TW200418253A - Negative charge pump with BULK biasing - Google Patents

Description

200418253 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於充電泵電路。更明確地說，本發明係關於 一將每一電晶體平臺（transistor stage)的表體開關成該最低 電位節點，以使體效應（body effect)降至最小的負充電菜。 【先前技術】 在積體電路應用，例如快閃記憶體、電可擦可程式規劃 唯碩冗i恩體（EEPR0M)及其類似物中，需要產生一負電壓。 在僅使用一級電源電壓的非揮發性記憶體之情況下，該等H 内部鬲電壓由充電泵產生。該等充電泵用於產生正電壓和 負電壓。通常使用三井（tnple-well)製程來形成產生負電壓 的充電泵。該等負充電泵利用卜通道金屬氧化物半導體 (M〇S)電晶體將一電壓線泵送成一負值。

参見圖1，一 tf思圖描繪了由n-通道金屬氧化物半導體 (M0S)電晶體形成的、通常採用的—負充電泵之先前技術 貫她例。充電泵10包括藉由一四相時脈驅動的三個平臺： 12 14及16。每一平堂包括兩個n-通道金屬氧化物半導體 (Μ〇S)電晶體及兩個電容器。 平臺12包括n-通道金屬氧化物半導體（m〇s)電晶㈣及 2〇。N-通道金屬氧化物半導體⑽s)電晶體18具有：被搞 合至地面的沒極;被轉合至，金屬氧化物半導體卿) 電晶體20之源極的源極；及被隸合至n_通道金屬氧 導體(M〇S)電晶體2〇之沒極，及經由電容器22被輕合至該 時脈之D相訊號的閘極Q 捅 n通迢電晶體20的閘極被耦合至心 87835 200418253 逍迢金蜃氧化物半導體（m〇S )電晶體1 8的汲極，反經由喝； 谷器2 4被辆合芏該時脈的a相訊號。 平臺14包括η-通道金屬氧化物半導體（m〇s)電晶體26及 28。N-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體％具有：被耦 合主來自平堂12的η-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體 1 8及20义源極的汲極；被耦合至卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體28之源極的源極；及被耦合至通道金屬氧化 物半導體（MOS)電晶體28之汲極，及經由電容器3〇被耦合 至该時脈之B相訊號的閘極。n_通道電晶體2 8的閘極被耦合f 至η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體26的汲極，及經由 電容器32被耦合至該時脈之c相訊號。 平臺1 6包括η-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體3 4及 36。N-通道金屬氧化物半導體（1^〇3)電晶體34具有：被耦 合至來自平臺14的η-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體

26及28之源極的汲極；被耦合至卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體36之源極的源極；及被耦合至卜通道金屬氧化 物半導體（MOS)電晶體36之汲極，及經由電容器38被镇合 至該時脈之D相訊號的閘極。n-通道電晶體36之閘極被耦合 至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34之汲極，及經由 電容器4 0被1¾合至該時脈之Α相訊號。 如圖1中的檢查所見，n-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電 晶體丨8、20、26、28、34及36中的每一個都使其表體被連 接土作為$亥充适果之輸出的取貝卽點（V N e G參考數字4 7 ) 。此原因疋為了避兄接通在每一平臺中，由該埋入井、 87835 通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體的計源極 及極區域所形成的寄生雙極電晶體。 在圖丨的充電菜電路中’當時脈的該八相訊號自該罐 ::=，SlnkC™寺’最後平臺16中的寄生雙極電 朝向該穩定狀態（從〇至精_轉變期間被接通。 =二極電㈣接通，則該充電泵的效率受到損害，因為 及％机不再猎由該負載’而是自該雙極電晶體的接地埋入 心井收集器來匯集。 、，此外1丨中之實施例的另—缺點在^ :該充電泵之。通 …屬氧化物半導體（M〇s)電晶體的體效應增力口了自該泵 :右，向左邊的移動。就在使用非常低的電源電壓的應用 的最大負電壓而言，這能夠嚴重地限制該充電聚的效能。 夺見圖2,-示意圖展示了可被採用的，能減少但不能消 :在孩无電泵的每一平臺中之體效應的一先前技術解決方 ^。曰除了每一平臺中的兩個n-通道金屬氧化物半導體（M〇S) 二把的表體被_合至該平臺之輸出節點以外，圖2的電路 實質上類似於圖！的電路。因此，n通道金屬氧化物半導體 (咖）電晶體18及2()的表體㈣合至其共同源極：n_通道金 屬乳化物半導體(M0S)電晶體26及28的表體被耦合至其共 同源極；-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體“及％ 的表體被_合至其共同源極。該組態未解決在最後平㈣ 中的寄生雙極接通的問題。 吴國專利第6，1 30,572號揭示了減少體效應的另一項技術 。孩電路具有與圖2相同的缺點。詳言之，對於低電壓應用 200418253 ，由於體效應使臨限值電壓增加的問題非常重要，因為1¾ 等金屬氧化物半導體（MOS)電晶體VD1)及vth之間的差被減 小且降低了效能。 另一用於減少體效應影響的先前技術是使用一位準轉換 备以提升充電菜的相位，但是以此方式，該充電泵的效率 (Iluad/IvDD)被減小。該方法的另一個缺點是：該矽面積為吾 人所不欲的被增加了。 【發明内容】

