TWI244112B - Plasma processing apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents

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1244112 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關―於一種裝置，其用以將處理氣體電漿化而碰 到被處理物，亦即工件，以進行洗淨、成膜、蝕巧、一面 改質等的表面處理，特別係關於一種所謂的遠距式電漿處 理裝置’其用以在電漿化空間外配置工件。 【先前技術】 電漿處理裝置大致可區分為以下二種：戶斤謂的直接式， 其將工件配置於電極間的電漿化空間内；及所謂的遠距 式’其將工件配置於外部。 遠距式電漿處理裝置方面，例如特許文獻—所揭示者係 具備-對電極’其呈垂直平板狀而左右相對。_電極係連 接南頻電源而形成電遷施加電極，另一電極則接地而形成 接地電極。在該等電極τ側係設有陶究製下部座。該座下 面與工件相對。 μ =由^電源之電場施加，使電極間的空間形成電裝化 =體處理氣體可導入該空間而電衆化。將已電聚化的處 聚表面處理。 #如此’可進行工件的電 述之#置中，必須從工件將電極進而電聚化空間至少 隔開陶瓷製下部座的厚度量。 此，處理氣體到達工件前 的去活化比例會擴大，使表 災衣由處理的效率不佳。， 大致常壓下（大氣壓附近的壓 八 合爭力被丄 下）進行處理時，去活化比例 运更加擴大，並使效率更惡化。 乃 方面，下部座過薄時， 93030.doc 1244112 當電極接近工件，電弧會落到工件 或工件指# 约於招致處理不良 相锆。尤其大致常壓下電弧易掉落。 電場，可能會〜使玉件受到影響。 ^自電極的 時亦:使：種遠距式電聚處理裝置中，與工件的距離較短 曰使私弧易於從電壓施加電極落至工 、， 距離日”電漿氣體難以到達工件而使處理效率亞化 長 大致沓颅丁， 人千思化。尤其， 塗下的電漿處理中，其傾向顯著。 ^，特許文獻二之裝置中，至少在電源側的電壓施加 面經由絕緣構件而設置金屬板。金屬板係電性接 I屬板係、與工件相對。在絕緣構件係形成導出路，直 、以連接電漿化空間下流，在金屬板係形成吹出口，其用 以連接導出路下流。先將電極的電漿化空間形成面、絕緣 的^出路形成面、及金屬板的吹出口緣面相互形成一 面，使電漿化空間、導出路及吹出口連成直線，流路剖面 體相同纟電漿化空間，已電漿化的處理氣體經由導 出路而從吹出口吹出。如此’可防止電弧對工件放電，且 屯水化空間可靠近工件，並提高處理效率。此外，藉由金 屬板可進行a極與工件間的電場遮蔽，防止電場漏茂至工 件，並使工件不受電場影響。 【特許文獻一】曰本特開平9一 92493號公報 【特許文獻二】日本特開2003— 100646號公報 【發明内容】 上述文獻二之裝置中，在絕緣構件與金屬板間有微小間 隙等的工氣層日守’恐怕會於該處產生放電。此外，絕緣構 93030.doc 1244112 件的導出路形成面等可能會因電 能合軔絲』 弘水而跫到損傷。如此，可 g心致粒子產生，並使處理品質受損。 電極的電漿化空間形成面、絕 1 ^ U ^ , 稱件的導出路形成面及 I屬板的吹出口緣面不一定形 — ^ ig ^ _ 面’猎由使其相互突出 或，可防止從電極或絕緣構 並#错^ 至泠电構件等的放電， 工保叹、％緣構件。或改變流路 形成所希望者。 J面積’使大量的處理氣體 本發明係鑑於上述情事而成者，t ^ ΑΛ /、王目的係在應向著雷 極的工件之侧經由 牡㈣者Ϊ 邱h丄 有導電構件之遠距式電㈣ 理裝置中，防止絕緣體的損傷或放電等，並接1 水處 太欲卩口 ^ 甩寻亚提向處理品質。 义之弟一特徵係一種裝置，直 、 漿產生办十老 /、將通過電漿化空間（電 水產生工間）之處理氣體吹出至 工件，並進行工件的表面處理’該穿置1=工間外部的 用以形成前述電漿化空間；導 ：、有.電極’其 止放電之導電性的構件），;;在=(具用以電場遮蔽或防 痒向著义、+、 ^ 包丨生接地的狀態，以遮蔽 2者4電極的卫件之側的方式而設置，·及絕緣構件， /、系由介在耵述電極與導電出 絕緣構件係且右兮N W、，巴、，彖體所構成，前述 (亦即不絕緣破培# 毒件間未達到火花電壓 不、、巴、、彖破壞）程度的介電常數與厚度（參 此外，在則述絕緣構件與導電構件間舍、，87 使該間隙所消耗的/曰並以 小_述之式(2))之方十A:!屋，亦即絕緣破壞電壓 數與厚度。如此，可才έ "疋前述絕緣構件的介電常 花）等的放電產生 h構件間防止電弧（火 21而提鬲處理品質。 93030.doc 1244112 也可在前述電極的電漿 面設置固體電介質… 與應朝向工件之側 缝士n “ ” ' 在工件側的固體電介質重疊前述絕 緣構件（芩照圖1)。肤车 考慮固體電介質的介電常數與工 件側部分的厚度而決定 这、吧緣構件的介電常數與厚度。 了 體構成工件伯丨】 > 同_ 口體電介質與絕緣構件。也可將工 件側之固體電介；^ I^ Γ _ 包"貝看作「絕緣構件」的一部份。 前述絕緣構件择呈古.ά & 接”… 、彳.朝别述電極之面'用以形成可連 接别述電漿化空間的處 構件之面，·最好朝及朝㈣導電 央自；面與導出路形成面所構成之 九角及導出路形成面盥朝兩 s丨， ^朝導私構件之面所構成之夾角中， 至 >、將前者倒角丨包含R>f 者 幻角、角倒角）(參照圖9等）。藉由前

所#μ μ防止朝絕緣構件的電極之面與導出路形成面 尸坏構成之夹角因雷將& L 包水而缺口，並防止粒子產 ::角將:更加確實地防止在絕緣構件與導電構= 电將一個角彼此倒角時， r 取好朝電極之面與導出路形 之面;=之夹角的倒角大於導出路形成面與朝導電構件 + 取好則述導電構件的吹出口緣面，並 朝别述絕緣部件之導電 ’、 ^ ^ ^ u 电稱仵之面及導出路形成面所構成 之夹角的倒角與朝導電構 其退縮。如此， 面之父界大致相同位置或比 更加確貫地防止在絕緣構件盥導 間引起放電。 舟V电構件 不管兩述絕緣構件盘導恭 間的間隙厚卢，最好' 的間距，亦即該等構件 花1 度取好以使該等構件間所消耗的的電麗比火 化电屋小之方式，進行前述絕緣構件的介電常數與厚度之 93030.doc 1244112 ::二Γ即使改變絕緣構件與導電構件間的間距，亦 予度，也可確貫地防止在該等構件間產生，電狐 動之前述設定最好在可假設間距，亦即間隙的變 时效。將絕緣構件與導電構件完 最好錢料構件間所消耗的的 盥導日日 包书歎料度。在絕緣構件 籌件間形成厚“的間隙時，即使多少增減該厚声 亦p不’d的大小，最好以使 - 消耗的的電麼比火花電麼小之η 構件間所 常數與厚度（參照圖3)。 ；⑨仏緣構件的介電 最:進行前述火花„的檢測實驗，並依據以較平均低 構件之間的間距，亦即該等構述絕緣構件與導電 的關係。如此，可更加確實地防隙厚度之火花電壓 間引起電弧等的放電。 在、、、-緣構件與導電構件 =代絕緣構件而以氣體層構成介在前述電極與導電構件

;_(稱為「氣體層介在構成」。參照圖7、圖8)，也 了以使前述電極與導電構株R 之士 4 — 冓件間所消耗的電麗比火花電壓小 ::::氣體層的厚度。如此，可 电構件間引起電弧（火花）等的放電。 -v 兩述氣體層介在構成中，為^ 面與應朝工件側之面設有固體電㈣間形成 側之固體電介質與前述導電气='知圖7)’猎由工件 午w成珂述氣體層，最好以

93030.dOC 1244112 使前述工件伽+ η J之固體電介質與導電構件間 火花電壓小之方4、 〒間所/肖耗的電壓比 ^ , —万式，設定該氣體層的厚度工件。 朽：仃剛述氣體層介在構成的設計.製造時，不技、、 極與導電構件間的間距，最好以使前述工=闕電 質與導電構件間$ $ ± a件側之固體電介 再仵間所湞耗的電壓比火花電壓 前述氣體層的犀皮τ Μ ^之方式，設定 予度工件。如此，即使改 間的間距，也可磁杏& 灸电極與導電構件 乜了確霄地防止在該等構件間 電。前述設定最好在 弧專的放 心〜、+、〃 距文動之特定範圍内有效。 丁則迷乳體層介在構成的設計.製， 述火花電壓的檢測杳、 取好進行前 花之檢測資料，=、:：據以較平均低的位準引起火 係。如此，可的厚度之火花電厂堅的關 弧等的放電。#地防止在電極與導電構件間引起電 電構件係具有：朝前述絕緣體之面、用以形成可 ί接則述電漿化空間之吹出口之緣面、及應朝工件之面； 最好朝前述絕緣體$ &你Α τ 之面與吹出口緣面所構成之夾角及吹出 口緣面與應朝工件之而 斤構成之夾角中，至少將前者倒角 (匕含R倒角、角倒角）。是义 ^ 月）取好别述吹出口緣面分別向著朝絕 緣體之面及應朝工件之面而呈圓形(參照圖9)。如此，可更 加確實地防止在電極與導電構件間，或絕緣構件與導電構 件間引起放電。 、，本發明係-種電漿處理裝置’其藉由將處理氣體電聚化 朝件人出以進订電聚處理，其第n turn t 極構造，其係由可形成用以前述電聚化的空間之一對電極 93030.doc 1244112 2成m件（放電遮蔽板、放電遮蔽構件），其係在電 妾地的狀態—以遮蔽應朝前述電極構造的卫件之側的方式 、置’及絕緣體’其介在前述電極構造與導電構件間， 2將兩者絕緣，前述絕緣體可分成以下二部分 部（第一絕緣體），並用以采a 、、、巴、、豪 )/、用以形成可連接前述電漿化空間下产

