩餘的銅箱作為 迟罩乂進行樹脂移除程序。 ，此-構造，在使用雷射光束來移除樹脂之例中，雷射光 來的定位即可以高精度處理該樹脂。而且，在使用電装 W/除如旨之辦，不需要準備任何遮罩物。 11 200522393 ’該透孔成形程序中位 移除係藉由將該絕緣層 較佳者’在該發光元件㈣造方法中 於該等半導面電極上之_脂之部份 曝露於雷射光束或電漿下而進行。 t精由此-構造，在使用雷射光束之例中，可藉_ 條件而選擇性地僅移除絕緣層，因此可進行高精度的處理。再者， 不需要真空_即可方便地在大氣巾進行高速處理。在使用電漿 之例中可處理大量的透孔’而且也能批次處理多個基材以有效地
較佳者，在該發光元件的製造方法中，於該基材分離程序時 使用雷射光束進行該透明晶體基材的分離。 一藉由此-構造，透過在空間及時間上集中能量，以儘量減少 對半導體之财的方式移_透體基材，並可方便地在大氣 中進行高速處理。 、触者，在紐光元件的製造方法中，在使用雷射光束使該 透月a曰版基材與該等半導體層分離的同時，於該等半導體層誘發镰 分離的表面上形成一粗糙結構。 藉由此構造，可減少設置或排列的操作。而且，在該等半 ‘體層表面上向外光之光反較到該料導體層表面上之粗糖結 構之抑制，所以完成的發光元件能有效地從該半導體層中萃取光 線到外部區域。 車乂佳者，在該發光元件的製造方法中，在該等半導體層表面 12 200522393 上之λ粗心、、、。構係藉由將用以形成該粗链結構之雷射光束以及用 以分離該透明晶體紐之雷射絲—起簡在鱗半導體 上而形成。 藉由此—構造，可透過調整複數個雷射光束的輻射干涉條 件，輕易地控制表面上之該細微結構形狀。 為了實現該上述的目的，根據本發明，-種發光元件的製造 方法包括： 、 基材成形轉，其絲纟在―具有部份非 體基材上沉積Ρ型和Ν型氮 :的透月日日 牛^肢層，亚在該等半導體層上 體表㈣極以施加電流到每—半導體層而形成一半導 一土 其中每一電極表面係曝露在一方向上； 透孔柄財’其聽—絕緣層，其具有絲 祕相對應之預成形透孔用孔洞 = 電極之半導縣材絲上，提 2有射+導體表面 面以及透孔物之内壁上形成接^在彻表面電極之表 =一連接物半導體一表二 材舆===_彡財術_晶體基 錯由此-構造，可運用傳統的 高效率製造發光元件。抑p / 电路蝴程—低成本和 在該透孔成形程序中，可運用傳統 200522393 印刷電路板製程製造具有預成形孔之絕 層附著至兮本墓妒其从L 亚且猎由將此絕緣 ^至抖v體紐上，可姆製觸叫衛 絶緣層以及接合就叙表秘合電極。 传虹層之 除透明晶縣材後所完成的發光元件可進^目財法，移 等半導體層直鮮取紐，因此，該發=綠，且可從該 效率兩者都繼，並且能以低本製造。咐接合能力和發光 該絕緣層可由樹脂、 車父佳者，在該發光元件的製造方法中， 陶瓷或矽其中之一所製。 ‘產績效，合理地選 構造’如前述之相_，該絕_料的取得方 式乓加，則可使此發光元件依據製造成本或生 擇絕緣層材料。 較佳者，在該發光元件的製造方法中 ^ ^ ^ ^ Τ该荨位於該絕緣層之 洞係藉由將絕緣層曝露在雷射光束或電漿下而形成。 仃向精度的處理 藉由此-構造’在前述使用雷射光束之例中，可藉由調_ 製程條件而選擇性地僅移除絕緣層，因此可進个 " ^ 行向速處理。在使 而且也能批次處理多個基材以 再者，不需要真空系統即可方便地在大氣中進令 用電漿之例中可處理大量的透孔， 有效地形成透孔。 〜較佳者，在該發光元件的製造方法巾，錢基材分離程序中 係藉由使用雷射光束而進行該透明晶體基材之分離。 藉由此一構造，如前所述，透過在空間及時間上集中能量， 14 200522393 對半導體之損害的方式移除該透明晶體基材，並可方 便地在大氣中進行高速處理。 透明在紐光元件_造方法中，在制詩光束使該 =曰日體基材與該料導體層分離的同時，於該料導體層誘發 为離的表面上形成一粗糙結構。 藉由此-構造，如前所述，可減少設置和排列的操作。而且， 在該等半她表面上向外光之光反較物半_表面上 之粗键結構之抑制，所喊成的發技件能有效地從該半導體層 中萃取光線到外部區域。 較佳者，在紐光元件的製造綠巾，在該科導體層表面 上之雜赌構储由將用以形成該_結構之雷射光束以及用 以刀離該透明晶體基材之雷射絲—触射在該料導體層表面 上而形成。 藉由此-構造’如前所述，可透過調整複數個雷射光束的輕 射干涉條件，輕易地控制表面上之該細微結構形狀。 參 【實施方式】 執行本發明之最佳模式 根據本發明實施例之發光元件及其製造方法參考該等圖示加 以說明。目1和g 2顯示本發明之—發光元件卜該發光元件i 包含由複數個P型和N型氮化物半導體層所組成之半導體層2, 15
I 200522393 3 ’用以將•施加至該料導體層2,3之每1的半導體表面電 ㈣，Μ二支標該等半導體層2, 3之絕緣層4，以及提供於該絕 緣層4之-表面(圖中之上面)上的複數個表面接合電極$，該表面 係為該絕緣層上與該半導體表面電極21，31接觸之另一表面之反 面。t導體層2具有—非沉積區域2G，此處未沉積另—料體層 3而疋半導體表面電極a被建立在該非沉積區域如之表面。該 ==合電極5及該半導體表面電極21，31係藉由提供在該絕緣 :，之透孔(VIA)41之_上的導電體51電連接。該半導體 :::=，31 ’該絕緣層4 ’以及該表面接合電極5以此順序建 立在该儿積半導體層2, 3之一侧。 轉Γ來說’在該上述之發光树1中，該半導體層2是N型 g 辩導體層3是P型半導體。相反_序亦可行，亦 此P等^^層3是_半導體，而該半導體層2是卩型半導體。 主動/=/，3在形成該發光二極體(啦)之二層介面中有一 将—件1之沉積半導體層2,3的—表面(圖中之底面） /、-光線萃取表面H 本 接合電極5在該處形成。 接口表面，且該表面 表面=:，該發光元件1包含位於與該發光表面相反的 上之表面接合電極5，且藉此使該發光元们可作為接入在 Ρ刷魏板上之表邮合元件，而且娜卩路^ 方法能被於轉光元叙接合上。亦即，不需要打; 16
I 200522393 (金-bondnag) ’覆晶接合或此等半導體接合技術，而能利用焊接 回流(sdd㈣-flow)或此等表面接合技術。再者，因為該發光元件 1之光線萃取表面沒有藍寶石等透㈣體紐加以遮蓋，所以光束 能從該半導體層2, 3直接且有效地萃取出來。 ® 1和圖2所顯示之該發拉件為具有—對半導體表面電極 21, 31及-對與别者相關之表面接合電極& $之—單一元件類
