TW200427636A - Electric deionization apparatus and method of operating the same - Google Patents

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200427636 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於生產硼濃度低之生產水或陰離子濃度低 之生產水之電子去離子裝置及其運轉方法。 【先前技術】 電子去離子裝置被使用於製造純水、超純水之領域 中。板框式（plate-and-frame )之電子去離子裝置具有陽 極、陰極、以及交互配置之陽離子交換膜與陰離子交換 膜’使其於該陽極與陰極間交互形成濃縮室與脫氯室（稀 釋室）。脫氯室中塡充離子交換樹脂等離子交換體。應行 脫氯處理之水於此脫氯室中流通，水中之離子通過離子交 換膜，自脫氯室向濃縮室移動。 日本特開2002-205069號有如下之記載：爲生產矽濃 度及硼濃度低之生產水，將矽濃度及硼濃度低於原水之水 作爲濃縮水，自脫氯室之脫離子水取出口之近側導入該濃 縮室之同時，使之自該濃縮室中脫氯室之原水入口之近側 流出，並將此濃縮室所流出之濃縮水之至少一部份排出系 統外。 依同號公報，以矽濃度及硼濃度低於原水之水爲濃縮 水，並且將此種水質良好的水由脫氯室之脫離子水（生產 水）取出側向原水流入側方向通水，可以得到矽、硼濃度 降低至極低濃度之高水質之生產水。 (2) 200427636 【發明內容】 本發明之目的在提供充分抑制自濃縮 度擴散，並依此可得硼濃度極低之生產水 置之運轉方式及電子去離子裝置。又，本 提供充分抑制自濃縮室而來之碳酸離子等 散，並依此可得碳酸濃度極低之生產水之 之運轉方式及電子去離子裝置。 與本發明之第1觀點（aspect)相關 置之運轉方法係於陽極與陰極間依離子交 濃縮室與脫氯室之電子去離子裝置之運轉 濃縮水流通於該濃縮室之同時，使原水作 通於脫氯室，並作爲生產水而自該脫氯室 法，其特徵爲：使自該濃縮室流出之濃縮 在生產水所含硼之濃度之5 00倍以下或在 與本發明之第2觀點相關之電子去離 極與陰極間依離子交換膜而區劃出之濃縮 濃縮水流通於該濃縮室，原水作爲被處理 室，並作爲生產水而被取出之電子去離 爲：具備使自該濃縮室流出之濃縮水所含 水所含硼之濃度之5 00倍以下或在l〇PPb 第1及第2觀點中，爲了製造硼濃度 0.0 lppb以下之高純度生產水，而將自濃 水的硼濃度降低。 沿被處理水的流經方向設置複數個 室而來之硼之濃 之電子去離子裝 發明之目的亦在 陰離子之濃度擴 電子去離子裝置 之電子去離子裝 換膜而區劃出之 方法，並係在使 爲被處理水而流 中取出之運轉方 水所含硼之濃度 1 0 p p b以下。 子裝置則係於陽 室與脫氯室，且 水而流通於脫氯 子裝置，其特徵 硼之濃度在生產 以下之方法。 顯著地低之例如 縮室流出之濃縮 脫氯室及濃縮室 -5- (3) (3)200427636 時，使自最下側之濃縮室流出之濃縮水的硼濃度在自最下 側之脫氯室流出之生產水的硼濃度的 5 00倍以下或在 1 0 p p b以下者爲佳。依此，即使在濃縮室之出口旁，從濃 縮室往脫氯室之硼濃度梯度相對而言變得較小，硼從濃縮 室往脫氯室的擴散被抑制，而亦可降低生產水的硼濃度。 第1及第2觀點中，對被導入電子去離子裝置之原水 作前處理者爲佳，尤其希望能以MF膜將自來水等原水除 濁，或活性碳等之脫氯處理後，再進行RO處理。或再進 行脫氣處理亦可。 特別希望的是，將生產水的硼濃度降低至〇.〇〇5PPb 以下之際，進行2段RO (逆滲透）處理以降低電子去離 子裝置之給水負荷（例如3ppb以下）。 脫氯室中亦可塡充離子交換體。 將水質良好之水、低電子傳導度、高電阻之水通至濃 縮室，則濃縮室之電子阻抗會升高，而可能無法確保電流 値。因此，濃縮室中亦可塡充離子交換樹脂等離子交換 體、活性碳或其他的電子導電體以確保必要電流。 