处理氣體的導出路（吹出路、· L 呈 ，及弟二絕緣部（第二絕緣體）， ，、1乐另外配置於盥镇_ 圖11等）。 ^ 、’、、°的蜍出路側的相反側（參照 :此，絕緣體的第一絕緣部因電聚而損傷 父換即可，不需交換絕緣體全體。此外，可以^將二 緣部由耐電漿材料構成 、、、巴 成。其結果，可削減材料成本 第-絕緣部)彼此相接，可防止：::二㈣ 田 々止电何畜積於絕緣體0 取：以：《性絕緣材料構成前述第一 使用比丽述第u 4取野 一絕緣部。如二。^ 的絕緣材料構成前述第 俨的莫#由已電漿化的處理氣體，可防止絕緣 =出路形成面受損傷。從而，可防絲子產：:： 升處理品質。未子產生，並知 必確保耐電聚性，可由較便宜的材料:=絕緣部，不 料成本。“的材料構成相比，可削減絕緣體的材 氮:：⑹絕緣材料可―英柄、氧化,、 也可以空氣等氣趙層構成前述第二绝緣部（參照圖17、圖 93030.doc -12- 1244112 2υ。由於空氣等氣體具有良好的絕緣耐力 電極構造與導電構件間絕緣。此外，可更 只地將 材料成本。 丨減絶緣體的 取好丽述電極構造係由以下構件 搞，1在、由# Λ ^ ^ 包％施加電 、連接电場施加機構（電源）；及接地電極 接地，最好前述絕緣體及導電…、电 -^ ^ 丹#对應該寻電極中至少雷 %%加電極而設置。如此，可確實 夕免 或電場漏洩。 、 电弧放電至工件 最好前述第-絕緣部的導㈣形成面 電盤介处游上、T k包極構造的 甩水化工間形成面退縮（參照圖11#)。如此，可更 防止第一絕緣部的損傷。 、 前述導電構件也可具有緣面， 出路下流的吹出口；該吹出 成可連接前述導 電漿化H 人出口緣面也可比前述電極構造的 (參照圖11等）。如+ _ 路心成面退縮 )女此’可防止在電極盥導 面間引起放電。 構件的吹出口緣 月IJ述導電構件的吹出口緣面也可 、 化办門开;^ 1述电極構造的電漿 玉間形成面大出（參照圖13等 宴屮政擗士、I… 也J比則述弟一絕緣部的 料成面大出（參照圖13等如此，可华 大詈派$蛛山 J木〒處理乳體而 人出口，並提升處理 出口相反側之外側面(背… ^導電構件的吹 卜側面（月面）也可與前述電極 相反側的外側而（北；、β 弘水化工間

卜側面（月面）呈一面（參照圖13等），A 前述電極外側面艰扩$ ★ y , ，、也了位於比 、縮至内側（吹出口側） 15)，其也可位於比疗 ）、位置（芩照圖 '匕别述笔極外側面突出於外側的位置（參照 93030.doc -13 - 1244112 圖1 1等）。 隶好將朝鈾述第一絕緣部的電極構造之面與導出路形成 面所構成之夾角倒角（包含R倒角（圖19)、角倒角（圖18))， 以形成第一倒角部（參照圖18〜圖20等）。如此，可防止朝前 述第一絕緣部的電極構造之面與導出路形成面所構成之： 角因電漿而缺口，並防止粒子產生。 將則述第一絕緣部的導出路形成面與朝導電構件之面所 構成之夾角倒角（包含&倒角（圖19)、角倒角（圖⑻），以妒 成第二倒角部（參照圖18〜圖2〇等）。如此，可防止在第一^ 緣部與導電構件間引起放電。 心 仗防止可朝前述第一絕緣部的電極構造之面 :面所構成之夹角的缺損，比防止在第一絕緣部= 件間的放電優先之觀點來看，最好前述第一部 述第二倒角部(參照圖18〜圖2。等)。 …大於則 取好月述導電構件的吹出 部的導雷播杜+二=^ 、朝則逑弟一絕緣 弟二倒角部之交界大致相同位 其退縮（參照圖18、圖19箄 置或比 邱偽道+ 寺）如此，可確實地防止第一嗜续 邛與導電構件間的放電產生。 弟、、，巴緣 最好將前述導電構件的吹出口緣面與 成之夾角倒角（包含汉倒角、角倒角）， 之面所構 緣面與庫朝工杜 取好將吹出口 分別向著朝絕緣體之面及應朝工件之吹出口緣面 20)。如此，可防止在+ 圓形（苓照圖 “極與導電構件間’或在第-絕緣部

93030.dOC '14- 1244112 與導電構件間引起放電。 弟一特徵中，在前述導命—# & 一 & XL V私構件使孔部開口，並在該孔部 内側配置前述繁_紹@立r? n i 、、、緣4的處理氣體導出路，藉由前述導 電構件與第一絕緣部劃成吸入路，以將前述孔部作為吸入 可提U吸入路作為前述第二絕緣部的氣體層(參照 圖21)。如此，不僅可腺恭 了將电極與導電構件絕緣，也可進行處 理完的氣體的吸引排裔 & 、 ;、 使别述電極構造的一電極形成同 輛環狀而包圍另一雷；, , 電桎如此，前述電漿化空間也可形成 壞狀。前述第一構件的邋 以出路也可連接前述環狀的電漿化 工间全周。 =發明之第三特徵係使電極的電聚化空間 Γ的導出路形成面及導電構件的吹出1成面相互突、I 或退縮（參照圖11、圖！3、圖14等）。 互大出 根據弟三特徵之一能接 處理气雜㈣、， 一種電漿處理裝置，其藉由將 備：電極；化亚朝工件吹出’以進行電聚處理；其係具 :°每’其係由可形成用以前述電漿化的空間之— 由㈣辨 h構件，其係在電性接地的狀態，絰 由、、、巴緣體而配置於靡乂 、、工 #n 、， 應朝則述電極構造的工件之側（吹ά 側），珂述導電構件係 u人出 漿化空間下流之吹出σ /戏了連接則述電 化空間並非开q Α 豕㈣⑴述包極的電漿 h 亦即，前料電構件的吹出口 h 也可比前述電極的兩將儿 ）人囬口緣面 突出（參照圖13)。、艮Γ士形成面㈣（參照圖11等），或 φ D ，可防止從電極放電至導電構件 口人出口緣部。突屮 U冉1千的 、，可良好地吹出大量處理氣體，並提 93030.doc 1244112 高處理效率。 有在電極的電漿化空間形成面設置固 此時，前述導電構件的吹出口緣面不停止於電極=兄: 空間形成面，其也可比固體電介質的表面突出。的〇化 也可由©體的I緣性材料所構成之㉟、緣構 刀 緣體，也可由空氣等氣體声义 則乂 I巴 體層構成別述絕緣體，或由紹餘播 '與氣體層兩方構成前述絕緣體(參照圖16、圖1 * m… ，、用以形成可連接前述電漿化空間下 =% 口上流之導出路（吹出路）。最好用以形成導出 之邛分的絕緣性材料具有耐電漿性。若將導帝 緣構件相互連接，可防止電 ^ 畜積於、乡巴緣體。前述翕鲈思 可设於與絕緣構件的導出路側的相反側。 9 ^據弟二#徵之其他態樣，—種電漿處理裝置， =理氣體電漿化並朝工件吹出，以進行電漿處理^ 置係具備：電極構g1 ^ 門… & #係由可形成用以前述電漿化的空 間之-對電極所構成；及導的工 怨，經由絕緣體而配置於庫 狀 出伽…+ 罝於應朝則述電極構造的工件之側(吹 〇，則述絕緣構件係具有 1 裝化空間下流之導出路^可連接則述電 面，其用以形成述導電構件係具有緣 风了連接削述導出路下流之吹出口，該吹屮 口緣面對前述絕緣構件 即……稱件的ν出路形成面並非形成-面。亦 出口緣面也可比前述絕緣構件的導 出路形成面退縮（參照圖丨丨 ν 縮時，可更加確實地防止二其突出（參照圖13)。退 、 止攸电極放電至導電構件的吹出口 93030.doc -16- 1244112 緣部。突出時，可提高處理氣體的吹出量，並更加提高處 理效率。前述絕緣體不僅包含固體的絕__^ 空氣等氣體層。 弟二特徵中，最好前流纟S @ /丄 好月J逑1巴 '緣構件的導出路形成面比前述 '極的電漿化空間形成面退縮(參照圖U、圖U等)。如此， 可防止絕緣構件因電漿而受到損傷。最好前述絕緣構件之 至”出路形成部分具有耐電聚性。如此，可更加確實地 防止損傷。 第匕三特徵中，Μ述導電構件的前述吹出口相反側的外 面(¾面)也可與前述電極之電聚化空間相反側的 面）呈一面（參照圖13等）’其也可位於比前述電極外面退缩 =的内^欠出口側）的位置（參照圖15)，其也可位於比前述 私極外面突出於外側的位置（參照圖丨^。 ^特财，最好㈣前職輯件的電極構造之面盘 咖形成面所構成之夹角倒角(包含,倒角(圖19)、角倒角 (圖18、_)，以形成第_倒角部（參照_〜_。如 此，可防止朝絕緣部件的雷朽塞 “亟構造之面與導出路形成面所 構成之夾角因電漿而缺口，並防止粒子產生。 第三特徵中’將前述絕緣構件的導出路形成面與朝導恭 :鼻件之面所構成之夾角倒角(包含尺倒角(圖19)、角： 18、圖·，以形成第二倒角部（參照_〜圖2〇)。如此 可防止在絕緣構件與導電構件間引起放電。 ’ 乐特徵中攸防止朝兩述絕緣構件的電極構造之面盘 V出路形成面所構成之夹角的缺損，比防止在絕緣構件與 93030.doc -17- 1244112 第一倒角部 導電構件間的放電優先之觀點來看，最好^

