TW200428469A - Plasma processing apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents

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200428469 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 *月係ΙΓ於-種裝置’其用以將處理氣體電漿化而碰 到^理物，亦即工件，以進行洗淨、成膜、姓刻、一面 改$等的表面處理，特別係關於—種所謂的遠距式電聚處 理裝置，其用以在電漿化空間外配置工件。 【先前技術】 包水處理#置大致可區分為以下二種：所謂的直接式， :將工件配置於電極間的電漿化空間内；及所謂的遠距 式’其將工件配置於外部。 呈：距式，理裝置方面，例如特許文獻一所揭示者係 2▲對屯極’其呈垂直平板狀而左右相對。一電極係連 接呵頻電源而形成電壓施加電極， 包位另電極則接地而形成 i 。在該等電極下側係設有陶瓷製下部座。該座下 面與工件相對。 ，由：述電源之電場施加’使電極間的空間形成電漿化 :: 匕處理氣體可導入該空間而電裝化。將已電衆化的處 將;^下方吹出，並碰到卫件。如此，可進行工件的電 漿表面處理。 ^ 上述之裝置中，必須從工件將電極進而電漿化空間至少 隔開陶瓷製下部座的厚度量。 的去活化比例會擴大：二面Γ 氣體到達工件前 例曰擴大使表面處理的效率不佳。尤Α 大致常壓下（大氣壓附近的虔力 '、 合争Α彼丄 7土力下）進仃處理時，去活化比例 …擴大，並使效率更惡化。另—方面，下部座過薄時， 93030.doc 200428469 件，會落到工件，而易於招致 電場，可能會-使工件受到影響。掉洛。因來自電極的 時亦:使:種遠距式電裝處理裝置中，與工件的距離較短 Γ，氣體難以到達工件而使處理二= 致吊壓下的電漿處理中，其傾向顯著。 電2面特許文獻二之裝置中’至少在電源側的電展施加 :極:面經由絕緣構件而設置金屬板。金屬板 =金屬板係與μ相對。在絕緣構件係形成導出路，= 以==漿化空間下流，在金屬板係形成吹出口，其用 構件tr下流。先將電極的電漿化空間形成面、絕緣 的*出路形成面、及金屬板的吹出口緣面相互形成一 浐入5弘水化工間、導出路及吹出口連成直線，流路剖面 二而：：：在電漿化空間，已電漿化的處理氣體經由導 =路而攸吹出口吹出。如此，可防止電弧對工件放電，且 ::化空間可靠近工件’並提高處理效率。此外，藉由金 反可進行電極與卫件間的電場遮蔽，防止電場漏茂至工 件，並使工件不受電場影響。 【特許文獻】日本特開平9- 92493號公報 【特許文獻二】日本㈣2003- 1GG646號公報 【發明内容】 隙與金屬板間有微“1 u泊i於该處產生放電。此外，絕緣構 93030.doc 件的導出路形成面等可能會因電將 能:招致粒子產生，並使處理品:受：到損傷。如此，可 全= 形成面、絕緣構件的導出路形成面及 孟屬板的吹出口緣面不一 或退縮，可防止從電極或/ ^面’藉由使其相互突出 並仵孀率缝播从 緣構件至導電構件等的放電， 卫俅邊、％緣構件。或改 形成所希望者。 σ面積，使大量的處理氣體 本發明係鐘於上述情事 極的+ 其主目的係在應向著電 的工件之側、㈣絕緣體 ίΙΜψΦ,^ , ^ 有^包構件之遠距式電漿處 衣置中，防止絕、_的損傷_ 所 本發明之第一特徵係 脸亚“處理… 漿產生允fib # '"置，其將通過電漿化空間（電 水屋生工間）之處iS_ 工件，並進行工件的表面♦:己置於電裝化空間外部的 用以形忐义、+ 处理，该裝置係具有：電極，其