與本發明之第3觀點相關之電子去離子裝置之運轉方 法係一種去離子裝置之運轉方法，並係使被處理水流通於 該脫氯室，濃縮水流通於該濃縮室之運轉方法，其特徵 爲：以陰離子除去處理方法處理後之低陰離子濃度水作爲 該濃縮水，使其以自脫氯室出口近側流入該濃縮室之同時 自脫氯室入口近側流出之方式流通於該濃縮室。 與本發明之第4觀點相關之電子去離子裝置之係於陽 -6- (4) (4)200427636 極與陰極間依離子交換膜而區劃出之濃縮室與脫氯室，且 被處理水流通於該脫氯室，濃縮水流通於該濃縮室之電子 去離子裝置，其特徵爲：設有使該濃縮水自脫氯室出口近 側流入該濃縮室之同時自脫氯室入口近側流出之濃縮水導 入方法及流出方法，並且，設有自流入該濃縮室之濃縮水 中除去陰離子之方法。 第3及第4觀點中，爲了製造碳酸等陰離子濃度顯著 低之高純度生產水，而將供給至濃縮室之濃縮水的碳酸等 陰離子之濃度降低。 依此，即使在濃縮室之出口旁，從濃縮室往脫氯室之 陰離子濃度梯度相對而言變得較小，碳酸從濃縮室往脫氯 室的擴散被抑制，而亦可降低生產水的碳酸濃度。 第3及第4觀點中，將流入濃縮室之濃縮水的總無機 碳酸濃度降至5 Oppb以下，以抑制從濃縮室往脫氯室的碳 酸離子濃度梯度所產生之擴散，而能生產總無機碳酸濃度 顯著低的生產水。 第3及第4觀點中，同樣地，將流入濃縮室之濃縮水 的矽濃度降至lOOppb以下，或將硼濃度降至10ppb以 下，以抑制這些離子從濃縮室往脫氯室的濃度梯度所產生 之擴散，而能顯著降低生產水中的矽濃度及硼濃度。 爲了降低流入濃縮室之濃縮水中之總無機碳酸濃度、 矽濃度或硼濃度，亦可將自脫氯室流出之生產水的一部份 作爲濃縮水來使用。又，將供給至濃縮室之水以離子交換 裝置或電子去離子裝置處理亦可。 (5) 200427636 爲了降低流入濃縮室之濃縮水中之總無機碳酸濃度， 亦可使用脫氣膜裝置等脫氣方法。 第3及第4觀點中’將原水作陰離子除去處理後，亦 可將之供給至脫氯室，而依此可以使生產水的陰離子濃度 更爲降低。此一陰離子除去處理，以逆滲透處理及脫氣處 理爲適當，尤其，多段逆滲透處理後加上脫氣處理特別適 當。

【實施方式】 以下參照圖面來詳細說明本發明之良好形態。 第1圖係表示第1及第2型式之一例之電子去離子裝 置1〇’的模式斷面圖。此電子去離子裝置係在電極（陽極 1 1、陰極1 2 )間交互配列複數個陰離子交換膜（A膜）

1 3及陽離子交換膜（C膜）1 4而交互形成濃縮室1 5及脫 氯室1 6 ;脫氯室1 6中混合或複層狀地塡充了離子交換樹 脂、離子交換纖維或嫁接（graft )交換體所成之陰離子交 換體及陽離子交換體。 濃縮室15、陽極室17及陰極室18中亦塡充了離子 交換體、活性碳或金屬等電子導電體。 原水被導入脫氯室16，而生產水自脫氯室16被取 出。此生產水之一部份被以脫氯室1 6的通水方向之反 向，依逆流單通式通水至濃縮室1 5，而濃縮室1 5之流出 水則被排出系統外。亦即，此電子去離子裝置中交互地並 設濃縮室1 5與脫氯室1 6，濃縮室1 5之流入口設於脫氯 (6) (6)200427636 室1 6之生產水取出側；濃縮室1 5之流出口則設於脫氯室 1 6之原水流入側。生產水之一部份被送至陽極室1 7之入 口側，而陽極室1 7之流出水則被送至陰極室1 8之入□ 側，陰極室1 8之流出水則爲排出水而被排出系統外。 如此，將生產水依與脫氯室1 6逆流單通式通水至濃 縮室1 5，使得越靠近生產水取出側濃縮室1 5內之濃縮水 的濃度越低，且濃度擴散對於脫氯室1 6之影響變小’而 可大幅提高硼等離子之除去率。 此實施形態中，將生產水通水至濃縮室，會使電子去 離子裝置之電子阻抗提高，因而在濃縮室中亦塡充了離子 交換體等導電體。依此就不須在濃縮水中添加食鹽等電解 質來降低電子阻抗。 第1圖之電子去離子裝置1〇’中，雖然亦對電極室 1 7、1 8供給生產水，但電極室1 7、1 8也與濃縮室1 5同 樣，爲了確保電流，塡充離子交換體、活性碳或電子導電 體金屬等爲佳。依此，即使所通之水爲高水質之水，亦可 確保必要電流。 