TW200415239A - Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists - Google Patents

Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists Download PDF

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Eliodor G Ghenciu
Chongying Xu
Thomas H Baum
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Description

200415239 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用於半導體製造中用於自其上具有光 阻劑（包括光阻劑本身及離子植入光阻劑）之基材將此種光 阻劑移除之超臨界二氧化碳基組成物，及關於使用此種組 成物於自半導體基材移除光阻劑及離子植入光阻劑之方 法。 【先前技術】 半導體製造包括使用塗布至晶圓基材之光阻劑，接著使 其顯影，以於晶圓上產生特定的圖案化區域及結構。此製 程可包括使光阻劑暴露至深uv光及/或高劑量離子植入 物，而生成之光阻劑材料及其殘渣將很難利用習知之剝離 及清潔方法諸如電漿蝕刻及濕式工作站（w e t - b e n c h )清潔 而令人滿意地移除。高劑量離子植入處理通常會導致生成 頑固的碳化表皮，其會保護下方的整體光阻劑使其防止與 清潔程序及試劑接觸。於圖案化光阻劑，尤其係於具低k 介電薄膜之微電子裝置結構中之反應性離子蝕刻（R I E )後 會生成類似的表皮。 習知之清潔方法需要氧電漿灰化，其通常與_素氣體結 合，而穿透表皮及移除光阻劑。典型上，電漿灰化方法需 要利用濕式4匕學品及/或稀酸的後續清潔，以將灰化之後 殘留的殘渣及非揮發性污染物移除。在此種清潔操作中經 常需要以交替的方式將灰化及濕式清潔步驟重複許多連續 的處理循環，以達成所有光阻劑、表皮及蝕刻後殘渣的完 6 3丨2/發明說明書(補件)/93-01 /92〗28269 200415239 全移除。 此種灰化及濕式清潔操作在其之應用中遭遇到許多問 題及缺失，包括： (1 )當整體光阻劑中之經加熱之殘留溶劑在硬化表皮下 方蒸發時，光阻劑自基材表面之爆裂（導致相關的半導體基 材污染）； (2 )由於存在經植入至未被電漿灰化程序完全移除之光 阻劑中之非揮發性金屬化合物而產生殘留金屬污染； (3 )儘管使用電漿灰化及濕式化學處理仍產生殘留於半 導體基材上之（聚合表皮或高度交聯聚合物之）頑固殘渣； 及 (4 )需要重複清潔步驟，其會提高光阻劑剝離循環次數 及程序中之工作步驟。 經曝光之光阻劑蝕刻及視需要灰化之後，會有殘渣殘留 於基材上。必需將此殘渣移除，以確保微電子裝置（其係半 導體製程之最終產物）的適當操作，及避免與製程中之後續 方法步驟相關的干擾或缺失。 在半導體製造工業中持續不斷地研究發展用於將光阻 劑及其殘渣自半導體基材移除之改良配方。此項研究工作 受挫於臨界尺寸之持續的且快速的減小。 隨晶片結構之臨界尺寸變得較小，例如，小於1 0 0奈米， 而愈來愈難將光阻劑及殘渣自具高長徑比（a s p e c t r a t i 〇 ) 溝渠及通道之圖案化半導體晶圓移除。習知之濕式清潔方 法當臨界尺寸寬度減小至1 0 0奈米以下時，由於在清潔溶 7 312/發明說明書(補件)/93-01 /92〗28269 200415239 液中所使用之液體的高表面張力特性，而會受到實質的限 制。另外，使用水性清潔溶液有水溶液會強烈影響多孔性 低k介電材料之重要材料性質，包括機械強度、濕氣吸收、 熱膨脹係數、及對不同基材之黏著的重大缺失。 因此，提供一種克服先前習知之使用於移除半導體基材 上之光阻劑及離子植入光阻劑之清潔組成物之此等缺失的 清潔組成物，在技藝中將係一項重大進步。 