比前述第二倒—角部大（參照圖18〜圖20)。月1J 第三特徵中，最好前述導電構件的 前述絕緣構件的導電構件之面及第二倒與朝 同位置或比其退縮(參照圖18、圖19)。如二二= 絕緣構件與導電構件間的放電。 ^地防止 緣最好將前述導電構件的…緣面與朝絕 最好將^ 夹角倒角（MR倒角、角倒角），此外， :反:：出口緣面與應朝工件之面(朝絕緣體之面的 所構成之夹角倒角吻角、角倒角)。或最 之广出口緣面分別向著朝前述絕緣體之面及應朝工件 Π:，參照圖2〇)。如此，可防止在電極與導電構： 或在、％緣構件與導電構件間引起放電。 千第-特徵中，最好前述電極構造係由以下構件所構成： =施加電極，其係連接電場施加機構；及接地電極，其 ，電性接地’最好前述導電構件係對應該等電極中至少電 ⑽加電極而設置。如此，可確實地防止放電至工件或電 場漏茂。 ，發:中’前述電極構造之—對電極係形成與彼此相對 方=直交而延伸之長尺狀；前述絕緣體與導電構件係與前 &私極朝同方向延伸’進而使形成於前述導電構件的吹出 /、鈉述包極朝同方向延伸，以連接前述導出路及其下流 端，刖述吹出口也可朝與前述相對方向及延伸方向大致直 又之方向開口（苓照圖4〜圖6等）。換言之，一對電極分別朝 93030.doc -18- 1244112 與彼此相對方向及吹出軸 電構件與其朝同方向延伸，户理^向延伸，且上述導 盥—— 纥伸處理虱體的吹出方向也可朝向 刖述相對方向及延伸方向 吹屮n +、，目 置乂之方向。如此，可使 一曰長’亚可一次進行該長度量的表面處理。 :述長尺構造令，在一對電極的長邊方向相互同側的端 。間夾有絕緣材料所構成的間隔物；最好形成前述導電 構件，以避開前述間隔物與電極之交界（參照圖⑺。如此， 在間隔物與電極之交界可引起沿面放電時，可防止其傳遞 至導電構件。 本發明中，制導電構件可防止電弧對卫件放電並使電 極接近工件。因此，可確實防止處理不良或卫件的損傷， 且在已電漿化的處理氣體未去活化中確實碰到卫件，並提 升電漿表面處理的效率。尤其，在大致常壓下處理時，其 評價高°必匕外，可防止電場漏鴻至工#，並使工件不受電 場影響。若將導電構件與絕緣構件相互連接，可防止電荷 蓄積於絕緣構件。 本發明之大致常壓（大氣壓附近的壓力）係指1〇13χ1〇4〜 50_663xl04 Pa之範圍，考慮壓力調整的簡單化或裝置構成 的簡便化日守’敢好為1.333xl〇4〜l〇.664xl04Pa，以9 331χ 104〜10·397χ104 Pa為佳。 【實施方式】 以下，參照圖面說明本發明之實施形態。 說明第一實施形態。圖1係顯示常壓電漿處理裝置的概略 構成者。常壓電漿處理裝置Μ係具有一對彼此相對的電極 93030.doc -19- 1244112 3 1、32。在一電壓施加電極3丨連接作為電壓施加機構之電 源3，另一接地電極32則接地。在該等電極3丨、32間係形成 電漿產生空間30a。在電漿產生空間3〇a，利用電源3施加電 場而引起輝光放電。將來自處理氣體源2的處理氣體導入該 處而電漿化。從後述之吹出口 4〇b將已電漿化的處理氣體吹 至下方的工件W，亦即被處理物。如此，完成工件w的表面 處理。該處理可在常壓下實行。 以/谷射將用以防止於空間3〇a電弧放電之固體電介質33 被膜於與各電極3 1、32另一相對面的下面。另外，圖面中， 固體電介質33的厚度係放大圖示。 在電極31、32下面側（工件側）的固體電介質33下側係設 有絕緣構件40，其係由固體的絕緣體所構成。在絕緣構件 40的中央部係形成處理氣體導出路4〇a，其用以連接電漿產 生空間30a的下流。 在絕緣構件40下側係設有導電構件51，其係由金屬板所 構成。在導電構件51的中央部係形成吹出口 5〇a，其用以連 接導出路40a下流。導電構件51係經由接地線5而電性接 地導電構件5 1藉由電極3 1、32而配置於處理氣體的吹出 側亦即工件…側，並使電極構造30遮蔽與工件w直接相對 者導甩構件5 1中，與電極3 1、32相反側的下面係與應處 理的工件W直接相對。 如此，可防止電弧從電極3丨落至工件w，且可使吹出口 5〇a接近工件…，以使電漿氣體確實到達工件w，並確保處 放率此外，可防止電場漏洩至工件W，使工件w不受電 93030.doc -20- 1244112 場影響。導電構件51係構成可防止電弧等的放電之放電防 止構件或用以―遮蔽來自電極3 1的電場之電場遮蔽構件。 另外，導電構件5 1最好設於一對電極3丨、32中至少電屙 施加電極3 1的下側。 包土 在絕緣構件40與導電構件51間係形成間隙4〇b。使空氣進 入常壓下的間隙働。間隙働有用以提高絕緣幸而積：形 成的情況’亦有原先不應形成但因某種原因而形成的产 況。例如，只將另體的絕緣構件4〇與導電構件51相互重:

時，可形成間隙。 且 上述間隙40b所消耗的的電壓从以系由下式表示。 Vx=abVPp d/2( AtB+BtA+ ABd) (式 1} 在此hi隙4〇b的厚度，亦即絕緣構件4〇 51間的間距

Vpp :電極3 1的峰值間電壓 a ·固體電介質33的介電常數 b ·絕緣構件40的介電常數

U :固體電介質33的電極下側部分的厚度 h :絕緣構件4〇的厚度 另外，間隙40b，亦即空氣的介電常數係％。 在例如數kV〜數十kv的範圍決定峰值間電壓〜，以得 到所希望的輝光放電電漿。 固體電介f 33的電極下側部分的厚度U係與電漿產当 間術側部的厚度相等。設定該固體電介質33的介電弟 A(亦即材質）與厚度tA，以可維持良好的輝光放電。 93030.doc -21 - 1244112 口又疋黾水處理裝置Μ的絕緣構件的介電常數B與厚度t B， 以考慮上述VPP、A、tA，且使間隙4〇b的空氣不會引起絕緣 破壞亦即’間隙40b的火花電壓（絕緣破壞電壓）為Vxo時， 係ά又疋為滿足下式：

Vxo > Vx>-A B γρρ d/2( Α tB+ Β tA+ Α Β d) (式 2) 如此，可在間隙4〇b防止形成電弧者。從而，可防止絕緣 構件40燒焦而產生粒子，其結果，可確保處理品質，並提 升良率。 但是，絕緣構件40的介電常數8係取決於其材質。氧化 鋁中係約7.5，鹼玻璃中係約6〜9，帕雷克斯（登錄商標）玻 璃中係4.5〜5.0，石英玻璃中係3·5〜4·5，氯乙烯中係3〇〜 3.5。因此，決定材質時，最好依據其介電常數β而設定厚 度tB 〇 可使用下述之已知文獻式3求出間隙4〇b的火花電壓νχ〇。

Vxo = 2.405 d(l+ 0.328( d/l〇)-1/2) (式 3) 〔文獻：電力學會大學講座電離氣體論P. 116(歐姆社 刊）〕 式3中，火花電壓Vxo的單位係rkv」，間隙4〇b的厚度d 的單位係「mm」（與式5相同）。係相對空氣密度，間隙4〇b 内的溫度為T〔〕、壓力為P〔 mmHg〕時， = 〇.386P/(273 +T) (式 4) 例如，20、760 mmHg中，=1〇〇122867。此時之式3，亦 P將對間隙4〇b的厚度d之火花電壓Vx〇(文獻值）圖表化 時’係形成圖3之一點鍊線。 93030.doc -22- 1244112 但是，上述文獻式3係顯示平均值，實際上亦有以較低電 壓引起火花之情況。因此，發明者等利用實驗改變火花電壓 Vx〇而公式化。亦即，如圖2所示，在相當於電極3丨之電壓 鈀加側的電極板3丨又下面依次安裝與介電常數相同（介電常 數一4.4)且厚度不同之玻璃49，並在玻璃料與其下方的導電 構件相當的接地金屬板51Χ的間隙40b調整引起火花電壓時 的峰值間電壓Vpp。間隙4〇b的厚度係d=〇5 mm。在此，^ 璃49相當於電漿處理裝置的固體電介質33及絕緣構件40。因 此，其厚度相當於tA + tB。此外，A = B = 4.4。 其、、、。果，對上述式3的文獻值之不均於負向最大者，其厚 度（tA+tB)*2.9 mm時，Vpp=U4 kv。藉由將該結果代入 式1右邊，如下所述，可得到對間隙40b的厚度d之火花電壓 Vxo之式。 (式5)

Vxo= 8.65d/(1.52d+ 1) 該式5係表示相對於間隙4〇b的厚度d，引起火花，亦即最 低位準的火花電塵Vxo者。式5為圖表日夺，係如圖3的虛線。 當然，該虛線係位於較文獻式3的一點鍊線下方。 在電聚處理裝置Μ的製造中，設定絕緣構件4()的介電常 數B與厚度^時，以亦即最低位準的火花㈣VXa為基 準判斷間隙杨的電壓Vx是否比其小，亦即是否滿足式2。 如此’可更加確實防止電弧等的放電產生於間隙楊。 此外如圖3所不，圖表中，式丨所表示電壓的曲線（該 圖的實線）於全體（或取得d的範圍中部分的）係形成於比用 以表示式5的最低位準火花電屋νχ〇的虛線低之下方。其下 93030.doc • 23 · 1244112 限取好使對厚度d的電壓νχ值為相同厚度之火花電壓Vx〇 勺值^如〇·8:〇·9倍左右。如此，不管間隙條的厚度d大 J可防止電弧等的放電產生於該間隙40b。尤其，原先不 應形成但因某種原因而形成間隙杨，對不能預測其厚度d 時有效。 & 另外，圖3的實線需依據以下條件。 固體電介質33的材f :氧化銘（α=7·5)厚度：tA=〇.5_