電極室中，尤其是陽極室中會引起鹽類與臭氧等之氧 化劑之產生，因此長期而言，與其以離子交換樹脂爲塡充 物，還不如使用活性碳爲佳。如第1圖，將生產水供給至 電極室，會因爲電極室供給水中幾乎不含C Γ，而能防止 鹽類的產生，故可望達到塡充物與電極的長期安定。 第2圖係第1圖之電子去離子裝置1〇’之往脫氯室及 濃縮室之通水系統之簡略圖。如圖所示，原水被通水至脫 -9- (7) (7)200427636 氯室1 6而變成生產水。生產水之一部份被通水至濃縮室 1 5 ’並作爲濃縮排水而被排出。濃縮室內的水之流向爲脫 氯室1 6內的相反（逆流）。 使此濃縮排水之硼濃度在生產水之硼濃度之5 0 0倍以 下’或1 Oppb以下，使得生產水的硼濃度顯著地降低到例 如O.lppb以下之程度，甚至可以生產硼濃度0.〇5ppb以 下之極低濃度生產水。 第7a圖係第2型式之與另一例相關之電子去離子裝 置1 〇 之其他實施形態槪略性斜視圖；第7b圖則係同裝 置之通水系統圖。 如圖，此電子去離子裝置1 〇 "，在陽極1 1與陰極1 2 之間交互配列陽離子交換膜與陰離子交換膜而交互形成濃 縮室15與脫氯室16之特點方面，與第1圖之電子去離子 裝置10’具有相同之構造，但濃縮室被依隔板15S區劃出 2個以上（第7 a、7 b圖中爲2個）的濃縮水流通部1 5 a、 15b，各濃縮水流通部15a、15b之濃縮水的通水方向爲脫 氯室16之通水方向之交叉方向’此與第1圖之電子去離 子裝置10'不同。 亦即第7a、7b圖中，脫氯室16在第7a圖中上側爲 入口側，下側爲出口側，脫氯室1 6內水由上向下流。 一方面，濃縮室15內’與此脫氯室16內之通水方向 交叉之方向（於第7a圖中係垂直方向（而，此垂直方向 並不須嚴格要求，80°〜1〇〇°之範圍內均可）上設置延伸 隔板1 5 S，濃縮室1 5內在圖中被分爲上下2段，由圖的 -10- (8) (8)200427636 表面側往裡面側之方向通水至各濃縮水流通部1 5 a、 15b。 如第7b圖所示，以幫浦將由脫氯室1 6取出之生產水 之一部份導入循環之濃縮水流通部1 5 b之循環系統’而使 生產水取出側之濃縮水流通部1 5 b循環。再以幫浦將此循 環系統之循環濃縮水之一部份導入循環之濃縮水流通部 1 5 a之循環系統，使原水流入側之濃縮水流通部1 5 a循 環，而其一部份則被排出系統外。 即使此一電子去離子裝置1 〇"亦因生產水在使生產水 取出側之濃縮水流通部1 5b循環後流入原水流入側之濃縮 水流通部1 5 a並循環’其後被排出系統外，結果’濃縮水 被從生產水之取出側往原水流入側通水，然後其一部份被 排出系統外，而具有如第1圖所示之與脫氯室之逆流單通 式通水時相同之效果。 將濃縮室以隔板間隔而形成濃縮水流通部亦可有3個 以上。若考量增加隔板的數目而造成零件的增加、裝置構 造的複雜化等因素，則在濃縮室內區劃出2或3個濃縮水 流通部者爲佳。 第7a、7b圖之電子去離子裝置10”亦因濃縮水流通 部1 5 b所排出之濃縮排水之硼濃度在生產水之硼濃度之 5 00倍以下，或1〇ppb以下，使得生產水的硼濃度顯著地 降低到例如0 · 1 p p b以下之程度，甚至可以生產硼濃度 〇.〇 5 ppb以下之極低濃度生產水。 設置多段之電子去離子裝置而使原水作多段式去離子 -11 - 200427636 Ο) 處理，則可確實地生產如上所述之硼濃度顯著低之生 水’甚至可以生產硼濃度0.005ppb以下之超低濃产生 水。 第3〜6圖即係多段設置電子去離子裝置之電子去離 系統之通水系統0 ’其中任一*均係將第1電子去離子裝 1與第2電子去離子裝置2直列接續。裝置1、2可以 上述裝置10’、10”之任一*種。 第3圖之電子去離子系統中，硼濃度3ppb之原水 通水至第1電子去離子裝置之脫氯室16A而變成硼濃 O.lppb之1次生產水。此1次生產水被分流至第2電子 離子裝置之脫氯室16B及濃縮室15B。濃縮室15Α、ι 之濃縮水的流通方向爲脫氯室1 6 A、1 6 B之並流方向。 濃度0.0 1 ppb之2次生產水（生產水）由該脫氯室16B 出。