【發明内容】 本發明係關於使用於半導體製造中用於自包括光阻劑 及離子植入光阻劑之基材將此種光阻劑移除之超臨界二氧 化碳基組成物，及使用此種組成物於自半導體基材移除光 阻劑及離子植入光阻劑之方法。 在一態樣中，本發明係關於一種光阻劑清潔組成物，其 包含SCC02及醇。 在另一態樣中，本發明係關於一種光阻劑清潔組成物， 其包含S C C 0 2及醇，其中此醇係選自包括C 1 - C 4醇（例如’ 甲醇、乙醇、丙醇及丁醇），其中以清潔組成物之總重量計， 此醇係以自約5至約20重量％之濃度存在，及其中以清潔 組成物之總重量計，S C C 0 2係以自約8 0至約9 5重量％之濃 度存在。 本發明之再一態樣係關於一種光阻劑清潔組成物，其包 含S C C 0 2、醇及氟離子源，其中此醇係選自包括C ! - C 4醇， 其中以組成物之總重量計，此氟離子源係以自約0 . 0 1至約 2重量％之濃度存在，其中以清潔組成物之總重量計，此醇 8 3 12/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 係以自約5至約2 0重量％之濃度存在，及其中以清潔組成 物之總重量計，S C C 0 2係以自約7 9至約9 4 . 9 9重量％之濃 度存在。 本發明之又再一態樣係關於一種將光阻劑自其上具有 該光阻劑之基材移除之方法，該方法包括使光阻劑與包含 S C C 0 2及醇之清潔組成物在充分的接觸條件下接觸足夠的 時間，以將光阻劑自基材移除。 本發明之又另一態樣係關於一種將光阻劑自其上具有 該光阻劑之基材移除之方法，該方法包括使光阻劑與包含 SCC02及醇之清潔組成物接觸，以將光阻劑自基材移除， 其中此醇係選自包括C i - C 4醇，及以組成物之總重量計， 此醇係以自約5至約2 0重量％之濃度存在，及該接觸係在 包括在自約1 0 0 0至約7 5 0 0 p s i之範圍内之壓力，在自約 3 5 °C至約1 0 0 °C之範圍内之溫度的條件下進行足夠的時 間，以將光阻劑自基材移除。 在另一態樣中，本發明係關於一種將離子植入光阻劑自 其上具有該光阻劑之基材移除之方法，該方法包括使光阻 劑與包含SCC02、醇及氟離子源之清潔組成物在充分的接 觸條件下接觸足夠的時間，以將離子植入光阻劑自基材移 除。 本發明之再一態樣係關於一種將離子植入光阻劑自其 上具有該光阻劑之基材移除之方法，該方法包括使離子植 入光阻劑與包含SCC02、醇及氟離子源之清潔組成物接 觸，以將離子植入光阻劑自基材移除，其中此醇係選自包 3丨2/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 括CI - C 4醇，以組成物之總重量計，此醇係以自約5至約 2 0重量％之濃度存在，以組成物之總重量計，該氟離子源 係以自約0 . 0 1至約2重量％之濃度存在，及該接觸係在包 括在自約1000至約7500psi之範圍内之壓力，在自約35 °C至約1 0 0 °C之範圍内之溫度的條件下進行足夠的時間， 以將光阻劑自基材移除。 本發明之其他態樣、特徵及具體例將可由隨後之揭示内 容及隨附之申請專利範圍而更加明白。 【實施方式】 本發明係以發現一種對於自其上存在光阻劑（包括光阻 劑本身以及離子植入光阻劑）之半導體基材將該光阻劑移 除高度有效之超臨界二氧化碳基清潔組成物為基礎。 由於超臨界C〇2同時具有液體及氣體之特性，因而超臨 界二氧化碳（S C C 0 2 )最初可被視為係用於移除光阻劑之引 人注目的試劑。如同氣體，其快速地擴散，具有低黏度、 接近零之表面張力，且易穿透至深溝渠及通道内。如同液 體，其具有作為「洗滌」介質的整體流動能力。 然而，儘管有此等表面的優點，但超臨界C〇2為非極性。 因此，其將無法溶解許多極性物種，包括存在於光阻劑中， 且必需將其自半導體基材移除以提供有效率清潔之無機鹽 及極性有機化合物。