型。此等發光元件1首先啸次程序在很多發光元件組成一平面 陣列之-結合狀態下製造，再加以切割成晶片。該平面陣列式發 光元件不論未經切割或切割成特定數目之小塊都能加以使用。X (製造流程） 以下說明發光元件i之製造流程，圖3A顯 程，若有需要可參考圖2。製造發光元件〗之第 材成形程序(S1)中，由在1亡 V /λ Ρ在》/基 雕甘 具有一部分非沉積區域20之透明曰 虹基材上沉積ρ型和Ν型半導體層2, 3，而且 /日 2, 3上提供用以將電流施加至該半導體層2，^每層 表面電極21，31而形成—半導體基材，其中，每—千曰導體 露在同一方向。 母电極表面均暴 其次，在透孔成形程序(S2)中，一絕緣層4 、 體表面電極2U1之該半導體基材表面上，而且、套供有半導 的表面形成。在 17 200522393 透孔成形程序(S2)中使用之兩種方法如後述。 Μ ’在基材分__)巾，翻晶縣材從該半導體層 2加以分離出並移除’以完成該發光元件 兩個如上述運用到透孔成形製程(S2)的方法顯示在圖邛和 3C。在透孔成形程序⑷，如圖3Β所示，首先在該半導體基材的 表面形成絕緣層(S11) ’接著在該絕緣層形成透孔_，最後使該 半導體表面雜和表面接合電㈣連接(Sb)。_職孔成形程 序㈧之過程顯示在後面的圖4A_4E，圖5a_5e ’圖6，圖7，圖8， 圖16 〇 在透孔成形程綱中，如圖3C所示，首先形成具有細 成形孔並熊料縣面電_叙縣卵21)，歸將該絕緣 層層合至爾彻_知靖嶋細上(S22)， 取後使斜導·面電極和表面接合電極電連接阳）。關於該透 孔成形程序⑼之過鋪示在後面的圖iW 及圖18C。 (發光元件製造之實例1) 以具體實例說明該發光亓视 順序顯示在製程中之典型tT之製造方法。圖4錢以時間 柄對應之透視圖。首先，又面圖’而圖_難顯示與圖 導體層2沉積在該透明晶體基#θ 和5Α所不，Ν型亂化物半 材6的表面上，且Ρ型氮化物半導 18
I 200522393 ::域2。上形成該半導體層2:=::: 半導體層3上形成半導體表面電门樣於 31，因而元成上述半導體基材。 」 在圖4B和5B所示，―絕緣層4和導電體層7 在该半導體層2, 3及半導體表面带 乂 ，， 、極21，31上。此物緣層4和 導電體層7藉由樹脂的運用以及如
至屬氣相沉積而獨立地形成。 在另-個針對該獨立成形的方法中，—塗覆有樹脂之銅，其為用 於積累__)餅之印猶顿㈣，可以—彳_層合至今 半導體表面電極21，31上。在肤々，丨士 " ^ ^ ，3丄上在此例中，該絕緣層4係由樹脂組成， 而該導電體層7係__。在該塗覆細旨之辦，該樹脂 可以是純樹絲包含如玻猶轉填絲之細旨。 曰
«亥使用塗復Μ %之銅作為絕緣層以層合至該半導體表面電極 21，31之例於此加以制。藉由使_塗覆有細旨摘，能夠輕易 地層合發光元件所需之絕緣層。例如，可使用如下由松下電工工 (Matush血Electric Works Ltd.)所製造的環氧樹脂型之具樹脂塗覆 之銅R-0880。該塗覆有樹脂之銅被放置在該半導體基材上，並由 -壓力機器加壓到3」MPa，而且在此情況下，使該樹脂包鋼的溫 度保持在攝氏165度達60分鐘或以上，然後藉由冷卻完成層合。 5亥程序較佳在13.3kPa的真空狀態中進行。在加壓層合期間，可在 半導體層出現的端面處包覆樹脂，如此可使包覆樹脂保護該半導 19 200522393 體層之端面。因4卜，少 __壞。 ‘程中，藉由周圍的樹脂抑制對該半導 _接者，在該導電體層7上製作透孔圖案，且如圖4C和5C所 不’在該半嶋喻21，31上她旨細 ::分移除。藉此程序形成透-。於― :以移除該半導體表面電極2i,3i表面上之該樹脂殘留物。 之透孔41内如壁藉由在該絕緣層之表面接合電極 表面接合電極5 ΓΓΓ 圖案的表面接合電極5和 上的透孔10。在透孔10中，該半導 21，31及該表面接人 、電極 D 呈電連接。可使用導電膠材填入該透孔 w T以侍致兩電極問 L 包連接。於上述之製程之後，在該透明晶
一土 上完成該發光元件1。兮丰導财U 以及表面接人W + 1斜W表面電極21，31、透孔1〇 程。 兒圣5之上述製程係為傳統上用在印刷電路板之製 基材6和二：及5E所示，在基材分離程序中，使該透明晶體 件1為單It 離以得致該發光元件1。因此，所得發光元 取得單一 ^ _件1之、、且士，如需要的話，可透過晶圓切片而 、★光元件卜縣離程序亦在後面說明。 (透孔之形成） 二4由移除絕緣層4以製造該透孔之方法於此處加以說 20 200522393 明。圖6顯示藉由雷射光束L1製作透孔41之情況。於此說明該 絕緣層4係藉由塗覆有樹月旨之銅所製之例子。雷射光束L1可用以 局4移除该絕緣層，亦即層合於該半導體表面電極21，31上之區 域，因而形成透孔41。在該製程中，可用的雷射為二氧化碳雷射、 諧波(h_onic)输石權石(yag)雷射、激態分子(exdmer)雷射或 其相似者。假如該·大於義胸，縣好_二氧化碳雷射， 假如小於OSO^zm，則最好採用諧波釔鋁石榴石^ag)雷射。 在使用二氧化碳雷射之例中，假如電導層(銅膜）7存在於該絕 緣層表面上，如目6所示，魏職要欲軸透减之銅膜 以得致開孔7丨。此等細可藉由光_魏晝及纖刻加以移 除。另外，也可以不使職塗覆翻之銅而僅職絕緣層4，並且 在該絕緣層以雷射光束L1製作透孔’然後在該絕緣層上製作表面 接合電極。 假如使用紀紹石權石(YAG)雷射，銅片可藉由雷射加以移除。 口此在此例中’上述製造開孔71的侧便不需要。於銅膜處理 與樹脂處理之間選擇不同齡能量，以避免對⑽，也就是對該 半導體表面電極从Μ的損害。激態分子雷射可用於處理大區域 以及製程品質重要的案例中。 當厚度60,之環氧樹脂以二氧化碳雷射處理時，該製程能量 每從丨㈣咖。在此等製程中，避免_半導體表面 電極發生她是很重要的。假如使用二氧化碳雷射進行處理，部 200522393 分樹脂會留在内部半導體表面電極21，31的表面。因此，以二氧 化碳雷射進行該絕緣層4之透孔處理之後，將該半導體基材浸入 高錳酸溶液或鉻酸溶液中以氧化並分解該樹脂，以除去殘留的樹 脂。高猛酸_溶液可用以取代高猛酸溶液，而鉻酸钾溶液可用以 取代鉻酸溶液。 以實例說明該使用高猛酸溶液的製程。該藉由上述之透孔製 程製造之絕緣層半導體基材於攝氏80度之MLB2n溶液中浸泡5 分鐘’該溶液由Shipley Company L.L.C·製造，於該膨潤程序之後，_ 為了氧化並分解該樹脂，該半導體基材於攝氏8〇度之MLB213溶 液浸泡5分鐘，該溶液為一包含高錳酸且亦由shipley c〇mpany L.L.C所製造。接著，於水洗後，將該半導體基材浸入ι〇%的硫酸 溶液5分鐘，以中和該殘留物，並進—步水洗。透過這些程序，· 在該半導體表面電極从之殘留樹脂可藉由該高鋪溶液加以· 移除。 如上述’藉由移除該半導體表面電極21，31上位在該透孔μ 麵之殘留概，該轉面電極4 Ή和鑛賴之電連接可 2殘留樹脂之影響’而且透過該等透孔41之顯，可維持半導 =面電極2〗，w和表面接合電極$間之電連接之可靠度。再者， 、、容t針對_留樹脂程賴如前述般藉域賴雜溶液或鉻酸 職財僅紐辭導縣材-該溶液即可 地進仃，且由於能一次處理狼多半導體基材，所以該程序能 22 200522393 以低成本和高速度進行。