絕緣構件40的材質：驗玻璃（b=7〇)厚度：一62咖 峰值間電壓：Vpp= 13 kV 當然，為積極形成間隙4〇b而知道其厚度心夺，在該厚度d 中^滿足式2即可。以圖3的圖表上而言，電虔νχ的線最又好 至少在該厚度d的地點（或其周邊）位於比最低位準火花電壓 Vxo的線下方。 準備個人電腦等的計算機所實行之附有圖表製作功能的 表計算軟體，先將式1或式5登錄進去，將A、B、tA、tB等作 為輸入參數而描繪如圖3的圖表時，可簡單地進行上 斷。 j 取代最低位準的火花電壓Vx〇 (式5)，以平均的火花電壓 Vx(文獻式3)為基準，也可決定絕緣構件4〇的介電 厚度tB。 ΒΛ 態樣 圖4〜圖6係顯示常壓電漿處理裝置的具體構 者0 該電漿處理裝置⑷係具有：卫件傳送機構4 ;電聚喷嘴 頭1’其係支持於架台（未圖示），以位於該傳送機構4上；、處 93030.doc -24- 1244112 理氣體源2,其係連接該噴嘴頭ι;及電源3。 在處理氣體源2儲存有依槠 在古从* 一 據處理内谷之處理氣體。例如健 乍為電滎洗淨用處理氣體之N2純氣 合氣體。也可以液相儲存，並適量汽化。 里〇2 % 電源3係輸出例如脈衝狀高頻電壓。該脈衝的上 /或下降時間最好10 s以 〶及 1Π 1Α 卜私極31、32間的電場強度最好 0〜H)〇〇kV/cm，頻率最好為05kHz。另外，電塵形狀也 可為正弦波狀㈣代_狀。如上述概略構成所述，在數 kv〜數十kv的範圍決定峰值間電壓、。在此，例如設定 為 vpp= 14〔 kv〕〇 如圖5所示，傳送機構4係具有多數滚筒4a，其係水平並 列。在該等滾筒4a上可載置大面積的板狀工件w，並朝左 右傳送。以上述噴嘴頭1將已電漿化的處理氣體吹至該工: W’並進行例如洗淨等的電聚表面處理。當然、，也可將工 件W固定，另一方面，移動噴嘴頭工。 洋述電漿處理裝置Μ1的喷嘴頭1。 噴嘴頭1係具備：上側氣體整流部10、及下側放電處理部 2〇，其朝與圖5之紙面相直交的前後方向延長。 氣體整流部10係具有呈前後細長容器狀的本體11，在該 本體11係收容管零件12。管零件12係具有：左右一對管 13,13、及用以夾持該等之上下一對管夾14，14;其與本體^ 朝同方向延伸。利用管零件12將本體丨丨内部區分為上下二 個處理室11a、lib。如圖4及圖ό所示，在氣體整流部10的 長邊方向一端部設置一管13的輸入口 13a，在另一端設置另 93030.doc -25- 1244112 一管13的輸入口 13a。另外，與各管13，13的輸入口 I3a，13a 側的端部相反侧之端部係使用插塞而塞住。 來自處理氣體源2的氣體供應管2a係分成二邊，其分別與 一管13的前端部、另一管π的後端部相連接。處理氣體源2 的處理氣體經由管2a而導入二個管13,13,並於該等管π，π 内相互朝逆向流動。孔11 e係朝前後長邊方向延伸於各管 13,13的上側部及上側的管夾14。孔ue也可呈點狀而按短間 隔多數設於前後，也可呈裂縫狀而朝前後延伸。管13,丨3内 的處理氣體通過孔lie而往上側處理室Ua漏洩。之後，通 過官零件12兩腋的裂縫狀間隙π c而流出於下側處理室 lib。如此，可於長邊方向將處理氣體均勻化。 針對電漿噴嘴頭1的放電處理部2〇作說明。 如圖5及圖6所示，放電處理部2〇係具有··電極構造3〇， 其係由左右一對電極31、32所構成；及容器21，其用以保 持此電極構造30。 各電極3 1、32係由例如不鏽鋼等導電性材料所構成，其 呈剖面四角形而朝與圖5的紙面直交之前後方向延伸為直 線狀。各電極3卜32的角係形成R，以防止電弧。在該等電 極31、32之間係形成電漿產生空間3()a朝前後方向延伸為裂 縫狀。《產生空間30a的厚度（電極31、32間的間隔）係例 如2 mm。施以噴砂時，以溶射使例如介電常數^75的鋁 所構成之固體電介質33被膜於各電極3〇的相對面、上面及 下面。固體電介質33的厚度tA係例如u=imm。 另外SI 5中，符號3a係從電源3至電壓施加電極^的供 93030.doc -26- 1244112 應電線，符號3b係來自接地電極32的接地線。此外，符號 30c係電極調温用冷媒路（於圖6中省略）。 用以保持電極30,30之容器21係具備：頂板22、左右一對 側板23、左右一對角構件（角容器）24、及底板部5〇(於圖4 中省略）。各角構件24係由絕緣樹脂所構成，其呈剖面逆L 字形而朝與圖5的紙面相直交之前後方向延伸。角構件％ 係使各電極30上面與背面分開。在二個角構件以，“上側部 者間係形成間隙24a。間隙24a係連接電極3丨、32間的電漿 產生空間30a的上流。 角構件24,24上面係覆蓋由剛性鋼材所構成 板22。在頂板22的左右中央部係形成朝前後延伸之裂縫 22a。裂縫22a連接氣體整流部1〇的下側處理室ub的下流， 且連接間隙24a的上流。如此，來自氣體整流部⑼的處理氣 體經由裂縫22a及間隙24a而導入電漿間空間3〇a。 在各角構件24的背面（外側面）分別使由剛性鋼材所構成 之側板23分開。以拴緊螺栓將各側板23的上端部連結且剛 性結合於頂板22。利用頂板22與左右的側心構成門型框。 在各側板23分別於長邊方向間隔設置複數緊固螺检緊固 螺栓25(電極接近機構）與拉拔螺检拉拔螺检％(電極離間機 構）。緊固螺栓25拴入側板23且前端抵接於角構件24背面， ，而經由角構件24而使電㈣朝接近另—電極之方向推 堡。拉拔螺栓26在收容於樹脂製螺栓色(螺拴座)27之狀能拴 入電極30,使電極30拉至遠離另一電極的方向。調2 忒等螺栓25、26的栓入量，可矯正長吸雨 ° 贫及弘極3〇,3〇的歪曲， 93030.doc -27- 1244112 使電極間空間30a的厚度全長固定。此外’可阻止電極31、 32因庫倫力或，電極31、32的金屬本體與表面的介電常數 層33之熱膨脹率不同或電極内部溫度差所造成熱應力等熱 力而正曲。其結果，可確實地朝下方(亦即沿著與電極 3卜32者的相對方向直交之吹出軸）均勻吹出處理氣體進 而可確實地均勻電漿處理工件W。 針對構成容H21底部之絲部5〇作說明。底板部5〇係具 備板狀絕緣構件40及金屬板所構成之導電構件Η，·其係朝 圖5的、，、氏面相直父之前後方向水平延伸。底板部％橫跨左 右側板23,23與角構件24,24及電極構造3〇下面，且自身支持 上側噴嘴頭1的構成要素。因此，底板部5〇覆蓋應向著電極 構造30的工件W下面，並將其遮住，以使電極構造儿不直 接”工件w相對。換吕之，以底板部的導電構件51覆蓋 應朝電極構造30的工件W的下面，且使可絕緣兩者之絕緣 體45介在並裝填於該等電極構造3〇與導電構件51之間。底 板部50的左右兩端部係較側板23,23突出。該左右突出部由 未圖不之支持機構而支持。另外，也可以螺栓等連結底板 部50與側板23。 絕緣構件40的材質，可使用例如介電常數β=4·4的玻 璃。 在絕緣構件40的上面係形成凸條4〇c朝與圖5的紙面相直 交之前後長邊方向延伸。在形成於角構件24下端面之凹溝 24b嵌入該凸條40c。 在絕緣構件40的左右寬度方向中央部係形成導出路 93030.doc -28- 1244112 40a(吹出路）。導出路4〇a係呈裂縫狀，其朝與圖3的紙面相 直父之前後方向細長地延伸，並連接電漿化空間3〇a的下 流。絕緣構件40中，導出路40a的左右兩側内端面，亦即導 出路形成面只退縮至電極31、32的相對面，亦即較電漿化 空間形成面的左右外側。如此，導出路4〇a的寬度比電漿產 生空間30a廣，亦即使流路剖面面積擴大。 絶緣構件40的左右兩端部係比側板23，23突出。 導私構件51全體覆蓋絕緣構件4〇下面。導電構件5丨係由 例如不鏽鋼板所構成。在導電構件51的左右寬度方向中央 部係形成吹出口 50a。吹出口 5〇a係呈裂縫狀，其朝與圖5的 紙面相直交之前後長度方向細長地延伸，並連接導出路術 的I抓進而，經由導出路4〇a*連接電極構造30的電漿產 生空間3〇a。（如此，底板部5()係形成可容許處理氣體吹出 =造1導電構件51的以口⑽緣面僅較絕緣構件仙的 形成面退縮至外側。如此，吹出口心的寬度係 〇a廣，亦即使流路剖面積擴大。 ’也可洲左右—對板構件構成絕緣構件40以取代 可二：在該等板構件者間形成導出路4〇a。同樣地，也 在兮等㈣株對板構件構成導電構件51以取代一體者，並 X荨板構件者間形成吹出口 5〇a。 在導電構件51下方可配置工

的電弧’並使噴嘴頭10接 …：防止對工件W 實到達工件w。 以件W’以在常壓下使電漿確 溶接將螺帽55固定於導電構相的左右兩側部 93〇3〇.d〇c -29- 1244112 另-方面’在絕緣構件4G下面係形成凹部·，其用^入 螺帽55。此外’在絕緣構件4〇係形成螺栓插穿孔條，盆用 以從上面到達凹部楊。接著，金屬製螺栓％通過插穿孔撕 而螺合螺帽55。如此，將導電構件”固定於絕緣構件4〇。 在螺栓56頭部係扣合接地引線5的端子&。該接地引線％ 接地。如此，導電構件51係經由螺栓56及螺帽加電性接 地。 在絕緣構件40之電極31、32下側部分4〇χ的下面係形成凹 部術。如此，在絕緣構件懒導電構件51間係積極形成間 隙40b。凹部4时進而間隙4〇b係連接導出路4如與吹出口 5〇a °間隙40b的厚度d係例如d= 1 mm。 下 質 常麼電漿處理裝置⑷中，設定絕緣構件4G(b=44)的電極 側部分40x(間隙40b除外）的厚度t b，以滿足式2。例如（^ 5 nun。如此，可防止間隙4〇b的電弧，並確保處理品 其次’說明第一實施形態之變形態樣。 如圖7所示，在電極3卜32與導電構件51間也可不需絕緣 構件40。亦即，電極31、32與導電構件51只間隔特定距離d， 且在兩者間係形成間隙40b。詳言之，厚度：u、介電常數： :的人固：電介質33被臈於電場施加電極31下面，藉由此固體 電介質33下面與導電構件51上面劃成間隙4仙。間隙4此内 係充滿空氣。空氣係形成具良好絕緣耐力之絕緣體。如此， 間隙亦即氣體層（空氣層）4〇b係構成可將電極31與導電構件 5U巴緣之絕緣體。另外，圖7中，固體電介質33只被膜於電 93030.doc -30- 1244112 昜施力包極3 1的相對面與下面，並未被膜於接地電極u， 但與圖1相同丄也可被膜於兩電極31、32。 以不引起該氣體層4〇b的絕緣破壞之方式，設定氣體層 40b的厚度d換吕之，電極31下側的固體電介質與導電 構件51間所消耗的電壓Vx係設定為比火花電壓Vx〇小。具 體而s ’係設定為滿足下式。

