KR100853960B1 - 대전류 표면실장형 발광다이오드 램프 - Google Patents

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KR100853960B1
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정천기
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조영식
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Abstract

본 발명은 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분리된 상부 금속층; 상기 상부 금속층의 하부에 위치하는 절연체층; 상기 절연체층의 하부에 위치하는 하부 금속층; 및 상기 상부 금속층의 제 1 영역의 표면에 실장되고 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩을 포함하는 표면 실장형 발광다이오드 램프에 관한 것으로, 대전력을 사용하는 광 에너지원으로 유용하게 사용될 수 있다.
인쇄회로기판, 다이싱, 발광다이오드, 열방출

Description

대전류 표면실장형 발광다이오드 램프 {Very High Current SMD LED Lamp}
도 1은 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프에 사용되는 인쇄회로기판의 구조를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 열방출 통로가 형성된 표면실장형 발광다이오드 램프의 구조를 나타내는 단면도.
도 3(a)은 본 발명의 열방출 통로가 형성된 표면실장형 발광다이오드 램프의 열방출 통로의 단면도.
도 3(b)는 본 발명의 열방출 통로가 형성된 표면실장형 발광다이오드 램프의 열방출 통로의 사시도.
도 4는 광추출부가 형성된 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 계합부가 형성된 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프의 구조를 나타내는 단면도.
도 6은 광가이드가 형성된 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프의 구조를 나타내는 단면도.
도 7은 반사 구조가 형성된 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프의 구조를 나타내는 단면도.
11 상부 금속층 12 상부 금속층의 제 1 영역
13 상부 금속층의 제 2 영역 14 전기 절연부
15 하부 금속층 16 절연체층
21 열방출 통로 22 전극 리드
23 발광다이오드 칩 24 전극 와이어
31 솔더링 사다리 31a 솔더링 사다리 단면
41 광추출부 51 계합부
61 광가이드 71 반사 구조
본 발명은 표면실장형 발광 다이오드 램프, 구체적으로는 회로 기판에 직접 다이오드 칩을 실장하고 열 방출 통로를 확보하여 향상된 열방출 특성을 갖는 표면 실장형 발광 다이오드 램프에 관한 것이다.
종래의 LED (Light Emitting Diode) 램프는 LED 칩을 리드프레임에 실장하여 패키징하고, 이를 다시 회로기판에 재실장하여 시스템에 응용하거나 모듈형태의 부품으로 이용하여 왔다. 이와 같은 종래의 리드프레임의 구조는 열방출 효율이 떨어지는 문제점이 있었으며, 이러한 문제점을 극복하기 위하여 개발된 열방출 관통로를 갖는 세라믹 구조, 금속 슬러그 또는 알루미나이트라이드(AIN) 세라믹 기판을 포함하는 리드프레임을 이용한 LED 램프의 경우에는 열방출 성능은 어느 정도 향상되었으나 생산 비용이 높고 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
또한, 종래의 표면실장형 발광 다이오드 램프는 인쇄 회로 기판에 리드선을 형성하고 발광 다이오드 칩을 실장한 후 몰딩하여 제조하였는데, 이러한 경우 광의 이용 효울이 떨어지고, 회로 기판의 열전도도가 낮아서 다이오드 칩에서 발생하는 열이 충분히 방출되지 않는 문제점이 있었다.
특히, 종래의 발광 다이오드 소자는 주로 표시용으로 사용하여 왔으나, 최근 점차 발광 다이오드 소자를 광 에너지원으로 사용하게 됨에 따라 대전류 발광 다이오드 소자의 개발의 필요성이 대두하였으며 이러한 경우 열 방출 성능을 극대화가 더욱 필요로 하게 되었다.