圖7顯示-個以雷射形成透孔“之方法。其係藉由塗覆 之銅形成该絕緣層之案例加以說明。為了在表面上具有铜“、· 導電體之絕緣層4上製作該透孔4卜如前述，首先藉由移除= 片而製作開孔Ή ’其巾透孔係藉由使収_案及她刻而: 成。對雷射製程而言，該· 71.附近的銅膜可作為遮❺铜膜遮 罩）’因而雷射絲L2和半導體基制之精確定位變得不需要。* 因此’透孔41可透過將點徑尺寸大於該透孔^尺寸:雷射 光束L2經由該遮罩照射該樹脂而得到良好的位置精確度。例如γ
假如該開孔Ή的直徑是φ·，且精確度為±_牌，則可使用 直徑（D3GGem的f射光束。在紫外線雷射之例中，如譜波域石 權石(YAG)雷射絲態、分子魏，亦可使關罩。此時，可利用銅 膜和樹脂間之處理能量閥值的差異(銅膜的間值高於樹脂），亦即， 該雷射絲L2的能量已姆侧科會損_鮮，*且僅 脂被選擇性地處理。 3 圖8顯示另-個以雷射形成透孔41的方法。不同於上述兩種 方法，此處敘述的方法將運用於沒有銅膜的絕緣層4。利用一個具 有已加大圖案之透孔4丨及其佈触理圖細鮮a來照财 點，其中猶孔41係料縣束u製作。該縣42的影像藉由 聚無、透鏡43絲焦在該絕緣層4的處_上。糊來說，假如該 雷射處理光學系統的影像轉移(t_fer)比率為m㈣—糊〇〇_ 23
I 200522393 開孔的遮罩可被用於_〇_的圓形透孔，而—漏評的方形 開孔可姻於5(%m的方形透孔。2()(^之透孔㈣距離則使用 一厕胸開孔中間距離的遮罩。藉由使用此—具有加大處理圖形 式樣之遮罩42 ’可以批次進行二維處理，並可改善製造效率。 (藉由透孔和表面接合所進行之熱輕射） 以下况明猎由透孔改善熱輻射的成效。圖9顯示填滿的透 孔。當在該透孔41中填滿導電體51，其同時為—個好的熱導體， 而开4¾導體Μ 4，便完錢填充物的透孔結構，並且可以結構 改善該半導體層2, 3，亦即發光部份，的熱輻射情形。以該導電體 填入的動作可藉由_透孔41之㈣絲進行厚飾得。另外， 亦可於該透孔41中填人導轉材。高_綠的肺較適人 填入的材料。舉例來說，銅(細，哪 (細祕)便是此編。料，鞠L 41的柯峨大，敎 輻射的改善愈好。對發光她言，熱細改善導縣負義 抑制達成歡的光線萃取。 、 如另一顯示在圖l〇A Θ ^ 蚀田^ , 及1〇B中之透孔41填入方法所述，可 A材μ1 ’其中軟焊係用以將該元件接合到該接合 24 200522393 容易。 (基材分離程序） 以下說明將該透明晶體基材6與該發光元件丨分離的方法。 圖11A和11B高員示藉由雷射光束的照射進行基材分離程序。當雷 射光束透過騎明晶縣材6照賴辭導體層2的表面時，如 技藝背景所述，在該轉體層2表面之纽物半導體，如氮化錯 層被分解成金屬鍺和氮氣，以及如圖lm所示，使該透明晶體基 材6分離並發光元件丨移除。該可祕基材分離 態分子雷射(峨XeC1，氟化氪聊，氟化氬祕，氟氣^ THG-釔紹石權石陶)雷射（第三諸波雷射），咖姻卻石 =酬第四諧波雷射)’紫外線雷射以及小於枷波長的:短 /田射(鈦.監寶石和其諧波雷射，激態分子f物或其相似者。 假如以藍寶石作為該透明晶體基材卜因為藍寶石對從紅外線 =大、=ΓΓ波長的光線是可穿透的，所叫絲11的雷射光束 :1離藍寶石基材。在將藍寶石用於氮化鍺層上之 域的ΓΓ70件1的溫度，而非在該雷射照射下，該雷射照射區 &_咖之彳__卩可。触表 t 例如從2至丨丨m τ/ 9 田射亂置岔度 m〇m、T/mm2,射_可_針光树描該處理表 25 200522393 ==或同1度的大區域雷料束—次_全部表面的方法 藍寶石基材移除之後，可能發生金屬鍺留在氮化錯表面的情 該鍺為氮化錯分解成金屬鍺和氮氣後之—個成分。這些錯可 藉由酸洗來移除，例如使用氣酸氫溶液。 (發光表面處理） 下面說明幾個用以處理發光元件的表面(發絲面)的方法。圖籲 以和m顯示藉由使用雷射以形成一婦結構。在該分離程序 期間’該翻晶縣材6 II由使”射光束L5而加以移除，一粗 糙結構22同時形成於魏化物轉體層2的表面，耕在面對該 透明晶體基材6的表社。該粗糙結構22係_人射的雷射光束· 和散射/反射的雷射絲之間或多個光束之間的干涉而形成。該粗 糙結構22可改善該光線萃取效率。 —藉由提供周期性處理予該粗縫結構22，該光線萃取效率可進修 —步改善。改善的理由為由於折射率的差異，使限制在該發光元 件内的光束透過姆結構所致繞射現象的作㈣鮮取出。以一 位於亂化物轉體層2表面上具有麵_週雛和画聰深度 AUf 22為例’絲料喊率為兩倍。具有測職週期 、矛750nm /罙度的粗糙結構22有相同的效果。如上述，可利用該 ⑽造結構22有效地從該發光元件】萃取光束到外部，且由於可於 26 200522393 ϊ 該分離程序同時形成該轉結構22 得到效果。 口此错由少數製程步驟即可 圖13顯示另_個藉纟使用雷射 以雷射光束L6進行該透明晶體基材6的分離子。當 該粗糙結構22的雷射光束L7, ^、他專用於形成 在該氮化物丰導俨居〇从* ”田射先束L6 一起被使用以 =4化物料體層2的表面上，卿面對該翻 、面’形成該《I結構22。該雷射光束Μ從垂直方狀的 發光元件1的前面，而該等專用於成 °刚進“亥 L7, L8從斜向前進。假如〜;、&結構22的雷射光束 假如使用多個雷射光束來 束，並使其干涉來形成該粗糙結 一'、田、光 構_ & _ f I 22達成絲面微結 ，而且也_該結構的職性。如上述，藉由提 周期性予該結構，可進―步改善該發光树1的光線萃取效率。 結構==另;^了峨線萃取效率的目輸行之粗链 井总 / 妨法中，將—具有—微粗槪構表面的透明 2兀件8放在該氮化辨_ 2的表面，在咖透明晶體 土材6已被猶。該氮化物半導峨化鍺爾射率為μ，這是 :常南的。另—方面光線被萃取入的大氣之折射率為L0，因而兩 、率為2·5因此’在該條件下，對於從該半導體層2前進到 〇氣中之光線而言，其臨界角㈣㈣_很小，然後該光線易 *全反射而被捕捉’所以光線萃取漏失大。於是，該具有一微粗 構表面的透明光學元件8係以折射率值超過X/3+Y之此等透 27 200522393 r 明材料形成，其令又係 而Y係該域之折_ ^ 間的差， ^# 、叙么者，该粗糙結構有從0.〗到i〇(^m 的表面粗籍度’並具有周期性 ％- 為該翻絲树8 _擔，^ 破璃作 aw, “々 冊"折射率大約Μ，氮化錯的折射率 改呈光線萃取 =折射率為L〇 ’因此可滿足上述的條件’因而可 可2ΪΓ 翻光學树8的折群愈高愈好，因此 了使用監寳石(折射率I·77)。