因此，SCC02的非極性特性對於在將 光阻劑沈積於基材上之後，將此種試劑使用於光阻劑移除 係一項阻礙。 超臨界C〇2之此種缺失可由本發明提供一種對於清潔光 10 312/發明說明書(補件)/93-0 ] /92 ] 28269 200415239 阻劑及離子植入光阻劑而高度有效，且達成一開始具有此 等光阻劑之基材上（例如，圖案化晶圓）之無損傷、無殘潰 清潔之SCC02基組成物而克服。 更明確言之，本發明提供一種包含SCC02及醇之光阻劑 清潔組成物。SCC 02及醇形成對於光阻劑移除高度有效的 共溶劑組成物。 在光阻劑經由離子植入而硬化之情況中，本發明提供一 種包括SCC02、醇及氟離子源化合物之清潔組成物，其對 於移除離子植入硬化光阻劑高度有效。 使用於本發明之S C C 0 2 /醇清潔組成物中之醇可為任何 適當類型。在本發明之一具體例中，此種醇包括C! - C 4醇（例 如，甲醇、乙醇、異丙醇、或丁醇）、或此種醇物種之兩者 以上的混合物。 在一較佳具體例中，醇為甲醇、乙醇或異丙醇。隨SCC 02 存在醇系共溶劑可以提供組成物相對於單獨之S C C 0 2對於 光阻劑之移除能力之驚人改良的方式提高組成物對光阻劑 材料，包括存在於其中之無機鹽及極性有機化合物的溶解 度。 一般而言，可適當改變SCC02及醇相對於彼此的特定比 例及量，以提供S C C 0 2 /醇溶液對待自基材清潔之特定光 阻劑材料，包括其中之無機鹽及極性有機化合物的期望溶 解C溶劑合）作用。此種特定比例及量可不需過多的努力而 於技藝技能内經由簡單實驗容易地決定。 在一具體例中，SCC 02及醇係經配方成使所得溶液包含 11 312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 自約5至約2 0重量％之醇。 SCC02及醇組成物之移除效率可經由在包含待移除光阻 劑之組成物之接觸中使用高溫條件而增進。 舉明確的例子來說，圖1係帶有光阻劑之控制晶圓之在 5 Ο Κ倍率下之掃描式電子顯微鏡（S Ε Μ )影像。圖2係相對之 清潔後樣品之在5 Ο Κ倍率下之掃描式電子顯微鏡（S Ε Μ )影 像，其係經由使帶有光阻劑之基材與S C C 0 2 /甲醇之清潔 組成物在3 5 °C下接觸而將光阻劑清除。如於圖2中所觀 察，光阻劑在此等條件下經完全移除。 使用S C C 0 2 /曱醇之相對清潔組成物在7 0 °C下獲致光阻 劑之完全移除的類似結果。S C C 0 2 /異丙醇之相對的清潔組 成物在4 5 °C及7 0 °C下產生光阻劑之完全移除，但利用 S C C 0 2 /異丙醇之組成物在3 5 °C下僅達成部分移除，顯示 S C C 0 2 /醇組成物之溶劑合及移除能力可經由將S C C 0 2 / 醇組成物與待清潔基材上之光阻劑接觸之接觸步驟之溫度 提高而增進。 特定之溫度增加及溫度範圍對在實施本發明時之特定 光阻劑之移除性質及程度的影響可經由將溫度改變至特定 值，及測量在該溫度下由S C C 0 2 /醇組成物自基材移除之 光阻劑材料之量，而容易地經實驗測定。以此方式，可對 本發明之特定的S C C 0 2 /醇組成物，對待移除之特定的光 阻劑材料決定最佳溫度值。 可以類似的方式選擇除溫度外之方法條件，及在技藝技 能内決定最佳或其他的有利條件，包括超臨界流體組成物 12 3丨2/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 與待自基材移除之光阻劑接觸之超過大氣壓的壓力、清潔 組成物接觸之流動及/或靜態特性、及接觸期間。 視需要可將本發明之S C C 0 2 /醇組成物配製成具有額外 成份，以進一步增進組成物之移除能力，或以其他方式改 良組成物之特性。因此，可將組成物配方成具有安定劑、 鉗合劑、氧化抑制劑、錯合劑、表面活性劑等等。 在一特定具體例中，可將氧化抑制劑加入於S C C 0 2 /醇 組成物中，其諸如，比方說，硼酸、丙二酸等等。 