이에 본 발명자들은 회로 기판에 직접 다이오드 칩을 실장하고 열방출 통로를 확보하여 열방출의 최단 경로를 갖는 구조를 형성함으로써 열방출 특성 및 광 이용 효율이 향상되고 생산 공정이 단순화되어 생산 비용이 낮은 표면 실장형 발광 다이오드 램프에 관한 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 회로 기판에 발광 다이오드 칩을 직접 실장한 표면실장형 발광 다이오드 램프를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 회로 기판에 발광 다이오드 칩을 직접 실장하고 열방출 통로를 형성하여 방출 특성이 향상된 표면실장형 발광 다이오드 램프를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 회로 기판에 발광 다이오드 칩을 직접 실장하고 열방출 통로의 계면에 솔더 상승 구조를 형성하여 열방출 특성을 현저히 향상시킨 표면실장형 발광 다이오드 램프를 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 다른 목적은 회로 기판에 발광 다이오드 칩을 직접 실장하고 상부에 몰딩 부재를 형성하여 광의 이용 효율을 향상시킨 표면실장형 발광 다이오드 램프를 제공하는 것이다.
상기 목적에 따라 본 발명은 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분리된 상부 금속층; 상기 상부 금속층의 하부에 위치하는 절연체층; 상기 절연체층의 하부에 위치하는 하부 금속층; 및 상기 상부 금속층의 제 1 영역의 표면에 실장되고 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩을 포함하는 표면 실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
또한, 본 발명은 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분리된 상부 금속층; 상기 상부 금속층의 하부에 위치하는 절연체층; 상기 절연체층의 하부에 위치하는 하부 금속층; 상기 절연체층을 수직으로 관통하며 상기 상부 금속층과 상기 하부 금속층을 전기적으로 연결하는 하나 이상의 전극 리드; 및 상기 상부 금속층의 제 1 영역의 표면에 실장되고 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩을 포함하는 표면 실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
본 발명은 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역이 전기 절연부를 통 하여 분리된 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공하며, 상기 전기 절연부가 전기 광반사 절연물질인 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
상기 다른 목적에 따라, 본 발명은 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분리된 상부 금속층; 상기 상부 금속층의 하부에 위치하는 절연체층; 상기 절연체층의 하부에 위치하는 하부 금속층; 상기 절연체층을 수직으로 관통하며 상기 상부 금속층과 상기 하부 금속층을 전기적으로 연결하는 전극 리드; 및 상기 상부 금속층의 제 1 영역의 표면에 실장되고 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩을 포함하며, 상기 절연체층 및 상기 하부 금속층의 전부 또는 일부가 제거되어 하나 이상의 열방출 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
본 발명에서 상기 열방출 통로는 단면이 직사각형 또는 사다리꼴형으로 구성될 수 있으며, 상기 열방출 통로는 다이싱 공법 또는 식각법에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
상기 또 다른 목적에 따라, 본 발명은 상기 열방출 통로의 측면에 하나 이상의 솔더링 사다리를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
본 발명의 상기 솔더링 사다리는 상기 상부 및 하부 금속층 및 절연체층에 하나 이상의 관통공을 형성하고 상기 관통공에 금속 도금 또는 솔더링 엘리베이팅 재료를 충진함으로써 형성되는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
상기 추가의 다른 목적에 따라. 본 발명은 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 광 추출부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
본 발명은 상기 광추출부가 상기 발광다이오드 칩에 결합되는 몰딩 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프 및 상기 광추출부에 확산제, 형광제 또는 색소를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
본 발명에서 상기 상부 금속층 및 절연체층에 계합부를 추가로 포함하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 광추출부와 인접하여 광가이드가 형성된 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다. 상기 광가이드가 백색 안료 또는 금속 분말을 포함하는 수지로 이루어질 수 있으며, 상기 광가이드의 내부벽이 45°내지 90°의 경사면으로 상기 광추출부와 인접하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프를 제공한다.
이하, 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 회로기판 상에 직접 발광 다이오드 칩을 실장하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서는 통상의 인쇄회로기판을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 상부 및 하부의 금속층이 절연체층에 의하여 분리되어 있는 인쇄회로기판을 사용한다. 도 1은 발광다이오드 칩을 실장하여 발광 다이오드 패키지로 기능할 수 있도록 변형된 인쇄회로기판을 모식적으로 나타낸다.
인쇄회로기판의 상부 금속층 (11)은 제 1 영역(12)과 제 2 영역(13)을 포함하며, 제 1 영역(12)과 제 2 영역(13)은 전기 절연부(14)에 의하여 분리된다. 인쇄회로기판의 상부 금속층이 제 1 영역과 제 2 영역으로 분리됨으로써, 발광다이오드 칩이 실장될 때 상부 금속층이 p, n 전극 리드로서 작용한다. 이 때, 상부 금속층의 제 1 영역과 제 2 영역을 분리하는 전기 절연부(14)는 레이져, 펀칭 또는 에칭 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상부 금속층의 전극 리드는 절연체층을 내부에 형성되는 수직 전극 리드 (17)에 의하여 하부 금속층으로 연결된다. 수직 전극 리드(17)는 절연체층을 관통하는 관통구(through hole) 또는 라우터(router)에 의하여 형성될 수 있다.