圖=顯示該半導體表面有關色調轉換(波長_的處理方 ==輸1_轉_2 _嶋伽9，可利 r體9以高效率將該發光元…發出之―^ 個色调。另外，在以樹脂或其相似物密封該發光元件！之例中， 撕咖，更可嶋密封樹脂的劣化。 於以刖述方法移除該透明晶體基 雷射光束細峨則爾_；^嘛絲程序中的
氮化物半導體層2的表面上，係提供在該 或I雜在該半導體層2的内部。闕 機^光體9的種類，在藍色發光氮化解導體部分例如可· =色無輸卿,峨㈣ 外光發光細彻输_1峨，纟f咖色^ :。藉由在該氮化物半導體表面或内部提峨體，可有效胖 樹闕衝，物#_刪峨元件之㈣ 28 200522393 首先藉由麟絲面，例如以雷射絲概表面，將該鱗光 體摻入該氮化物半導體層的表面(或内部區域)，其次以加速的罐光 體粒子照射該軟化表面。用以軟化該表面的雷射條件如⑴針對毫 微微秒(femto-second)雷射：波長·M，脈衝寬度·s，脈衝重 複頻率腦z，處職量密度a._/mm2，靖觀態分子 毫微微秒雷射：波長撕麵，脈衝寬鳩，脈衝重 複頻率3逢，而㈣_度_·1施m2。假如使用毫微米 (_ne㈣尺寸之加速碟光體粒子，則可以高效率轉換色調。 # (另一個絕緣層成形實例） ,、參考圖16說鶴發光元件丨之另—個製造的方法實例。在此. k方法巾制與Μ姑法_之透孔成雜序(A)，而且於在 該表面料體層上形成該絕緣層4後，於舰緣層中形成透孔。 Γ於上述的樹脂或覆有樹脂之銅，於此說明之例中係使用陶竞 夕作為心彖層4的椅料。陶究或石夕晶圓被結合至該等半導體㊣φ 轉縣材解物表面賴Μ1。可使職土料 L ® °其表面間可藉由在乾淨與活化表面條件下加壓而結 關於上述的結合，有韋 散社人數種用於金屬與金屬結合的結合方法(擴 月文、、，口 5、加壓焊合、翻立 ’、 I 3波結合等等），而在絕緣半導人 中，可利用氬離子撞擊钍 豕千Vl 口之例 表面進行清洗，並藉由將兩晶圓之清 29 200522393 潔表面相向疊合，在室溫下加_ 在絕緣層4和轉體基材的結合 4序叫行結合。 該玻璃來結合亦可行。如此_、σ上低炫點破螭，並利用 叮如此衣侍之結合在該半 層4可如上述般進行處理， 4上之絕緣 的該絕緣層4 ”作透孔，、…触制㈣如岐或矽做成 電極。4舰轉由魏軸_觀和表面接合 假如該絕緣層4係由御製 製作。 &錢孔可触驗刻加以 (發光元件之製造實例2) 參考圖17Α姻峨發缸们㈣-师造方法。該 造方法使箱示在圖3C之該透孔成雜序⑻。如圖μ所示 其中具有獅成之與半導縣面電極μ〗對應之透孔^的絕
層4並層合並連結辦導體層2, 3以及該轉體基材的半導體 面電極21，31上。 排龄用之絕緣層4材料可以使用樹脂，塗覆有樹脂之銅，如 恭等陶兗以及石夕。在這些材料所製之該絕緣層中製造透孔41 的方法貫際上與上述相5，可_驗用雷射光束的方法。在石夕 的例子中’透孔41可籍由電漿糊製作而成。在喊的例子中， /陶竟、、、巴、、、彖層4可藉由在綠片（牌如也⑽)中對應透孔4工製作孔洞 亚燒制(firing)該綠片而製得。在樹脂或塗覆有樹脂之銅的例子 30 200522393 申透孔41可藉由打洞或鑽孔而輕易地被開孔，因為這些孔為穿 透孔。 —， 圖17B顯示將該絕緣層4結合至該半_基材上的情況。假 如巴、’彖層4為樹脂，該結合可以上述的R_〇_型環氧樹脂使用 上述方法it行。假如魏_ 4是财切，縣合可以參考圖 ⑽明的方法被進行。該表面接合電極5的職、㈣沉所示 電極間透過在_孔41中之該導電體51所達成的電連接，以及 顯示在圖17D中辭導體基材的分離_由上財法之—來進 (發光元件製造實例3) 在此18A’_發光树1的其崎造方法。 錢方法中’以參考圖7A所述之相同方法使透孔4丨預先成 形於絶緣層4巾，而且在絕緣層4 _ 、 接合電極5和導_51 ^ 先她^41中的表面 驗）和¥私肢5卜另外，與該半導體 的透孔電極52也形成於絕緣層4表面 I ，射應 ^極52係以具電性與可靠打職，叫解魏= 縣面電㈣，31。在財法中，_ 4於結合前 = 怨之接觸透孔10和表面接合電極5。 /、有取、、、狀 =由使狀—具有_透孔1Q和麵接 4，如圖18B所示，發光元 之'、、巴緣層 π由將娜料4和 200522393 結合在-起而形成。該結合可藉由使用… 1用=18C_ ’ΓΓ除該透明晶體基材之發光元^^丁藉^ 明完整地敘述之但已:由舉例物^ 此技藝之人士岐麵㈣；:。 變化態飾對熟習 【圖式簡單說明】 =係根據本發明之—實施例，顯示—發光元件的部分剖面之透 圖2係顯社紐紅叙; 的根據本發明之實施例，顯示一發光元件之製造 為上輕紗雜_轉顯示之雜財之發光元件 圖5Α-5Ε係上述圖4Α-4Ε之透視圖； 圖6係上賴造方法中透孔顧彡程序的剖面圖； =:示上述ί造方法中另一例透孔成形程序的剖面圖； 示上述製造方法中又—例透孔成形程序的剖面圖； 圖9域示本發明發光元件之另—實例的剖關； 和細林㈣讀技狀接合程相 ΠΒ係顯示上述製造方法中基材分離程序的剖二 =圖场⑽侧社·造方法巾其他基材分離辦實例的剖 ^ ;13係顯示上述製造方法中更進—步基材分離程序實例的剖面 32 200522393 5的在抖¥體層之表面具有—_結構之本發明發光元 圖15係顯示在該半導體層之表面具有碟光 剖面圖； 體 之本發明發光元件的 圖16係顯示用於本發明之發光元件 造方法之其它實例的剖面 圖HA-lTD係顯示用於本發曰月之發光元件制 剖面圖； 衣W方法之其它實例的 圖18A ’ 18B和18c顯示用於本發曰月之發 步實例的剖面_ ; 尤疋件製造方法之進一 圖19A-19F_示傳統雷射二極體陣列之製程的气面圖 圖， 製
【主要元件符號說明】 1 發光元件 2, 3 半導體層 4 絕緣層 5 表面接合電極 6 透明晶體基材 7 導電體層 8 ·· 透明光學元件 9 ： 磷光體 10 ·· 接觸透孔 20 •非沉積區域 21，31 :半導體表面電極
