TW200407815A

TW200407815A - Conductive bump structure

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Publication number: TW200407815A
Application number: TW091133314A
Authority: TW
Inventors: Pao-Yun Tang
Original assignee: Hannstar Display Corp
Priority date: 2002-11-13
Filing date: 2002-11-13
Publication date: 2004-05-16
Also published as: TWI271680B

Description

200407815 B7 五、發明説明（曼域： f (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) 本發明係與一種導電凸塊（bumP)之結構有關’ 特別是有關於一種具平衡功能之導電凸塊（bump)之結構有關。 ▼訂· 在製造液晶顯示螢幕的製程應用領域之中，包含了許多複雜的製造程序，一般而言，液晶顯示螢幕是由接合許多的液晶顯示驅動晶片（LCD chip)、以及週邊驅動與控制電路的晶片至一玻璃基板上而形成，母一液晶顯示螢幕上皆有許多的液晶顯示驅動晶片，而晶片上的接觸墊（contact ing pad)必須與玻璃基板上的導線正確的加以對準並接合，並提供良好的導電性，以使液晶顯示螢幕能由良好的訊號傳遞來顯示正確無誤的影像。 ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製為了達到上述的對準度及導電特性，目前已發展出許多的接合方法，在眾多的接合方法之中，其^ 較常應用的兩種方法可為捲帶式晶粒自動接合a、ape automated bonding; TAB)法以及晶片-玻璃接厶 (^ϋ^οη—g!Ts; C0G)法。除了可應用於液晶顯示S 幕的製程之中，上述的方法亦可應用於其他多種的晶片之中，以將晶片接合至電路板上或是盆他導電 200407815 A7

線路之上。在接合方法的應用中，由於導電膜的發使得晶片接點的进度得以提昇，而減少高接點相鄰接點間可能發生短路的問題。 ” X F 參見第一圖所示，即為一接合過程的截面立圖，為便於介紹接合製程，圖中顯示的J C晶片i = 以上下相反之方向來放置，IC晶片10之上已形所需的各種主動元件，以液晶顯示驅動晶片的丨C曰 10的應用而言，1C晶片10之上會形成金凸塊5，金凸塊12並與基材10上的鋁接墊相連，1C晶片1〇並接合於玻璃基板14上以形成液晶顯示幕，^晶片 10與玻璃基板14之間可以導電膜16提供電性的連接。一般而言，導電膜16係為一包含黏著性樹脂材質及導電顆粒的膜層，在1C晶片1〇對準於玻璃基板 14相對應的位置之後，IC晶片1〇即在較高的溫度下壓合於玻璃基板14上，並由於壓合而使每個金凸塊與玻璃基板上相對應的導電點1 5間藉由導電顆粒1 8 形成通路，同時由於樹脂材質的高溫硬化而將IC晶片10與玻璃基板14緊密結合。傳統使用金凸塊的方法’在對於對準精度以及導電膜1 6的導電特性皆能良好的控制之下，可提供相當有效而良好的電性接合，金的良好導電特性並可提供IC晶片1〇與玻璃基板14間低電阻值的電性連接。其金凸塊結構如第二圖所示，在IC晶片1 〇之本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公笼) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200407815 A7