用以形成則述電漿化空間U 止放電之導電性的構件），复 （/、用以電場遮蔽或防 應向著前述電極的工件二、 接地的狀態’以遮蔽 其係由介在㈣電極巧，及I緣構件， 絕緣構件係具有該，邑缘二間的絕緣體所構成，前述 丁 /、β成％緣構件與導 (亦即不絕緣破壞）程度的 Β未達到火花電麼 3)。此外，扁义、+、， 韦數舁厚度（參照圖1〜圖 在别迷絕緣構件與導電構件 使該間隙所消耗的的電愿比火花電，1間隙，亚以 小（滿足後述之式（2))之太—包&亦、即絕緣破壞電壓 數與厚度。如此，可設定前述崎構件的介電常 花）等的放電產生，進而^提與導電構件間防止電孤（火 逆而如岗處理品質。 93030.doc 200428469 也了在别述電極的電漿化办 面設置固體電介質，並：曰> ®與應朝向工件之側 緣構件（參照g !)。此時， 、重®丽述絕 件側部分的严戶而、… 電介質的介電常數與工 也可-體構a # 件的介電常數與厚度。 :體構成工件側之固體電介質與 件側之固體電介質看作「絕緣構件」的—部份。也了將工 前述絕緣構件孫且古.& ^ μ述=述電極之面、心形成可連 構件之面:: 氣體導出路之面、及朝前述導電 毒件之面，取好朝前述電極 夹角及導屮敗π + 囬/、V出路形成面所構成之 至少將：=朝導電構件之面所構成之夹角中， 者二:=包广倒角、角倒角)(參照圖9等)。藉由前 所構成之文^朝絕緣構件的電極之面與導出路形成面 斤構成之央㈣電“缺口，並防止粒 的倒角，可更加確實地防止在肖由後者 放電。將1角彼_ ^ 電構件間引起 將一個角彼此倒角時’最好朝電極之面與導 ::所構成之失角的倒角大於導出路形成: 之面：構成之夹肖。最好前述導電構件的吹出口緣面; 2 =述、％緣部件之㈣構件之面及導出路形成 :夹角的倒角與朝導電構件之面之交界大致相同位置= 缩。如此，可更加確實地防止在絕緣構件與導電構件 間引起放電。 叮再什 不管前述絕緣構件與導電構件間的間距，亦即該 間：間隙厚度’最好以使該等構件間所消耗的的電壓比火 電昼小之方式’進行前述絕緣構件的介電常數與厚度之 93030.doc 200428469 設定。如此，即使改變絕緣構件與導電構件間的間距，亦 即間隙的厚度，也可確實地防止在該等構件間產生，電狐 等的放電者。前述設定最好在可假設間距，亦即間隙的變 ，之特定範圍内有效。將絕緣構件與導電構件完全相重 ® ’即使在兩者間未形成間隙，假設^有厚度d的間隙，不 管d的大小，最好以使料構件間所消耗的的㈣比火花電 壓小之方式設定絕緣構件的介電常數與厚度。在絕緣構= 與導電構件間形成厚度d的間隙時，即使多少增減該厚声 d ’亦即不管d的大小’最好以使絕緣構件與導電構件 消耗的的電壓比火花電壓小之方式，設定絕緣構件的介带 常數與厚度（參照圖3)。 免 最好進行前述火花錢的檢測實驗，並依據以較平 的位準引起火花之檢測資料欠 一· 姓从 貝付衣出對則述絕緣構件與導電 冓件之間的間⑬，亦即該等構件間的間隙厚度之火花帝屏 的關係。如此，可更加破者 电土 ^防止在絕緣構件與導電構 間引起電弧等的放電。 再1千 取代絕緣構件而以氣體層構成介 間的絕緣體（稱為「氣體層介在構点Λ a"構件 ^ ^ 在構成」。麥照圖7、圖8)，冰 可以使前述電極與導電構件 J也 t卞义 斤确耗的電壓比火花電壓小 之方式，設定該氣體層的厚度 +桃μ 度如此，可防止在電極盥導 包構件間引起電弧（火花）等的放電。 /、、 ^述氣體層介在構成中，在前述電極的間 與應朝工件側之面設有固 / 側之固體電介質與前述導電構件^(Γ)，精由工件 牛^成剞述氣體層，最好以 93030.doc -10- 200428469 二前述工件側之固體電介質與導電構件間所消粍的電塵比 、钯电壓小之方式，設定該氣體層的厚度工件。 =前述“層介在構成的設計·製造時，不管前述電 心：电構件間的間距，最好以使前述工件側之固體電介 貝U導電構件間所消耗的電壓比火花電壓小 > 一 ^逑氣體層的厚度工件。如此，即使改變^ 1 & 又交^極與導電構件 二、二’也可確實地防止在該等構件間引起電弧等的放 H述設定最好在可假設間距變動之特定範圍内有效。 1進行前述氣體層介在構成的設計.製造時，最好 ，火化電麼的檢測實驗，並依據以較平均低的位準引起火 ，之檢測資料’求出對前述氣體層的厚度之火花電壓的關 系々。如此’可更加癌實地防止在電極與導電構件間引起電 弧專的放電。 前述導電構件係具有：朝前述絕緣體之面、用以形成可 ^接㈣電漿化空間之吹出口之緣面、及應朝工件之面； 取好朝則述、％緣體之面與吹出口緣面所構成之夾角及吹出 口緣面與應朝工件之面 面所構成之夾角中，至少將前者倒角 (w R倒角角倒角)。最好前述吹出口緣面分別向著朝絕 緣體之面及應朝工件之面而呈圓形（參照圖9)。如此，可更 加確實地防止在電極與導電構件間，或絕緣構件與導電構 件間引起放電。 本發明係一種電漿#卵莊w 、， 处理衣置，其藉由將處理氣體電漿化 並朝工件吹出’以進行電漿處理，其第二特徵係具備·電 極構以’其係由可形成用以前述電漿化的空間之一對電極 93030.doc -11- 200428469 所構成；導電構件（放電遮蔽板、放電遮蔽構件）， 陵接地的狀癌以遮敝應朝前述電極椹坤沾 龟 而配置；及、‘緣體，其介在前述電極槿生牛之側的方式 、， 包極構造與導電構件間， 亚將兩者絕緣，前述絕緣體可分成以下二部八· # :， :(第-絕緣體)，其用以形成可連接前述電漿化空：下:： ^里乳體的導出路（吹出路）；及第二絕 二 其係另外配置於與第一絕緣部的 (弟-、，，巴緣體)， 圖叫）。 丨μ出路側的相反側（參照 如此，絕緣體的第一絕緣部因電 交換即可，不需交換絕緣體全體。：:=;侧 緣部由耐電漿材料構成，不需 /、有弟-絕 成。其結果，可削減材…J 由耐電漿材料構 μ j則减材枓成本。將導電構 弟一絕緣部）彼此相垃 τ /、、、巴緣體（至少 ”彼此相接，可防止電荷蓄積 取好以耐電漿性絕緣材料構成前述第一 使用比前述第二絕 、，·巴緣和或最好 -絕緣部。如此，藉由“將緣材料構成前述第 體的導出路形成面/电水、處理氣體，可防止絕緣 略幵/成面党損傷。從而， 升處理品質。1 防止粒子產生，並提 貝未曝光於電漿之部分，介W 一 必確保耐電漿性 /、P弟二絕緣部，不 體全體由耐命、可由較便宜的材料構成。進一步與絕緣 料成本。 構成相比，可削減絕緣體的材 耐電漿性高的絕緣材料 氮化鋁等。 +例如石央玻璃、氧化鋁、 也可以空氣等氣體層構 弟—、、、巴緣部（麥照圖17、圖 93030.doc -12- 200428469 2ί)。由於空氣等氣體 電極構造與導電構件 材料成本。— 具有良好的絕緣耐力，故可確實地將 間、、緣。此外，可更加削減絕緣體的 袁好前述電極構造择Λ 極，H“係由以下構件所構成：電場施加電 ^ 毒（I原），及接地電極，其係電性 ，攻好前述絕緣體及導電構件 場施加電極而設置。如此，；:::應_極中至少電 或電場漏茂。 確只地防止電弧放電至工件 2ΓΓ述第—絕緣料導出路形成面比前述電極構造的 =空：形成面退縮(參照輯)。如此，可更加確實地 防止弟一絕緣部的損傷。 電構件也可具有緣面，其用以形成可連接前述導 +將：：的人出口，該吹出口緣面也可比前述電極構造的 二成面或前述第一絕緣部的導出路形成面退縮 茶知'圖11仆如此，可防止在電極與導電構件 面間引起放電。 前述導電構件的吹出口緣面也可比前述電極構造的電聚 化空間形成面突出（參照圖13等）。也可比前述第一絕緣部的 導：路形成面突出(參照圖13等)。如此，可集中處理氣體而 大罝派至吹出口，並提升處理效率。與前述導電構件的吹 出口相反側之外側面（背面）也可與前述電極之電漿化1 減側的外側面（背面）呈一面（參照圖13等），其也可位於比 前述電極外側面退縮至内側（吹出口側）的位置（參照圖 1 5) ’其也可位於比前述電極外侧面突出於外側的位置（參照 93030.doc -13- 200428469 圖11等）。 面前述第—絕緣部的電極構造之面與導出路形成 =之夾角倒角（包Μ倒角（圖19)、角倒角（圖18))， 倒角部（參照圖18〜圖20等）。如此，可防止朝前 角因《而缺口，並防止粒子產:㈣成面所構成之夾 J::!—絕緣部的導出路形成面與朝導電構件之面所 (包含r倒角(圖⑼、角倒角(圖18))，以形 成弟—倒角部(參照圖18〜圖20等)。如此，可 緣部與導電構件間引起放電。 弟一'，，巴 從防止可朝前述第一絕緣 成面所槿^ “ 豕1的私極構造之面與導出路形 φ 的缺損，比防止在第一絕緣部鱼導兩構 件間的放電優先之觀點來 構 什笙-η — 取好則述弟一倒角部大於前 述弟一倒角部（參照圖18〜圖2〇等）。 、 最好前述導電構件的吹出口緣面 部的導電構件之面及第二倒角部之弟一絕緣 其退縮（參照圖18、圖19等）。^ 同位置或比 部與導電構件間的放電產生。 $系巴緣 =前述導電構件的吹出口緣面與朝絕 成之夾角倒角（包含R倒角 ◎面所構 緣面與應朝工件夕而μ ” ，★外，取好將吹出口 之± :、 朝絕緣體之面的相反側之面)所構成 八,, 角、角倒角）。或最好前述吹出口缕品 刀別向著朝絕緣體之面及鹿 出口緣面 2〇)。如此，可防止在〜 件之面而呈圓形（參照圖 防止在笔極與導雷禮杜 h構件間，或在第—絕緣部 93030.doc -14- 200428469 與導電構件間引起放電。 弟一特徵中，在前述導雷★蕃 义、、- 冷电構件使孔部開口，並在該孔部 内側配置兩述第一絕緣部 兩禮株^ 體導出路，藉由前述導 电構件與弟一絕緣部割 及入路，以將前述孔部作為吸入 口。也可提供該吸入路作兔^r > …，义弟二絕緣部的氣體層（參照 圖21)。如此，不僅可將電 if - ^ ^ 一 ¥私構件絶緣，也可進行處 ,,^ 』攻电極構造的一電極形成同 产灿^ 如此，珂述電漿化空間也可形成 衣狀。丽述第一構件的導出路 空間全周。 了連接别述％狀的電漿化 本發明之第三特徵係使電極的 構件的導出路形成面及導電構件間（成面、絕緣 .夺屯構件的吹出口形成面相互突出 或退縮（參照圖11、圖13、圖14等）。 出 根據弟三特徵之一能嫌， ^ 處理i+ ’ 私漿處理裝置，其藉由將 處理虱體電漿化並朝工件吹出，以將 備：電極構造，其係由可形 ，$水处理’其係具 成用以前述電聚化的空間之-、包極所構成；及導電構件，1係參 由絕緣體而配署於藤力 /、，、在弘性接地的狀態，經 體而配置於應朝前述電極構造的工 側），前述導電構件係具有緣面，其用 卜人出 漿化空間下流之吹出口，該吹出口緣面=可連接前述電 化空間並非_成、、刖述電極的電漿 h非m亦即，前述導電構件的 比前述電極的電漿化空間形成面退縮(參 ；： 大出（參照圖⑶。退縮時，可防止從電極放^ ^朴或 大“可良好地吹出大量處理氣體，並提 93030.doc -15- 200428469 高處理效率。 有在電極的電漿仆办μ ^丄、 此時…“成面設置固體電介質之情況。 ^ ^ ^ ^ 緣面不停止於電極的電漿化 “成面，其也可比固體電介質的表面突出。 也可由固體的絕緣性叔祖 緣f%…成之絕緣構件構成前述絕 -也可由空氣等氣體層構成前述頌綠 件盥气騁思工士 傅风別逑、纟巴緣體，或由絕緣構 、十、；；層兩方構成前述、絕緣體（參照圖16、圖17)。最好前 乂絶緣構件具有面，其用以形成可連接义、f + 户芬二、+、“， 风』連接刖返電漿化空間下 机及別述吹出口上流之導出 路之卹八(人出路）。取好用以形成導出 路之口P刀的絕緣性材料具有 緣構件相万、鱼拉 ，了包水险。右將導電構件與絕 , ，可防止電荷蓄積於絕緣體。前述氣體# 也可設於與絕緣構件的導出路側的相反側。 根據第三特徵之其他態 將處理氣體電聚化㈣4種电水處理裝置，其藉由 置係具備· 工^吹出，以進行電漿處理，該裝 門之’V 造，其係由可形成用以前述電聚化的空 間之-對電極所構成的工 態，經由絕綾雕品 #件八係在電性接地的狀 出 、&配置於應朝前述電極構造的工件之側(吹 出側），前述絕緣構件係具有 漿化空間下产之道山 ，、用以形成可連接前述電 面，1用以；*欠出路)，前述導電構件係具有緣 口緣面對^可連接耗導出路下流之吹出°，該吹出 、:=絕緣構件的導出路形成面並非形成一 出路::Γ 的吹出口緣面也可比前述絕緣構件的導 縮時^ ^退縮t照圖U等）’或比其突出（參照圖13)。退 〇加確貫地防止從電極放電至導電構件的吹出口 93030.doc -16- 200428469 緣部。突出時，可担一占 了提同處理氣體的吹出 、， > 理效率。前述絕 亚更加提高處 空氣等氣體層―。 的、、、巴、、表構件，也可包含 第三特徵中，最好前述絕緣構 電極的電漿化空間形& ^v出路形成面比前述 π形成面退縮（參照圖u、 可防止絕緣構件因電嘴 Η 3寻）。如此， 至少導出路开…β， 最好前述絕緣構件之 广出料成部分具有耐電漿性。如 防止損傷。 」更加確貝地 第三特徵中，與前述 面（背面）也可鱼、， 構件的别述吹出口相反側的外 叫U曲）也可與丽述電 带將 面）2 会职 包水化工間相反側的外面（背 曲）壬一面（芩照圖13蓉 1 w、月 ,^ )其也可位於比前述電極外面银扩 至的内側（吹出口側）的位置（參昭圖 卜面退縮 電= 卜面突出於外侧的位置(參照圖⑴;、°位於比前述 導:::寺:：’最好將朝前述絕緣構件的電極構造之㈣ mi8 成A角倒角（包含R倒角（圖19)、角倒角 (圖18、圖20))，以形士结 } m ^ » 形成弟一倒角部（參照圖18〜圖20)。如 此，可防止朝絕緣部件 ）士 本I 1干的包極構造之面盥導 構成之夹角因電嘴而址 I、¥出路形成面所 —一 毛水而缺口，並防止粒子產生。 第二特徵中’將前述 構件之面所構h + 的導出路形成面與朝導電 失角倒角（包含R倒角 、圖20))，以形成第 」川角(圖 J月苓知圖18〜圖2〇)。如 可防止在絕緣構件與導電構件間引起放電。 ， 第三特徵中，從防+细a、+、λ ， 朝刚边絕緣構件的電極構造之面歲 V出路形成面所構成之央角 /、 灭角的缺知，比防止在絕緣構件與 93030.doc 200428469 導電構件間的放電優先之 仏>、+、贫一加么a 有取好則述第一倒角部 比刚述弟一倒^部大（參照圖18〜圖20)。 弟二特徵中，最姑命、_p道+ ,’L導电構件的吹出口緣面， 前述絕緣構件的導電構件之 ，、舁朝 弟一倒角部之交界大致相 同位置或比其退縮(參照圖18、圖19) “ 致相 口丄y)。如此，可破會土士 絕緣構件與導電構件間的放電。 、 第三特徵巾，最好將前料電構件的吹出 緣體之面所構成之赤&你丨# / a 曲，、朝、、、巴 珉之夾角倒角（包含R倒角、角倒角），此外 最好將前述吹出口缕&命角)此外， ,_ 出口緣面與應朝工件之面（朝絕緣體之面的 相反側之面）所構成之夹角倒角（包含面的 好前述吹出口緣面分別^菩翻& Μ角）°或最 之面而呈圓形(參照圖20)。如此，可防止在電極= 間^戈在絕緣構件與導電構件間引起放電。構件 第三特徵中，最好前 雷^Μ ^ 电位稱仏係由以下構件所構成： 二=:其係連接電場施加機構， ·及接地電極，其 電構件㈣應該等電極巾至少電 ⑽加電極而設置。如此，可確實地防止放電至工件，： 場漏洩。 机电主工件或電 本發明中，前述電極構造之一 方向直交而Μ 之對私極係形成與彼此相對 述電極朝同方向^長尺狀，·前述絕緣體與導電構件係與前 口鱼前述” °延伸，進而使形成於前述導電構件的吹出 端：前二：朝同方向延伸，以連接前述導出路及其下流 交之方向開…二！ 向及延伸方向大致直 (茶如圖4〜圖6等）。換言之，一對電極分別朝 93030.doc -18- 200428469 與彼此相對方向及吹出軸大致直交之方 電構件與其朝同方向延伸，處理氣=延伸，且上述導 舆前述相對方-向及延伸方向大致直交二方向也可朝向 吹出口增長，並可一次進行該 面％此’可使 a、+、E 又里的表面處理。 二;二構造中，在一對電極的長邊方向相互同側的端 構材料所構成的間隔物，·最好形成前述導電 開别述間隔物與電極之交界（參照 在間隔物與電極之交界可引起沿 至導電構件。 r r防止其傳遞 本發明中’利用導電構件可防止電弧對卫件放電並使電 極接近丄件°因此，可確實防止處理不良或工件的損傷， 且在已電漿化的處理氣體未去活化中確實碰到工件，並提 升電漿表面處理的效率。尤其，在大致常麼下處理時，其 評價高。此外，可防止電場漏絲工件，並使工件不受電 場影響。若將導電構件與絕緣構件相互連接，可防止電= 蓄積於絕緣構件。 ° 本發明之大致常壓（大氣壓附近的壓力）係指1013xlo4〜 50.663xl〇4 pa之範圍，考慮壓力調整的簡單化或裝置構成 的簡便化時，最好為1·333χ1〇4〜1〇·664χ1〇4 pa，以9·33 1χ 104 〜10.397xl04Pa 為佳。 【實施方式】 以下，參照圖面說明本發明之實施形態。 說明第一實施形態。圖丨係顯示常壓電漿處理裝置的概略 構成者。常壓電漿處理裝置Μ係具有一對彼此相對的電核 93030.doc -19- 200428469 至下方的工件W，亦即被處理物。如此，完成工件w的表面 處理。該處理可在常壓下實行。 31、32。在-電Μ施加電極31連接作為電壓施加機構之電 源3,另一接地電極32則接地。在該等電極^間係形成 電漿產生空間3如。在電漿產生空間地，利用電源％加電 場而引起輝光放電。將來自處理氣體源2的處理氣體導入該 處而電漿化。從後述之吹出口杨將已電裝化的處理氣體吹 以溶射將用以防止於空間3Ga電弧放電之㈣電介質^

