TW200303533A - Method for recording information on optical recording medium, information recorder, and optical recording medium - Google Patents

Description

200303533 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於對光記錄媒體進行資訊記錄之方法，尤 其是關於對具有複數資訊記錄層之可覆寫式光記錄媒體進 行資訊記錄之方法。並且，本發明是關於用以將資訊記錄 於光記錄媒體之資訊的資訊記錄裝置，尤其是關於用以將 資訊記錄於具有複數資訊記錄層之可覆寫式光記錄媒體的 資訊記錄裝置。再者，本發明是關於光記錄媒體，尤其是 關於具有複數資訊記錄層之可覆寫式光記錄媒體。 【先前技術】 就用以記錄數位資料之記錄媒體而言，以往CD或 DVD等代表性的光記錄媒體廣爲大消費者使用。近年， 對此種光記錄媒體之記錄容量擴增的需求性逐漸升高，爲 達成此目的而具有各種提案。就該提案之一個例子來說， 具有令光記錄媒體所含的資訊記錄層形成2層構造的提 案，且目前正應用於再生專用光記錄媒體之DVD— Video 或DVD - ROM。在此種再生專用光記錄媒體中，形成於 基板表面的訊洞是資訊記錄層，且此種基板具有介著中間 層而積層的構造。 又，近年，關於使用者進行資料覆寫的光記錄媒體 (可覆寫式光記錄媒體），已提案有資訊記錄層爲2層構 造式的光記錄媒體（參考日本特開2001 -2 73 63 8號公報） 在資訊記錄層爲2層構造之可覆寫式光記錄媒體中，記錄 (2) (2)200303533 膜和夾著記錄膜而形成之介電體膜（保護膜）即爲資訊記 錄層’且該資訊記錄層具有介著中間層而積層之構造。 就可覆寫式光記錄媒體的記錄膜而言，一般可使用相 變化材料’利用結晶狀態時和非結晶狀態時之反射率差來 進行資料的記錄。亦即’在未記錄狀態下記錄膜實質上會 整面形成結晶狀態，而在記錄資料的狀態下記錄膜的預定 部分會形成非結晶狀態，且會形成記錄標記（mark )。爲 使結晶狀態的相變化材料變成非結晶狀態，則可在加熱至 溶點以上的溫度後，加以快速冷卻。反之，爲使非結晶狀 態的相變化材料變成結晶狀態，則可在加熱至熔點以上的 溫度後，加以緩緩冷卻。 此種加熱及冷卻，可藉由調整雷射光的能量（輸出） 來進行。也就是說，藉由調變雷射光的強度。不僅得以將 資料記錄於未記錄狀態下的記錄膜，亦可將不同的資料直 接覆寫（direct overwrite)在已記錄有資料的部分。一般 而言，爲將記錄膜加熱至熔點以上的溫度，雷射光的能量 即爲以具有由記錄能量（Pw )至基底能量（Pt))之振幅 的脈衝波形來設定的能量，爲了急速冷卻記錄膜，雷射光 的能量設定爲基底能量（Pb )。此外，爲將記錄膜加熱至 大於結晶化溫度的溫度後，使其緩緩冷卻，雷射光的能量 設定爲刪除能量（PO 。此時，刪除能量（Pe )是設定爲 記錄膜之溫度大於結晶化之溫度但未達熔點的溫度之位階 (level )，藉以進行所謂的固相刪除。 於此，在資訊記錄層爲2層構造之可覆寫式光記錄媒 -7- (3) (3)200303533 體中，是藉由將雷射光聚焦於任一資訊記錄層來進行資料 的記錄/再生，所以對從光入射面對較遠側的資訊記錄層 (以下，稱爲「L1層」）進行資料的記錄/再生時，會 經由離光入射面較近側的資訊記錄層（以下，稱爲「L0 層」）來照射雷射光。故L0層必須具有充足的光透過 率，所以無論L0層上是否設有反射膜，一般該膜厚須設 得很薄。 因此，在資訊記錄層爲2層構造之可覆寫式光記錄媒 體中，無論L0層是否設有反射膜，皆應將該L0層的膜 厚設得很薄，故與具有膜厚很厚之反射膜L1層相比較， 散熱性較低，因而產生容易引起再結晶化現象之問題。也 就是說，一般使用金屬來作爲反射膜的材料，所以L1層 中雷射光的照射所生的熱會透過熱傳導性高的反射膜快速 地散熱，而另一方面可認爲是，由於L0層不具有此種熱 傳導性高的層，且爲非常薄的層，所以雷射光的照射所生 的熱無法快速地散熱，因此L0層中會有記錄層標記（非 結晶狀態）的形狀變形，而無法獲致良好的再生信號之問 題發生。 