在特別適用於將圖案化鋁晶圓上之光阻劑完全移除之 一具體例中，清潔組成物包含S C C 0 2及醇，例如，甲醇、 乙醇或異丙醇，其中以組成物之總重量（S C C 0 2及醇）計， 醇係以自約5至約2 0重量％之量存在。此組成物經證實可 成功地移除鋁上之1 0 0 %的非植入光阻劑，同時仍完全維持 下方鋁層的結構完整性。 在此種使基材上之光阻劑與包含SCC02及醇之清潔組成 物接觸之應用中，最好使清潔組成物在自約3 5 °C至約1 0 0 °C之範圍内之溫度下，在自約1 0 0 0至約7 5 0 0 p s i之範圍 内之壓力下與光阻劑接觸在自約1至約3 0分鐘之範圍内之 接觸期間，以有效溶解及帶走光阻劑，而不對下方之鋁結 構造成損傷。 當經由離子植入而使基材上之光阻劑硬化時，最好利用 包含SCC02、醇及氟離子源化合物之清潔組成物將離子植 入光阻劑自基材移除。 對於此種用途，SCC02及醇可如先前有關用於非離子植 13 3丨2/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 入光阻劑之清潔組成物所說明而調配，再將額外的氟離子 源化合物以有效濃度加至溶液中，此有效濃度如可於技藝 技能内，經由使離子植入硬化光阻劑簡單適宜地與不同氟 離子源化合物濃度之清潔組成物接觸，及測定光阻劑之相 對的各別移除值而容易地決定。 氟離子源化合物可為在超臨界流體組成物中在接觸條 件（與離子植入光阻劑）下可有效產生增進清潔組成物之移 除能力之1離子，例如，經由與植入陽離子諸如、破及 砷反應及錯合，而形成接著可促進光阻劑溶解之SCC02可 溶解物種的任何適當類型。 一特佳的氟離子源為氟化銨（Ν Η 4 F )，雖然亦可有效地使 用任何其他適當的氟離子源材料。經氟物種增進之SCC0 2 /醇組成物可包含多於一氣離子源成份。敗源可為任何適 當的類型，例如，含氟化合物或其他氟物種。氟源成份之 例子包括氟化氫（H F )、三乙胺氟化三氫或其他化學式 N R 3 ( H F ) 3之胺氟化三氫化合物（其中各R係分別選自氫及 低碳烷基（C ! - C 8烷基））、氟化氫-吼啶（p y r _ H F )、化學式 R 4 N F之氟化銨（其中各R係分別選自氫及低碳烷基（C ! - C 8 烷基））、其他第四氟化物、二氟化氙、氟甲烷等等。 在將氟化銨（N H 4 F )使用作為氟離子源成份之本發明之一 具體例中，此成份係以清潔組成物之總重量（即S C C 0 2、醇 及氟離子源）計，在自約0 . 0 1重量％至約5重量％之範圍内 之濃度使用，及在自約0 . 1重量％至約1重量％之範圍内更 佳。 14 312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 舉進一步的明確例子來說，圖3係帶有離子植入光阻劑 之控制晶圓之在6 0 K倍率下之光學顯微鏡影像。圖4係圖 3之帶有離子植入光阻劑之控制晶圓於利用S C C 0 2 /甲醇 / Ν Η 4 F溶液在5 5 °C及4 0 0 0 p s i壓力下清潔1 5分鐘後之相 對的掃描式電子顯微鏡（S E Μ)影像。如於圖4中所觀察，光 阻劑在此等條件下經S C C 0 2 /曱醇/ Ν Η 4 F溶液完全移除。 在特別適用於自矽及/或S i 0 2基材清潔離子植入光阻 劑之此種特性之一較佳組成物中，以清潔組成物之總重量 (S C C 0 2、醇及N Η 4 F )計，氟化銨係以自約0 · 1至約1 . 0重 量％之濃度存在，醇係以自約5至約2 0重量％之濃度存在， 及S C C 0 2係以自約7 9至約9 4 . 9重量％之濃度存在。 此種清潔組成物可在任何適當的方法條件下與離子植 入光阻劑接觸。在一特佳具體例中，此種清潔組成物係在 自約4 5 °C至約7 5 °C之範圍内之溫度下，在自約2 0 0 0至約 4 5 0 0 p s i之範圍内之壓力下與離子植入光阻劑接觸在自約 5至約1 5分鐘之範圍内之接觸期間，以有效溶解及帶走光 阻劑，而不對下方之矽/二氧化矽結構造成損傷。