22 •粗趟結構 33 200522393 41 :透孔(VIA) 51 :導電體 52 :透孔電極 71 :開孔

Claims (1)

  1. 200522393 十、申凊專利範園： 1 一種藉由沉積P型和N型氮化 包括： 層而形成的發光元件， 複數個半導體表面電極，用以將電产 、;_，用、等半導體層二：母-.導體層； 後數個表面接合電極，提供於 該絕緣層上製有該等半導體表面電極之另4二该表面係為 其中該等半導體声 表面的反面，· 域； 之―有—枝料它半物奴非沉積區 在該絕緣㈣作接觸透孔，使峨_^^面上面 極以及該等表面接合電極；並且 科¥體表面電 該等半導體表面電極，該絕闕，以七轉 〃 此順序建立在該等沉積半導體層之—側。、。电極係以 2.如申請專·撕狀發光 脂、陶莞或石夕其中之-所製。 ”中“緣層是由樹 7申請專利範，項所述之發光树，其中該透孔係 填充。 《如申請專利範圍第！項所述之發光元件，其中在該半導體層之表 面或内部提供磷光體(phosphor)。 < 5·—種發光元件之製造方法，包括： -種基材成形程序，其係藉由在-具有部份非沉積部分的透明 35 * I 200522393 晶體基材上_ p撕N魏 上提供半導體表面電極以施^ ά 亚在该科導體層 田⑽叫加電流到每一半導體層 導體基材，其中每一電極表面係曝露在—方向上；- j孔成形程序’其係於提供有該等半導體表面電極之半導體基 义面上形成-絕緣層’藉由部份移除該等半導體表面電極上方 的該絕輸製得透孔用孔洞，提賴 =出之半導編電吻_卿纖== 等半導體声面上製作經由該透孔電連接到該 專丰¥體表面笔極之表面接合電極；以及 基材分離㈣，麵_透孔細彡 與該等半導體層加以分離。 還月曰曰體基材 6. 如申請__ 5項所述之發光元件製造方 是由樹脂，陶竟或石夕其中之—㈣。 中I、巴、，彖層 7. 如申請專利嶋5項所述之^爾造方法 成形程序中所形成之該絕 在"透孔 料所形成。 。由i復有树月曰之銅的絕緣材 8. 如申請專利範圍第7項所述 成形程序中位於該等 先:件抑方法’其中在該透孔 先移除位電極上之該樹脂之部份移除係 餘_1^^樹脂之銅的預定樹脂上的峨，接著利用剩 餘的銅泊作為遮罩以進行樹脂移除程序。 9. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件製造方法，其中該透孔成 36 200522393 形程序中位於該等半導體表面 系藉 由將該絕緣層曝露於雷射光束或電裝下而亥之部份移除倍 進行。 0β·材之分_藉由_雷射光束而 η·如申請專利l_1G項所述之發光元㈣造村 束使該透啦體基触轉铸體層分 等半導體層分離的表面上形成-祕結構。於該 12. 如^專利範圍第Η項所述之發光元件製造方法，其中 表面上之該粗趟結構係藉由將用以形 構之 雷射先束以及用以分離該透明晶 。構之 該等半導體編加M。 起照射在 13. —種發光元件之製造方法，包括·· 一基材成形程序’其储由在—具有部鱗沉積部分的透明曰 ==?細嫩晴跡蝴等半導體層: 體基材，其巾每—電極表面鱗露在—方向上； 透孔成形料，其雜-絕簡，其具核轉铸 自_合讀峨料導體二 之翁表面上，提供導魏財半導縣岭 以及透孔祕洞之_上形絲_孔，並且在魏緣層表面上 37 200522393 面接合電 製作經由該透孔電連接_等轉體表面電 極；以及 、表 體基材 基材分離程序’其缺該透孔成形料之後將該透明 契遺4半導體層加以分離。 14. 如懈侧第13項所述之發光權造方法，其中該絕緣 層是由樹脂，陶瓷或矽其中之一所製。 Λ e、 15. 如申請專利範圍第13項所述之發光元件製造方法，其中該等位
    於該絶緣層之孔洞係藉由將絕緣層曝露在雷射光束或電 形成。 16.如申請專利範圍第1S項所述之發光元件製造方法，其中在該基 材刀離私序巾係藉由使时射光束而進行該翻晶體基材之分 17.如申請專利範圍帛16項所述之發光元件製造方法，其中在使用 雷射光束使該透明晶體基材與該等半導體層分離的同時，於該 等半導體層誘發分離的表面上形成一粗糙結構。 18·如申清專利範圍第17項所述之發光元件製造方法，其中在該等 半導體層表面上之該粗鏠結構係藉由將用以形成該粗糙結構之雷 射光束以及用以分離該透明晶體基材之雷射光束一起照射在該等 半導體層表面上而形成。 38
TW093128760A 2003-09-24 2004-09-22 Light-emitting device and its manufacturing method TWI246783B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003331060 2003-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200522393A true TW200522393A (en) 2005-07-01
TWI246783B TWI246783B (en) 2006-01-01

Family

ID=34373033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093128760A TWI246783B (en) 2003-09-24 2004-09-22 Light-emitting device and its manufacturing method

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7956377B2 (zh)
EP (1) EP1665400B1 (zh)
JP (1) JP4440928B2 (zh)
KR (1) KR100728693B1 (zh)
CN (1) CN100446280C (zh)
AT (1) ATE430993T1 (zh)
DE (1) DE602004021008D1 (zh)
TW (1) TWI246783B (zh)
WO (1) WO2005029599A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8461601B2 (en) 2007-06-29 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic devices, and optoelectronic device