破臈於與各電極3卜32另—相對面的下面。另外，圖面中， 固體電介質33的厚度係放大圖示。 在電極3卜32下面側（工件側）的固體電介質^下侧係設 有絕緣構件40,其係由固體的絕緣體所構成。在絕緣構件 4〇的中央部係形成處理氣體導出路術，其用以連接電裝產 生空間30a的下流。

在絕緣構件4〇下側係設有導電構件S1，其係由金屬㈣ 在導電構件51的中央部係形成吹出口心，其用以達 ¥出路40a下流。導電構件51係經由接地線5而電性接 導电構件51藉由電極31、32而配置於處理氣體的吹出 側’亦即側’並使電極構造30遮蔽與卫件職接相對 導私構件51中，與電極31、32相反側的下面係與應處 里的工件w直接相對。 二此，可防止電弧從電極31落至工件W，且可使吹出口 近工件W，以使電漿氣體確實到達工 ， 理效率。此外，可防止電場漏…件W，使工件二 93030.doc -20- 200428469 場影響。導電構件51係構成可防止電弧等的放電之放電防 止構件或用以遮蔽來自電極3 1的電場之電場遮蔽構件。 另外，導電構件5 1最好設於一對電極3丨、32中至少電壓 施加電極3 1的下側。 在絕緣構件40與導電構件51間係形成間隙4〇b。使空氣進 入常壓下的間隙4 0 b。間隙4 〇 b有用以提高絕緣幸而積極形 成的6況，亦有原先不應形成但因某種原因而形成的情 況。例如，只將另體的絕緣構件4〇與導電構件5 : 時，可形成間隙。 $ 上述間隙40b所消耗的的電壓^^係由下式表示。

Vx = A B Vpp d/2( A tB+ B tA+ A B d) (式 1) 在此，d .間隙40b的厚度，亦即絕緣構件4〇與導電構件 51間的間距

V

PP A B U ίβ 電極3 1的峰值間電壓 固體電介質33的介電常數 絕緣構件40的介電常數 固體電介質33的電極下側部分的厚度 絕緣構件40的厚度 另外，間隙40b，亦即空氣的介電常數係「i。 在例如數kV〜數十…的範圍決定峰值 到所希望的輝光放電電漿。 PP以仔 間=體電：質33的電極下側部分的厚度u係與電漿產生空 "部的厚度相等。設定該固體電介質33的人+ a(亦即材質)盘戶;^ 、 篮質33的介電常數 、/、予又A，以可維持良好的輝光放電。 93030.doc -21 - 200428469 4疋電漿處理裝置以的絕緣構件4〇的介電常數B與厚度〖b， 以考慮上述v 、 ^ 二A、A，且使間隙40b的空氣不會引起絕緣 破心亦即，g隙4〇b的火花電壓（絕緣破壞電壓）為Vxo時， 係設定為滿足下式： (式2) > VX —A B VPP d/2( A tB+ B tA+ A B d) 如此，可在間隙40b防止形成電孤者。從而，彳防止絕緣 構件40燒焦而產生粒子，其結果，可確保處理品質，並提 升良率。 但是，絕緣構件40的介電常數以系取決於其材質。氧化 紹中係約7.5,驗玻璃中係約6〜9，帕雷克斯（登錄商標）玻 璃中係4.5〜5.G，石英玻璃中係35〜45，氯乙烯中係3 〇〜 3.5。因此，決定材質時，最好依據其介電常數b而設定厚 度tB。 可使用下述之已知文獻式3求出間隙4〇b的火花電壓。 Vxo= 2.405 d(l + 0.328( d/l〇)'1/2) (式 3) 〔文獻·電力學會大學講座電離氣體論ρ· 116(歐姆社 刊）〕 式3中，火花電壓Vxo的單位係rkv」，間隙4〇b的厚度d 的單位係「mm」（與式5相同）。係相對空氣密度，間隙4外 内的溫度為T〔〕、壓力為p〔 mmHg〕時， =0.386P/(273 + T) (式 4) 例如 ’ 20、760 mmHg中，=ι·00122867。此時之式3，亦 即將對間隙40b的厚度d之火花電壓νχ〇(文獻值）圖表化 時，係形成圖3之一點鍊線。 93030.doc -22- 200428469 …但疋，上述文獻式3係顯示平均值，實際上亦有以較低電 壓引起火花之1青況。因此，發明者等利用實驗改變火花電壓 △式化。亦即，如圖2所示，在相當於電極31之電壓 施加側的電極板31又下面依次安裝與介電常數相同（介電常 )且尽度不同之玻璃49，並在玻璃49與其下方的導電 構件相當的接地金屬板51χ的間隙楊調整引起火花電壓時 的峰值間電壓Vpp。間隙4〇b的厚度係d=〇.5。在此，玻 璃49相當於電漿處理裝置的固體電介質％及絕緣構件•因 此，其厚度相當於tA+tB。此外，a=b=4 4。 其、、’。果，對上述式3的文獻值之不均於負向最大者，其厚 度(U+tB)為2·9 _時，Vpp=n4 kv。藉由將該結果代入 式1右邊，如下所述，可得到對間隙4〇b的厚度d之火花電壓 Vxo之式。

Vx〇=8.65d/(,52d+1) _ 遠式5係表示相對於間隙杨的厚度d，引起火花，亦即最 低位準的火化電墨Vx。者。式5為圖表時，係如圖3的虛線。 當然’該虛線係位於較文獻式3的-點鍊線下方。 在電漿處理裝置_製造中，設定絕緣構㈣的介電常 數B與厚度^時，以式5亦即最低位準的火花電壓Vxo為基 準判斷間隙4Gb的„νχ是否比其小，亦即是否滿足式2。 如此’可更加確實防止電弧等的放電產生於間隙働。 ^ W 3所不，圖表中，式1所表示電塵Vx的曲線（該 圖的只線）於全體（或取得d的範圍中部分的）係形成於比用 以表示式5的最低位準火花電壓νχ〇的虛線低之下方。其下 93030.doc 200428469 限最好使對厚心的電塵Vx值為相同厚度之火花電遷νχ〇 的值例如〇.8: 0.9倍左右。如此，不管間隙楊的厚度d大 小’可防止電弧等的放電產生於該間隙術。尤其，原先不 應形成但因某種原因而形成間隙畅，對不能預測其厚度d

時有效。 X 另外，圖3的實線需依據以下條件。 固體電介質33的材質：氧化紹(α=7·5)厚度：tA=〇5_ 絕緣構件4〇的材質：驗玻璃（β=7.0)厚度：tB=6_2mm 峰值間電壓·· vpp= 13 kv =然，為積極形成間隙.而知道其厚度㈣，在該厚度d 中若滿足式2即可。以圖3的圖表上而言，電遷&的線最又好 至少在該厚度d的地點（或其周邊）位於比最低位準火花 Vxo的線下方。 準備個人電腦等的計算機所實行之附有圖表製作功能的 表計异㈣，先將幻或式5登錄進去，將^、等作 為輸入參數而料如圖3的圖表時，可簡單地進行