상부 금속층 (11)의 제 1 영역과 제 2 영역(12)를 분리하는 전기 절연부(14)는 전기 절연체로 충진될 수 있으며, 상기 전기 절연체는 광반사 절연물질인 것이 바람직하다. 광반사 절연물질은 제 1 영역과 제 2 영역을 절연시킬 뿐만 아니라 발광다이오드로부터 방출되는 광을 전면으로 반사시키는 기능도 수행하기 때문에 광 이용 효율을 증가시키는 본원발명의 목적을 달성하기에 바람직하다. 상기 광반사 절연물질로는 백색 레지스트(white resist)가 바람직하다.
본 발명의 상부 (11) 및 하부 (15) 금속층은 통상적으로 인쇄회로기판에 사용되는 금속(구리, 알루미늄 등)으로 구성될 수 있으며, 바람직하게는 구리(Cu)가 사용될 수 있다. 상부 금속층 (11)의 두께는 10㎛ 이상, 바람직하게는 100 ㎛ 이상800 ㎛이하로 구성되며 , 하부 금속층 (15)의 두께는 상부 금속층보다 얇은 것이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 또한 하부 금속층(15)은 두 영역으로 분리되 어 상부 금속층(11)에 전기적으로 연결된 전극으로 작용할 수 있다.
본 발명의 절연체층 (16)은 상부 금속층 및 하부 금속층 사이에 위치하여 상부 금속층과 하부 금속층을 절연시킨다. 절연체층은 FR-1, FR-4, 수지류 등으로 형성되며, 바람직하게는 FR-4 또는 BT 레진 (bismaleimidetraizine resin)으로 구성된다. 절연체층의 두께는 400 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
상기와 같이 마련된 기판의 상부 금속층(11)의 제 1 영역(12)에 발광다이오드 칩(23)을 실장한다. 발광 다이오드 칩의 두 전극은 와이어(24) 본딩을 통하여 제 1 영역(12)과 제 2 영역(13)에 전기적으로 연결된다. 이 때, 칩이 실장된 제 1영역의 금속층과 와이어 본딩된 제 2 영역의 금속층은 서로 반대되는 극성의 전극으로 구성된다.
도 2는 열방출 통로가 형성된 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프의 구조를 나타낸다. 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프는 상기 절연체층(16) 및 상기 하부 금속층(15)의 전부 또는 일부가 제거되어 하나 이상의 열방출 통로를 형성하는 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 절연체층(16)과 하부 금속층(15)의 동일한 부분이 제거되어 제거된 부분에서 상부 금속층(11)의 하부면이 노출된다. 절연체층과 하부 금속층이 제거된 공간이 열방출 통로(21)를 형성하고 상부 금속층(11)에서 발생된 열이 이 열방출 통로를 통하여 효과적으로 제거될 수 있다. 본 발명의 열방출 통로는 다이싱 공법 또는 식각 공법에 의하여 직선 또는 방사 구조의 도랑 형태로 제거되어 직사각형 또는 사다리꼴의 단면으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 열방출 통로는 하나 이상 수 십개까지 열방출 효율 및 발광다 이오드 램프의 물리적 특성을 고려하여 설치할 수 있다.
나아가, 본 발명의 열방출 통로(21)는 솔더링 리플로우(Soldering Reflow)시에 솔더링 물질로 충진되어 더욱 향상된 열방출 효과를 나타낼 수 있다. 솔더링 물질은 리플로우시에 모세관 현상을 통하여 열방출 통로로 상승되어 충진될 수 있다. 솔더링 물질은 납 등을 포함하며 열전도도가 커서 상부 금속층에서 발생된 열을 방출하는데 더욱 효과적이다.