自第2電子去離子裝置2之濃縮室15B流出之濃縮 之硼濃度低於lppb，其一部份在該濃縮室15B之入口 循環，所剩部份則可回歸原水。 由第1電子去離子裝置1之濃縮室15A而來的濃 排水之硼濃度高達30ppb，一部份會回到該濃縮室15A 入口側，所剩部份則被當作濃縮排水而排出。 第4圖之電子去離子系統中，將由第1電子去離子 置1之脫氯室16A而來的硼濃度O.lppb之1次生產水 全部通水至第2電子去離子裝置2之脫氯室16B，而作 硼濃度0.005 ppb以下之2次生產水。將此2次生產水 一部份以逆流方向通水至濃縮室1 5 B。自濃縮室1 5 B流 產 產 子 置 是 被 度 去 5B 硼 取 水 側 縮 之 裝 之 爲 之 出 -12- (10) (10)200427636 之硼濃度1 p p b之2次濃縮水則可回歸原水。 原水以並流方式被通水至第1電子去離子裝置1之濃 縮室15A，變成硼濃度30ppb之1次濃縮水而被排出。 第5圖之電子去離子系統中，原水之全部依裝置1之 脫氯室16A、16B之順序流動而變成硼濃度0.005ppb以下 之2次生產水。而，由脫氯室1 6 A流出之1次生產水之 硼濃度爲〇.〇5ppb。由脫氯室16B流出之2次生產水之一 部份則依濃縮室1 5 B、1 5 A之順序，以個別之逆流方式被 通水後，成爲硼濃度1 5PPb之濃縮排水而被排出。由濃縮 室15B流出之1次濃縮水之硼濃度爲〇.25ppb。 第6圖之電子去離子系統中，原水之全部被供給至脫 氯室16A而成爲硼濃度0.02ppb之1次生產水。1次生產 水之一部份以逆流方式被通水至濃縮室1 5 A，成爲硼濃度 3 0 p p b之濃縮排水而被排出。1次生產水之所剩部份被通 水至脫氯室16B而成爲硼濃度0.005ppb以下之2次生產 水。此2次生產水之一部份以逆流方式被通水至濃縮室 1 5 B，成爲硼濃度〇 . 2 p p b之2次濃縮水而流出。此2次濃 縮水可回歸原水。 如第3〜6圖多段設置電子去離子裝置時，第丨電子去 離子裝置1之脫氯室的厚度在7mm以上，尤其是在 8〜3 0 mm時，第2電子去離子裝置2之脫氯室之厚度未滿 7 mm，尤其是在2〜5 mm時，第1電子去離子裝置1中的 矽、硼等弱電解質及硬度成份會被除去，第2電子去離子 裝置2中的矽、硼則更會被除去。第2電子去離子裝置2 -13- (11) (11)200427636 會將自前段之電子去離子裝置1漏出之鹼成份除去，而能 得到高水質之處理水。 若第1電子去離子裝置1之脫氯室之厚度在7mm以 上，則該裝置1之脫氯室1 6A內之pH値會上升，矽與硼 等弱電解質及硬度成份可有效率地被除去。 上述實施形態中，生產水被供給至濃縮室，使得位於 脫氯室出口側濃縮室內之硼濃度降低；但使用將濃縮室供 給水脫硼處理後之水來代替生產水，或者與其並用均可。 硼之除去方法方面，使用離子交換樹脂與硼吸著樹脂 之方法或使用逆滲透膜之方法等均可。 如上所述，以第1、第2型式之電子去離子裝置及其 運轉方法，可確實地生產硼濃度顯著低的生產水。 第8圖係表示本發明之第3型式之實施形態之電子去 離子裝置10之模式斷面圖。此電子去離子裝置10係在電 極（陽極1 1、陰極1 2 )間交互配列複數個陰離子交換膜 (A膜）1 3及陽離子交換膜（C膜）1 4而交互形成濃縮 室1 5及脫氯室1 6 ;脫氯室1 6中混合或複層狀地塡充了 離子交換樹脂、離子交換纖維或嫁接（graft )交換體所成 之陰離子交換體及陽離子交換體。 濃縮室15、陽極室17及陰極室18中亦可塡充離子 交換體、活性碳或金屬等電子導電體。 被處理水被導入脫氯室16，而生產水自脫氯室16被 取出。被處理水之一部份被以陰離子除去方法9進行陰離 子之除去處理。此一以陰離子除去處理方法9除去陰離子 -14- (12) (12)200427636 之水被以脫氯室1 6的通水方向之反向，依逆流單通式通 水至濃縮室1 5 ’而濃縮室1 5之流出水則被排出系統外。 