接觸係 以包括使清潔組成物於帶有光阻劑之表面上方連續流動之 動態接觸模式進行，以使質傳梯度最大化，及達成光阻劑 自基材之完全移除較佳。 或者，本發明之清潔方法可以靜態浸泡模式進行，其中 使光阻劑與靜態體積之清潔組成物接觸，並與其保持接觸 一段連續的（浸泡）期間，或再另一種方式為清潔組成物與 光阻劑之接觸可以包括使清潔組成物於其上具有光阻劑之 15 312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 基材上方動態流動，隨後使基材靜態浸泡於清潔組成 之連續處理步驟進行，其中各別的動態流動及靜態浸 驟係於連續步驟之循環中交替及重複地進行。 本發明之清潔組成物可經由簡單地混合成份，例如 混合容器中在溫和攪拌下，而容易地調配。 一旦經調製，則將此種清潔組成物應用至基材，以 當的高壓下，例如，在經以適當體積速率及量供給清 成物之加壓接觸室中，與其上之殘渣接觸，以達成將 劑移除之期望的接觸操作。 當明瞭本發明之清潔組成物之特定的接觸條件可基 文中之揭示内容於技藝技能内容易地決定，且可寬廣 變本發明之清潔組成物中之成份的特定比例及成份之 度，同時仍達成光阻劑自基材之期望移除。 因此，雖然本發明已參照本發明之特定的態樣、特 說明具體例說明於文中，但當明瞭本發明之效用並不 受限，反之應將其擴展至涵蓋許多其他的態樣、特徵 體例。因此，記述於下文之申請專利範圍係應相對廣 解釋為包括在其精神及範圍内之所有此等態樣、特徵 體例。 【圖式簡單說明】 圖1係帶有光阻劑之控制晶圓之在5 0 K倍率下之掃 電子顯微鏡（S Ε Μ )影像。 圖2係相對之清潔後樣品之在501(倍率下之掃描式 顯微鏡（S Ε Μ )影像，其係經由使帶有光阻劑之基材與€ 312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 物中 泡步 ，在 在適 潔組 光阻 於 地改 濃 徵及 因此 及具 義地 及具 描式 電子 16 200415239 S C C 0 2 /曱醇之清潔組成物在3 5 °C下接觸而將光阻劑清除 (影像展現由於在S C C 0 2清潔之前過度蝕刻金屬表面所致 之弱線條圖案）。 圖3係帶有離子植入光阻劑之控制晶圓之在6 0 K倍率下 之光學顯微鏡影像。 圖4係圖3之帶有離子植入光阻劑之控制晶圓於利用 S C C 0 2 /甲醇/ N Η 4 F溶液在5 5 °C及4 0 0 0 p s i壓力下清潔 1 5分鐘後之相對的掃描式電子顯微鏡（SEM )影像。
3丨2/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 17

Claims (1)

  1. 200415239 拾、申請專利範圍： 1 . 一種光阻劑清潔組成物，其包含S C C 0 2及醇。 2 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中該醇包括至少 一 C 1 - C 4 醇。 3 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中該醇包括乙醇。 4 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中該醇包括曱醇。 5 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中該醇包括異丙 醇。 6 .如申請專利範圍第1項之組成物，其中該醇包括丁醇。 7 ,如申請專利範圍第1項之組成物，其中以組成物之總 重量計，該醇之濃度係自約5重量％至約2 0重量％。 8 .如申請專利範圍第1項之組成物，其進一步包含氟*離 子源。 9 .