斷。 J 取代最低位準的火花電壓Vxo(式5)，以平均的火花電壓

Vx(文獻43)為㈣，也可衫I緣構件4㈣介數 厚度tB。 者 圖4〜圖6係顯示常壓電漿處理裝置的具體構造一 態樣 A %漿處理裝置M1係具有：工件傳送機構4 ;電漿喷嘴 頭卜其係支持於架台（未圖示），以位於該傳送機構4上；處 93030.doc -24- 200428469 氣體源2，其係連接該噴嘴頭1 ;及電源3。 在處理乳體源'2儲存有依據處理内容之處理氣體。例如 存有作為電漿洗淨用處理氣體之A純氣或N 、: 口礼體。也可以液相儲存，並適量汽化。 電源3係輸出例如脈衝狀高頻電壓。該脈衝的上升時間及 或下I1牛日ΤΓ間最好10 S以下，電極31、32間的電場強度最好 :〇、1000 kv/cm，頻率最好為0.5 kHz。另外，電壓形狀也 可為正弦波狀而取代脈衝狀。如上述概略構成所述，在數 kV數十kV的範圍決定峰值間電壓v沖。在此，例如設定 為 Vpp= 14〔 kV〕。 〇 如圖5所示，傳送機構4係具有多數滾筒乜，其係水平並 列。在該等滾筒4a上可載置大面積的板狀工件w，並朝左 右傳迗。以上述噴嘴頭丨將已電漿化的處理氣體吹至該工件 W ’亚進行例如洗淨等的電漿表面處理。當然，也可將工 件W固定，另一方面，移動噴嘴頭1。 詳述電漿處理裝置Ml的噴嘴頭1。 贺嘴碩1係具備··上侧氣體整流部1〇、及下側放電處理部 20，其朝與圖5之紙面相直交的前後方向延長。 氣體整流部10係具有呈前後細長容器狀的本體u，在該 本體11係收容管零件12。管零件12係具有··左右一對管 ，13及用以夾持该等之上下一對管夾〗14丨其與本體η 朝同方向延伸。利用管零件12將本體11内部區分為上下二 個處理室11a、llb。如圖4及圖6所示，在氣體整流部1〇的 長邊方向一端部設置一管13的輸入口 13a，在另一端設置另 93030.doc -25- 200428469 一管13的輸入口 13a。另外，與各管13,13的輸入口 13a,13a 侧的端部相反側之端部係使用插塞而塞住。 來自處理氣體源2的氣體供應管2a係分成二邊，其分別與 一官13的前端部、另一管13的後端部相連接。處理氣體源2 的處理氣體經由管2a而導入二個管13,13,並於該等管13,13 内相互朝逆向流動。孔lie係朝前後長邊方向延伸於各管 13，13的上側部及上側的管夾丨4。孔11 e也可呈點狀而按短間 隔多數設於前後，也可呈裂縫狀而朝前後延伸。管13，丨3内 的處理氣體通過孔lie而往上側處理室11 a漏洩。之後，通 過管零件12兩腋的裂縫狀間隙nc而流出於下側處理室 1 lb。如此，可於長邊方向將處理氣體均勻化。 針對電漿喷嘴頭1的放電處理部2〇作說明。 如圖5及圖6所示，放電處理部2〇係具有：電極構造3〇， 其係由左右一對電極31、32所構成；及容器21，其用以保 持此電極構造30。 各電極31、32係由例如不鏽鋼等導電性材料所構成，其 呈剖面四角形而朝與圖5的紙面直交之前後方向延伸為直 線狀。各電極31、32的角係形成R，以防止電弧。在該等電 極31、32之間係形成電聚產生空間3〇a朝前後方向延伸為裂 縫狀。電漿產生空間30a的厚度（電極31、32間的間隔）係例 mm她以噴砂時，以溶射使例如介電常數A = 7.5的鋁 所構成之固體電介質33被膜於各電極3〇的相對面、上面及 下面。固體電介質33的厚度tA係例如U=1 mm。 另外，圖5中，符號3a係從電源3至電壓施加電極3丨的供 93030.doc -26 · 200428469 應電線，符號3b係來自接地電極32的接地線。此外，符號 3 0c係電極調溫用冷媒路（於圖6中省略）。 用以保持電極30,30之容器21係具備··頂板22、左右一對 側板23、左右一對角構件（角容器）24、及底板部5〇(於圖* 中省略）。各角構件24係由絕緣樹脂所構成，其呈剖面逆[ 字形而朝與圖5的紙面相直交之前後方向延伸。角構件24 係使各電極30上面與背面分開。在二個角構件以，％上側部 者間係形成間隙24a。間隙24a係連接電極3 1、32間的電漿 產生空間3 0 a的上流。 在一個角構件24,24上面係覆蓋由剛性鋼材所構成之頂 板22。在頂板22的左右中央部係形成朝前後延伸之裂缝 22a。裂縫22a連接氣體整流部1〇的下側處理室ub的下流， 且連接間隙24a的上流。如此，來自氣體整流部1〇的處理氣 體經由裂縫22a及間隙24a而導入電漿間空間3如。 在各角構件24的背面（外側面）分別使由剛性鋼材所構成 之側板23分開。以拴緊螺栓將各側板幻的上端部連結且剛 性結合於頂板22。利用頂板22與左右的側板23構成門型框。 在各側板23分別於長邊方向間隔設置複數緊固螺检緊固 螺栓25(電純近機構）與拉拔螺栓拉拔螺检叫電極離間機 構緊固螺栓25拴人側板23且前端抵接於角構件Μ背面， 進而經由角構件24而使電極30朝接近 _ 壓。拉拔螺栓26在&容於樹脂製螺检色（螺检座）^之狀能拾 入電極30,使電極輝至遠離另—電極的方向。藉由調整 該等螺栓25、26的拴入量，可續正長吸電㈣，％的歪曲， 93030.doc -27- 200428469 使電極間空間3如的厚度全長固定。此外，可阻止電極31、 32因庫倫力或J亥電極31、32的金屬本體與表面的介電常數 層33之熱膨脹一率不同《電極内部溫度差所造成熱應力等熱 應力而歪曲。其結果，可確實地朝下方（亦即沿著與電極 1 32者的相對方向直交之吹出軸）均勻吹出處理氣體，進 而可確實地均勻電漿處理工件w。 針對構成容器21底部之底板部5〇作說明。底板部5〇係具 備板狀絕緣構件40及金屬板所構成之導電構件51 ;其係朝 與圖5的紙面相直交之㈣方向水钱伸。底板部5〇橫跨左 右侧板23,23與角構件24,24及電極構造3〇下面，且自身支持 上側噴嘴頭1的構成要素。因Λ，底板部5〇覆蓋應向著電極 構造30的卫件W下面，並將其遮住，以使電極構造％不直 接與工件W相對。換言之，以底板部5〇的導電構件51覆蓋 應朝電極構造30的工件W的下面，錢可絕緣兩者之絕緣 體45介在並裝填於該等電極構造3〇與導電構件η之間。底 板部50的左右兩端部係較側板23,23突出。該左右突出部由 未圖示之支持機構而支持。另外，也可以螺栓等連結絲 部50與側板23。 b = 4.4的玻 絕緣構件40的材質 璃。 可使用例如介電常數 在絕緣構件40的上面係形成凸條4〇e朝與圖$的紙 交之前後長邊方向延伸。在形成於角構件24下端面之凹溝 24b嵌入該凸條40c。 彳 在絕緣構件40的左右寬度方向中也加〆 问中央部係形成導出路 93030.doc -28· 200428469 術（吹出—路）。導出路40a係呈裂缝狀，其朝與圖3的紙面相 直父之丽後方^向細長地延伸，並連接電漿化空間3如的下 流。絕緣構件40中，導出路恤的左右兩側内端®，亦即導 出路形成面只退縮至電極31、32的相對面，亦即較電聚化 空間形成面的左右外側。如此，導出路術的寬度比電浆產 生空間30a廣，亦即使流路剖面面積擴大。 絕緣構件40的左右兩端部係比側板23,23突出。 導電構件5丨全體覆蓋絕緣構件4G下面。導電構件51係由 例如不鏽鋼板所構成。在導t構件51的左右寬度方向中央 部係形成吹出口 50a"欠出口 5〇a係呈裂縫狀，其朝與圖㈣ 紙面相直交之前後長度方向細長地延伸，並連接導出路恤 的下机。進而，經由導出路4〇3而連接電極構造儿的電漿產 生空間3〇a。（如此，底板部5〇係形成可容許處理氣體吹出 之構造。）導電構件51的吹出口5〇a緣面僅較絕緣構件的 導出路術形成面退縮至外側。如此，吹出口 5〇a的寬度係 比出路40a廣，亦即使流路剖面積擴大。 另外，也可利用左右一對板構件構成絕緣構件4〇以取代 。體者，並在該等板構件者間形成導出路40a。同樣地，也 可利用左右一對板構件構成導電構件5 1以取代一體者，並 在該等板構件者間形成吹出〇5〇a。 、在^Γ迅構件5 1下方可配置工件W。如此，可防止對工件w 2包弧，並使贺嘴頭1〇接近工件w，以在常壓下使電漿確 貫到達工件w。 以溶接將螺帽55固定於導電構件51的左右兩側部上面。 93〇3〇.d〇, -29- 200428469 另一方面，在絕緣構件40下面係形成凹部4〇d，其用以嵌入 螺帽55。此外一，在絕緣構件40係形成螺栓插穿孔4〇e，苴用 以從上面到達凹部40d。接著，金屬製螺栓56通過插穿孔4〇e 而螺合螺帽55。如此，將導電構件51固定於絕緣構件4〇。 在螺栓56頭部係扣合接地引線5的端子化。該接地引線$係 接地。如此，導電構件51係經由螺栓56及螺帽55而電性接 地〇 /絕緣構件4G之電極3卜32下側部分術的下面係形成凹 部40f。如此，在絕緣構件4〇與導電構件^間係積極形成間 隙4〇b。凹部40f進而間隙4〇b係連接導出路4如與吹出口 5〇a。間隙40b的厚度㈣例如“ 1随。 常壓電漿處理裝置⑷令，設定絕緣構件4〇(β=4·4)的電極 I側部分40χ(間隙40b除外）的厚度“，以滿足式2。例如“ 5咖。如此，可防止間隙杨的電弧，並確保處理品 質。 其次，說明第一實施形態之變形態樣。 播L圖7所示，在電極31、32與導電構件51間也可不需絕緣 0。亦即，電極31、32與導電構件51只間隔特定距離心 且在兩者間係形成間隙楊。詳言之，厚度：tA、介電常數： 1 的人固=介質33被膜於電場施加電極31下面，藉 :二1 J面與導電構件51上面劃成間隙4〇b。間隙杨内 ’、，、>二氣。空氣係形成具良好絕緣耐力之絕緣體。如此， 間^亦即氣體層（空氣層）·係構成可將電極31與導電構件 51、、巴、、彖之絕緣體。另外，圖7中，固體電介質Μ只被膜於電 93030.doc -30- 200428469 場施加電極31的相對面與下面，並未被膜於接地電極32， 仁與圖1相同，也可被膜於兩電極3丨、32。 以不引起该氣體層4〇b的絕緣破壞之方式，設定氣體層 4〇b的厚度d。換言之，電極31下側的固體電介質33與導電 構件5 1間所消耗的電壓Vx係設定為比火花電壓νχ〇小。具 體而言，係設定為滿足下式。