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) * 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
TWI246783B (en) * 2003-09-24 2006-01-01 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and its manufacturing method
JP2006313829A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Konica Minolta Opto Inc 白色発光ダイオード及びその製造方法
JP4766966B2 (ja) * 2005-09-07 2011-09-07 京セラ株式会社 発光素子
US7956372B2 (en) * 2005-09-20 2011-06-07 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device
TWI294674B (en) * 2005-12-06 2008-03-11 Subtron Technology Co Ltd High thermal conducting circuit substrate and manufacturing process thereof
US7955531B1 (en) 2006-04-26 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Patterned light extraction sheet and method of making same
US7521727B2 (en) 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
KR100856326B1 (ko) * 2006-07-19 2008-09-03 삼성전기주식회사 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판
DE102007006640A1 (de) * 2007-02-06 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen einer Struktur auf ein Halbleiterbauelement
KR100853960B1 (ko) * 2007-04-12 2008-08-25 주식회사 이츠웰 대전류 표면실장형 발광다이오드 램프
KR20090072980A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US20090322800A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Dolby Laboratories Licensing Corporation Method and apparatus in various embodiments for hdr implementation in display devices
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP4686625B2 (ja) 2009-08-03 2011-05-25 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP2011071272A (ja) 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP5349260B2 (ja) * 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
EP2526572B1 (en) * 2010-01-19 2019-08-14 LG Innotek Co., Ltd. Package and manufacturing method of the same
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
EP2583312A2 (en) 2010-06-18 2013-04-24 Sionyx, Inc. High speed photosensitive devices and associated methods
KR101725220B1 (ko) * 2010-12-22 2017-04-10 삼성전자 주식회사 형광체 도포 방법 및 형광체 도포 장치
KR101762173B1 (ko) * 2011-01-13 2017-08-04 삼성전자 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
JP2012175069A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
JP5535114B2 (ja) * 2011-03-25 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
KR101289186B1 (ko) * 2011-04-15 2013-07-26 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20140077246A1 (en) * 2011-06-01 2014-03-20 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device bonded to a support substrate
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
EP2732402A2 (en) 2011-07-13 2014-05-21 Sionyx, Inc. Biometric imaging devices and associated methods