五、發明説明（）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製紹接墊22之周遭存有一層鈍態保護層24其上再形成一金凸塊12，其結構可分為兩部分，分別為多層金屬薄膜 26(稱為 Under Bump Metallurgy, UBM 或 Ball Limiting Metallurgy, BLM)以及金凸塊 28 本身。由於同一顆IC晶片l〇所形成之金凸塊i2高度會有誤差’為了克服此南度上的誤差，在進行如第一圖所示之壓合製程時，由於金凸塊12具金屬高鋼性之特徵，亦即其楊氏係數相當大（約11 〇 GPa )，需施加相當大之力量，方能使所有之金凸塊1 2與玻璃基板 1 4上之相對應導電點1 5導通，然而，如此亦造成純態保護層24之斷裂。傳統上為了降低金凸塊之楊氏係數，曾提出複合凸塊之結構，如第三圖所示，複合凸塊之結構係在紹接墊22上先形成一高分子膜30，由於高分子膜3〇不導電，因此其不能全部覆蓋鋁接墊22,接著在於其上形成一金屬膜38，其係由黏附層32、障蔽層34 與導體層36所共同形成，其依序之材料可為鉻^、鋼與金。由於在傳統之結構設計上，此金屬膜38相當薄，因此於做探針點測測試時，易將此今麗瞪= 破，反而增加後續製程之難度，且其高形成於紹接墊22之中心，而金屬膜38包覆於苴外，因此其與鋁接墊22間之傳導面積下降，且在^合製程時’於轉折處42與44’由於金屬膜38相當薄亦容易斷裂，進而影響接合品質。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 200407815 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 傳統金凸塊結構，由於具高揚氏係數，在壓合製程上會造成鈍態保護層之斷裂，，而傳統用以解決高揚氏係數之複合凸塊結構，由於過薄之金屬膜，於4 探針點測測試時’亦造成金屬膜之破裂，反影響後續金凸塊與接點之導通，因此目前需要一種改良的金凸塊結構，來解決上述之問題。發明目的及概述：鑑於上述之發明背景所述，傳統的金凸塊結構，由於金本身具高楊氏係數，因此在壓合製程時，需施加相當大之力量，方能使所有之金凸塊與基板上相對應導電顆粒接觸而導通，但此大的壓合力會造成純態保護層之斷裂，而傳統用以解決高揚氏係數之複合凸塊結構其係使用一高分子膜，然其結構上高分子膜係形成於紹接塾之中心，而金屬膜包覆於其外，由於此金屬膜很薄，於做探針點測時，易造成金屬膜之破裂。因此實需一種改良金凸塊結構，來同時降低金凸塊之揚氏係數，且又不會造成過薄之導電膜，或過度影響其導電接觸面積。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明的目的為提供一種導電凸塊之結構。本發明的另一目的為提供一種導電凸塊之結構’以應用於液晶顯不（LCD)驅動晶片的晶片-玻璃接合（chip-on-glass ; COG)製程之中。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200407815 五、發明説明（）本發明的又一目的為提供一種可自勳平衡之導電凸塊之結構，避免因施加壓力之.不平均造成接點電阻差異大的現象並應用於液晶顯示（LCD)模組的晶片一玻璃接合（chip - 〇n-glass; C0G)製程之中。本發明中導電凸塊之結構至少包含一層緩衝層，此緩衝層於接合過程中可形成一小形變，藉由缓衝層之形變可彌補所形成之不等高之金凸塊間可能造成接合不良之問題。於此緩衝層上，具有一多層金屬膜，，此多層金屬膜係由一黏附層、障蔽層與一保護層所形成。接著於此多層金屬膜上為金凸塊本體。本發明之導電凸塊，由於具有低楊氏係數之緩衝層，因此 =壓合製程時，可有效之調配壓合力，讓接合更加緊密，且可避免接點電阻不均現象發生。發明詳細說明：在不限制本發明之精神及應用範圍之下，以下即以一實施例，介紹本發明之實施；熟悉此領域技藝者’在瞭解本發明之精神後，當可應用本發明之導電凸塊於多種不同的接合製程及不同的晶片上，藉由本發明之結構，可在不造成過薄之導電薄膜的情況下，降低金凸塊之揚氏係數，如此即可不需過大之壓合力而形成良好之接合狀態，且本發明之結構，由於具有本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 低之揚氏係數，因此於壓合製程時，可有效之調配壓。力’讓接合更加緊密，且可避免純態保護層斷裂發生本發明之應用當不僅限於以下所述之實施例。本發明中提供一種導電凸塊之結構，在較佳實施你丨之中，如第四圖所示，此結構可應用於形成液晶顯示驅動晶片402所需之導電凸塊，以將驅動晶片402 接合至玻璃基板400之上，用以驅動液晶顯示螢幕 404’其中此驅動晶片會與周邊電路406相接，並可用以取代傳統製程中之金凸塊，以降低楊氏係數，此結構所提供之具低楊氏係數之金凸塊，可改善傳統導電凸塊的特性。以下即以一實施例，來介紹本發明之實施，而本發明中之導電凸塊結構可應用於多種不同的接合製程及不同的晶片上，在了解本發明之實施後，熟知此領域技藝者當可應用本發明之方法於相似的應用之中，以下所述之實施例僅為一單純之介紹例。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製請再次參見第一圖所示之接合過程的截面示意圖’於1C晶片1〇上之金凸塊12可藉由導電膜16與玻璃基板14上之導電點15相接合，一般而言，在接合過程之中，須施加足夠的接合壓力，以使金凸塊i 2 與玻璃基板14上之導電點15的連接。為了能產生良好之接合力，於第一圖中所示之各金凸塊12間須具有同等之高度，否則金凸塊本身所具有之高楊氏係數，根據下式所示：本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合社印製 200407815 A7 B7 五、發明説明（