Vxo>Vx=AVpp d/2(tA+Ad) (式 6) 式6在上述式2中係置有εΒ=卜tB=〇者。與式3的文獻值（圖 3的一點鍊線）相比，構成基準之火花電壓Vxo最好使用式5 的最小位準實驗值（同圖的虛線）。如此，可防止在氣體層40b 產生電弧。此外，與圖3的實線相同，νχ不管d值，藉由降 低Vxo ,即使因某種原因變動氣體層4仙的厚度心也可確實 防止電弧產生。另外，在d包含原先之值的一定範圍内，: 滿足Vxo>Vx即可。 如圖8所示，在電極31、32與導電構件51間也可不需絕緣 構件40，在電場施加電極3 1也可不需設置固體電介質η。 如此，藉由電極3i的金屬本體與導電構件51，可劃成氣體 層40b。另外，此時，在與接地電極32的至少另一電極w 的相對面必須設置固體電介質33。 圖8態樣中’以使電極31與導電構件51間所消耗的電尾 νχ(=νρρ)比火花電壓Vx〇小之方式，設定氣體層杨的厚度 d。與既述態樣相同，火花„νχ績式3的文獻值（圖3的一 點鍊線）相比，最好使用式5的最小位準實驗值（同圖的虛 線）〇 93030.doc -31 - 200428469 換言之’藉由最小位準實驗值之式5

Vpp<8.65d/(1.52 d+ 1) (式 7) 為滿足上式，對使用電壓Vpp設定氣體層4〇b的厚度d。如 此，可防止在氣體層4〇b產生電弧。 另外，圖8態樣的裝置中，將氣體層4〇b的厚度d設定為工 贿，亚增減供應電壓Vpp，即使減少電弧，檢測可確認的 耗圍時係Vppa kV。如此，可確認式7為相當安全域。 圖^係顯示絕緣構件4G之導出路形成部的形狀的變形態 樣。該態樣中，將絕緣構件4〇上面（朝向電極構造％之面） 與導出路術形纟面所構成之夾角為R倒角，且形成第一倒 角撕。此外’將絕緣構件4()的導出路術形成面與下面（朝 °構、30之面）所構成之夹角為&倒肖，且形成 4〇s。 鬥 糟由第-倒角部條，可防止絕緣構件4吐面與導出路形 2所構成之夾角gj電漿而缺口，並防止粒子 可提升處m提高良率。 進而 第-倒角部條係大於第二倒角部4〇s。亦即，第 4〇r係的曲率半徑r大 — 構件4〇上面料出料2⑽部他。如此’可防止絕緣 確實防止粒子產生所構成之央角的缺損，進而可 另外，也可以角倒角形成 再者，_樣中，導角，以取代 著朝絕緣構件4〇的上構件51的吹出口版緣面分別向 „ 偁件40的上面與應朝工件w的下面 圓形。換言之，使導電構件 〇、、 w，、人出口 50a緣面所構 93030.doc -32- 200428469 成夾角可為R倒角，且使吹出口 50a緣面與下面所構成之 夾角可為汉倒，。如此，可更加確實防止在電極3 1與導電構 件51間，或在絕緣板41與導電構件51間跳出電弧。另外， 也可”將導電構件51的上面與吹出口 50a緣面所構成之夾 角倒角，或只將吹出口 5〇a緣面與下面所構成之夾角倒角。 也可為角倒角而取代R倒角。 其次’依據圖10〜圖丨2說明第二實施形態。 如圖10所示，第二實施形態之常壓電漿處理裝置撾2係具 有·處理氣體源2、脈衝電源3、工件傳送機構4、門型框6〇、 及左右一對噴嘴頭（處理頭）1。處理氣體源2、電源3、工件 傳送機構4係與圖4〜圖6之裝置Ml相同。 門型框60係具有左右腳62，其配置於傳送機構4的上方。 門型框60内係形成空洞，其構成用以排出處理完的氣體（包 含處理所產生的副生成物）之排氣管道。亦即，門型框60的 各腳62内部藉由間隔壁64而區分為内外二個吸引室62a、 62b。在腳62的底板63係内外形成二個吸入口 63a、63b，其 分別連接該等吸引室62a、62b。吸入口 63a、63b係呈裂縫 狀，其朝與圖1的紙面相直交之前後方向延伸，但也可為與 該紙面直交方向並列之複數點狀孔。 另一方面，内外的吸引室62a、62b上端部係連接於用以 構成門型框60中空之上架框部61内。吸引管6a從上架框部 61的中央部延伸，該吸引管6a係連接排氣泵6。藉由排氣泵 6的驅動，將噴嘴頭1處理完的氣體從内側吸入口 63a吸入内 側吸引室62a，且將該處未吸完之處理完的氣體或外面空氣 93030.doc -33- 200428469 從外側吸入口 63b吸入外側吸引室62b。如此，可確實地防 止處理完的氣體的吸入漏洩，且防止内側吸入口 63a的外面 空氣吸入’而只將處理完的氣體吸入内側吸入口 63a。吸入 各至62a、62b之氣體在上架框部6ι内部合流後，經由吸引 ^ 6 a而伙^排氣栗6排出。 在各腳62上側部以可出沒方式設置内外二個節流孔板 65A、65B。藉由該等節流孔板65A、65B可分別調節室62a、 62b的集中量，進而可分別調節從各吸入口63&、63b的氣體 吸入量。 常壓電漿處理裝置M2的喷嘴頭1係呈左右一對，其位於 滾筒4a上方，亦即工件貿的移動平面上方，而支持於門型 框60的左右兩腳62間。左右的喷嘴頭1係相互形成同一構 成。 如圖10所示’裝置M2*，底板部5〇的左右片側經由連結 板59而與相鄰的噴嘴頭！的底板部5〇相連結。連結板”與底 板部50係以螺栓56而相連結。 如圖11所不，裝置M2的噴嘴頭i中，底板部5〇的構成係 部份與裝置Ml者不同。詳言之，裝置M2的底板部5〇係具備 絕緣體45、及導電構件51 ;其朝與圖丨丨的紙面相直交之前 後方向水平延伸。絕緣體45係由内側的第一絕緣板41及外 側的第一絕緣板42所構成。換言之，絕緣體45係由第一絕 緣部41 ’其係由板狀固體絕緣體所構成；及第二絕緣體42， 其係由構成與該第一絕緣部41另體之板狀固體絕緣體所構 成0 93030.doc 200428469 第一絕緣板41係呈寬度窄而朝前後延伸。第二絕緣板42 係壬寬度廣’^其左右兩端部係比側板23突出。在第二絕緣 板42的左右中央部係形成朝前後方向延伸的裂縫狀開口， 將第一絕緣板41嵌入該裂縫狀開口。在第二絕緣板42的裂 縫狀開口的左右兩側内緣與第一絕緣板42的左右兩側外係 分別形成段差，藉由使該等段差相互咬合，相繼接合第一、 弟—絕緣板41、4 2者。 在第-絕緣板41左右寬度方向的中央部係形成導出路 恤（吹^路）。導出路術係呈裂縫狀，其朝與圖⑽紙面相 ^交之前後方向細長延伸。該導出路術的前後全長係連接 前述電極構造30的電漿化㈣3Ga下端部，亦即下㈣。第 ^絕緣板㈣導出路他形成面係與上述裝置m的絕而緣構 件例目同，其分別只較電極31、32的相對面，亦即電漿化 空間30a退縮至左右外側。如此，導出路他的寬度比雨將 化空間30a廣，亦即使流路剖面積擴大。 κ 第二絕緣板42係配置於與第一絕緣板“的導出路術側 的相反側。在弟二絕緣板42上面係形成凸條咖， 係嵌入角構件24的凹溝24b。 ^ 條40c ^ /13. 以祁立不问的 弟 以耐電漿性材料構成第一絕緣板41。板41、42。 比第二絕緣板42耐電漿性高的絕緣材料構步二之，使用 41。例如，以石英構成第一絕緣板41，以氯1二—絕緣板 絕緣板42。一般而f，如石英之耐電漿性：乙烯構成第二 耐電漿性高的氯乙烯等高價。 门的持料係比非 93030.doc -35- 200428469 構件51係完全重疊於第一、第二絕緣板41、42下面。 ;包構件5 L與絕緣體45間並未形成間隙。但是，假設設 有厚度d的間隱:’不管d的大小，為滿足式⑺，藉由設定絕 緣體45(尤其第一絕緣板41)的介電常數與厚度，可在導電構 件51與絕緣體45間防止電弧跳出。 /上述裝置M1相同，導電構件51的吹出口 50a緣面僅較 弟—絕緣板41的導出路術形成面退縮至外侧。如此，吹出 的九度比‘出路4〇a廣，亦即使流路剖面積擴大。 夕 也可藉由左右一對板構件構成第 罘二絕

41、42，以分別取代—體者，且也可在第-絕緣板41的-構件者間形成導出路4Ga。同樣地，也可藉由左右一對

板構件構成導電構件5 1，以取代一體者柘 A 叭骽肴扳，且在該等板構 件者間形成吹出口 50a。 、回斤不’在電極31、32的長邊方向兩端部間係夾有 二、准持包漿化空間3〇a的厚度之絕緣樹脂製間隔物Μ。 好在導電構件51的吹出σ ^