此電子去離子裝置中交互地並設濃縮室15與脫氯室16, 》辰1(目室1 5之流入口設於脫氯室1 6之生產水取出側；濃縮 1 5之〖lb出口則设於脫氯室1 6之原水流入側。依此’濃 縮水對著濃縮室1 5，由脫氯室出口側（第8圖之下側） 流入’而由脫氯室入口側（第8圖之上側）流出。 經陰離子除去方法9後流出之水之一部份被送至陽極 室1 7之入口側，然後，陽極室1 7之流出水則被送至陰極 室1 8之入口側’而陰極室1 8之流出水則作爲排水被排出 系統外。陽極室1 7之入口水亦可爲經過陰極除去方法之 被處理水。 如此’將陰離子除去處理水依與脫氯室丨6逆流單通 式通水至濃縮室1 5，使得越靠近生產水取出側濃縮室15 內之濃縮水的濃度越低，且濃度擴散對於脫氯室i 6之影 響變小，而可大幅提高強陰離子、甚至碳酸、矽、硼等弱 陰離子之除去率。以此電子去離子裝置，可生產電阻在 以上之生產水。 被通水至濃縮室之陰離子除去處理水的導電率低，電 子去離子裝置之電子阻抗變高之時，在濃縮室中塡充離子 交換體等導電體。依此則無須在濃縮水中添加食鹽等電解 質以降低電子阻抗。在電極室1 7、1 8中爲了確保電流， 亦塡充離子交換體、活性碳或電子導電體金屬等爲佳。依 此，即使所通之水爲高水質之水，亦可確保必要電流。 -15- (13) (13)200427636 電極室中，尤其是陽極室中會引起鹽類與臭氧等之氧 化劑之產生，因此長期而言’與其以離子交換樹脂爲塡充 物，還不如使用活性碳爲佳。又’如第8圖，將生產水供 給至電極室，會因爲電極室供給水中幾乎不含cr，而能 防止鹽類的產生，故可望達到塡充物與電極的長期安定。 第9圖係第8圖之電子去離子裝置之往脫氯室及濃縮 室之通水系統之簡略圖。如圖所示，被處理水被通水至脫 氯室1 6而變成生產水。被處理水之一部份經陰離子除去 處理後被通水至濃縮室1 5，並作爲濃縮排水而被排出。 濃縮室內的水之流向爲脫氯室1 6內的相反（逆流）。 此陰離子除去方法9使得總無機碳酸濃度在50ppb以 下，3 Oppb以下爲佳，依此，生產水中之總無機碳酸濃度 顯著降低。又，依陰離子除去方法9，矽濃度在100ppb 以下，80ppb以下爲佳；硼濃度在l〇ppb以下，8ppb以下 爲佳，依此，生產水中之矽濃度及硼濃度可被顯著地降 低。 上述陰離子除去方法9除脫氣膜裝置、脫碳酸塔、真 空脫氣塔等脫氣裝置之外，尙有例如含有逆滲透膜分離裝 置、電子透析裝置、陰離子交換體之離子交換樹脂塔等離 子交換裝置或電子去離子裝置。 爲了除去碳酸，最好能有含有脫氣膜、脫碳酸塔、真 朵脫氣ί合之脫氣方法。尤其是真空吸引方式（例如2〇T〇rr 以下）’或依氣氣等之掃除（sweep)方式，或者二者均 行之脫氣膜處理裝置在碳酸除去效率上均爲優良。 -16- (14) 200427636 第10圖係表不作爲陰離子除去方法9而採用電子 離子裝置8之情況之一例之系統圖。此電子去離子裝置 係於陽極與陰極間以陰離子膜8 a與陽離子膜8 c形成脫 室8D與濃縮室8A、8B。被處理水於各室8A、8B、8D 並流地流通，由脫氯室8D而來的脫氯水與由濃縮室 而來的濃縮水被供給至電子去離子裝置1 〇之濃縮室1 5 脫氯室出口側，而自脫氯室入口側流出。此電子去離子 置8中有脫氯室8D之陰離子膜8a側之濃縮室8A與陽 子膜8 c側之濃縮室8 B，在濃縮室8 A中僅有被濃縮之 離子成份被排出，陽離子被濃縮之濃縮室8 B則與由脫 室8D而來的脫氯水共同被供給至電子去離子裝置10 濃Ιίθ室1 5。此電子去離子裝置8係依如此方式而僅 去、降低陰離子成份。 本發明中，亦可使用經陰離子除去處理之被處理水 作爲供給至脫氯室之被處理水，且依此方式，脫氯室之 離子負荷會減輕，故可得弱陰離子濃度降至更低水準之 產水。此陰離子除去處理例如脫氣處理、逆滲透處理等 屬適當。而以活性碳來吸著除去有機成份，並將鹽類離 化之方法則更爲適當。 自往脫氯室之給水以陰離子除去處理來除去碳酸離 時，其陰離子除去方法採用脫氣方法（尤其是膜脫氣 置）之效果特別良好。又，希望能將脫氣處理水之一部 再循環至脫氣裝置入口以提高碳酸除去效率。 