F = Kx S 其中Κ為揚氏係數，ρ為外力接合力，S為在外加接合力下所產生之形變。高楊氏係數，勢必造成於接合過程時，需外加了高壓合力，才能使不等高之各金凸塊間，藉由小形隻來與玻璃基板14上對應之導電點is接合’然此局壓合力對於1C晶片1〇會有不良之影響。因此’本發明中具低楊氏係數的導電凸塊之結構^如下所述。參見第五圖中之截面示意圖所示，ic晶片1〇〇上具有接觸墊102形成於其上，在本例之中，1C晶片1 0 0可為液晶顯示驅動晶片，液晶顯示驅動晶片上已完成所需之元件，並藉由接觸墊102來提供對外的連接；在其他的應用之中，IC晶片i 〇〇亦可為其他種類的晶片，藉由接觸墊102來形成對外的連接或接合；在大部分的應用之中，接觸墊102可為鋁接觸墊，接觸墊102周圍區域並以保護層1〇4加以覆蓋，保護層104用以間隔1C晶片100上的各個接觸塾之間’並用以保護I c晶片1 〇〇上之電路不與外界，保護層1 04可使用如氧化矽或氮化矽等等^人質。的’丨電材接者清參考第六圖所示，本發明導電如下所示，於IC晶片1 〇〇上方形成一緩塊結構此緩衝層106為早一層高分子材質所構成， 1〇6 醯胺（poly imide )，此層之主要目的係田巧如聚亞用來與後續本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁)

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五、發明説明（） ==;降低整體之揚氏係數。由於楊 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ϊίϊϊϊί二此於接合過程時，⑼需外加之壓合 2不需！太两，即可藉由此緩衝層106之作用，讓 η過/中造成彼此不等“各金凸塊間，藉由緩衝層106之小形變來與玻璃基板14上對應之導 ::15:合（如第一圖所示），因此並不需要施加 ίϋί力’可將壓合過程中，對1C晶片100所之擊降至最低，其中緩衝層106可使用如旋轉 '气方式加以形成，且其形成厚度至少約為5微米 { β m) 〇由於此緩衝層106係由不導電之材質所形成，因此要將所覆蓋之部分接觸墊1〇2暴露出來，以進行後續金凸塊之成長，參見第七圖所示，首先形成光阻層於1C晶片100上之緩衝層1〇6上，並定義開口 13〇於光阻層内、接觸墊1 0 2上方的位置處，其中此開口，，為W1，最後以定義完成後之光阻層為罩幕，對緩衝層106進行蝕刻，其蝕刻之方法可為濕式蝕刻法或乾式蚀刻法。於蝕刻完成後並將剩餘之光阻層剝離而形成如第七圖所示之截面圖形。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著形成金凸塊本體於緩衝層1〇6與接觸墊102 之上方’如第八圖所示’為一金凸塊（gold Bump ) 之結構圖，當要進行覆晶結合（Flip Chip)時，首 1C晶片1〇〇上成長一金凸塊，其結構可分為兩部分’分別為多層金屬薄膜11〇 (稱為Under Bump 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇x297公楚) 200407815 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Metallurgy, UBM 或 Ball Limiting Metallurgy， BLM)以及金凸塊108本身，其中多層金屬薄膜至少由二層金屬所組成，其功能分別為黏附層 112(Adhesion Layer)，如鈦（Ti)、鉻（Cr)、鈦化鎢（TiW)等，其主要目的在於提供與接觸墊1〇2 和緩衝層1 0 6間有較強之黏著性。另一金屬層為障蔽層 114 (Wetting Layer )，如鎳（Ni)，銅（Cu) 等。在障蔽層114上會再鑛上一層導電層ία (conductive Layer)，如金（An)等，目前對多層金屬薄膜之製作主要是以蒸鍍及濺鍍之方式進行。請再次參見第八圖所示，之後形成金凸塊1 〇 8 於多層金屬薄膜110上與接觸墊102上方之位置處，金凸塊108與接觸墊102間即透過多層金屬薄膜11〇形成電性之連接。本例中金凸塊1 〇8可以電鑛 (electroplated)的方式形成於多層金屬薄膜 11〇上。在本例之中，形成金凸塊1〇8之步驟可如下述，首先形成光阻層118於1C晶片1〇〇上之多層金屬薄膜110上；並定義出一用以形成金凸塊108之開口；接著形成金凸塊108於開口處之内的多層金屬薄膜 110上，最後去除剩餘之光阻層。、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製32 金凸塊108係以均勻的厚度覆蓋於其下方多層金屬薄膜110之上，而形成與其下方多層金屬薄膜u"〇相同的表面形狀，由於邊緣處多層金屬薄膜110略為凸起的形狀以及接觸塾102表面平坦之形狀，金凸^