도 3(a)는 열방출 통로에 솔더 상승구조를 추가로 포함하는 본 발명의 실시예를 나타내는 것으로, 도 2의 A-A' 방향의 단면을 나타낸다. 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프는 솔더링 작용의 효율을 향상시키기 위하여 열방출 통로(21)의 측면(절연체층 및 하부 금속층이 제거된 계면)에 하나 이상의 솔더링 상승 구조, 즉 솔더링 사다리(31)를 포함할 수 있다. 솔더링 사다리(31)는 절연체층(16)에 형성되어 솔더링 물질과 절연체층(16)의 친화력을 향상시킴으로써 솔더 물질이 열방출 통로(21)를 타고 올라가는 모세관 현상을 촉진시켜 효과적으로 솔더링 작용이 일어날 수 있도록 한다. 솔더링 사다리는 솔더 물질과 친화력이 좋은 금속으로 도금하거나 솔더링 엘리베이팅 물질로 충진되는 것을 특징으로 한다. 솔더링 엘리베이팅 물질로는 예를 들어, 은(Ag) 페이스트 또는 은을 포함한 금속과 에폭시 수지 혼합물 등이 사용될 수 있다.
솔더링 사다리는 열방출 통로를 형성하기 전에 하나 이상의 관통공을 형성하고 그 내부를 금속으로 도금하거나 솔더링 엘리베이팅 물질로 충진함으로써 형성할 수 있다. 관통공은 상부 금속층(11) 절연체층(16) 및/또는 하부 금속층(15)을 관 통한다. 열방출 통로를 형성하는 위치는 관통공의 일부가 열방출 통로의 측면에 위치하도록 결정되어야 한다. 즉, 다이싱 등의 공법으로 제거된 졀연체층(16)의 측면에 하나 이상의 절단된 관통공이 상부 금속층(11)과 하부 금속층(15)을 연결하게 된다. 도 3(b)는 도 2의 B-B' 방향의 단면을 기준으로 한 사시도이다. 절연체층이 제거되면서 솔더링 사다리(31)의 일부가 함께 제거되어 열방출 통로(21)의 계면에 솔더링 사다리의 단면(31a)이 노출된다.
도 4는 발광다이오드 칩을 덮는 광추출부를 추가로 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다. 상기 광추출부(41)는 발광다이오드 칩의 상부 영역에 몰딩으로 형성되며, 200 ~ 1000 ㎛의 두께를 갖는다. 광추출부는 굴절율이 1.4 내지 2.5의 범위의 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 재료를 사용하며, 특히, 몰딩 부재는 광이 발광 다이오드 칩에 재흡수되는 것을 막기 위하여 발광 다이오드 칩에 비하여 굴절율이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 몰딩 부재는 발광 다이오드 칩이 방출하는 광의 파장을 변환하거나 광을 확산하기 위한 각종 첨가물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광의 파장을 변환하기 위하여 형광제, 광의 확산을 위하여 확산제, 또는 색소를 포함할 수 있다.
도 5는 광추출부 형성시에 몰딩 부재와 발광 다이오드 칩 간의 박리 현상을 방지하기 위하여 상부 금속층(11) 및 절연체층(17)에 계합부(51)가 설치된 본 발명의 한 실시예를 나타낸다. 계합부(51)는 상부 금속층(11)에서 절연체층(17)쪽으로 수직방향으로 상부 금속층과 절연체층의 일부분을 제거함으로써 형성되는데, 몰딩 부재 형성시에 계합부로 몰딩 부재가 유입되어 경화됨으로써 몰딩 부재와 회로기판 사이에 박리의 생성을 억제할 수 있다. 계합부(51)는 원기둥, 사각 기둥 또는 하부가 상부보다 긴 사다리꼴 기둥 형상으로 형성될 수 있다.
도 6은 광추출부와 인접하영 형성되는 광가이드(61)를 추가로 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다. 광가이드는 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광을 칩의 위쪽을 향하여 방출되도록 유도하는 역할을 한다. 광가이드는 백색 레지스트(white resist)와 같은 반사율이 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 추가적으로 백색 안료나 광 반사성이 우수한 금속 입자가 분산되어 있는 물질로 형성할 수도 있다. 광가이드는 몰딩 또는 테이핑(테이프를 접착하는 방법)에 의하여 형성할 수 있다. 또한, 광가이드는 광추출부에 대하여 소정의 경사도를 갖도록 형성될 수 있다. 바람직하게는 광가이드의 내부벽은 광추출부에 대하여 45°에서 90°사이의 경사면을 가진다.
