TWI309078B - Method for encapsulating an electronic component using a foil layer - Google Patents

Description

1309078 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 其是半導體之電子元件的方法，其係 —載體上之尤 —鑄模内置放至少-箱層，⑻置'放兮下列步驟.⑷在 之側邊與該络層相接觸，及（c) = =體且以遠離該元件 。本發明亦相關於進行如此種方 質封m子凡件 裡万忐時所應用之箔層。 尤其是半導體產品之電子元件 t #1 t - r # # ffl Λ ^ 封裝係—精確控制之 八中般係使用由所謂傳遞模塑所製成。用於(部份 =之-物體係在此被放置在一鑄模内。液 藉由使用-或多個活塞被逼入該禱模内，且 = 該鑄模内之一或多個鑄模空腔填被：成在 ψ U m ^ ^ 37教柯質填滿。在該封 封裝之產1Γ後/該轉模被打開且以封裝材質被（部份地） 、從該鑄模取出。為了防止該封裝材質附著至 辯模’在特定應用中係佶 糸使用置放在該鑄模内之額外箱層。 J 、材質係在此載入在介於該箔層與用於(部份)封裝之 產品間。該封裝材質因而保侍與該鑄模分開。 當—或多個由封裝材質所製成之外殼被安裝在-平坦 :時’該封裝材質可被單邊地逼入頂靠著該載體，而 '體之對面側保持不含該封裝材質。在許多產品中， ^ ^封裝材f之側保持不含該封裝材質係非常重要的， 置。然马須在之後作為用於導電連接該產品之接觸位 科罢2而，越來越多的產品正在被應用中，其中該載體被 吾又置有開口 / . /凹處，且如果沒有採取特別手段，則該封裝 1309078 材質可能經由該開口/凹處到達欲被保持清潔之該載體側 。尤其，用於防止此發生之解決手段是，施加該封裝材質 在該载體一側上且尚未打開之位置内，接著在該封裴材質 被施加後，自該載體（例如藉由蝕刻）移除一材質層。很顯 然地，此將包括會有增加成本之後果的額外處理。實際上 的另一解決手段是在尚未施加該封裝材質之前，將一保護 層附著頂靠一被設置有開口之載體。在該如此處理⑷裝） 之載體中之開Π係被閉合。該閉合的載體於是可以被（部^ 地）封裝。在經該被（部份地）封裝之载體已從該鑄模移除2 ’該保護層再-次從該載體被移除。在此產生一問題是使 該被（部份地）封裝之載體的接觸側再適當地清潔。此方法 亦具有大量增加成本之結果。 ' 本發明之目的係提供一種用於封裝一被固定在一載體 :之尤其是半導體的電子元件之方法及裝置，纟中載體的 接點侧係以經濟的方式保持不含封裝材質。 本發明為此目的係提供—種 禋用於封裝一被固定在一裁 體上之尤其是半導體的電子 丁凡仟之方法，其包括列製 步驟：（a)在一鑄模内置放至少一 卜幻 v自層，（b)置放該载體且以 遠離該70件之側邊與該箔層相 ^ # . - . . 相闕’及⑷以封裝材質封裝 “電子凡件’其特徵在該箱層係進行一處 之附著力得以被增強而使得 藉μ治層 之传該治層可附著至 詞，，處理”在此係被理解戰體这名 . I較大或較小實質内容之-處 理或-製程。取而代替複 爽 «^ ^ ^ ^ 取髖預處理，一箔層現在只 疋被置放在6亥鑄槟内。此是_ 種單純的操作，其中已獲得 1309078 許多實際經驗。本發明之特點現在是該箔層之特性被影響 以使得該箔層以一較大或較小程度附著至該載體之遠^必 定被該封裝材質施加賴之侧邊。取而代替為了防止該^ 體被封裝材質滲透之複雜的載體預處理或後處理，根據本 發明係只是使用現有置放一箱層在一鑄模内的技術：該箱 層最佳地在該載體尚未接觸該落層之前進行附著力增強處 理。在此該字"處理，，也被理解為意謂該載體所進行之較大 或較小實質内容之-處理或—製程。當㈣層以及該載體 被導引來相互接觸時，正確的力道能因而立即被施加以實 現所需的連接。在此之製程步驟之數目係保持有限的。