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五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 108可形成中央區域平坦、而於邊緣極小之區域具有略為凸起之形狀’如第八圖所示之表面形狀。接著參閱第九圖，去除多層金屬薄膜11〇與緩衝層106中未被金凸塊1〇8所覆蓋之部分，本例/中可以金凸塊108為罩幕，進行钱刻製程來加以去除。值得注意的是’於本發明之金凸塊1〇8之製程中，其中緩衝層106於接觸墊1〇2之開口寬度為wi，而接觸墊102於保護層104開口之寬度為W2，其中W1血之比例關係如下所示： ^ 1/3S W1/W2S 2/3 另一方面，緩衝層106於接觸墊1〇2上方之成長咼度為Η1’而緩衝層1〇6、多層金屬薄膜11〇與金凸塊108於接觸墊102上方之總高度為Η2,於本發明中，緩衝層106之高度Η1 ’占總高度Η2之比例至少需為1/3’其揚氏係數才得有效降低，於接合過程時，才能使不等高之各金凸塊間，於小外加力下，即可產生形變來與玻璃基板14上對應之導電點15接合0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製參見第十圖所示，在金凸塊108形成於1C晶片 100上之後，即可進行1C晶片100與玻璃基板120 相接合，為便於描述、圖中之1C晶片100係以上下相反的方向顯示，1C晶片100與玻璃基板120之間可以導電膜122貼合於玻璃基板120上。參閱第十一圖，為本發明結構之另一實施例，本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 200407815

五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於1C晶片1〇〇上具有接觸墊1〇2形成於其上，接觸塾102周圍區域並以保護層ι〇4加以覆蓋，保護層1〇4 用以間隔IC晶片1 〇〇上的各個接觸墊丨〇 2之間，並用以保護IC晶片1 〇〇上之電路不與外界接觸。接著於1C晶片1〇〇上方形成一緩衝層ι〇6，並利用微影製程’將所需之圖案定義出來。第二實施例與第一實施例之最大不同點在於，於第一實施例時，此時會開始成長多層金屬薄膜，然而於第一實施例中，此時會以無電鍍製程 (Electroless plating)將一鎳金屬128填充於圖案化之緩衝層1 〇 6中，接著再以蝕刻製程或化學研磨製程’將凸出於緩衝層之部分除去，以形成鎳金屬128與緩衝層1〇6之表面切齊。接著再以濺鍍之方式形成一層金層124，做為黏附層，之後形成金凸塊 126於金層124上，金凸塊126可以電鍵 (electroplated)的方式形成於金層124上。於此結構中’由於鎳金屬128與緩衝層1〇6之表面切齊，因此所形成之金凸塊126之表面將無高低差異存在，如此於後續之製程中，可與玻璃基板做更完美之結合。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另一方面’於本結構中，若緩衝層1〇6於接觸墊102之開口寬度為W3，而接觸墊1〇2於保護層1〇4 開口之寬度為W4，其中W3與W4之比例關係如下所示： 1/3S W3/W4S 2/3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 200407815 A7 B7

五、發明説明（）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由於本發明之導電凸塊結構具有一層緩衝層，因此總導電凸塊之揚氏係數可大為降低，且於接合過程中，此緩衝層可形成一小形變，藉由緩衝層之形變可彌補不等高之金凸塊可能造成接合不良之問題。本發明以較佳之實施例說明如上，僅用於藉以幫助了解本發明之實施，非用以限定本發明之精神，而熟悉此領域技藝者於領悟本發明之精神後，在不脫離本發明之精神範圍内，當可作些許更動潤飾及等同之變化替換，其專利保護範圍當視後附之申請專利範圍及其等同領域而定。式簡箪說明：參考下列的發明詳細說明，本發明的後續方向與優點可以很容易的被瞭解與被鑑賞，並配合後面的圖式加以說明，其中包含：第一圖顯示1C晶片與玻璃基板間接合製程之截面示意圖；第二圖顯示傳統金凸塊之截面示意圖；第三圖顯示傳統複合金凸塊之截面示意圖；第四圖顯示液晶顯示驅動晶片接合至玻璃基板之示意圖；本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） -………：# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200407815 A7 B7 五、發明説明（）第五圖顯示本發明中具有接觸墊形成於其上之 IC晶片截面示意圖；第六圖顯示本發明中形成緩衝層於1C晶片上之截面不意圖，第七圖顯示本發明中利用光阻層定義出緩衝層圖案之截面示意圖；第八圖顯示本發明中形成多層金屬薄膜與金凸塊之截面示意圖；第九圖顯示本發明中去除多層金屬薄膜與緩衝層中未被金凸塊所覆蓋之部分之截面示意圖；第十圖顯示將本發明之導電凸塊接合至玻璃基板上之截面示意圖；以及第十一圖顯示本發明第二實施例金凸塊之截面示意圖。圖號對照說明： 1 Ο IC晶片 1 2金凸塊 14玻璃基板 1 5導電點 16導電膜 18導電顆粒 22鋁接墊 24鈍態保護層 26多層金屬薄膜 28金凸塊 30高分子膜 32黏附層 34障蔽層 36導體層 38金屬膜本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

200407815 A7 B7 五、發明説明（ 100 1C晶片 104保護層 108金凸塊 11 2黏附層 116導電層 120玻璃基板 124金層 128鎳金屬130開口 102接觸墊 I 0 6緩衝層 II 0多層金屬薄膜 11 4障蔽層 11 8光阻層 122導電膜 1 2 6金凸塊 400玻璃基板 4 0 2驅動晶片 406周邊電路 404液晶顯示螢幕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合 h 社印製 16 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐）

Claims

200407815 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製⑦ 六、申請專利範圍申請專利範圍：在一1ic 一曰種《導m結構，該導電凸塊結構係建立权％曰曰片之接觸墊上，其中該接觸墊上面覆蓋一 ’而該保護層具有一第一開口以暴露出部分該接觸墊，該導電凸塊結構至少包含：一緩衝層覆蓋於該保護層與該接觸墊之上方，且該緩衝層具有一小於且位於該第一開口中央之第二開口，用以暴露出部分該接觸墊，其中該緩衝層之厚度佔該導電凸塊厚度之比例至少為1 / 3 ; 一多層金屬薄膜覆蓋於該緩衝層與該接觸塾上；以及一金凸塊覆蓋於該多層金屬薄膜上。 2 ·如申請專利範圍第1項之導電凸塊結構，其中上述之第二開口（W2)佔該第一開口（W1)之比例關係為 1/3$ W2/W1S 2/3。 3·如申請專利範圍第1項之導電凸塊結構，其中上述之接觸墊至少包含一鋁接觸墊。 4·如申請專利範圍第1項之導電凸塊結構，其中上述之緩衝層至少包含聚亞醯胺。 17 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

200407815 A8 B8 - 1~_ ώΙ 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •如申請專利範圍第i項之導電凸塊結構，其中上述之緩衝層可以旋轉塗佈之方式形成。 6·如申請專利範圍第丨項之導電凸塊結構，其述之第二開口可以濕蝕刻法或乾蝕刻法形成之。 7·如申請專利範圍第1項之導電凸塊結構，其中上述之多層金屬薄膜至少包含一障蔽層、一黏附層以及一導電層。、8·如申請專利範圍第7項之導電凸塊結構，其中上述之黏附層之材料可為鈦（Ti)、鉻或鈦化鎢（TiW)。 9·如申請專利範圍第7項之導電凸塊結構，其中上述之障蔽層之材料可為鎳（Ni)或銅（Cu)。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之導電凸塊結構，其經濟部智慧財產局員工消費合作社印製中上述之多層金屬薄膜至少包含一黏附層以及一導電層0 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之導電凸塊結構，其中上述之黏附層材料為金。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公董) 200407815 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 f請先閲讀背面之注意事¾再填寫本頁} 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項之導電凸塊結構，其中上述之導電層材料為鎳。 ° ’ 1 3 ·如申請專利範圍第1〇項之導電凸塊結構，其中上述之導電層係以無電鍍之方式形成。 14. 一種導電凸塊結構，該導電凸塊結構係建立在一 1C晶片之接觸墊上，其中該接觸墊上面覆蓋_ 保護層，而該保護層具有一第一開口以暴露出部分該接觸墊，該導電凸塊結構至少包含： Λ 一緩衝層覆蓋於該保護層與該接觸墊之上方，且該緩衝層具有一小於且位於該第^一開口中央之第一開口，用以暴露出部分該接觸墊，其中該緩衝層之厚度佔該導電凸塊厚度之比例至少為1 /3，且該第二開口（W2)佔該第一開口（W1)之比例關係為ι/g $ W2/W1 ^ 2/3 ； ^ 一多層金屬薄膜覆蓋於該緩衝層與該接觸墊上；以及一金凸塊覆蓋於該多層金屬薄膜上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5·如申請專利範圍第14項之導電凸塊結構，其中上述之接觸墊至少包含一鋁接觸墊。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 200407815 A8 B8 C8 D8

申請專利範圍 16·如申請專利範圍第14項之導其中上述之緩衝層至少包含聚亞醯胺。 ^構’ 1 7·如申請專利範圍第丨4項之導電凸塊結 ,、中上述之緩衝層可以旋轉塗佈之方式形成。 1 8 ·如申請專利範圍第丨4項之導電凸塊結 =中上述之第二開口可以濕蝕刻法或乾蝕刻法形成 19·如申請專利範圍第14項之導電凸塊結，、中上述之多層金屬薄膜至少包含一障蔽層、一層以及一導電層。寸 2 0 ·如申請專利範圍第！ 9項之導電凸塊結構，其中上述之黏附層之材料可為鈦（Ti)、鉻（Cr 鈦化鎢（TiW) 。％ 21 _如申請專利範圍第1 9項之導電凸塊結構，其中上述之障蔽層之材料可為鎳（Ni)或銅（Cu)。 22·如申請專利範圍第14項之導電凸塊結構，其中上述之多層金屬薄膜至少包含一黏附層以及一電層。导 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇x297公楚） r>請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁」 #· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製63 200407815 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製申请專利範圍 23·如申請專利範圍第22項之導電凸塊結構，其中上述之黏附層材料為金。 24.如申請專利範圍第22項之導電凸塊結構，其中上述之導電層材料為鎳。 25·如申請專利範圍第22項之導電凸塊結構，其中上述之導電層係以無電鑛之方式形成。 26· —種導電凸塊結構，該導電凸塊結構係建立在一 1C晶片之接觸墊上，其中該接觸墊上面覆蓋一保護層’而該保護層具第一開口以暴露出部分該接觸墊，該導電凸塊結構至少包含：一聚亞醯胺層覆蓋於該保護層與該接觸墊之上方，且該聚亞醯胺層具有一小於且位於該第一開口中央之第一開口，用以暴露出部分該接觸塾’其中該聚亞醯胺層之厚度佔該導電凸塊厚度之比例至少為 1/3，且該第二開口（W2)佔該第一開口（W1)之比例關係為 1/3S W2/W1 S 2/3 ; 一多層金屬薄膜覆蓋於該聚亞醯胺層與該接觸墊上；以及一金凸塊覆蓋於該多層金屬薄膜上。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

200407815 A8 B8 C8 D8 申凊專利範圍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製53 27·如申請專利範圍第26項之導電凸塊結構，〃中上述之接觸墊至少包含一鋁接觸墊。 28·如申請專利範圍第26項之導電凸塊結構，中上述之聚亞醯胺層可以旋轉塗佈之方式形成。 29·、如申請專利範圍第26項之導電凸塊結構，八中上述之第二開口可以濕蝕刻法或乾蝕刻法形成之0 30.、如申請專利範圍第26項之導電凸塊結構，其中上述之多層金屬薄膜至少包含一障蔽層、一黏附層以及一導電層。 31 ·如申請專利範圍第3 〇項之導電凸塊結構，其中上述之黏附層之材料可為鈦（Ti)、鉻（Cr)或鈦化鎢（TiW)。 3 2 ·如申請專利範圍第3 〇項之導電凸塊結構，其中上述之障蔽層之材料可為鎳（Ni)或銅（Cu)。 33.如申請專利範圍第26項之導電凸塊結構，其中上述之多層金屬薄膜至少包含一黏附層以及一導電層。 22 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> •訂· i 200407815

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