WO2013021305A1 (en) * 2011-08-10 2013-02-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wafer level processing of leds using carrier wafer
JP6100778B2 (ja) * 2011-08-16 2017-03-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． スロット内に形成される反射壁部を備えるｌｅｄ混合チャンバ
WO2013050898A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically insulating bond for mounting a light emitting device
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
US20130309792A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-21 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US10439107B2 (en) * 2013-02-05 2019-10-08 Cree, Inc. Chip with integrated phosphor
US9318674B2 (en) 2013-02-05 2016-04-19 Cree, Inc. Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
US9209345B2 (en) 2013-06-29 2015-12-08 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
JP5827700B2 (ja) * 2014-01-10 2015-12-02 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光装置
WO2015119858A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
KR102199991B1 (ko) 2014-05-28 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP6329027B2 (ja) * 2014-08-04 2018-05-23 ミネベアミツミ株式会社 フレキシブルプリント基板
JP6413460B2 (ja) * 2014-08-08 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7071118B2 (ja) * 2014-08-19 2022-05-18 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイレベルのレーザリフトオフ中の機械的損傷を減少させるサファイアコレクタ
JP2016111058A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子
JP6609917B2 (ja) * 2014-12-02 2019-11-27 ウシオ電機株式会社 蛍光光源用発光素子の製造方法
CN107924865B (zh) * 2015-05-13 2022-03-11 亮锐控股有限公司 用于减少在管芯水平激光剥离期间机械损伤的蓝宝石收集器
JP6034456B2 (ja) * 2015-07-16 2016-11-30 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光装置
JP6072192B2 (ja) * 2015-10-22 2017-02-01 株式会社東芝 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法
JP7253489B2 (ja) 2016-10-24 2023-04-06 インブイティ・インコーポレイテッド 照明要素
JP7430990B2 (ja) 2019-06-26 2024-02-14 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法
JP7523932B2 (ja) * 2020-03-30 2024-07-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5693963A (en) * 1994-09-19 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device with nitride
EP1959506A2 (en) * 1997-01-31 2008-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
EP0924966A1 (en) * 1997-06-30 1999-06-23 Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production
JP3592553B2 (ja) * 1998-10-15 2004-11-24 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体装置
JP2000196197A (ja) * 1998-12-30 2000-07-14 Xerox Corp 成長基板が除去された窒化物レ―ザダイオ―ドの構造及び窒化物レ―ザダイオ―ドアレイ構造の製造方法
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
JP4362905B2 (ja) * 1999-09-21 2009-11-11 富士ゼロックス株式会社 自己走査型発光装置、書き込み用光源および光プリンタ
CN1203596C (zh) * 2000-02-16 2005-05-25 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体激光元件