本發明提供一種η-通道金屬氧化物半導體（m〇S)電晶體 充電泵，其中該等η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體的 表體以一方式被偏壓，以便防止接通在該充電泵結構的互 補金屬氧化物半導體（CMOS)環境中所固有的寄生雙極電 晶體。 一負電壓充電泵具有複數個工作相位且包括複數個平臺 ’每一平臺包括至少兩個各自包括表體區域的n_通道金屬 氧化物半導體（M0S)電晶體。該等平臺中的每一個還包括 一 +生雙極電晶體。該等表體區域在每一工作相位期間被 可轉換地耦合至一電路節點，該電路節點具有使該寄生雙 極電晶體不會接通的電位。 【實施方式】 热知此項技術者應理解，本發明以下的說明僅是例示性 的且在任何方面都不具限制性。本發明的其他實施例將會 使熟知此項技術者更加容易地理解該揭示所具有的優勢。 本發明的目的是：藉由以一方式使該充電泵的每一平臺 87835 200418253 义表體被偏壓’使得體效應被消除(當電晶體接通時， Vbs = 0) ’且該等寄生雙極電晶體即使在該輸出平臺中也不 會接通’以此來克服上述所提及的缺點中的一些。 /見茶見圖3 ’ 一示意圖展示了根據本發明原理運行的-例 示性充電泵之單一平臺50的例示性實施例。為便於理解本 發明’圖3展示與圖丨及圖2中之充電泵的第二平臺對應的平 臺，並且在圖3中使用與該等圖式相同的參考數字，以便識 別相應的電路元件。