―部5U，以二 長邊方向兩端部形成 以避開黾極31、32與間隔物34之交界。 根據上述構成之常壓電漿處理裝 41、42蓄積兩y ^ Μ更在絶緣材 1材41 導電構件51將其接地，並防止從 絶緣材41、42至工件w的放電。 41=二破璃構成用以形成導出路-之第-絕緣板 J羅保耐電数性，足_ . ^ 成不會暴露於電將之第：，精由以便宜的氯乙烯構 45全體相比*弟〜緣板42 ’與以石英構成絕緣體 王體相比，可削減材料成本。由於第一絕緣板41的導出 93030.doc -36 - 200428469 路4 0 a形成面較電極構造3 〇的電漿化空間3 〇 a形成面退縮， 故可更加確實地防止電漿損傷第一絕緣板41。 由於導電構件51的吹出口 5〇a緣面較電極構造3〇的電漿 化空間30a形成面退縮，且較第一絕緣板41的導出路4〇a形 成面退縮，故可確實地防止在電極31與導電構件51的吹出 口緣部間引起放電。 長呎噴嘴頭1的長邊方向兩端部中，藉由形成導電構件$ 1 =開間隔物34與電極31、32之交界之構成，在間隔物顺 电極31、32之交界引起沿面放電時，可防止其傳遞至導電 構件5 1。 ％ 其次’說明第二實施形態之變形態樣。 如上所述，圖11的裝置厘2中，導電構件51的吹出口緣面 係較電極構造30的電漿化空間形成面退縮，以防止從電極 31至導電構件51的放電，但也可因情況而使該等面之位置 關係相反。 亦即，如圖13所示，導電構件51的吹出口5如緣面也可比 絕緣構件41的導出路術形成面突出，且比電極3卜32的電 水化工間30a形成面突出。如此，吹出口 5〇a比電漿化空間 3〇a—寬度窄。如此，可在吹出口池大量集中處理氣體，以 萑只碰到工件W。其結果’可更加提升處理效率。又，可 直接保持高溫將電漿化以]3 G a所加熱的處理氣體吹至工 件W 〇 或如圖Μ所示，導電構件51的吹出口 50a緣面也可比絕緣 構件的導出路術形成面突出，且與電極31、32的電浆化 93030.doc 200428469 空間3〇a形成面形成一面。如此，可防止處理氣體的吹出量 減少，並確保處理效率。 此外，圖之裝置料，導電構件51的外端自，亦即失 有導電構件51的吹出口 5〇a而與左右各部之吹出口 50a相反 側之背面係位於比電極31、32的外側面，㈣盘電將化介 間30a相反侧之背面突出於外側，但如㈣、14所示水也； 構成該等面彼此為一面。 再者，如圖U所示，導電構件51的外端面係位於比電極 3 1、32外侧面之内側的吹出口 5如附近的位置。 絕緣體45不僅包含第―、第二絕緣板41、42亦即固體絕 緣構件，也可包含空_辇# m 々二口 ”斤構成之氣體層，亦即氣體絕緣 體。例如，如圖16戶斤fpj 4 厅下、，巴緣板41、42與導電構件5 i也可 只間隔特定距離d，並在兩者間形成間隙働。間隙働内係 充滿空氣。空氣係具良好絕緣耐力之絕緣體。Μ隙，亦即 氣體層（空氣層）4〇b與固體的絕緣板41、42—同動作，以構 成可將甩極3 1與導電構件5 i絕緣之絕緣體。設定氣體層 俱的厚度’亦即絕緣板41、42與導電構件51之距離d，以 使虱體層40b所消耗的電壓比火花電壓小。 此外也可以氣體層構成絕緣機構C的第二絕緣部，以 :代絕緣板42。詳言之’如圖17所示，在比電極構造30與 導電構件5 1間的第—絕緣板41外側（與導出路40a相反側）係 劃成間隙’亦即氣體層42S(絕緣空氣層）。藉由該氣體層似 可構成弟一絕緣部。根據該變形態樣，由於不需第二絕緣 板42,故可更加削減材料成本。 93030.doc -38- 33 33200428469 另外®13圖17中，係省略電極3i、32的固體電介質 _第-絕緣板41的導出路形成部之形狀，其加上與 圖9態樣相同的改變。亦即，第_絕緣板41上面（朝電極構 造30之面）與導出路40a形成面所構成之夹角係角倒角為特 定角度（例如45度），並形成第—倒角部4U。此外，第—絕 緣板4丨的導出路術形成面與下面（朝導電構件％之面）所構 成之夹角係角倒角為特定角度（例如45度），並形成第二倒角 部 41b。 藉由第一倒角部41a，可防止電裝造成第一絕緣板41上面 與導出路形成面所構成之夾角缺口，並防止粒子產生。進 而，可提升處理品質’並提高良率。第―倒角部仏係比第 二倒角部仙大。如此，可防止第—絕緣板41上面與導出路 形成面所構成之夾角的缺損’進而可確實防止粒子產生。 再者，㈣的態樣中，導電構件51的吹出口5〇a緣面係相 對於第-絕緣板㈣二倒角部仙與下面之交界而位於 左右方向的同位置。如此’可確實在電㈣與導電構件Η 之間防止電孤跳躍。此外，吹出口術比導出路術廣，可 流暢地吹出處理氣體。 另外，電構件51的吹出口 5〇a緣面係較第—絕 倒角部41b與下面之交界退縮至左右外側。” 一 圖19係顯示上面倒角之其他態樣。該變形態樣中，第一 絕緣板41的倒角係形絲倒角，以分別取代角倒角。詳言 之’第-絕緣板41上面與導出路術形成面所構成之夹角二 93030.doc -39- 200428469 例角且形成有第一倒角部41c，導出路4〇a形成面與下面 所構成之夾角一係係尺倒角，且形成有第二倒角部。第一 倒角部41c的曲率半徑尺係比第二倒角部41廿大。 〜圖20係針對導電構件51的吹出口形成部之形狀加上與圖 9態樣相同的改變者。亦即，導電構件51的吹出口5崎面 二別向著朝第一絕緣板41的上面與應朝工件w的下面而為 半圓狀呈圓形。換言之，導電構件51的上面與吹出口5〇礎 面所構成之夾角可形成R倒角，且吹出口 5〇a緣面與下面所 構成之夾角可形成R倒角。如此，可更加確實防止在電極Η 與導電構件51間，或在絕緣板41與導電構件“間跳出電 弧。另外，也可只將導電構件5丨的上面與吹出口 緣面所 構成之夾角倒角，或只將吹出口 5〇a緣面與下面所構成之夾 角倒角。也可為角倒角而取代R倒角。 其次，依據圖21〜圖22說明第三實施形態之常壓電漿處 理裝置M3。 如圖21所示，常壓電漿處理裝置M3係進行電漿表面處 理，例如電漿蝕刻之裝置。在裝置M3的處理氣體源2χ係蓄 積電漿餘刻用處理氣體，例如CF4等。 裝置M3係具備筒狀噴嘴頭7〇，以取代上述長尺喷嘴頭 1。該筒狀喷嘴頭70係在上下朝軸線之狀態支持於架台（未 圖示）。在此筒狀喷嘴頭70下方係配有可蝕刻之工件w。 詳述筒狀喷嘴頭70。 筒狀喷嘴頭70係具備：軸線朝上下之本體71、裝填於該 本體71内之絕緣支持架80、及電極構造3〇χ。本體71係呈三 93030.doc -40- 200428469

段筒狀，其係上下連接三個導電金屬製本體構成構件72、 乃、74。絕緣支持架嶋呈筒狀，其係上下連接三個 樹脂製本體構成構件81、82、83。 V

裝置M3的電極構造撤係形成同轴雙環狀。亦即，在下 段本體構成構件83縣設電場施加_3ιχ。電場施加電極 31Χ係形成與本體71同軸的有底筒狀。在電場施加電極 外面係被膜固體電介質33。在電場施加電極3ιχ内部係插入 可構成與本體71同軸之導電金屬製管35的下端部。導電管 :5於中間部經由導電環36而導通電極31χ，且上端部朝：： 架81上方突出，並連接脈衝電源3(電場施加機構）。