Vxo> Vx= A Vpp d/2(tA+ Ad) (式 6) 式6在上述式2中係置有SB=1、tB=〇者。與式3的文獻值⑽ 3的一點鍊線）相比，構成基準之火花電壓νχ〇最好使用式$ 的最小位準實驗值（同圖的虛線）。如此，可防止在氣體層働 產生電弧。此外’與圖3的實線相同，νχ不管d值，藉由降 低Vxo,即使因某種原因變動氣體層4〇b的厚度心也可確實 防止電弧產生。另外，在d包含原先之值的一定範圍内，若 滿足Vxo > Vx即可。 如圖8所示，在電極31、32與導電構件51間也可不需絕緣 構件40，在電場施加電極31也可不需設置固體電介質μ。 如此，藉由電極31的金屬本體與導電構件51，可劃成氣體 層40b。另外，此時，在與接地電極32的至少另一電極” 的相對面必須設置固體電介質3 3。 圖8態樣中’以使電極31與導電構件51間所消耗的電壓 Vx(=Vpp)比火花電壓Vx。小之方式，設定氣體層楊的厚度 d。與既述態樣相同，火花電壓νχ。與式3的文獻值（圖3的一 點鍊線）相比，最好使用式5的最小位準實驗值（同圖的虛 線）〇 93030.doc -31 - 1244112 換言之，藉由最小位準實驗值之式5 VPP<8.65d/(1.52 d+ 1) (式 7) 為滿足上式，對使用電壓Vpp設定氣體層4〇b的厚度d。如 此’可防止在氣體層4〇b產生電孤。 另外，圖8態樣的裝置中，將氣體層儀的厚度d設定為i 並增減供應電MVpp，~使;咸少電H則可確認的 車巳圍時係vpf^3 kv。如此，可確認式7為相當安全域。 圖W顯示絕緣構件4 〇之導出路形成部的形狀的變形態 樣，。該態樣中，將絕緣構件4〇上面（朝向電極構造％之面） 與導出路4〇a形成面所構成之夹角為厌倒角，且形成第一倒 角術。此外，將絕緣構件侧導出物a形成面與下面（朝 電極構造30之面）所構叙夹角Μ倒角，且形 40s。 Π 藉由第-倒角部撕，可防止絕緣構件4〇上面與導出路形 成面所構成之夾角因電渡而缺口，並防止粒子產生。進而， 可提升處理品質，並提高良率。 第一倒角部撕係大於第二倒角部40s。亦即，第一倒角 曲率半㈣大於第二倒角部他。如此，可防 構件概面與導出路形成面所構叙㈣的缺損 確實防止粒子產生。 另外，也可以角倒角形成第一、第- $ 土 罘一倒角，以取代R倒角。 再者，請樣中，導電構件51的吹“ 著朝絕緣構件4 〇的上面與應朝工 別白 丨卞VV的下面而為半 圓形。換言之，使導電構件51的上面盥 /、人出口 50a緣面所構 93030.doc -32- 1244112

成之夾角可為R倒角， A 使17人出口 5〇a緣面與下面所構成 :角可為R倒角。如此，可更加確實防止在電二 件51間，或在絕緣板41與導電構件51間跳出電弧。^構 也可/、將導電構件51的上面與吹出口 5崎面所構成之夹 角倒角，或只將吹出口 5Ga緣面與下面所 也可為角倒角而取似倒角。 x角倒角。 其次，依據圖10〜圖12說明第二實施形態。 如圖10所不’第二實施形態之常壓電漿處理裝置M2係具 有：處理氣體源2、脈衝電源3、工件傳送機構4、門型框⑽、 及左右一對噴嘴頭（處理頭）1。處理氣體源2、電源3、工件 傳送機構4係與圖4〜圖6之裝置M1相同。 門型框60係具有左右腳62，其配置於傳送機構4的上方。 門型框60内係形成空洞，其構成用以排出處理完的氣體（包 S處理所產生的副生成物）之排氣管道。亦即，門型框的 各腳62内部藉由間隔壁64而區分為内外二個吸引室62a、 62b。在腳62的底板63係内外形成二個吸入口 63a、63b，其 分別連接該等吸引室62a、62b。吸入口 63a、63b係呈裂縫 狀，其朝與圖丨的紙面相直交之前後方向延伸，但也可為與 該紙面直交方向並列之複數點狀孔。 另一方面，内外的吸引室62a、62b上端部係連接於用以 構成門型框60中空之上架框部61内。吸引管6a從上架框部 61的中央部延伸，該吸引管6a係連接排氣泵6。藉由排氣泵 6的驅動’將噴嘴頭1處理完的氣體從内側吸入口 63a吸入内 側吸引室62a，且將該處未吸完之處理完的氣體或外面空氣 93030.doc 33· 1244112 從外側吸入口 63b吸入外側吸引室62b。如此，可確實地防 止處理元的氣體的吸入漏洩，且防止内側吸入口 6 3 a的外面 空氣吸入，而只將處理完的氣體吸入内側吸入口 63a。吸入 各至62a、62b之氣體在上架框部61内部合流後，經由吸引 管6a而從排氣泵6排出。 在各腳62上側部以可出沒方式設置内外二個節流孔板 6 5 A 6 5 B。藉由该荨卽流孔板6 5 A、6 5 B可分別調節室6 2 a、 62b的集中量，進而可分別調節從各吸入口63&、63b的氣體 吸入量。 常壓電漿處理裝置M2的喷嘴頭1係呈左右一對，其位於 滾筒4a上方，亦即工件w的移動平面上方，而支持於門型 框60的左右兩腳62間。左右的噴嘴頭1係相互形成同一構 成。 如圖10所示，裝置M2中，底板部50的左右片側經由連結 板5 9而與相鄰的贺嘴頭1的底板部$ 〇相連結。連結板$ 9與底 板部50係以螺栓56而相連結。 如圖11所不，裝置M2的喷嘴頭1中，底板部5〇的構成係 邛伤與裝置Ml者不同。詳言之，裝置M2的底板部5〇係具備 絕緣體45、及導電構件51 ;其朝與圖u的紙面相直交之前 後方向水平延伸。絕緣體45係由内側的第一絕緣板41及外 側的第二絕緣板42所構成。換言之，絕緣體45係由第一絕 緣部41，其係由板狀固體絕緣體所構成；及第二絕緣體42， 其係由構成與該第一絕緣部41另體之板狀固體絕緣體所構 成0 93030.doc -34- 1244112 第一絕緣板41係呈寬度窄而朝前後延伸。第二絕緣板42 係呈寬度廣，一其左右兩端部係比側板23突出。在第二絕緣 板42的左右中央部係形成朝前後方向延伸的裂縫狀開口， 將第一絕緣板41嵌入該裂縫狀開口。在第二絕緣板“的裂 縫狀開口的左右兩側内緣與第一絕緣板42的左右兩側外係 刀別形成ί又差，藉由使该等段差相互咬合，相繼接合第一、 第二絕緣板41、42者。 在第一絕緣板41左右寬度方向的中央部係形成導出路 4〇a(吹出路）。導出路40a係呈裂縫狀，其朝與圖3的紙面相 直交之前後方向細長延伸。該導出路40a的前後全長係連接 前述電極構造30的電漿化空間30a下端部，亦即下流端。第 一絕緣板41的導出路4 0 a形成面係與上述裝置M丨的絕緣構 件40相同，其分別只較電極31、32的相對面，亦即電漿化 空間30a退縮至左右外側。如此，導出路4〇a的寬度比電漿 化空間30a廣，亦即使流路剖面積擴大。 第二絕緣板42係配置於與第一絕緣板41的導出路4如側 的相反側。在第二絕緣板42上面係形成凸條4〇c，該凸條4〇c 係嵌入角構件24的凹溝24b。 以相互不同的固體絕緣材料構成第一、第二絕緣板“'Μ。 以耐電漿性材料構成第一絕緣板41。進一步言之，使用 比第二絕緣板42耐電漿性高的絕緣材料構成第一絕緣板 41。例如，以石英構成第一絕緣板41，以氣乙烯構成第二 絕緣板42。一般而言，如石英之耐電漿性高的材料係比非 耐電漿性高的氣乙烯等高價。 93030.doc -35· 1244112 導電構件51係完全重疊於第一、第二絕緣板41、42下面。 在導電構件5 1與絕緣體45間並未形成間隙。但是，假設設 有厚度d的間隙，不管d的大小，為滿足式（2)，藉由設定絕 緣體45(尤其第一絕緣板41)的介電常數與厚度，可在導電構 件5 1與絕緣體45間防止電弧跳出。 與上述裝置Ml相同，導電構件51的吹出口 5(^緣面僅較 第一絕緣板41的導出路4〇a形成面退縮至外側。如此，吹出 口 5如的寬度比導出路4〇a廣，亦即使流路剖面積擴大。 另外，也可藉由左右一對板構件構成第一、第二絕緣部 41、42，以分別取代一體者，且也可在第一絕緣板“的一 對板構件者間形成導出路40a。同樣地，也可藉由左右一對 板構件構成導電構件5丨，以取代一體者板，且在該等板構 件者間形成吹出口 50a。 如圖12所不，在電極3丨、32的長邊方向兩端部間係夾有 用以維持電漿化空間3〇a的厚度之絕緣樹脂製間隔物34。最 好在導電構件51的吹出口形成端面的長邊方向兩端部形成 R狀避開部51a，以避開電極31、32與間隔物34之交界。 祀據上述構成之常壓電漿處理裝置M2，即使在絕緣材 41、42蓄積電荷，也可以導電構件51將其接地，並防止從 絕緣材41、42至工件W的放電。 糟由以石英破璃構成用以形成導出路40a之第一絕緣板 41可確保耐電漿性，另一方面，藉由以便宜的氯乙烯構 成不會暴露於電漿之第二絕緣板42，與以石英構成絕緣體 45王體相比，可削減材料成本。由於第一絕緣板41的導出 93030.doc -36- 1244112 路40a形成面較電極構造30的電漿化空間3〇a形成面退縮， 故可更加確實地防止電漿損傷第一絕緣板41。 由於導電構件51的吹出口 5〇a緣面較電極構造3〇的電漿 化空間30a形成面退縮，且較第一絕緣板41的導出路形 成面退縮，故可確實地防止在電極3丨與導電構件5丨的吹出 σ緣部間引起放電。 長呎喷嘴頭1的長邊方向兩端部中，藉由形成導電構件51 =開間隔物34與電極31、32之交界之構成，在間隔物“與 電極31、32之交界引起沿面放電時，可防止其傳遞至導電 構件51。 ％ 其次’說明第二實施形態之變形態樣。 乂如上所述，圖U的裝置M2t，導電構件51的吹出口緣面 係較電極構造30的電漿化空間形成面退縮，以防止從電極 31至導電構件51的放電，但也可因情況而使該等面之位置 關係相反。 亦即’如圖13所示，導電構件51的吹出口5〇a緣面也可比 絕緣構件41的導出路4Ga形成面突出，且比電極3卜32的電 浆化空間3〇a形成面突丨。如此"欠出口5〇a比電槳化空^ 3〇a見度窄。如此，可在吹出口池大量集中處理氣體，以 確實碰到^牛W。其結果，可更加提升處理效率。又，可 直接保持高溫將電漿化空間3〇a所加熱的處理氣體吹至工 件W。 或如圖14所示，導電構件51的吹出口 5〇a緣面也可比絕緣 構件41的導出路術形成面突出，且與電極化μ的電聚化 93030.doc -37- 1244112 空間30a形成面形成一面。如此，可防止處理氣體的吹出量 減少，並確保處理效率。 此外’圖ιΓ之裝置M2t，導電構件51料端面，亦即爽 有導電構件51的吹出n5Ga而與左右各部之吹“則目反 側之背面係位於比電極31、32的外側面，亦即與電漿化空 間30a相反側之背面^ k . f ^ 月囟大出於外側，但如圖13、14所示，也可 構成該等面彼此為一面。 再者^圖15所不，導電構件51的外端面係位於比電極 31、32外側面之内側的吹出口 5〇a附近的位置。 緣體45不僅包含第_、第二絕緣板4ι、亦即固體絕 =構件，切包含空氣等所構成之氣體層，亦即氣體絕緣 。例如’如® 16所*，絕緣㈣、42與導電構件51也可 門Ik特疋距離d，並在兩者間形成間隙娜。間隙他内係 ，氣：氣係具良好絕緣耐力之絕緣體。間隙，亦即 氣體層(空氣層)條與固體的絕緣板4卜42一同動作，以構 成可將電極31與導電構件51絕緣之絕緣體45。設定氣體層 杨的厚度，亦即絕緣板41、42與導電構件η之距離d，以/ 使軋體層杨所消耗的電壓比火花電壓小。 、卜也可以氣體層構成絕緣機構45的第二絕緣部，以 取代絶緣板42。詳言之，如圖17所示，在比電極構造 導電構件㈣的第一絕緣板41外側（與導出路術相反側）係 劃成間隙，亦即氣轉jg

^ ，、體層42S(絶緣空氣層）。藉由該氣體層42S 可才成弟二絕緣部。根據該變形態樣，由於不需第二絕緣 板42,故可更加削減材料成本。 93030.doc -38- 1244112 另外，圖13〜圖17中 33 〇 係省略電極31、32的固體電介質 圖1 8係弟一絕緣板41的導出敗并/ Λ J等出路形成部之形狀，其加上盥 圖9態樣相同的改變。亦即，第一 π ^ 、、、巴緣板41上面（朝電極構 造30之面）與導出路4〇a形成面所 风甶所構成之夾角係角倒角為特 定角度（例如45度），並形成第—倒角部仏。此外，第一絕 緣板41的導出路術形成面與下面（朝導電構件觀面）所^ 成之夾角係角㈣為特定角度（例如45度），並形 部41b。 月 藉由第-倒角部41a，可防止電漿造成第一絕緣㈣上面 與導出路形成面所構成之夾角缺口，並防止粒子產生。進 而，可提升處理品質，並楹宾_专 墙 t 貝五挺间良率。弟一倒角部41以系比第 二倒角部川大。如此，可防止第一絕緣板41上面與導出路 形成面所構成之夹角的缺損，進而可確實防止粒子產生。 再者，圖18的態樣中，導電構件51的吹出口他緣面係相 對於第-絕緣板41㈣二倒角部41b與下面之交界而位於 左右方向的同位置。如此，可確實在電極31與導電構件η 之間防止電孤跳躍。此外，吹出D5()a比導出路恤廣，可 流暢地吹出處理氣體。 另外，電構件51的吹出口 50a緣面係較第—絕緣部之第二 倒角部41b與下面之交界退縮至左右外側。 ”圖19係顯示上面倒角之其他態樣。該變形態樣中，第— 絕緣板41的倒角係形絲倒角，以分別取代角倒角。詳言 之’弟—絕緣板41上面與導出路術形成面所構成之夾角係 93030.doc -39- 1244112 R倒角，且形成有第一倒角部 涂出路40a形成面與下 所構成之夾角—係係R倒角，且形成有第二倒角部4id。第 倒角部41(^的‘率半徑R係比第二倒角部41d大。 圖20係針料電構件51的吹出口形成部之形狀加上與圖 9態樣相同的改變者。亦即，導電構件的吹出口 50a緣面 分別向著朝第—絕緣板41的上面與應朝工件w的下面而為 半圓狀呈圓形°換言之，導電構件51的上面與吹出口 50樣 面所構成之夾角可形成尺倒角，且吹出口 5〇a緣面與下面所 構成之夾角可形成R倒角。如此，可更加確實防止在電極η 與導電構件51間，或在絕緣板41與導電構件51間跳出電 弧。、另外’也可只將導電構件51的上面與吹出口術緣面所 構成之夹角倒角，或只將吹出口⑽緣面與下面所構成之爽 角倒角。也可為角倒角而取代尺倒角。 其次’依據圖21〜圖2?# 贫- —^ 理裝置犯。 理如圖= 斤示’常屢電聚處理裝置M3係進行電浆表面處 衆姓刻之裝置。在裝置奶的處理氣體源⑽蓄 積电水蝕刻用處理氣體，例如CF4等。 裝置M3係具備筒狀喷嘴頭7〇，以取代 1。該筒狀噴嘴頭70孫.L 我凡育嘴頭 二“:〇係在上下朝軸線之狀態支持於架台(未 ',、在问狀噴嘴碩70下方係配有可蝕刻之工件w。 詳述筒狀噴嘴頭70。 Η狀賀嘴碩70係具備··軸線朝上下之 本體7!内之絕緣支持架 衣填於该 及私極構ie30X。本體71係呈三 93030.doc -40- 1244112 段筒狀，其係上下連接三個導電金屬製本體構成構件72、 :3、74。絕緣支持架嶋呈筒狀，其係上下連接三個絕緣 樹脂製本體構成構件81、82、83。 、 裝置M3的電極構造3〇χ係形成同轴雙環狀。亦即， 段本體構成構件83係裝設電場施加電極沿。電場施加電極 似係形成與本體71同軸的有底筒狀。在電場施加電極31χ 外面係被膜固體電介質33。在電場施加電極似内部係插入 可構成與本體71同軸之導電金屬製管35的下端部。導電管 35於中間部㈣導電環％而導通電極Μχ，且上端部朝支持 架81上方突出，並連接脈衝電源3(電場施加機構卜 在下段本體構成構件74内周係裝設接地電極32χ。接地電 極32Χ經由可從導電性本體71及該本體71延伸之接地引線$ 而接地。接地電極32Χ係與本體71同軸，且形成比電場施加 電極31Χ大徑.短小的筒狀。在接地電極32χ内部係插入配 置電場施加電極3 IX。亦即，接地電極32χ包圍電場施加電 極31Χ。如此，在該等31又、32χ間係形成環狀電漿化空間 3 0b。在接地電極32Χ内周面係被膜固體電介質33。 另外，在管35的上端開口係送入調溫用冷媒。該冷媒通 過管35後，藉由通過電場施加電極31χ的内周及管35的外周 間，將電極3 IX調溫。此外，藉由經過形成於支持架構成構 件83及本體構成構件74之連通水路（未圖示），環繞接地電極 32Χ外周與本體構成構件54間的環狀空間7〇d，將電極32χ 調溫。之後，冷媒經由依序通過本體構成構件74、支持架 構成構件83、82及本體構成構件72之排出通路（未圖示）而排 93030.doc -41 - 1244112 出。 來自處理氣體源2X的處理氣體經由噴嘴㈣的本體構成 構件72或形成於支持轉成構件…83等之處理氣體供岸 路·，此外，經過環（旋回流形成構件）84的旋回流形成路 84a後，導入環狀電漿化空間鳩。另一方面，來自脈衝電 源3的脈衝電壓經由導電管35及導電環％而施加至電極 31X。如此，在電聚化空間遍形成電場，並使處理氣體電 漿化。 另外，旋回流形成環84在接地電極32χ上側係裝設於支持 架構成構件83’以包圍電場施加電極31χ。旋回流形成路… 係具有··環狀路84b，其沿著環84外周；及複數旋回導孔 84c，其從環狀路84b周方向的複數位置貫通至環料内周 面。環狀路84b將來自處理氣體供應路7〇b的處理氣體行渡 周方向的全周。旋回導孔84c係大致沿著環84内周的接線方 向，且朝内周面下傾之細通路。來自環狀路84b的處理氣體 藉由通過旋回導孔84c而形成沿環狀電漿化空間3〇b周方向 的咼速旋回流。如此，可增長處理氣體的電漿化空間3牝 内的流通距離，提高電漿密度，並良好地大量吹出，以確 實碰到工件W，，進而提升蝕刻率。 在筒狀喷嘴頭70的下段本體構成構件74下側係配置底部 90(贺鳴端構成部）。底部9〇係具有··外部喷嘴部9丨、及内部 噴嘴部92。 内°卩喷嘴部92係由例如聚四氯乙烯等的絕緣樹脂所構 成’其係構成「第一絕緣部」。内部喷嘴部92係形成比外部 93030.doc -42- 1244112 小徑，且比接地電極32X若干大徑之圓盤狀。在内 HP92令—央部係形成導出路…。導出路仏係呈盘電 極3则軸的漏斗狀，其上部錐部耗連接電漿化空間 3〇b。此外，在導出路仏的上部錐部份係靠近電極3以的下 :部。如圖u所示，漏斗狀導出路92a的下部直部分係形成 底面視長圓形。導出路92_下端部係朝開口 4構成吹出 口 〇 如圖21所示，在内部噴嘴部92下面中央係設有反凸部 咖’以形成上述導出路仏的下部直部分。反凸部灿的外 周面係隨朝下方而縮徑。該外周面藉由與導出路92a的下部 :部分的内周面交又，使反凸部92b的下端(前端)形成刀緣 狀。 、例士不鏽鋼等的導電金屬形成外部噴嘴部9 i，其係構 成「導電構件」。外部噴嘴部91係形成與本體構成構件Μ 同徑之圓盤狀。外部喷嘴部91藉由螺栓（未圖示）而固定於本 體構成構件74的下端面。外部噴嘴部91經由本㈣及接地 引線5而電性接地。 在外4喷酱部91上面係形成凹部91a。在該凹部仏係收 =内部噴嘴部92。在外部喷嘴部91的凹部9ia内底或内部喷 嘴部9 2下面係一體設有可漂浮内部噴嘴部& 2之間隔物（未 圖不）。如此，在外部噴嘴㈣與㈣嘴嘴部训係形成間 :9〇s。間隙90s係構成「由氣體層所構成的第二絕緣部」。 精由/乍為第二絕緣部之間隙90s及作為第-絕緣部之内部 贺紫部92，可構成絕緣體，其用以將電極構造3GX及外部嘴 93030.doc -43- 1244112 嘴部91，亦即導電構件絕緣。 間隙90s上巧部係連通吸引路7〇c。吸引路7〇c係依序形成 本體構成構件74、支持架構成構件83、82及本體構成構件 72。吸引路70c的上端部係經由吸引管以而連接排氣泵6。 在外部噴嘴部91的凹部91a中央部係形成可朝下方開口 之孔部91b。如圖22所示，朝孔部91b的部分91下面之開口 係形成比上述反凸部92b的下端緣若干大之長圓形。如圖2ι 所不，在孔部91b係插入配置内部噴嘴部92的反凸部92匕。 (亦即，在外部喷嘴部91係形成孔部91b，其用以將内部喷 嘴部92的吹出路92a配置於内側。）前述間隙9〇s經由與孔部 叫内周面與反凸部92b的外周面之間，而朝外部噴嘴㈣ 的下面開口。如此，作為第二絕緣部之間隙構成「吸入 路」，其用以將前述孔部91b作為吸入口。如上所述，藉由 反凸部92b的前端形成尖的刀緣狀，使間隙9Qs構的部糾 下:開口的内周緣與導入路92a前端開口的外周緣崩壞。 二置M3中，由於在電極構造3()χ與工件w間以電性接地 大=配置導電金屬製外部噴嘴部9卜故不會招致電弧放電 所，xe成處理不良或工件W’的損傷’可使喷嘴頭顺近工件 w’’並確實提升電漿處理效率。藉由内部噴嘴部％與間隙 9〇s所構成的絕緣機構， 州之間絕緣。了確貫將-極構造30Χ與外部喷嘴 :P m 91與内部噴嘴部92間的間隙90s作為第 緣部，不僅可將電極31χ與外部噴嘴部Μ絕緣，利 氣泵6的驅動可作為用 為用以吸入處理完的氣體(包含蝕刻所產 93030.doc -44- 1244112 生的副生成物）之吸入路。處理完的氣體可從作為吸入路的 間隙90s依序經由吸引路7〇c、吸5if6a而從排氣果6排出。 另外，在吸引管6a係介有流量控制閥补（吸入流量調節機 構）’以調節吸入流量。 本發明並不限於上述實施形態者，在不違反其精神的範 圍内可採用各種形態。 例如，最好導電構件至少相對於電壓施加電極而設置， 也可相對於接地電極而設置。 最好絕緣體至少設於電壓施加電極與導電構件之間，也 可設於接地電極與導電構件之間。 也可以與電極31、32的金屬本體另體之電介質薄板構成 在電極Μ、32的相對面或下面所設置之固體電介㈣，以 取代溶射膜。 本發明不僅使用於常Μτ，也可使用於減壓下的電聚處 理’不僅使用於輝光放電，也可使用於利用電暈放電等其 他放電之電漿處理。再者，可使用於洗淨、_、成膜Ϊ 一面改質、灰化等各種電漿處理。 、 【產業上可利用性】 本發明可利用於例如半導體製 成膜等的表面處理。 程中基材的洗淨 、名虫刻 【圖式簡單說明】 實施形態之電漿處 理裝置的概略 圖1係顯示本發明第一 構成正剖面圖。 圖2係用以求出最低位準的火花電壓式之實驗裝置的相 93030.doc -45- 1244112 略圖。 圖3係顯示對絕緣構件與金屬板（導電構件）間的間隙厚 度之電壓圖。 圖4係第一實施形態一具體態樣之常壓電漿處理裝置的 喷嘴頭斜視圖。 圖5係上述具體態樣之裝置的正剖面圖。 圖6係沿著圖5之VI—VI線之上述裝置的側剖面圖。 圖7係顯示第一實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖8係顯示第一實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖9係顯示第一實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖10係本發明第二實施形態之常壓電漿處理裝置的正面 圖。 圖11係第二實施形態之喷嘴頭的剖面圖。 圖12係第二實施形態之喷嘴頭長邊方向端部份的放大底 面圖。 圖13係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖14係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖15係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖16係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖17係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖1 8係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖19係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖20係顯示第二實施形態之變形態樣的剖面圖。 圖21係本發明第三實施形態之常壓電漿處理裝置的筒狀 93030.doc -46- 1244112 喷嘴頭的縱剖面圖。 圖22係上述筒狀喷嘴頭的放大底面圖。 【主要元件^夺號說明】 M，M1， M2, M3 常壓電漿處理裝置 W，W， 工件（被處理物） 1 長尺喷嘴頭 5 接地引線 3 脈衝電源（電場施加機構） 30, 30X 電極構造 30a、30b 電漿化空間 31 、 31X 電壓施加電極 32、32X 接地電極 33 固體電介質 34 間隔物 40a 導出路 40b 間隙、氣體層 40 絕緣構件 40r、40s 倒角部 41 第一絕緣板（第一絕緣部） 42 第二絕緣板（第二絕緣部） 42S 間隙（第二絕緣部） 45 絕緣體 51 導電構件 93030.doc -47- 1244112 51a 避開部 50a 吹出口 70 筒狀喷嘴頭 90s 間隙（第二絕緣部及吸入路） 91 外部喷嘴部份（導電構件） 91b 孔部 92 内部噴嘴部份（導電構件） 92a 導出路 93030.doc -48-