平臺包括η-通道金屬氧化物半導體_s)電晶體麻 28。如圖1及圖2中之先前技術充電泵電路，通道金屬氧 化物半導體（MOS)電晶體26具有··被耦合至來自前一平臺 的兩個η-通道金屬氧化物半導體(M〇S)電晶體之共同源極 (在此情況下為對應圖丨及圖2中參考數字18及2〇的卜通道金 屬氧化物半導體（MOS)電晶體之源極）的汲極（或若平臺5〇 是該第一平臺，則接地）；被耦合至卜通道金屬氧化物半導 拉（MOS)電晶體28之源極的源極；及被耦合至通道金屬氧 化物半導m (MOS)電晶體28之汲極，及經由電容器3〇被耦 合至該時脈之B相訊號的閘極。卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體28的閘極被耦合至卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體26的汲極，及經由電容器32被耦合至該時脈 的C相訊號。該時脈之a相訊號（當其在如圖丨及圖2所示的充 電泵中時）經由電容器40被耦合至n-通道金屬氧化物半導體 (Μ〇S)電晶體2 6及2 8的共同源極。 η-通道金屬氧化物半導體（M0S)電晶體26及28的表體被 87835 -10 - :同連接至一節點50。節點5〇被耦合至兩個η-通道金屬氧 化物導體（M〇S)電晶體52及54的沒極，以及其表體區域 、〔至屬氧化物半導體（M0S)電晶體52的源極被耦合至 丘&平至的兩個卜迥迢金屬氧化物半導體（MOS)電晶體的 同原乜且η-迥迢金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體Μ的源 被耦口 土兩個η-逋這金屬氧化物半導體（m〇s)電晶體％ 及8的共同源極。η·通道金屬氧化物半導體（m〇s)電晶體)一2 勺閘極被耦合至n-逋遒金屬氧化物半導體（m〇s)電晶體Μ 的汲極及閘極，且^通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體Μ 的閘虹被耦合芏卜通遒金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體％ 及28的共同源極。 該單一平臺50以如前所述的方式工作：當該時脈的a相訊 唬較同且泫時脈的C相訊號較低時，該時脈的B相訊號也升 高且接通η-通道金屬氧化物半導體（1^〇3)電晶體％，允許電 流自電容器40流向電容器3〇，以此使電容器4〇放電且使電 容器30充電。然後，該時脈的Α相訊號降低且在該時脈的〔 相訊號升鬲時，自該下一平臺接收電荷，將電荷傳輸至先 前平臺。 將兩個電晶體52及54加入每一平臺可防止該寄生雙極電 晶體被接通。當該時脈的C相訊號較高且該時脈的a相訊號 較低時’该時脈的B相訊號也較低，n -通道金屬氧化物半導 體（MOS)電晶體52被斷開且n-通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體54被接通，以此將節點50偏壓至與卜通道金屬 氧化物半導體（MOS)電晶體26及28之共同源極相同的電位 878.15 200418253 ’該電位為1¾平堂的電晶體可具有的最低電壓。在另一半 週期中，當該時脈的A相訊號較高且該時脈的c相訊號較低 時，該時脈的B相訊號也較高且心通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體54被斷開，但n-通道金屬氧化物半導體（m〇s) 電晶體52被接通，因此確保了卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體26及28的該等表體區域處於較負於或等於該 平臺的任何η +區域的電位上。 現參見圖4…示意圖展* 了根據本發明，&括多個充電 泵平臺的例示性充電泵電路60。如同圖3的電路，在圖1及· 圖2中所使用的參考數字同樣將在圖4中使用，以便識別相 應的電路元件。 如圖】充電泵電路10中所示，圖4之充電系電路6〇包括藉 由一四相時脈驅動的三個平臺：62、64及66。每一平臺包 括相同的兩個η-通道金屬氧化物半導體(M〇s)電晶體及： 個電容器。 平臺62包括卜通道金屬氧化物半導體（m〇s)電晶體财 2〇 N遇迢金屬氧化物半導體（M0S)電晶體1 8具有：被耦 合至地面的；及極；被镇合至卜通道金屬氧化物半導體 電晶體20之源極的源極；罐合至n，道金屬氧化物半 導體(MOS)電晶體20之汲極’及經由電容器”被耦合至該 時脈之D相訊號的閘極。n _通道電晶體2 〇的閘極被耦合至。_ 迥迴金屬氧化物半導體_5)電晶體丨8的汲極，及 + 容器24被耦合至該時脈之八相訊號。 工" 此夕丨’平I 62包括使其汲極被一同耦合至節點72的丨卜通 12 200418253 迢金屬氧化物半導體(M0S)電晶體68及7〇，該節點η包含 卜遇运金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體丨8及2〇的表體區域 以及卜通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體68及70的表體 區域。η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體68的源極被耦 合芏卜週迢金屬氧化物半導體（MOS)電晶體〗8的汲極，且其 閘極被耦合至η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體2〇的 汲極。心通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體70的源極被耦 合至η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體丨8及2〇的共同 源极且其閘極被♦馬合至n_通道金屬氧化物半導體暑 電晶體1 8的；及極。 平置64包括n-通道金屬氧化物半導體（m〇s)電晶體26及 28。N-通道金屬氧化物半導體（1^〇5)電晶體18具有：被耦 合至來自平堂62的η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體 1 8及20足源極的汲極；被耦合至卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體28之源極的源極；及被耦合至n_通道金屬氧化 物半導體（MOS)電晶體28的汲極，及經由電容器3〇被耦合 至炫時脈之B相訊號的閘極。卜通道電晶體28的閘極被耦合 至η-迥運金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體％的汲極，及經由 電容器32被耦合至該時脈之c相訊號。 此外平呈6 4包括使其丨及極被一同摘合至節點7 §的n _通 逍金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體74及76，該節點78包含 n-迥迢金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體26及28的表體區域 以及n-逍迴金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體74及？6的表體 區域。n-ia道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體74的源極被耦 87835 200418253 合至η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體26的汲極，且其 閘極被耦合至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體28的 汲極。η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體76的源極被耦 合至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體26及28的共同 源極，且其閘極被耦合至η-通道金屬氧化物半導體（MOS) 電晶體2 6的 >及極。