또한, 도 7은 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프에서 발광다이오드 칩으로부터 추출되는 광의 효율을 높이기 위하여 반사구조를 설치한 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다. 반사 구조(71)는 상부 금속층의 제 1 영역의 발광다이오드 칩이 실장되는 부분을 오목하게 제거하여 형성할 수 있다. 오목구조는 습식식각, 바람직하게는 하프에칭 방식으로 형성될 수 있다. 반사 구조의 형상은 복수의 곡률반경을 가지도록 형성하여, 하향하는 광과 측면으로 향하는 광이 상부 지향 특성을 갖도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 발광다이오드 칩에서 방출된 광의 재흡수가 일어나지 않도록 크기, 형상 등을 최적화하여 설계하는 것이 바람직하다. 나아가, 상기 반사 구조는 반사율이 좋은 금속재료, 바람직하게는 은으로 코팅하여 형성할 수 있다. 이와 같은 반사 구조를 도입함으로써 발광다이오드 칩의 측면 또는 하방으로부터 나오는 광이 전면으로 방출되도록 하여 광 이용 효율을 극대화할 수 있다.
상기에서 여러 가지 실시예 및 도면을 통하여 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 이는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하기 위한 것은 아니다. 본 발명의 권리범위는 하기 청구항들에 의하여 결정된다.
본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프는 구조가 간단하면서도 효과적으로 열을 방출하는 구조를 가짐으로써, 생산 공정이 단순할 뿐만 아니라 소형 및 박형의 형상을 유지하면서도 발생 되는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 따라서, 대전류를 사용하는 광 에너지원으로 사용하기에 적합하다. 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 램프는 조명기구 등에 효과적으로 사용될 수 있다.

Claims (13)

  1. 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분리된 상부 금속층;
    상기 상부 금속층의 하부에 위치하는 절연체층;
    상기 절연체층의 하부에 위치하는 하부 금속층;
    상기 상부 금속층의 제 1 영역의 표면에 실장되고 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩;및
    상기 절연체층의 일부분 또는 전부가 제거되고, 상기 제거된 절연체층과 수직방향으로 동일한 위치에 있는 상기 하부 금속층이 일부분 또는 전부 제거되어 상부 금속층의 바닥면이 일부 또는 전부 노출되도록 하여 형성된 하나 이상의 열방출 통로를 포함하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  2. 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분리된 상부 금속층;
    상기 상부 금속층의 하부에 위치하는 절연체층;
    상기 절연체층의 하부에 위치하는 하부 금속층;
    상기 절연체층을 수직으로 관통하며 상기 상부 금속층과 상기 하부 금속층을 전기적으로 연결하는 하나 이상의 전극 리드;
    상기 상부 금속층의 제 1 영역의 표면에 실장되고 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역에 각각 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩;및
    상기 절연체층의 일부분 또는 전부가 제거되고, 상기 제거된 절연체층과 수직방향으로 동일한 위치에 있는 상기 하부 금속층이 일부분 또는 전부 제거되어 상부 금속층의 바닥면이 일부 또는 전부 노출되도록 하여 형성된 하나 이상의 열방출 통로를 포함하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 상부 금속층의 제 1 영역 및 제 2 영역이 전기 절연부를 통하여 분리되는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 전기 절연부에 광반사 절연물질인 전기 절연체가 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  5. 삭제
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열방출 통로의 단면이 직사각형 또는 사다리꼴형인 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열방출 통로가 다이싱 공법 또는 식각법에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열방출 통로의 측면에 하나 이상의 솔더링 사다리를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 솔더링 사다리가 상기 상부 금속층, 절연체층 및 하부 금속층에 하나 이상의 관통공을 형성하고 상기 관통공에 금속 도금 또는 솔더링 엘리베이팅 물질을 충진함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다 이오드 램프.
  10. 제 2항에 있어서, 상기 상부 금속층의 일부분을 제거하고, 상기 상부 금속층에서 절연체층쪽으로 수직방향으로 제거된 상부 금속층에 대응되는 절연체층을 일정 깊이까지 제거하여 형성된 계합부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 램프.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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