Claims (1)

1. I24^y以11376。號翻申請案 ；-· 中文申請專利範圍替換本(94年8月）丨fp S 十、申睛專利範圍： 1 . 以遮蔽前述電極 電構件間的絕緣 電極其用以形成前述電浆化空間； ‘電構件，其係在電性接地的狀態， 應朝向工件之側的方式設置；及 絕緣構件，其係由介於前述電極與導 體所構成； 火 —前述絕緣構件具有該絕緣構件與導電構相未 花電壓程度的介電常數與厚度。 2. 3· 。申睛專利範圍第旧之電漿處理裝置’纟中在前述電極 ::電漿化空間形成面與應朝向工件側之面設置固體電介 質，並在工件側的固體電介質重疊前述絕緣構件。 如申請專利範圍第！項之電聚處理褒置，纟中前述導電構 2具有：朝向前述絕緣構件之面、形成連接前述電衆化 空間之吹出口之緣面及應朝向卫件之面；朝向前述絕緣 構件之面與吹出σ緣面之失角及吹出口緣面與應朝向工 件之面之夾角中，至少將前者倒角。 4_如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中前述導電構 件具有：朝向前述絕緣體之面、形成連接前述電漿化空 間之吹出口之緣面及應朝向工件之面；前述吹出口緣面 係分別向著朝向絕緣體之面及應朝向工件之面被倒圓。 5· 一種電漿處理裝置之製造方法，其特徵在於：其係盤造 93030-940826.doc . 1244112 如申-專利範圍第1項之電漿處 前述絕緣構件盥導A Ik方去，不管 隙严戶） 電構件間的間距（亦㈣等構件間的間 糸子度）’以施加於該等構件 寸傅彳干間的電壓比火花電壓小 6.