爲除去碳酸而進行之脫氣處理中，希望能將流入水 去 8 氯 中 8Β 之 裝 離 陰 氯 之 除 來 陰 生 均 子 子 裝 份 調 -17- (15) (15)200427636 整爲酸性，pH値4〜6者爲佳，pH値4〜5者更佳，以提高 碳酸除去效率。 以真空幫浦吸引脫氣膜之氣體側時，希望能將真空度 調整至5 0 T 〇 r r者爲佳，而2 0 T 〇 r r更佳，以提局碳酸除去 效率。 對原水作逆滲透處理（以下亦稱R Ο處理。）時，希 望能以進行多段，例如2段處理來充分降低碳酸、矽、硼 等弱陰離子成份。 此情況下，使第1段及/或第2段之R〇入口水調整 爲鹼性（p Η値8〜1 0 )，則可提高弱陰離子成份之除去效 率。 爲了調整至鹼性所用之鹼生成方法例如，使用日本特 開2001-113281號所示之脫氯室厚度7mm以上（15mm以 上爲佳），並塡充了陰離子/陽離子之混合離子交換體之 電子去離子裝置。如此，鹼生成之同時，弱陰離子成份亦 被降低。此種電子去離子裝置則希望能配置在第1段與第 2段之RO裝置間。 前處理若含有上述2段RO處理與脫氣處理，則可得 到超高純度之超純水，例如電阻1 8 · 2 Μ Ω - c m以上、矽濃 度0.05ppb以下、硼濃度0.005ppb以下之處理水，而特 別適當。 將上述之前處理裝置配置在電子去離子裝置1〇之前 段上之構成例，以第4〜7圖表示之。 第1 1圖中，將原水以作爲前處理裝置之脫氣膜裝置 -18- (16) (16)200427636 101來進行脫氣後，作爲電子去離子裝置10之被處理 水。而，脫氣膜裝置1 0 1之脫氣處理水之一部份被回送至 該裝置1 0 1之上側，進行反覆處理。 第1 2圖中，將原水通水至作爲前處理裝置之活性碳 吸著塔102與2段之R〇裝置103、i 03後，作爲被處理 水。 第1 3圖中，將原水以活性碳吸著塔1 〇2、第1 r〇裝 置103、電子去離子裝置1〇4、第2RO裝置1〇3處理後， 作爲電子去離子裝置1G之被處理水。而，電子去離子裝 置104可使用例如日本特開2001-113281號之電子去離子 裝置，但也不限於此。 第1 4圖中，將原水以活性碳吸著塔1 0 2、2段之RO 裝置103、103、脫氣膜裝置101處理後，作爲電子去離 子裝置1 〇之被處理水。 本發明中，自供給至濃縮室之濃縮水除去陰離子之方 法亦可直接使用電子去離子裝置10。亦即，如第15圖， 將被處理水之全部流通至電子去離子裝置1 〇之脫氯室 1 6，將其生產水之一部份由脫氯室出口側往脫氯室入口側 流通至濃縮室1 5亦可。 本發明中，亦可多段設置電子去離子裝置10，對原 水作多段去離子處理。 第16圖係多段設置與裝置10構造同一之電子去離子 裝置10A、10B之電子去離子系統之通水系統圖，第1電 子去離子裝置10A與第2電子去離子裝置1〇B以直列方 -19- (17) (17)200427636 式接續。 第16圖之電子去離子系統中，被處理水被通水至第 1電子去離子裝置10A之脫氯室16A而成爲1次生產水。 此1次生產水被流通至第2電子去離子裝置1 0B之脫氯_ 16B。濃縮室15A、15B之濃縮水的流通方向爲脫氯_ 16A、16B之逆流方向。2次生產水（生產水）由該脫氡 室16B取出，其一部份被供給至濃縮室15B。由第2電子 去離子裝置2之濃縮室1 5 B流出之濃縮水之陰離子濃度 低，被供給至該濃縮室1 5 A。 第1電子去離子裝置1之濃縮室1 5 A之流出水則作 爲濃縮排水而被排出。 本發明之第3、4型式中，脫氯室之厚度以2〜7 mm， 流速以LV = 60〜120m/h、SV=10〜30/h爲佳。濃縮室之厚度 以2〜7mm，流速以LV = 10〜30m/h、SV = 25〜50/h爲佳。脫 氯室、濃縮室均塡充離子交換體，尤其是塡充陰離子陽離 子之混合，而以電流密度3 00〜700mA/dm2運轉者爲佳。 供給至濃縮室之水並不以幫浦等再循環至濃縮室入口，而 希望採用單通式樣。 如第1 6圖直列地通水至複數個脫氯室之時，特別是 最終段的脫氯室之厚度以 2〜7mm ，流速以 LV = 60 〜1 20m/h、S V= 1 0 0〜2 0 0/h 爲佳。 