如申請專利範圍第8項之組成物，其中該氟離子源包 括選自由氟化氫（HF)、化學式NR3(HF)3之胺氟化三氫化合 物（其中各R係分別選自氫及低碳烷基）、氟化氫-吼啶 (pyr-HF)、化學式R 4 N F之氟化銨（其中各R係分別選自氫 及低碳烷基）、其他第四氟化物、二氟化氙、及氟曱烷所組 成之群之至少一氟源試劑。 1 0 .如申請專利範圍第8項之組成物，其中以組成物之 總重量計，該氟離子源具有自約0 . 0 1重量％至約5重量％ 之濃度。 1 1 .如申請專利範圍第8項之組成物，其中以組成物之 總重量計，該氟離子源具有自約0 . 1重量％至約1重量％之 18 312/發明說明書(補件)/93-01 /92 ] 28269 200415239 濃度。 1 2 .如申請專利範圍第8項之組成物，其中該氟離子源 包括化學式N R 4 F之化合物，其中各R係分別選自氫及低碳 院基。 1 3 .如申請專利範圍第8項之組成物，其中該氟離子源 包括氟化銨。 1 4 .如申請專利範圍第1項之組成物，其進一步包括氧 化抑制劑。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之組成物，其中該氧化抑制 劑包括硼酸。 1 6 . —種光阻劑清潔組成物，其包含SCC02及醇，其中 該醇係選自包括甲醇、乙醇及異丙醇，其中以清潔組成物 之總重量計，該醇係以自約5至約2 0重量％之濃度存在， 及其中以清潔組成物之總重量計，S C C 0 2係以自約8 0至約 9 5重量％之濃度存在。 1 7 . —種光阻劑清潔組成物，其包含S C C 0 2、醇及氟離子 源，其中該醇係選自包括甲醇及異丙醇，其中以組成物之 總重量計，該氟離子源係以自約0 . 1至約1重量％之濃度存 在，其中以清潔組成物之總重量計，該醇係以自約5至約 20重量％之濃度存在，及其中以清潔組成物之總重量計， S C C 0 2係以自約7 9至約9 4 . 9重量％之濃度存在。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之組成物，其中該氟離子源 包括N Η 4 F。 1 9 . 一種將光阻劑自其上具有該光阻劑之基材移除之方 19 3丨2/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 法，該方法包括使光阻劑與包含S C C 0 2及醇之清潔組成物 在充分的接觸條件下接觸足夠的時間，以將光阻劑自基材 移除。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之方法，其中該接觸條件包 括高壓。 2 1 ,如申請專利範圍第2 0項之方法，其中該高壓包括在 自約1 0 0 0至約7 5 0 0 p s i之範圍内之壓力。 2 2 .如申請專利範圍第1 9項之方法，其中該接觸條件包 括高溫。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中該高溫包括在 自約3 5 °C至約1 0 0 °C之範圍内之溫度。 2 4 .如申請專利範圍第1 9項之方法，其中該接觸時間係 在自約1至約3 0分鐘之範圍内。 2 5 .如申請專利範圍第1 9項之方法，其中該組成物包括 甲醇作為該醇，其係以清潔組成物之總重量計，自約5至 約2 0重量％之濃度存在。 2 6 . —種將光阻劑自其上具有該光阻劑之基材移除之方 法，該方法包括使光阻劑與包含SCC02及醇之清潔組成物 接觸，以將光阻劑自基材移除，其中該醇係選自包括甲醇、 乙醇及異丙醇，及以組成物之總重量計，該醇係以自約5 至約2 0重量％之濃度存在，及該接觸係在包括在自約1 0 0 0 至約7 5 0 0 p s i之範圍内之壓力，在自約3 5 DC至約1 0 0 °C之 範圍内之溫度的條件下進行足夠的時間，以將光阻劑自基 材移除。 20