   式，進行前述絕緣構件的介電常數與厚度之設定。方 一種電漿處理裝置之萝诰太 L ^ k方法，其特徵在於··其係,！ 如申請專利範圍第】項之電f 、製乂 東水處理裝置之製造方法，進行 刖述火花電壓的檢測實驗， 沒仃 ^ ^ 並依據以較平均低的位準引 起火化之檢測資料，求出相 ^ K出相對於别述絕緣構件與導電槿 件之間的間距（亦即該等構 電構 的關係。 構件間的間隙厚幻之火花電屬 電漿化空間之 工件，進行工 一種電li處理裝置，其特徵在於係將通到 處理氣體吹出至配置於電漿化空間外部的 件的表面處理，且具備·· 以遮蔽前述電極 電極，其用以形成前述電漿化空間 導電構件，其係在電性接地的狀態 應朝向工件之側的方式設置；及 絕緣構件’其係由介於前 體所構成； 述電極與導電構件間的絕緣 在前述絕緣構件與導電構侔 ▼电偁仵間形成間隙，並以施加於 前述間隙的電壓比火花雷壓」令女^ 化冤&小之方式，設定前述絕緣構 件的介電常數與厚度。 8· -種電漿處理裝置，其特徵在於係將通_化空間之 處理氣體吹出至配置於電漿化空間外部的卫件，進行工 件的表面處理，且具備： 93030-940826.doc 〇 1244112 電極，其用以形成前述電漿化空間；及 導電構件，其係在電性接地的狀態，以遮蔽前述電極 應朝向工件之側的方式設置； 在前述電極與導電構件間形成氣體層作為絕緣體，並 以施加於前述電極與導電構件間的電壓比火花電壓小之 方式’設定該氣體層的厚度。 9.如申請專利範圍第8項之電聚處理裝置，其中在前述電極 的電漿化空間形成面與應朝向工件側之面設有固體電入 =^由1側之固體電介質與前述導電構件區劃料 轧體層’以施加於前述工件側之固體電介質與導 間的電壓比火花電壓小之方式’設定該氣體層的厚声。 从如申請專利範圍第8項之電激處理裝置，其中前述導又電構 件具有·朝向前述電極之面、形成連接前述電聚化空 口之緣面及應朝向工件之面；朝向前述電極二 Ά出口緣面之夾角及吹出口緣面與應朝向工件 夾角中，至少將前者倒角。 11 一種電滎處理裳置之製造方法，其特徵在於：其係^ 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置之製造方法，二 花電壓的檢測實驗，並依據以較平均低的位準J 二雷二之私測資料’求出相對於前述氣體層的厚度之火 化電壓的關係。 火 12’ 了漿處理農置之製造方法，其特徵在於：其係梦造 j述：專利範圍第9項之電漿處理裝置之製造方法，不管 93030-940826.doc^ 極與導電構件間的3間距，以施加於前述工件側二 1244112 固體電介質與導電構件間的電壓比火花電壓小之方式， 設定前述氣體層的厚度。 1 3 · —種電漿處理裝置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝工件吹出，以進行電漿處理，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電漿化的空間之一對 電極所構成； ’ 導電構件，其係在電性接地的狀態，以遮蔽前述電極 構造應朝向工件之側的方式配置；及 絕緣體，其介於前述電極構造與導電構件間； 前述絕緣體分成··第-絕緣部，其形成連接前述電货 化空間下游之處理氣體料出路；及第：絕緣部， 14, 另外配置於與此第一絕緣部的導出路側相反側。…、 如申請專利範圍第13項之電漿處 第一绍綠如， 八τ从比前述 部。、、、…耐電漿性高的絕緣材料構成前述第一絕緣 其中以耐電 15.如申請專利範圍第13項之電漿處理裝置 性的絕緣材料構成前述第一絕緣部。 其中以氣體 16·如申請專利範圍第13項之電裝處理裝置 構成前述第二絕緣部。 17·如申請專利範圍第13項之電漿處 絕緣部的導出路來成而士乂 + /、中則述弟 成面退縮成比别述電極構造的電激化空間 18·如中請專利範圍第13項之電漿處理裝置， 絕緣部朝向電極構造 ’、則述苐 _4。826加 構 ^與導出路形成面之夾角及導 1244112 =成面與朝向導電構件之面之夾角中，至少將前者倒 19:ΓΓ範圍第13項之電衆處理裝置，其中分別將前 及導7緣部朝向電極構造之面與導出路形成面之央角 前者倒：形成面與朝向導電構件之面之夾角倒角，且使 ⑴者倒角大於後者。 利範圍第13項之電漿處理裝置，其令將前述第 角緣㈣導出路形成面與朝向導電構件之面之夹角倒 的=電:?Γ緣面，其形成連接前述導出路下游 構件之面及§1、緣面係與前述第一絕緣部朝向導電 縮件之面及别述倒角部之交界大致相同位置或比其退 申"月專利軌圍第13項之電II處理裝置，其 構件具有朝向第一絕緣部 2 吹出口之緣面及應朝向工件之面=導出路下游的 之面與吹出口緣面之夾角及第-絕緣部 面之央角中，至少將前者㈣緣面與應朝向工件之 22_=’=圍Γ項之電漿處理裝置，其中前述導電 上有緣面，其形成連接前述導出路下游的吹出口； ^人出Π緣㈣比前述f極構 前述第—絕緣部的導出路形成面退縮。尺化工間形成面成 23·如中請專利範圍第13項之錢處理裝置， 具有緣面，其形，接前述導出路下游:二“ 1244112 該吹出口緣面# 义 前述第绍電極構造的電漿化空間形成面或 这弟—絕緣部的導出路形成面突出。 24·如申請專利範圍第13項之電衆處理裝置， 1 ;二電極係形成與彼此相對方向正交而延伸之長 伸，緣體與導電構件係與前述電極朝同方向延 導電構件==出路及使其連接其τ游端而形成於前述 ::係朝與前述相對方向及延伸方向大致正1之::: 25·=專利範圍第24項之電聚處理裝置，其中在前述- 料所错的長邊方向相互同侧的端部彼此間夾有由絕緣材 冓成的間隔物；以避開前述間隔物與電極之交界之 方式形成前述導電構件。 之又界之 26. ϊ=專利範圍第16項之電毁處理裝置’其中在前述導 " 開有孔部，並在該孔部内側配置前述第一絕緣部 的立導出路，藉由前述導電構件與第一絕緣部區劃== 孔口Ρ作為吸人口之吸人路；提供該吸人路作為前述第二 絕緣部的氣體層。 27. 如申請專利範圍第26項之電漿處理裝置，其中另一電極 形成同轴環狀而包圍前述電極構造之一電極，藉此前述 電槳化空間形成環狀。 28·-種電漿處理裝置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電漿處理，且具備·· 極構造’其係由形成用以前述電漿化的空間之一對 -6 - 1244112 電極所構成；及 =電構件’其係經由、絕緣體在電性接地的狀態， ;則述電極構造應朝向被處理物之側，· 下前述導電構件具㈣面，其形成連接前述《化空間 游之吹出口；該吹出口緣面對前述 形成面形成非齊平面。 κ化二間 .如申凊專利範圍第28項之電漿處 體包含固體的㈣n 我置其中别述絕緣 A m 1前㈣緣構件具㈣成連接 K化空間下游並連接前述吹出Π上游之導出路 ^該導出路形成面係比前述電極構造的電約 成面退縮。 间仏 3〇.如申請專利範圍第29項之電漿處理農置， 構件具有··朝向電極構造之面 /、别也'邑緣 =導電構件之面；朝向前述電極構造之面與導出路形= 之夾角及導出路形成面與朝向導電構件之面之夾 中，至少將前者倒角。 31·:申請專利範圍第2δ項之電浆處理裳置，其 體包含氣體層。 緣 泣如申請專利範圍第28項之電聚處 , . 八丫刖迹導雷 構件/、有··朝向絕緣體之面、前 被處理物之面；朝……出緣面及應朝向 朝向則述絕緣體之面與吹出口緣面之 角及17人出口緣面盘朝& ^士走 ”朝向被處理物之面之夾角中， 前者倒角。 /將 3 3. —種電漿處理裝詈， 93030-940826.doc 置八，被在於係將處理氣體電漿化並 1244112 朝被處理物吹出，以進行電漿處理，且具備： 對 電極構造’其係由形成用以前述電漿化的空間之 電極所構成；及 間之 二構件’其係在電性接地的狀態，經由絕緣體而配 ;别述電極構造應朝向被處理物之側； 2料電構件具有緣面，其形成連接前述電㈣空間 /之吹出口；該吹出口緣面比前述電極的電浆化空間 艰烕面退縮。 34.:種電毁處理襄置’其特徵在於係將處理氣體電漿化並 月被處理物吹出，以進行電漿處理，且具備： 電極構造，其得、由形成用以前述電聚化的空間之 電極所構成；及 V:構件’其係在電性接地的狀態，經由絕緣體而配 置於如述電極構造應朝向被處理物之側； 下3料電構件具有緣面，其形錢接前《聚化空間 下游之吹出口；該吹出口緣面比前述電極的電漿化空間 形成面突出。 種電水處理裝置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電漿處理，且具備·· 電極構造，其係由形成用以前述電漿化的空間之一對 電極所構成；及 V電構件，其係在電性接地的狀態，經由包含固體的 、、s緣構件之絕緣體而配置於前述電極構造應朝向被處理 物之側； 93030-940826.doc 上244112 前述絕緣構侔i + 出路之面；成連接前述電漿化空間下游之導 之Hr具有緣面’其形成連接前述導出l 面形成非齊平面。 邑緣構件的導出路形成 申π專利乾圍第35項之電漿處理 構件的導出路形成面比 其中前述絕緣 面退縮。 ^電極構造的電“空間形成 3人如申請專利範圍第％項之 構件具有:朝向電極構造之面、二出=述絕緣 向導電構件之而·如人 路形成面及朝 面之夾i導二向/述咖^ 中，至少將;者=成面與朝向導電構件之面… 38.==圍第35項之電衆處理裝置，其中 心進一步包含氣體層。 、 •如申％專利範圍第36項之電漿處理裝置，其中前述導電 構件具有：朝向絕緣體之面、前述吹出口緣面及應朝向 被處理物之面；朝向前述絕緣體之面與吹出口緣面之夾 角及°人出口緣面與應朝向被處理物之面之夾角中，至少 將前者倒角。 ^ 4〇·種電漿處理裝置，其特徵在於係將處理氣體電漿化並 朝被處理物吹出，以進行電漿處理，且具備： 電極構造，其係由形成用以前述電漿化的空間之一對 電極所構成；及 93030-940826.doc 1244112 性接地的狀態，經由包含固體的 置於前述電極構造應朝向被處理 導電構件，其係在電 絕緣構件之絕緣體而配 物之側； 緣構件具有形成連接前述電漿化空間下游之導 出路之面； v 前述導電構件具有緣面，其形成連接前述導出路下游 之吹出口，該呤ψ η从 ㈣縮。 、緣面比前述絕緣構件的導出路形成 女申-月專利乾圍第4〇項之電漿 绦媸处ΑΑ、苦， ^ 1 T W則述絕 角.1、、、V路形成面與朝向導電構件之面之失角倒 角，月ϋ述導雷；1：盖杜& A t 導電構件之面及：緣面係與前述絕緣構件朝向 退縮冓件之面“述倒角部之交界大致相同位置或比其 42·::二Γ:裝置’其特徵在於係將處理氣體電聚化並 二广物17人出，以進行電漿處理，且且備· ::::係由形成一電㈣間之-對 、絕在電性接地的狀態，經由包含固體的 物之側；緣11而配置於前述電極構造應朝向被處理 •述邑緣構件具有形成連接前述電漿化* 出路之面； < 电水化工間下游之導 引述導電構件具有緣面，其 之吹出口，〜山 4戚連接別迷導出路下游 93030-940826.doc ^ ^人出口緣面比前述絕緣構件的道山μ -10- 」守tn路形成 1244112 面突出。

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