在下段本體構成構件74内周係裝設接地電極32χ。接地電 極32Χ經由可從導電性本體71及該本體71延伸之接地引線^ 而接地。接地電極32Χ係與本體71同軸，且形成比電場施加 電極3 IX大徑.短小的筒狀。在接地電極32χ内部係插入配 置電場施加電極3 IX。亦即，接地電極32χ包圍電場施加電 極31Χ。如此，在該等31χ、32χ間係形成環狀電漿化空間 30b。在接地電極32Χ内周面係被膜固體電介質33。 另外，在管35的上端開口係送入調溫用冷媒。該冷媒通 過管35後，藉由通過電場施加電極31χ的内周及管35的外周 間，將電極3 IX調溫。此外，藉由經過形成於支持架構成構 件83及本體構成構件74之連通水路（未圖示），環繞接地電極 32Χ外周與本體構成構件54間的環狀空間70d，將電極32χ 調溫。之後，冷媒經由依序通過本體構成構件74、支持架 構成構件8 3、8 2及本體構成構件7 2之排出通路（未圖示）而排 93030.doc •41 - 200428469 出。 的處理氣體經由嘴嘴簡的本體構成 構件72或形成於支持架構成構件82、83等之處理氣體供應 路70b，此外，經過璟γ饴 疋回k形成構件）84的旋回流形成路 8如後，導入環狀電漿化处 工間30b。另一方面，來自脈衝電 源3的脈衝電壓經由導 电g D及v電裱36而施加至電極 3 IX。如此，在電漿化* κ化二間30b形成電場，並使處理氣體電 漿化。 另外，旋回流形成環84在接地電極32x上侧係裝設於支持 木構成構件83,以包圍電場施加電極3ιχ。旋回流形成路料a 系/、有％狀路84b，其沿著環84外周；及複數旋回導孔 84c ’其從環狀路84b周方向的複數位置貫通至環料内周 面。環狀路84b將來自處理氣體供應路鳩的處理氣體行渡 周方向的王周。旋回導孔84e係大致沿著環Μ内周的接線方 向且朝内周面下傾之細通路。來自環狀路㈣的處理氣體 稭由通過旋回導孔84c而形成沿環狀電漿化空間3仙周方向 的向速旋回流。如此，可增長處理氣體的電漿化空間川匕 内的流通距離’提高電漿密度，並良好地大量吹出，以確 實碰到工件W，，進而提升蝕刻率。 在同狀噴嘴頭70的下段本體構成構件74下側係配置底部 90(贺嘴端構成部）。底部9〇係具有：外部噴嘴部9丨、及内部 噴嘴部92。 内部贺嘴部92係由例如聚四氯乙烯等的絕緣樹脂所構 成，其係構成「第一絕緣部」。内部喷嘴部92係形成比外部 93030.doc <42- 200428469 ’嘴部91小徑，且比接地電極32χ若干 部嘖嘴邱忐山 卫之圓盤狀。在内 極叫二 形成導出路❿。導出路92“系呈與電 往J 冋軸的漏斗狀， 地…... 部份係連接電漿化空間 ，在導出路92a的上部錐部份係靠 端部。如圖m e 旧糸罪近電極3iX的下 底面親J 斗狀導出路似的下部直部分係形成 口。«31形l_92a的下端部係朝開口，且構成吹出 如圖所示，在内部噴嘴部92下面令央係設有反凸部 周面V?成上述導出路92a的下部直部分。反凸部92b的外 :核朝下方而縮徑。該外周面藉由與導出路仏的下部 狀。刀的内周面父又’使反凸部92b的下端（前端）形成刀緣 不鏽鋼等的導電金屬形成外部喷嘴部^，其係構 ' ^ 冓牛」外邛噴鳴部91係形成與本體構成構件74 =之圓盤狀。外部喷嘴部91藉由螺检（未圖示）而固定於本 ""成構件74的下端面。外部噴嘴部91經由本體71及接地 引線5而電性接地。 六在外部噴嘴部91上面係形成凹部9U。在該凹部91a係收 匕内P噴嘴# 92。在外部噴嘴部91的凹部化内底或内部喷 ^ 92下面係一體設有可漂浮内部喷嘴部^之間隔物（未 L )此在外部贺嘴部91與内部噴嘴部92間係形成間 ，9〇 S。、'隙9〇8係構成「由氣體層所構成的第二絕緣部」。 2乍為第一、、、巴緣部之間隙90s及作為第一絕緣部之内部 喷窝^ 92 ’可構成絕緣體，其用以將電極構造3GX及外部喷 93030.doc -43- 200428469 嘴部91，亦即導電構件絕緣。 間隙90s上巧部係連通吸引路7〇c。吸引路7〇c係依序形成 本體構成構件74、支持架構成構件83、82及本體構成構件 72。吸引路7〇c的上端部係經由吸引管以而連接排氣泵6。 在外部喷嘴部91的凹部91a中央部係形成可朝下方開口 之孔部91b。如圖22所示，朝孔部91b的部分91下面之開口 係形成比上述反凸部92b的下端緣若干大之長圓形。如圖2 ^ 所不’在孔部9lb係插入配置内部喷嘴部92的反凸部92b。 (亦即，在外部喷嘴部91係形成孔部91b，其用以將内部噴 觜部92的吹出路92a配置於内側。）前述間隙9〇s經由與孔部 91b内周面與反凸部92b的外周面之間，而朝外部噴嘴部η 的下面開口。如此，作為第二絕緣部之間隙90s構成「吸入 路」，其用以將前述孔部91b作為吸入口。如上所述，藉由 反凸部92b的前端形成尖的刀緣狀，使間隙9〇s構的部分w 面開的内周緣與導入路92a前端開口的外周緣崩壞。 、衣置M3中，由於在電極構造3〇χ與工件w間以電性接地 «配置導電金屬製外部喷嘴部91，故不會招致電弧放電 所造成處理不良或工件w，的損傷，可使喷嘴頭顯近工件 W’，並確實提升電漿處理效率。藉由内部喷嘴部％與間隙 90s所構成的絕緣機構，可確實將電極構造與外部噴嘴 部91之間絕緣。 提供外部噴嘴部91與内部噴嘴部92間的間隙9〇s作為第 二絕緣部，不僅可將電極31Χ與外部噴嘴部91絕緣，利用排 氣栗6的驅動可作為用以吸入處理完的氣體(包含姓刻所產 93030.doc 200428469 生的副生成物）之吸入路。處理完的氣體可從作為吸入路的 間隙90s依序經由吸引路70c、吸引管6a而從排氣系6排出。 另外’在吸引管6a係介有流量控制閥6b(吸入流量調節機 構），以調節吸入流量。 本發明並不限於上述實施形態者，在不違反其精神的範 圍内可採用各種形態。 例如，最好導電構件至少相對於電壓施加電極而設置， 也可相對於接地電極而設置。

隶好絶緣體至少設於電壓施加電極與導電構件之間，也 可設於接地電極與導電構件之間。 :可以與電極31、32的金屬本體另體之電介質薄板構成 在電極31、32的相對面或下面所設置之固體電介質^，以 取代溶射膜。 ^ 本發明不僅使用於常壓下，也可使用於減壓下的電聚 理’不僅使用於輝光放電，也可使用於利用電暈放電等

他放笔之電漿處理。再者，使 、 ^」便用於冼乎、蝕刻、成膜 一面改質、灰化等各種電漿處理。 【產業上可利用性】 =明可利用於例如半導體製程中基材的洗淨、蝕刻 成膜專的表面處理。 【圖式簡單說明】 悲之電漿處理裝置的概略 圖1係顯示本發明第一實施形 構成正剖面圖。 驗裝置的概 圖2係用Μ求出冑低位準的1花電壓式之實 93030.doc -45- 200428469 略圖。 圖3係顯示對絕緣構件與金屬板（導電構件）間的間隙厚 度之電壓圖。 圖4係第一實施形態一具體態樣之常壓電漿處理裝置的 喷嘴頭斜視圖。 圖5係上述具體態樣之裝置的正剖面圖。 圖6係沿著圖5之VI—VI線之上述裝置的側剖面圖。 圖7係顯示第一實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖8係顯示第一實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖9係顯示第一實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖10係本發明第二實施形態之常壓電漿處理裝置的正面 圖。 圖11係第二實施形態之喷嘴頭的剖面圖。 圖12係第二實施形態之噴嘴頭長邊方向端部份的放大底 面圖。 圖13係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖14係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖15係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖16係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖17係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖18係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖19係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖20係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖21係本發明第三實施形態之常壓電漿處理裝置的筒狀 93030.doc -46- 200428469 喷嘴頭的縱剖面圖。 圖22係上述筒狀喷嘴頭的放大底面圖。 【主要元件5號說明】 M，M1， 常壓電漿處理裝置 M2, M3 W5 W? 工件（被處理物） 1 長尺喷嘴頭 5 接地引線 3 脈衝電源（電場施加機構） 30, 30X 電極構造 30a " 30b 電漿化空間 3 卜 31X 電壓施加電極 32、32X 接地電極 33 固體電介質 34 間隔物 40a 導出路 40b 間隙、氣體層 40 絕緣構件 40r、40s 倒角部 41 第一絕緣板（第一絕緣部） 42 第二絕緣板（第二絕緣部） 42S 間隙（第二絕緣部） 45 絕緣體 51 導電構件

93030.doc -47- 200428469 51a 避開部 50a 吹出口 70 筒狀喷嘴頭 90s 間隙（第二絕緣部及吸入路） 91 外部喷嘴部份（導電構件） 91b 孔部 92 内部喷嘴部份（導電構件）

92a 導出路

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Claims (1)