如上所述，以本發明之電子去離子裝置及其運轉方 法，可確實生產陰離子濃度，尤其是總無機碳酸濃度顯著 低之生產水。 -20- (18) (18)200427636 【圖式簡單說明】 第1圖係與實施形態相關之電子去離子裝置之模式斷 面圖。 第2圖係第1圖之電子去離子裝置之通水系統圖。 第3圖係與另一實施形態相關之電子去離子系統之通 水系統圖。 第4圖係與再另一實施形態相關之電子去離子系統之 通水系統圖。 第5圖係與不同實施形態相關之電子去離子系統之通 水系統圖。 第6圖係與實施形態相關之電子去離子系統之通水系 統圖。 第7a圖係與另一實施形態相關之電子去離子裝置之 槪略性斜視圖；第7b圖則係同系統圖。 第8圖係與第3型式之實施形態相關之電子去離子裝 置之模式斷面圖。 第9圖係第8圖之電子去離子裝置之通水系統圖。 第1 〇圖係與另一實施形態相關之電子去離子系統之 通水系統圖。 第1 1圖係與再另一實施形態相關之電子去離子系統 之通水系統圖。 第1 2圖係與不同實施形態相關之電子去離子系統之 通水系統圖。 -21 - (19) (19)200427636 第1 3圖係與實施形態相關之電子去離子系統之通水 系統圖。 第1 4圖係與實施形態相關之電子去離子系統之通水 系統圖。 第1 5圖係與實施形態相關之電子去離子系統之通水 系統圖。 第1 6圖係與實施形態相關之電子去離子系統之通水 系統圖。 主要元件對照表 1 第 1 電 子 去 離 子 裝 置 2 第 2 電 子 去 離 子 裝 置 8 電 子 去 離 子 裝 置 8 A 濃 縮 室 8B 濃 縮 室 8D 脫 氯 室 8 a 陰 離 子 膜 8c 陽 離 子 膜 9 陰 離 子 除 去 ( 處 理 )方法 10 電 子 去 離 子 裝 置 1 0 A 第 1 電 子 去 離 子 裝 置 1 OB 第 2 電 子 去 離 子 裝 置 10' 電 子 去 離 子 裝 置 10” 電 子 去 離 子 裝 置 -22- 200427636 (20) 11 陽 極 12 陰 極 13 陰 離 子交 換 膜 ( A膜） 1 4 陽 離 子交 換 膜 ( C膜） 15 濃 縮 室 1 5 A 濃 縮 室 1 5B 濃 縮 室 15a 濃 縮 水流 通 部 15b 濃 縮 水流 通 部 1 5 S 隔 板 16 脫 氯 室 1 6 A 脫 氯 室 1 6B 脫 氯 室 17 陽 極 室 18 陰 極 室 10 1 脫 氣 膜裝 置 102 活 性 碳吸 著 塔 103 RO裝置 104 電 子 去離 子 裝 置 -23-

Claims (1)

1. (1) (1)200427636 拾、申請專利範圍 1. 一種電子去離子裝置之運轉方法，係於陽極與陰 極間依離子交換膜而區劃出之濃縮室與脫氯室之電子去離 子裝置之運轉方法， 並係在使濃縮水流通於該濃縮室之同時，使原水作爲 被處理水而流通於脫氯室，並作爲生產水而自該脫氯室中 取出之運轉方法， 其特徵爲：使自該濃縮室流出之濃縮水所含硼之濃度 在生產水所含硼之濃度之500倍以下或在i〇ppb以下。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之電子去離子裝置 之運轉方法，其中，沿被處理水之流經方向設置複數個上 述濃縮室及脫氯室，並使自被處理水之流經方向之最下側 之丨辰lis室纟I出之濃lig水所含棚之濃度在自最下側之脫氯室 流出之生產水所含硼之濃度之5 00倍以下或在；i〇ppb以 下。 3 .如申請專利範圍第1項所記載之電子去離子裝置 之運轉方法，其中，將生產水之一部份供給至濃縮室。 4 ·如申請專利範圍第1項所記載之電子去離子裝置 之運轉方法，其中，使供給至濃縮室之濃縮水係自脫氯室 出口的近側供給，且自脫氯室入口之近側流出。 