平臺66包括η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34及 36。Ν-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34具有：被耦 合至來自平臺64的η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體 26及28的源極的汲極；被耦合至η-通道金屬氧化物半導體 (Μ〇S)電晶體3 6之源極的源極；及被搞合至η -通道金屬氧化 物半導體（M〇S)電晶體36的汲極，及經由電容器38被耦合 至該時脈之D相訊號的閘極。n -通道電晶體3 6的閘極被隸合 至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34的汲極，及經由 電容器40被耦合至該時脈之Α相訊號。

此外，平臺66包括使其汲極被一同耦合至節點84的η-通 道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體80及82，該節點84包含 η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34及36的表體區域 以及η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體80及82的表體 區域。τι-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體80的源極被耦 合至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34的汲極，且其 閘極被耦合至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體36的 汲極。η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體82的源極被耦 合至η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體34及36的共同 S7835 200418253 源極，且其閘極被耦合至該卜通道金屬氧化物半導體（m〇_s) 電晶體34的汲極。平臺66還包括將時脈之c相訊號耦合至卜 通道金屬氧化物半導體（M0S)電晶體34及36之源極的電容 器86。 圖4之充電泵的輸出為在卜通道金屬氧化物半導體(m〇s) 電晶體90之源極上的VNEG節點88。卜通道金屬氧化物丰導 體（MOS)電晶體90的汲極被耦合至n-通道金屬氧化物半導 體（MOS)電晶體26及28的源極。n-通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體的閘極被耦合至卜通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體36的汲極。η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電 晶體9 0的表體被耦合至節點7 8。 在圖44貫施例中，最後平臺66未被用於傳輸電荷，但其 存在疋為了適當地偏壓該卜通道金屬氧化物半導體（m〇s) 電晶體90的閘極。 在圖3及圖4之電路中所使用的該等電容器22、24、3〇、 3 2、3 8、4 0及8 6可作為聚“至聚_ 2電容器或是作為金屬氧化 物半導體（MOS)電容器被形成。儘管在最後平臺中，電容 咨38及86由於未被用於將電荷傳輸至該負載，可具有較低 值’但該等電容器的通常值可自約500fF至約7pF。 熟知此項技術者應理解，自圖4的展示中可看出，可使用 任何數量的平臺來實現根據本發明之原理的充電泵電路。 使用圖4中所示的電路，在該輸出平臺中接通該寄生雙極 電晶體的問題可被克服。所有的電晶體34、36、8〇及82都 使其表體區域被更負的偏壓或在該平臺任何n +接點之相同 87835 200418253 電位上被偏壓。 - 値管本發明的實施例及應用已被展示並說明，但是熟知 此項技術者應理解，比上述所提及更多的修改在此不脫離 本發明的概念内是可能的。因此，除了隨附的申請專利範 圍的精神外，本發明不受限制。 【圖式簡單說明】 圖1為描繪一使用n-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體 的一負充電泵之共同實施例的示意圖。 圖2為一使用η-通道金屬氧化物半導體（M〇s)電晶體的一 負充電泵的另一先前技術實施例的示意圖。 圖3為一根據本發明，使用n_通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體的一負充電泵的一單一平臺的示意圖。 圖4為-根據本發明，使用n-通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體的~ g亡$ = > , ^ ^ - /、充笔栗的多個平堂的示意圖。 【圖式代表符號說明1 10 12 ， 14 ， 16 ， 50 ， 62 ， 64 ， 66 18 ， 20 ， 26 ， 28 ， 34 ， 36 ， 52 54 ’ 68 ， 70 ， 74 ， 76 ， 8〇 ， 82 22 ， 24 ， 30 ， 32 ， 38 ， 4〇 ， ％ 42，88 60 72 ， 78 ， 84 充電泵 平臺 η-通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體 電容器 最負 充電泵電路 節點 87835 -16 -