    312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 2 7 .如申請專利範圍第2 6項之方法，其中該接觸時間係 在自約1至約3 0分鐘之範圍内。 2 8 . —種將離子植入光阻劑並自其上具有該光阻劑之基 材移除之方法，該方法包括使光阻劑與包含S C C 0 2、醇及 氟離子源之清潔組成物在充分的接觸條件下接觸足夠的時 間，以將離子植入光阻劑自基材移除。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該氟離子源包 括選自由氟化氫（HF)、化學式NR3(HF)3之胺氟化三氫化合 物（其中各R係分別選自氫及低碳烷基）、氟化氫-吼啶 (pyr-HF) >化學式R 4 N F之氟化銨（其中各R係分別選自氫 及低碳烷基）、其他第四氟化物、二氟化氙、及氟甲烷所組 成之群之至少一氟源試劑。 3 0 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中以組成物之總 重量計，該氟離子源具有自約0 . 0 1重量％至約5重量％之濃 度。 3 1 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中以組成物之總 重量計，該氟離子源具有自約0 . 1重量％至約1重量％之濃 度。 3 2 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該氟離子源包 括 NH4F 。 3 3 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該醇係選自包 括甲醇、乙醇及異丙醇，其中以組成物之總重量計，該氟 離子源係以自約0 . 1至約1重量％之濃度存在，其中以清潔 組成物之總重量計，該醇係以自約5至約2 0重量％之濃度 21 312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 存在，及其中以清潔組成物之總重量計，S C C 0 2係以自約 7 9至約9 4 . 9重量％之濃度存在。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之方法，其中該氟離子源包 括 NLF。 3 5 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該接觸條件包 括高壓。 3 6.如申請專利範圍第3 5項之方法，其中該高壓包括在 自約1 0 0 0至約7 5 0 0 p s i之範圍内之壓力。 3 7 .如申請專利範圍第2 8項之方法，其中該接觸條件包 括高溫。 3 8 .如申請專利範圍第3 7項之方法，其中該高溫包括在 自約4 5 °C至約1 0 0 °C之範圍内之溫度。 3 9 .如申請專利範圍第2 3項之方法，其中該接觸時間係 在自約1至約1 5分鐘之範圍内。 4 0 . —種將離子植入光阻劑並自其上具有該光阻劑之基 材移除之方法，該方法包括使離子植入光阻劑與包含 S C C 0 2、醇及氟離子源之清潔組成物接觸，以將離子植入光 阻劑自基材移除，其中該醇係選自包括曱醇、乙醇及異丙 醇，以組成物之總重量計，該醇係以自約5至約2 0重量％ 之濃度存在，以組成物之總重量計，該氟離子源係以自約 0 . 1至約1重量％之濃度存在，及該接觸係在包括在自約 2 0 0 0至約4 5 0 0 p s i之範圍内之壓力，在自約4 5 °C至約7 5 °C之範圍内之溫度的條件下進行足夠的時間，以將光阻劑 自基材移除。 22 312/發明說明書(補件)/93-01 /92128269 200415239 4 1 .如申請專利範圍第 在自約5至約1 5分鐘之 4 0項之方法，其中該接觸時間係 範圍内。
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