1. 200428469 十、申請專利範圍： [—種電漿處理裝置，其特徵在於係將通 處理氣體吹出至配置於電漿化空間外部：化空間之 件的表面處理之裝置，且具備： ，進仃工 包極，其用以形成前述電漿化空間； 導電構件，其係在電性接地的狀態， … 應朝向工件之側的方式設置；& ·、、、'則述電極 絕緣構件，其係由介於前^ 體所構成； 構件間的絕緣 絕緣構件具有該絕緣構件與導電構件間未達到火 化笔麼程度的介電常數與厚度。 2·如申請專利範圍第i項之電漿處理裝置，其中在 的電漿化空間形成面盥& ° … ”應朝向工件側之面設置固體電介 貝’亚在工件側的固體電介質重疊前述絕緣構件。 3.如申請專利範圍第！項之電漿處理裳置，其中前述導電構 :具有：朝向前述絕緣構件之面、形成連接前述電裝化 =間之吹出口之緣面及應朝向工件之面；朝向前述絕緣 件之面與吹出口緣面之夹角及吹出口緣面與應朝向工 件之面之夹角中，至少將前者倒角。 4·如申請專利範圍第i項之電漿處理裝置，其中前述導電構 件具有：朝向前述絕緣體之面、形成連接前述電漿化空 間之吹出口之緣面及應朝向工件之面；前述吹出口緣面 係分別向著朝向絕緣體之面及應朝向工件之面被倒圓。 5· -種電漿處理裝置，其特徵在於：其係製造如申請專利 93030.doc 200428469 乾圍第1項之電漿處理裝置 侔盥逡恭摄从 在 + S則述絕緣構 6. U电構件間的間距’亦即該等構件間的 以施加於該等構件間的電麼比火花電式二’ 前述絕緣構件的介電常數與厚度之設定。4進作 一種電漿處理梦w，甘4士 M i … 置其彳寸欲在於··其係製造如申％專刹 乾圍第W之電漿處理裝 ：申-專利 屢的檢测實驗，祐伊嫌 "/進仃別述火花電 測資料，求出d較平均低的位準引起火花之檢 亦即P 絕緣構件與導電構件之間的間距， 寻構件間的間隙厚度之火花電塵的關係。 種'水處理襄置，其特徵在於係將通 f體^絲置於„^料料=之 件的表面處理之裝置，且具備： 進仃工 電極，其用以形成前述電漿化空間； ::構件’其係在電性接地的狀態，以遮 應朝向工件之側的方式設置；及 电枉 、、巴緣構件，其係由介於前述電極盥導電槿# „ 體所構成； 电L〜構件間的絕緣 ^在前述絕緣構件與導電構㈣形成㈣，並 則述間隙的電壓比火花電壓 °於 件的介電常數與厚度。 M 絕緣構 8· 7電漿處理裝置’其特徵在於係將通到 處理氣體畋Ψ $献罢& +收 1@之 十飞版人出至配置於電浆化空間外部的 件的表面處理之裝置，且具備： 進行工 电極，其用以形成前述電漿化空間；及 93030.doc 200428469 導電構件，其係在 土人 L a接地的狀態，以遮蔽前述雷托 應朝向工件，側的方式設置· ⑴述包極 在别述電極與導雷错 、包傅件間形成氣體層作為絕緣體， 以施加於前述電極與 餸亚 、v电構件間的電壓比火花電 方式，設定該氣體層的厚度。 j之 9· 如申請專利範圍第8頂 ^ ^ ^ 員之笔漿處理裝置，其中在前述電極 的電漿化空間形成而伽* 』4包極 ，、應朝向工件側之面設有固體兩 質；藉由工件側之固驊+人 $ 口體包介 f與前述導電構件區劃前述 耽體廣，以施加於箭+、 、引述工件側之固體電介質與導電構件 間的電壓比火花雷厭 電i小之方式，設定該氣體層的 10.如申請專利範圍笛^ 、，、之電漿處理裝置，其中前述導電構 朝向4述電極之面、形成連接前述電漿化空 之吹出口之緣面及雇查 及應朝向工件之面；朝向前述電極之面 與吹出口緣面之办“， 龙角及久出口緣面與應朝向工件之面之 夾角中，至少將前者倒角。 11 12 :_處理裝置，其特徵在於：其係製造如申請專利 二:圍第8項之電漿處理裝置之製造方法，進行前述火花電 =檢測實驗’並依據以較平均低的位準引起火花之檢 、·!貝料求出對w述氣體層的厚度之火花電壓的關係。 狄種電漿處理裝置，其特徵在於：其係製造如中請專利 ^第9項之電漿處理裝置之製造方法’不管前述電極與 ^包構件間的間距，以施加於前述工件側之固體電介質 契導電構件間的電壓比火花電壓小之方式，設定前述氣 體層的厚度。 93030.doc 200428469 13. -種電裝處理裝置，其特徵在於係將處理氣體電聚化並 朝工件吹出一，以進行電漿處理之裝置，且具備： 包極構造，其係由形成用以前述電裝化的空 電極所構成； ’ 、=:，其係在電性接地的狀態，以遮蔽前述電極 構仏應朝向工件之側的方式配置；及 絶緣體，其介於前述電極構造與導電構件間· ^絕緣體分成：第-絕緣部，其形成連接 化空間下游之處理氣體的導出路；及第二絕緣部^ 另外配置於與此第-絕緣部的導出路側相反側。 〃申"月專利範圍第! 3項之電漿處理裝置，其中 ^ 一絶緣部耐電漿性高的絕緣材料構成前述第一絕^ 1!喷專利耗圍第13項之電漿處理裝置，其中以耐電將 性的絕緣材料構成前述第―絕緣部。 水 16. :申呀專利範圍第"項之電漿處理裝置 構成前述第二絕緣部。 （花體層 17. =中請專·圍f 13項之電聚處理裝置 絕緣部的導屮牧工二、t T⑴建弟~ , 、 形成面比前述電極構造的電漿化* Μ 成面退縮。 二間形 18. 如申請專利笳 ^心 之電漿處理裝置，其中前述第- :㈣向電極構造之面與導 ： 路形成面與朝向導又角及導出 角。 件之面之爽角中’至少將前者倒 93030.doc 200428469 述第弟13項之電漿處理裝置，其，分別將前 n卩㈣電極構造之面與導㈣ ::出路形成面與朝向導電構件之面之夹角倒角，：： 則者倒角大於後者。 使 申請專利範圍㈣項之電藥處理裝置，其中將— -絕緣部的導出路形成面與 弟 角； 〒^稱仵之面之夹角倒 前述導電構件具有緣面，i 的吹出口 # ，、形成連接珂述導出路下游 ㈣人出Π緣面係與前述第—絕緣部朝向導電 縮之面及前述倒角部之交界大致相同位置或比其退 21·如中請專利範圍第13項之電漿處 構:具有朝向第-絕緣部之面、形成連接導IIS :::之緣面及應朝向工件之面；朝向前述第' 之面與吹出口緣面之夾角及吹出口緣面與 面之夾角中，至少將前者倒角。 〇件之 22. :申請專利範圍第13項之電漿處理裝置，其中前 構件具有緣面’其形成連接前述導出路下游的吹出口. j吹出口緣面係比前述電極構造的電漿化空間形成面或 則述第一絕緣部的導出路形成面退縮。 5 23. 如申請專利範圍第13項之電襞處理裝置，其中前述導兩 構件具有緣面，其形成連接前述導出路下游的吹出口’ 該吹出口緣面係比前述電極構造的電漿化空間形成面卞 前述第-絕緣部的導出路形成面突出。 成面或 93030.doc 200428469 24·如:請專利範圍第13項之電漿處理裝置，其中前述電極 構造對—電極係形成與彼此相對方向正交而延伸之長 形，則述絕緣體與導電構件係與前述電極朝同方向延 =進而w述導出路及使其連接其下游端而形成於前述 V電構件的吹出σ與前述電極朝同方向延伸；前述吹出 口係朝與前述相對方向及延伸方向大致正交之方向開 Π 〇 士 ：明專利乾圍第24項之電漿處理裝置，其中在前述一 ^电極的長邊方向相互同侧的端部彼此間夾有由絕緣材 所構成的間隔物；以避開前述間隔物與電極之交界之 方式形成前述導電構件。 帝^專利乾圍第16項之電漿處理裝置，其中在前述導 =部’並在該孔部内側配置前述第一絕緣部 口導出路’藉由前述導電構件與第_絕緣部區劃將前述 二乍為吸人π之吸人路；提供該吸人路作為前述第二 緣部的氣體層。 27.如申請專利範圍第26項之《處縣置，其中另一方電 ^成同軸環狀而包圍前述電極構造之一方電極，藉此 丽述電漿化空間形成環狀。 28· —種電漿處理裝置，盆 έΒ ^ ^ ，、特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電聚處理之装置，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電襞化的空間之一對 电極所構成；及 導電構件，其係經由絕緣體在電性接地的狀態，配置 93030.doc 於f述電極構造應朝向被處理物之侧； 前述導電構件具有緣面，直 下游之吹出—口.兮^ …成連接珂述電漿化空間 形成面形成非齊平面。 讀的包漿化空間 ★令明專利㈣第28項之電漿處理裝置，… 體包含固體的絕緣構件. 八則述絕緣 珂述電漿化空間下游並 一有肜成連接 面；該導出路形成面二、之^出路之 成面退縮。成面係比别述電極構造的電裝化空間形 3〇·如申請專利範圍第29項之電 構件具有：朝向電極構造之& ^ 〃中則边絕緣 向導電構件之面.颠Γ 前述導出路形成面及朝 \構件之面，朝向前述電極構造之面與 面之夾角及導出路形成 形成 〆风由與朝向導電 中，至少將前者倒角。 角 3 1 ·如申請專利範圍第28 體包含氣體層。 包水處理裝置，其中前述絕緣 32·如申請專利範圍第28項之 ^ 私水處理衣置，其中前述導電 構件具有：朝向絕緣體之 ^ 祐卢柿从 · 則述吹出口緣面及應朝向 : 《面’朝向前述絕緣體之面與吹出π緣面之夹 角及吹出口緣面與朝向被處理物之面 前者倒角。 人月丁 夕將 33· 一種電漿處理裝置，1牯 ，、扣敛在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電裝處理之裝置，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電漿化的空間之―對 93030.doc 200428469 電極所構成；及 導：構件」其係在電性接地的狀態，經由絕緣體而配 置於W述電極構造應朝向被處理物之側·， ^述&包構件具有緣面，其形成連接前述電漿化空間 予之人出口，该吹出口緣面比前述電極的電漿化空間 形成面退縮。 34. 35. 種電漿處理農置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電漿處理之裝置，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電裝化的空間之一對 電極所構成；及 ‘：構件’其係在電性接地的狀態，經由絕緣體而配 置於前述電極構造應朝向被處理物之側； ^述導電構件具有緣面，其形成連接前述電漿化空間 下游之吹出口；該吹出口緣面比前述電極的電漿化空間 形成面突出。 玉曰 %水處理波置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電漿處理之裝置，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電漿化的空間之一 電極所構成；及 ’ 導電構件，其係在電性接地的狀態，經由包含固體的 秦巴緣構件之絕緣體而配置於前述電極構造應朝向被 物之側； 刚述絕緣構件具有形成連接前述電漿化空間下游首 出路之面； V 93030.doc 則述導電構件具有緣面 之吹出口，該―山 ，、形成連接珂述導出路下游 面形成非齊-平面。 …巴緣構件的導出路形成 36. 37. 38. 39. 40. 構侏# 圍第35項之電聚處理裝置，1中此十、 面退縮。 ““極構造的電槳化空間形成 :叫專利範圍第35項之電漿處理 構件具有：朝向恭托姓、也 ”中刖述絕緣 向霉帝姚 包極構""之面、前述導出路形成面及鈿 、电構件之面；朝向前述電 月 :之失角及導出路形成面與朝向導電構件 1 中，至少將前者倒角。 之面之夾角 如申請專利範圍第35項之電漿處理 體進-步包含氣體層。 -中吻緣 如申請專利範圍第36項之電漿處理裝置，其中前述導電 構件具有：朝向絕緣體之面、前述吹出D緣面及應朝向 被處理物之面；朝向前述絕緣體之面與吹出口緣面之爽 角及吹出口緣面與應朝向被處理物之面之夾角中，至少 將前者倒角。 夕 一種電漿處理裝置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電漿處理之裝置，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電漿化的空間之一對 電極所構成；及 導電構件，其係在電性接地的狀態，經由包含固體的 絕緣構件之絕緣體而配置於前述電極構造應朝向被處理 93030.doc 200428469 物之側； 前述絕緣構件且古 出路之面，成連接前述電漿化空間下游之導 前述導電構件具有緣面 之吹出口，該—Φ *成連接前述導出路下游 面退縮。 、面比扃述絕緣構件的導出路形成 41.如申請專利範圍第4〇項之電 緣構件的導出跋ρ Λ、 衣置，其中將前述絕 角;前述二朝向導電構件之面之夾角倒 導電構件之面及前述口緣面係與前述絕緣構件朝向 退縮。 交界大致相同位置或比其 種电水處理裝置，其特徵在於係將严 朝被處理物吹出&⑨體電漿化並 電極構造，复/心聚處理之裝置，且具備： ^ "係由形成用以前述電漿化的空n 電極所構成；及 叼二間之一對 導电構件’其係在電性接地的狀態，經 絕緣構件之絕緣舻 匕3固體的 物之侧；緣體而配置於料電極構造應朝向被處理 丽述絕緣構件具有形成連接前述 出路之面； 尺化工間下游之導 前述導電構件具有緣面，其形成連 之吹出口，哕#山 & 4 V出路下游 面突出。-人出口緣面比前述絕緣構件的導出路形成 93030.doc -10-