為 了良好接取至該載體，在該載體尚未引人該鑄模内之前， 已經增強該箱層之附著力可能是所需要的。在另一方面， 當特定情況需要時’亦有可能置放該猪層及該載體在相互 接觸下’並且只有當時增加該落層之附著力。吾人應更進 而注意到在安裝該_層之期間’將介於該載體與該猪層之 空間抽真空可以是有利的’如此可防止包含氣體。 該附著力增強的處理能例如包括該箱層之溫度增加， 其可選擇地結合該箔層之烘燒 漿或是具有類似效果之處理。 係受到電暈處理影響，但是泪,j 影響該箔層之附著力亦是可能 ，其中在經過一附著力增強處 附著至實質地至少包含有銅之載體 此所提之例子外，該箔層之其他處 ’且其例如是藉由電暈、電 傳統上’該箱層之表面張力 試結果顯示出以電暈處理來 的°在測試期間已獲得結果 理被實現後，該箔層特別地 之一接觸表面。除了在 理亦當然可設想到，比 1309078 如像是曝光或是化學處理。 在該方法之一較佳；ft田士 _ _ 佳應用中，該箔層在經以封裝材質封 裝該電子元件之後進行一後續虎 ' 傻續處理’藉此該箔層之荖 係被減少以使得它比在以鉍担#併a 任以封裝材質封裝該電子元件之 較不附著至載體。如此用於站, + 此用於減少附著力之處理例如可以包 括該箱層之溫度降低。在利用如此的後續處理下，該箱層 能更快地自該載體釋放出，並且㈣層殘餘物較 遺留在該載體上。 為了簡單供應該箔層，纺炫a a 冷增該治層能自一捲體展開並且接 著被移動穿過該鑄模。此種方法能部份取代習知技術以處 ^該層。在根據本發明之方法的另一有利的應用中，該 箱層能被使用許多次；已被使用一 4 Μ 汉1文用-人之泊層並不需要吾棄 ，而可再被使用。此尤其具有優點為使用該箱層之成本能 被減少以及該方法具有較少的環境影響。 吾人建議只有在施加封裳之短暫時間前放置該羯層。 如此減少該羯層材質被先前處理步驟損壞之風險。其中之 一例子是該電子元件之藉由連接線（線接合）的連接，且該 接《係發生在相當高的溫度下（一般為24〇_26〇。〇）。根據本 發明之方法的另一優點是有可能因而處理例如陶瓷及金屬 之組合的組裝載體，其中損壞此種載體("裂開”)之機會亦 被降低。 本發明亦提供一應用以上所述方法之箔層，其特徵在 石層係包括具有已被女裝於其上之一附著層之載體層 ，且該附著層能夠被活化。該能夠被活化之附著層例如可 1309078 以包括一熱塑性塑料，而該載體層能由紙所組成。相反地 ’該載體層亦可以由塑料所組成。尚有另—選擇是該載體 層由一非鐵金屬所組成。此當然包括合金，例如含鋁合金 。如上所述之優點可以用此一猪層予以實現。該箱層能相 當便宜地製作，並且當該箔層係可再使用時，其成本可更 進而降低。在實際上，《一聚丙烯/聚乙烯之附著層已獲 得有利的結果，且該附著層能被活化並具有一大約u〇t 之溶點範圍。當然，吾人需要選擇能被活化且對許多物質 惰性之附著層。 本發明將併合參考被揭示在圖式中之非限制性實施例 而予以更進而揭露。 【實施方式】 第1A圖揭示有一載體！，其中出現有貫穿開口 2。一 電子元件3係被放置在該載冑！之上，且該元件藉由連接 線4連接至該載體i之特定部份。第1B圖揭露一箱層$ 係被安裝成頂靠該載體1，以使得該開口 2藉此被閉人。 為了良好的閉合開口 2,該箱層5適當地被裝設至二：體 1上是非常重要的。如果在介於該箱& 5與該載體i之間 沒有良好的連接，則最後還是有之後將要施加的封裝材^ 之-部份)通過該落層5與該載體i之間的風險，因而遠貝離 該電子70件侧之該載體1側邊被污染，並且該電子元件 適當處理在以後將變成困難或是不可能。 之 第1C圖揭示在經封裝6已被設置成圍繞電子元件 後之具有ϋ層5之載體i。此封纟6係從一種液態封裝材 10 1309078 Γ:如二脂^ 之裁體該載體移除後之具有該封裝6 移除才…有該封裝6被實質地硬化後，此-秒陈才疋可能的。又該箔 體丨 被移除以使得經移除後的載 體自由侧仍然清潔是非常重要的。 第2 _示根據本發明之方 質8係依，昭箭 微略頁不圖。泊層材