5 · —種電子去離子裝置，係於陽極與陰極間依離子 交換膜而區劃出之濃縮室與脫氯室， 且濃縮水流通於該濃縮室，原水作爲被處理水而流通 於脫氯室，並作爲生產水而被取出之電子去離子裝置， -24- (2) (2)200427636 其特徵爲：具備使自該濃縮室流出之濃縮水所含硼之 濃度在生產水所含硼之濃度之5 00倍以下或在lOppb以下 之方法。 6 ·如申請專利範圍第5項所記載之電子去離子裝 置’其中’以直列方式設置複數個脫氯室，使對於最後之 脫氯室以離子交換膜中介隔出之濃縮室之濃縮水所含硼之 濃度在最後之脫氯室生產水所含硼之濃度之5 00倍以下或 在1 0 p p b以下。 7 ·如申請專利範圍第5項所記載之電子去離子裝 置’其中，供給至濃縮室之濃縮水係自脫氯室出口的近側 供給，且自脫氯室入口之近側流出。 8 .如申請專利範圍第5項所記載之電子去離子裝 置’其中具備將生產水之一部份作爲濃縮水而使其流通於 濃縮室之方法。 9 ·如申請專利範圍第5所記載之電子去離子裝置， 其中具備將硼自供給至濃縮室之水中除去之方法。 1 0 · —種電子去離子裝置之運轉方法，係於陽極與陰 極間依離子交換膜而區劃出之濃縮室與脫氯室之電子去離 子裝置之運轉方法， 並係使被處理水流通於該脫氯室，濃縮水流通於該濃 縮室之運轉方法， 其特徵爲：以陰離子除去處理方法處理後之低陰離子 濃度水作爲該濃縮水，使其以自脫氯室出口近側流入該濃 縮室之同時自脫氯室入口近側流出之方式流通於該濃縮 -25- (3) 200427636 室。 1 1 .如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，以上 之低陰離子濃度水所含總無 12.如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，以上 之低陰離子濃度水所含砂之 1 3 .如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，以上 之低陰離子濃度水所含硼之 14·如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，將自 部份供給至濃縮室。 1 5 .如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，上述 方法。 16·如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，上述 交換裝置或電子去離子裝置 17·如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，將原 處理水作爲被處理水而供給 18·如申請專利範圍第 置之運轉方法，其中，將該 〇項所記載之電子去離子裝 陰離子除去處理方法處理後 碳酸濃度在5 0 p p b以下。 〇項所記載之電子去離子裝 陰離子除去處理程序處理後 度在1 OOppb以下。 〇項所記載之電子去離子裝 陰離子除去處理程序處理後 度在1 Oppb以下。 〇項所記載之電子去離子裝 述脫氯室流出之生產水之一^ 〇項所記載之電子去離子裝 離子除去處理方法具有脫氣 〇項所記載之電子去離子裝 離子除去處理方法具有離子 0項所記載之電子去離子裝 作陰離子除去處理，並將此 上述脫氯室。 7項所記載之電子去離子裝 水以逆滲透處理以及脫氣處 -26- (4) (4)200427636 理來作陰離子除去處理。 1 9 . 一種電子去離子裝置，伍# κ日締& 係於隖極與陰極間依離子 交換膜而區劃出之濃縮室與脫氯室， 且被處理水流通於該脫氯室，濃縮水流通於該濃縮室 之電子去離子裝置， 其ί寸徵爲· κ有使δ亥濃縮水自脫氯室出口近側流入該 濃縮室之同時自脫氯室入口近側流出之濃縮水導入方法及 流出方法， 並且，設有自流入該濃縮室之濃縮水中除去陰離子之 方法。 2 0·如申請專利範圍第1 9項所記載之電子去離子裝 置，其中，該陰離子除去方法係陰離子除去處理後之總無 機碳酸濃度在50ppb以下之方法。 2 1.如申請專利範圍第1 9項所記載之電子去離子裝 置，其中具備自供給至該脫氯室之水中除去陰離子之方 法。 -27 -