Claims (1)

1. 200418253 拾、申請專利範圍： 一種具有複數個工作相位並包含複數個平臺的負電壓 充電泵，每一平臺包含至少兩個均包括多個表體區域的 η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，該等平臺中的 每一個還包括一寄生雙極電晶體，該等表體區域在該等 工作相位中的每一個期間被可轉換地耦r合至一電路節 點，該電路節點具有一使得該寄生雙極電晶體不會接通 的電位。 2.

   如申請專利範圍第1項之負電壓充電泵，其中，該等平 臺中的每一個的該等表體區域在該等工作相位中的每 一個期間被可轉換地耦合至一電路節點，該電路節點具 有一藉由一第一η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開 關電晶體及一第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體 開關電晶體中的一個’使該寄生雙極電晶體保持斷開的 電位。

   一種負充電泵平臺，其包括： 一輸入節點； 一輸出節點； 一 Α相時脈訊號節點； 一 D相時脈訊號節點； 一第一 η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其具 有：一被耦合至該輸入節點的汲極；一被耦合至該輸出 節點的源極；一閘極；及一被耦合至一表體區域節點的 表體區域， 87835 一第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其具 有：一汲極；一被摘合至該輸出節點的源極；一被概合 至該輸入節點的閘極；及一被耦合至一表體區域節點的 表體區域； 一在該輸入節點及該A相時脈訊號節點間鶴合的第 一電容器； 一在該第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體的 汲極及該D相時脈訊號節點間耦合的第二電容器； 一第一η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開關電晶 體，其具有：一被耦合至該表體區域節點的汲極；一被 耦合至該輸入節點的源極；一被耦合至該第二η-通道金 屬氧化物半導體（MOS)電晶體之汲極的閘極；及一被耦 合至該表體區域節點的表體區域；及 一第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開關電 晶體，其具有：一被耦合至該表體區域節點的汲極；一 被耦合至該輸出節點的源極；一被耦合至該輸入節點的 閘極；及一被耦合至該表體區域節點的表體區域。 一種負電壓充電泵，其包括： 一 Α相時脈訊號節點； 一 B相時脈訊號節點； 一 C相時脈訊號節點； 一 D相時脈訊號節點； 一第一充電泵平臺，其包括： 一被棘合至一固定電位的第一平臺輸入節點； 一第一η-通道金屬氧化物半導體（M〇S)電晶體，其 具有：一被隸合至該第一平臺輸入節點的沒極；一 被鶴合至該第一平臺輸出節點的源極；一閘極；及 一被耦合至一第一平臺表體區域節點的表體區域； 一第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其 具有一汲極；一被_合至該第一平臺輸出節點的源 極；一被搞合至該第一平臺輸入節點的閘極；及一 被耦合至該第一平臺表體區域節點的表體區域； 一在該第一平臺輸入節點及該Α相時脈訊號節點 間搞合的第一電容器； 一在該第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶 體的汲極及該D相時脈訊號節點間耦合的第二電容 ， 一第一 η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開關 電晶體，其具有：一被耦合至該表體區域節點的汲 極；一被耦合至該第一平臺輸入節點的源極；一被 耦合至該第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶 體之汲極的閘極；及一被搞合至該第一平臺表體區 域節點的表體區域； 一第二η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開關 電晶體，其具有：一被耦合至該第一平臺表體區域 節點的汲極；一被耦合至該第一平臺輸出節點的源 極；一被耦合至該第一平臺輸入節點的閘極；及一 200418253 被耦合至該第一平臺表體區域節點的表體區域；、 一第二充電栗平臺，其包括： 一被I禺合至該第一平臺輸出節點的第二平臺輸入 節點； 一第二平臺輸出節點；