US6878973B2 (en) * 2001-08-23 2005-04-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Reduction of contamination of light emitting devices
KR20050044518A (ko) * 2001-11-19 2005-05-12 산요덴키가부시키가이샤 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP4055405B2 (ja) * 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
TW554553B (en) * 2002-08-09 2003-09-21 United Epitaxy Co Ltd Sub-mount for high power light emitting diode
TWI246783B (en) * 2003-09-24 2006-01-01 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and its manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8461601B2 (en) 2007-06-29 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic devices, and optoelectronic device

Also Published As

Publication number Publication date
ATE430993T1 (de) 2009-05-15
JP4440928B2 (ja) 2010-03-24
US20060231853A1 (en) 2006-10-19
DE602004021008D1 (de) 2009-06-18
EP1665400A2 (en) 2006-06-07
US7923270B2 (en) 2011-04-12
US7956377B2 (en) 2011-06-07
JP2007503718A (ja) 2007-02-22
WO2005029599A2 (en) 2005-03-31
KR100728693B1 (ko) 2007-06-14
CN1830097A (zh) 2006-09-06
US20090186431A1 (en) 2009-07-23
KR20060032208A (ko) 2006-04-14
CN100446280C (zh) 2008-12-24
EP1665400B1 (en) 2009-05-06
WO2005029599A3 (en) 2005-11-17
TWI246783B (en) 2006-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200522393A (en) Light-emitting device and its manufacturing method
CN104170095B (zh) 用于制造具有镀敷触点的光伏电池的方法
TW201108430A (en) Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
JPH04504033A (ja) 点接続型太陽電池素子およびその製造方法
JPWO2003044872A1 (ja) 化合物半導体発光素子
JP2008503900A (ja) 改良光出力を提供する縦型半導体装置
TW200428680A (en) Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
JP2008518436A (ja) ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法
CN101295758A (zh) 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
JP2015513784A (ja) 選択エミッタを有する太陽電池形成方法
CN104241511B (zh) 一种高亮度倒装紫外led芯片制备方法
CN106206423A (zh) 芯片封装侧壁植球工艺
TW201029059A (en) Tin/silver bonding structure and its method
JPWO2007060837A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012142385A (ja) 半導体デバイスの製造方法
TWI292962B (en) Package structure for a solid-state lighting device and method of fabricating the same
KR102214451B1 (ko) 펄스레이저를 이용한 태양 전지 셀의 국부 후면 전계 영역 형성 방법과 이에 따라 형성된 후면 전계 영역을 포함하는 태양 전지 셀
TWI257716B (en) Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and negative electrode thereof
CN103840073B (zh) 倒装发光二极管器件及其制造方法
CN110098300A (zh) 倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法
JP6788874B2 (ja) 太陽電池セル及びその製造方法
JP2012138452A (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子
TW201126740A (en) Thin-film solar battery manufacturing method and thin-film solar battery manufacturing apparatus
JP2001094131A (ja) 集積型光起電力装置の製造方法
JP4162373B2 (ja) 光起電力装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees