TW200401417A - Method for encapsulating an electronic component using a foil layer - Google Patents

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Description

200401417 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 其是半導體之電子元件的方法，其係包括Μ =上之尤 —鑄模内置放至少-箱層，⑻置放該载體且二μ :⑷在 之側邊與該fl層相接觸，及⑷以封裝材質：離D玄凡件 。本發明亦相關於進行如此種方法時所應用之_層電子70件 尤：：半導體產品之電子元件之封裝係—精確 製釭，其中一般係使用由所謂傳遞模塑 ^物體係在此被放置在-物。液 藉由使用-或多個活塞被逼入該禱模内，且、…係 該鑄模内之一 $ $彳^ + . 被元成在 ^ 〇個_空腔係以封裝材質填滿。在 "貝之硬化後，該鑄模被打開且以封裝材質# 、 料之產品係從該轉模取出。為了防止該二質:::份地) 鑄模’在特定應用4Μ系使用置放在該鑄模内：額：唱：至 該封裝材皙在 ^ <領外治層。 產口門/在此載入在介於該猪層與用於(部份)封裝之 產。该封裝材質因而保侍與該鑄模分開。 ’之 载體t或多個由封裝材質所製成之外殼被安裝在一平妇 且耗：之it封裝材質可被單邊地逼入頂靠著該載體，而 遠離保持不含該封裝材f。在許多產品中， 尤4 =材質之側保持不含該封裝材質係非常重㈣， 置。為必須在之後作為用於導電連接該產品之接觸位 設置’有開口 =多：產品正在被應用中，其中該載體被 /旧處，且如果沒有採取特別手段，則該封裝 200401417 材貝可月匕經由該開口 /凹處到達欲被保持清潔之該載體側 。尤其，用於防止此發生之解決手段是，施加該封裝材質 在該載體—側上且尚未打開之位置内，接著在該封裝材質 被施加後，自該載體（例如藉由_)移除—材質層。很顯 然地’此將包括會有增加成本之後果的額外處理。實際上 的另:解決手段是在尚未施加該封裝材質之前，將一保護 層附者頂靠-被設置有開口之載體。在該如此處理（組裝） 之載體中之開口係被閉合。該閉合的載體於是可以被（部份 )子虞H亥被（部份地）封裝之載體已從該鱗模移除後 士’該保護層再-次從該載體被移除。在此產生一問題是使 /被（4伤地）封裝之載體的接觸側再適當地清潔。此方法 亦具有大量增加成本之結果。 、發3之目的係提供—種用於封裝—被固定在一載體 接^尤其是半導體的電子元件之方法及裝置，其中載體的 接3側係以經濟的方式保持不含封裝材質。 本發明為此目的係提供—種用於封裝一被固定在一載 之尤其則體的電子元件之方法，其包括下列製程 二錐:广在模内置放至少1層，⑻置放該載體且以 件之側邊與該辖層相接觸，及⑷以 質封裝 元件’其特徵在該箱層係進行一處理，藉此該猪層 … 而使仵“層可附著至該載體。該名 在此係被理解為意謂較大或較小實質内容之一處 °取而代替複雜之载體預處理，—羯層現在只 疋被置放在該鑄模内。此是一種單純的操作，i中已獲得 200401417 許多實際經驗。本發明之特點現在是該蹈層之特性被影_ 以使得該箱層以一較大或較小程度附著至該载體之遠：： 定被該封裝材質施加的側之側邊。取而代替為了防止 體被封裝材質滲透之複雜的載體預處理或後處理 發明係只是使用現有置放—箱層在一鑄模内的技術。★二 層最佳地在該載體尚未接觸㈣層之前進行附著力增= 理Hb該字"處理"也被理解為意謂該载體所進行之 或較小實質内容之一處理或一製 ^ Λ 褽柱 s 5亥泊層以及該載體 被導引來相互接觸時，正禮 確的力道此因而立即被施加以實 王所需的連接。在此之製程步驟之數目係保持有限的。為 了良好接取至該載體，㈣載體尚未引人該鑄模内之前， 已經增強該箱層之附著力可能是所需要的。在另一方面， 畲特定情況需要時，亦有可^ 有了此置放忒殆層及該載體在相互 接觸下，並且只有當時择卜 子《加该珀層之附著力。吾人應 而注意到在安裝該箔層之期 進 * 之期間，將介於該載體與該箔層之 工間抽真空可以是有利的，如此可防止包含氣體。 該附著力增強的處理 甘_ 此例如包括該箔層之溫度增加， ”可選擇地結合該箔層 „ . θ _ 曰之烘燒，且其例如是藉由電暈、電 水或是具有類似效果之虚碰 係Λ 里。傳統上’該箔層之表面張力 係X到電暈處理影響 a 旦 —疋測武結果顯示出以電暈處理來 衫響該箔層之附著力亦是 木 ， 的。在測試期間已獲得結果 其中在經過一附著力择％ m ^ ^ ^ ^ ο. θ強處理被實現後，該箔層特別地 &銅之載體之一接觸表面。除了在 此所提之例子外，該箔； 曰之其他處理亦當然可設想到，比 200401417 如像是曝光或是化學處理。 在該方法之一較佳應用中，該 裝該電子元件之後進行一後嘖，裝材質封 1丁傻處理’藉此該箔 係被減少以使得它比在以封裝材 者力 + 、 、Τ策W亥電子元件之S日μ 又不附者至載體。如此用於減少附著力之處理例如可 括該箱層之溫度降低。在利用如此的後續 ： 能更快地自該載體釋放出’並且該簿層 = 遺留在該載體上。 R个)此破 為了簡單供應該箱層，該箱層能自—捲 者被移動穿過該禱模。此種方法能部份取代習知技術以; 理6亥泊層。在根據本發明之方法的另—有利的應用中…亥 猪層能被使用許多:欠；已被使用一次之箱層並不需要丢； 、，而:再被使用、。此尤其具有優點為使用該箱層之成本能 被減少以及该方法具有較少的環境影塑。 吾人建議只有在施加封裝之短暫時間前放置該绪層。 如此減少該f|層材質被先前處理步驟損壞之風險。其中之 -例子是該電子元件之藉由連接線（線接合）的連接，且該 接合係發生在相當高的溫度下（_般為24G_2峨）。根據本 發明之方法的另一優點是有可能因而處理例如陶瓷及金屬 之組合的組裝載體’其中損壞此種载體(,，裂開”)之機會亦 被降低。 …本發明亦提供U以上所述方法之笛層，其特徵在 該箱層係包括一具有已被安裝於其上之一附著層之載體層 ，且該附著層能夠被活化。該能约被活化之f付著層例如可 200401417 以包括一熱塑性塑料，而該載體層能由紙所組成。相反地 ’該載體層亦可以由塑料所組成。尚有另一選擇是該載體 層由一非鐵金屬所組成。此當然包括合金，例如含銘合金 。如上所述之優點可以用此一箔層予以實現。該箔層能相 當便宜地製作，並且當該箔層係可再使用時，其成本可更 進而降低。在實際上…聚丙烯/聚乙烯之附著層已獲 得有利的結果，且該附著層能被活化並具有一大約i4〇l
之溶點範圍。t然’吾人需要選擇能被活化且對許多物質 惰性之附著層。 本發明將併合參考被 而予以更進而揭露 【實施方式】 第1A圖揭示有—載體1，其中出現有貫穿開口 2。 電子元件3係被放置在該恭I* 1 + l 牡邊戰體1之上，且該元件藉由马
線4連接至該截體 1 + A u 載體之特疋部份。第1B圖揭露一^ 係被安裝成頂靠該载體1，
以使仵忒開口 2藉此被閉么 為了良好的閉合開口 2，哕％ jg ς ° i上…… 心層5適當地被裝設至該f 如果在介於該…與該載體“ =^好的連接，則最後還是有之後將要施加的封 之—邛份）通過該箔層5蛊 、 亥載體1之間的風險，因而發 该電子…牛側之該載體“ 適當㈣以後將變成困難或是；;能…電子以 第1 c圖揭示在經封萝 後之具有箱層5之載體/ 被設置成圍繞電子元卡 之載體“此封裝6係從一種液態 10 200401417 第m圖揭㈠所建構成，且該樹脂後來會硬化。最後地， 之載體：該羯層5從該載體移除後之具有該封裝6 移除才、顯然地，只有該封裝6被實質地硬化後，此— :可途的。又該箱層5被移除以使得經移除後的載 體之自由侧仍然清潔是非常重要的。 第2圖揭示根據本發明之方法的 質8係依照箭頭P1之方向從 ΰ ，白層材 從捲體7破展開。該箔層材 ''、、後進行一被概略地揭示之處理9(例如電暈處理、電 地里以及/或疋熱處理以及/或是化學處理），藉此至少 H之附著力被增強。電子元件1G然後被帶往與活 化後的層材質8相接觸。在經通過一封裝裝置11之後 ，在一處理12(可選配地）期間，該箔層材質8之附著力便 被再次降低。—封裝後的電子元# 13能藉此較容易地從 該去活化的箔層材質8釋放出。該剩下之去活化的箔層材 質8被捲繞到一捲體14上。依據狀況條件，可以設想到 具有已被使用過的箔層材質之捲體14在本方法中可再次 被利用。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1A圖係揭示被設置有一電子元件且具有開口之載 體的概略側視圖； 第1B圖係揭示第1 a圖之載體的概略側視圖，但是現 在一附者層已被安裝在該遠離該電子元件之側邊上後，以 使得可藉此閉合在該載體内之開口 ； 11 200401417 第1C圖係揭示第〗a及1B圖之載體的概略倒视 但是現在封裝已被安裝成圍繞該電子元件； 圖 弟1D圖係揭示第ία、1B及1C圖之载體 但是現在該箱層已從該載體移除，並且 的概略側视 矛▲固你殉不在進仃很像本發明之方法的—種有寻 只％例中，來自一捲體的珀層材質所依循之概略路線圖 (二）元件代表符號 1 載體 2 開口 3 電子元件 4 連接線 5 箔層 6 封裝 8 箔層材質 9 處理 10 電子元件 11 封裝裝置 12 處理 13 電子元件 14 捲體
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Claims (1)

  1. 200401417 拾、申請專利範圍： /·:種用於封裝™被固定在-載體上之尤其是半導沪 電子元件的方法，其包括下列製程步驟： ~ (a)在一鑄模内置放至少一箔層， ，以(:置放該载體且以遠離該元件之側邊與該箱層柏接觸 〜封裝材質封裝該電子元件，其特徵在該簿層係進 I:體藉此該"層之附著力係被增強以使得該箔層附 帶往2接:=範圍/ 1項之方法’其特徵在該載雜被 編>自層則，_係進行一附著力增強的處理。 .如申請專利範圍第i《2項之方法 層被放晋太兮Θ >+· 4 A在。亥 自 掖放置在该鑄杈内之前，該箔 處理。 疋仃附者力增強的 4.如申請專利範圍第丄《2項之 著力增強的處理係包括謂之溫度增加。4徵在该附 著力二申的;專利軏圍第1或2項之方法，其特徵在該附 曰強的處理係包括該層之烘燒，例 或是電漿處理。 稭由電軍處理 6.如申請專利範圍第1或2 著力增強的處理完成後：法’其特徵在該附 所組成之該載體的一接觸表面。 ^貫貝由麵 7·如申請專利範圍f 1或2項之方 λ ^ H f ii Ρ ψ ^ JZ.- 卜 / /、特彳政在以封 請子7^後’該箱層進行-後續處理，藉此
    13 200401417 該箔層之附著力被降低以使 又付邊消層比在以封裝材 該電子兀件時較不附著至該裁體。 ' # 8. 如申請專利範圍第1 次2項之方法，其特徵在該 於降低附著力的處理係包括兮w 用 货匕枯6亥泊層之溫度降低。 9. 如申請專利範圍第】 …… 弟或2項之方法’其特徵在該箱 層係從一捲體被展開，並且捸基 卫立接耆移動通過該鑄模。 10如申請專利範圍第1或 忒2項之方法，其特徵在 層係被使用許多次。 冷
    .種應用於如前述任—項申請專利範圍之方法 層’其特徵在該落層係包括一具有被配置於其上之 層之載體層，且該附著層能被活化。 考 12.如申清專利範圍第11 iS ^ JS +4. 、 祀11項之消層，其特徵在該能被 活化之附著層係包括一熱塑性塑料。 、"·如申請專利範圍第"或㈣之箱層，其特徵在該 載體層係由紙所組成。
    u.如申請專利範圍帛12項之以，其特徵在該 載體層係由塑料所組成。 ' 15·如申請專利範圍帛u & 12項之荡㉟，其特徵在該 載體層係由一非鐵金屬所組成。 1 6·如申請專利範圍第11或12項之箔層，其特徵在該 載體層是可再使用的。 主 以 拾壹、圖式·· 如次頁 14
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