質8… 從一捲體7被展開。該落層材 '、、、後進行一被概略地揭示之處理9(例如電暈處理、電 =處理以及/或是熱處理以及/或是化學處理)，藉此至少 在著力被增強。電子元件1G錢被帶往與活 化後的層材f 8相接觸。在經通過—封裝裝置u之後 ’在-處王里12(可選配地）期間，該箱層材f 8之附著力便 被再次降低。—封裝後的電子元# 13能藉此較容易地從 料心㈣層材f 8 #放出β該剩下之去活化的箱層材 質8被捲繞到一捲體14上。依據狀況條件，可以設想到

具有已被使用過的箔層材質之捲體14在本方法中可再次 被利用。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1Α圖係揭示被設置有一電子元件且具有開口之載 體的概略側視圖； 第1Β圖係揭示第1Α圖之載體的概略側視圖，但是現 在一附著層已被安裝在該遠離該電子元件之側邊上後，以 使得可藉此閉合在該載體内之開口； 11 1309078 第1C圖係揭示第1A及1B圖之載體的概略側視圖， 但是現在封裝已被安裝成圍繞該電子元件； 第1D圖係揭示第ΙΑ、1B及1C圖之載體的概略側視 圖，但是現在該猪層已從該載體移除，並且 第2圖係揭示在進行根據本發明之方法的一種有利的 實施例中，來自一捲體的箔層材質所依循之概略路線圖。 (二）元件代表符號 1 載體 2 開口 3 電子元件 4 連接線 5 箔層 6 封裝 8 箔層材質 9 處理 10 電子元件 11 封裝裝置 12 處理 13 電子元件 14 捲體 12

Claims (1)

1309078 拾、申請專利範圍 1·-種用於封裝_被固定在—載體上之尤其是半導體 之電子元件的方法，其包括下列製程步驟： (a)在一鑄模内置放至少一箔層， ()。载體且以遠離該元件之側邊與該箔層相接觸 ’以及 (c)以封裝材質封裝該電子元件， 〃中"I層的附著力係結合該電子元件的封裝而被增 強，其中在根據製程步驟⑷將該镇層放置在該禱模内之前 ，該落層的附著力係利用一個別的附著力增強的處理而被 增強。 2. 如申請專利範圍…之方法，其中在該载體被帶 <接觸該箱層前，該镇層係進行一附著力增強的處理。 3. 如申請專利範圍第！項之方法 哨之万去，其中該附著力增強 的處理係包括該箱層之溫度增加。 其中該附著力增強 其中在該附著力增 4. 如申請專利範圍第1項之方法 的處理係包括電暈處理或是電漿處理t 5 ’如申清專利範圍第1項之方法 . — -a irj /v >ι 強的處理完成後，該箔層尤其附著到 ^ ^ 4主夕貫質由鋼所組成 之該載體的一接觸表面。 6.如申請專利範圍第1項之方法，甘Λ各 成其中在以封裝材質 封裳該電子元件後，該箔層進行一後蜻考 、 後續處理，藉此該箔層 之附著力被降低以使得該箱層比在以封裝材質封裝該電子 元件時較不附著至該載體。 ~ / 13 1309078 7.如申請專利範圍第6項之方法，其中該用於降低附 著力的處理係包括該箔層之溫度降低。 8 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該箔層係從一 捲體被展開，並且接著移動通過該鑄模。 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中該箔層係被使 用許多次。 ίο.一種應用於如申請專利範圍第1項之方法的箔層， 其中該層係包括-具有被配置於其上之—附著層之載體 層’且該附著層能被活化。 11.如申請專利範圍帛10項之箔層，其中該能被活化 之附著層係包括一熱塑性塑料。 12·如申請專利範圍第1〇項之箔層，其中該載體層係 由紙所組成。 13.如申請專利範圍帛1G項之箱層，其中該栽體層係 由塑料所組成。 14·如申請專利範圍第1〇項之猪層，其中該栽體層係 由—非鐵金屬所組成。 15.如申請專利範圍帛1()項之箔層，其中該箱層是可 再使用的。 曰 拾壹、囷式： 如次頁 14