   一第三η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其 具有：一被摘合至該第二平臺輸入節點的沒極；一 被耦合至該第二平臺輸出節點的源極；一閘極；及 一被耦合至一第二平臺表體區域節點的表體區域； 一第四η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其 具有：一汲極；一被搞合至該第二平臺輸出節點的 源極；一被耦合至該第二平臺輸入節點的閘極；及 一被耦合至該第二平臺表體區域節點的表體區域； 一在該第二平臺輸入節點及該C相時脈訊號節點 間耦合的第三電容器；

   一在該第四η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶 體之汲極及該Β相時脈訊號節點間耦合的第四電容 · σσ ， 一第三η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開關 電晶體，其具有：一被耦合至該第二平臺表體區域 節點的汲極；一被耦合至該第二平臺輸入節點的源 極；一被耦合至該第四η-通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體之汲極的閘極；及一被耦合至該第二平 臺表體區域節點的表體區域； 87835.DOC 200418253 一第四η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開-關 電晶體，其具有：一被耦合至該第二平臺表體區域 節點的汲極；一被耦合至該第二平臺輸出節點的源 極；一被搞合至該第二平臺輸入節點的閘極；及一 被耦合至該第二平臺表體區域節點的表體區域； 一第三充電泵平臺，其包括： 一被耦合至該第二平臺輸出節點的第三平臺輸入

   節點； 一第三平臺輸出節點； 一第五η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其 具有：一被耦合至該第三平臺輸入節點的汲極；一 被耦合至該第三平臺輸出節點的源極；一閘極；及 一被耦合至一第三平臺表體區域節點的表體區域；

   一第六η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶體，其 具有：一沒極；一被_合至該第三平臺輸出節點的 源極；一被耦合至該第三平臺輸入節點的閘極；及 一被耦合至該第三平臺表體區域節點的表體區域； 一在該第三平臺輸入節點及該Α相時脈訊號節點 間耦合的第五電容器； 一在該第六η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電晶 體之汲極及該D相時脈訊號節點間耦合的第六電容 器； 一在該第三平臺輸出節點及該C相時脈訊號節點 間耦合的第七電容器； 87835 200418253 一第五η -通道金屬氧化物半導體（Μ〇S)表體開襴 電晶體，其具有：一被耦合至該第三平臺表體區域 節點的汲極；一被耦合至該第三平臺輸入節點的源 極；一被耦合至該第六η-通道金屬氧化物半導體 (MOS)電晶體之汲極的閘極；及一被耦合至該第三平 臺表體區域節點的表體區域； 一第六η-通道金屬氧化物半導體（MOS)表體開關 電晶體，其具有：一被耦合至該第三平臺表體區域 節點的；及極；一被搞合至該第三平臺輸出節點的源 極；一被搞合至該第三平臺輸入節點的閘極；及一 被耦合至該第三平臺表體區域節點的表體區域；及 一包括一第七η-通道金屬氧化物半導體（MOS)電 晶體的輸出平臺，該電晶體具有：被耦合至該充電 泵輸出節點的源極；一被隸合至該第二平臺輸出節 點的汲極.；一被耦合至該第六η-通道金屬氧化物半導 體（MOS)電晶體之汲極的閘極；及一被耦合至該第二 平臺表體區域節點的表體區域。 87835