尤其，近年，將使用於記錄/再生之雷射光的波長 (λ )和用以聚集雷射光之物鏡開口數（NA )的比値 (λ / ΝΑ)設爲700nm以下，例如藉由令ΝΑ增至0.7以 上，尤其增至0.85左右，同時，將此雷射光的波長λ縮 短至200至450nm左右以縮小雷射光的聚焦光點直徑， 藉以嘗試記錄大容量的數位資料。如此藉由利用高NA的 (4) (4)200303533 物鏡聚集短波長的雷射光，以進行資料的記錄/再生之系 統中，由於所聚集之單位面積雷射光的能源非常高，故上 述L0層上熱干擾的影響會變顯著，而易發生再結晶化現 象。再者，在鄰接軌道之記錄標記的影響下，會產生串音 (crosstalk)和噪音（cr〇ss noise)之問題。 【發明內容】 因此，本發明之目的在於提供一種對於具有複數資訊 記錄層之可覆寫式光記錄媒體之資訊記錄方法，且得以形 成良好形狀的記錄標記之資訊記錄方法。 並且，本發明之其他目的在於提供一種用以於具有複 數資訊記錄層之可覆寫式光記錄媒體上記錄資訊之資訊記 錄裝置，且得以形成良好形狀的記錄標記之資訊記錄裝 置。 並且，本發明之另一目的在於提供一種具有複數資訊 記錄層之可覆寫式光記錄媒體，且得以形成良好形狀之記 錄標記的光記錄媒體。 本發明之目的是藉由對於具有至少積層第〗及第2資 訊記錄層的光記錄媒體，藉由從光入射面照射脈衝狀雷射 光’且該雷射光調變爲至少包含有記錄能量之複數能量， 以形成由彼此長度不同之複數種記錄標記所構成的群組中 選出的複數記錄標記之資訊記錄方法而達成者，其特徵 爲··將形成於上述第1資訊記錄層時進行照射之上述雷射 光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量設定爲低於多重 -9 - (5) (5)200303533 脈衝之記錄能量的位階，以進行資訊的記錄。 本發明之較佳實施方式中，上述第1資訊記錄層較上 述第2資訊記錄層，位於偏靠上述光入射面側處。 本發明之更理想的實施方式中，將形成於上述第2資 訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最先脈衝及/或最後 脈衝的記錄能量，設定爲與多重脈衝之記錄能量大致相 同，以進行資訊的記錄。 本發明之更理想的實施方式中，當上述雷射光的波長 設爲λ，且用以聚集雷射光之物鏡的開口數設爲NA時， 滿足λ / NAS 70 0nm的條件。 本發明之更理想的實施方式中，上述雷射光的波長λ 爲 200 至 450nm。 本發明之上述目的是藉由對於具有至少積層第1和第 2資訊記錄層的光記錄媒體，藉由從光入射面照射脈衝狀 雷射光，且該脈衝狀雷射光調變爲至少包含有記錄能量之 複數能量，以形成由彼此長度不同之複數種記錄標記所構 成的群組中選出的複數記錄標記之資訊記錄裝置而達成 者’其特徵爲··將形成於上述第1資訊記錄層時進行照射 之上述雷射光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量，設 定爲低於多重脈衝之記錄能量的位階。 本發明之較佳實施方式中，上述第1資訊記錄層較上 述第2資訊記錄層，位於偏靠上述光入射面側處。 本發明之更理想的實施方式中，將形成於上述第2資 訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最先脈衝及/或最後 -10- (6) (6)200303533 脈衝的記錄能量，設定爲與多重脈衝之記錄能量大致相 同，以進行資訊的記錄。 本發明之更理想的實施方式中，當上述雷射光的波長 設爲λ，且用以聚集雷射光之物鏡的開口數設爲NA時， 滿足λ / NAS 700nm的條件。 本發明之更理想的實施方式中，上述雷射光的波長λ 爲 200 至 450nm。 本發明之上述目的是藉由具有至少積層第1和第2資 訊記錄層的光記錄媒體，藉由從光入射面照射脈衝狀雷射 光，且該雷射光調變爲至少包含有記錄能量之複數能量， 以形成由彼此長度不同之複數種記錄標記所構成的群組中 選出的複數記錄標記之光記錄媒體而達成者，其特徵爲： 具有所須的設定資訊，俾將形成於上述第1資訊記錄層時 照射之上述雷射光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄能 量，設定爲低於多重脈衝之記錄能量的位階。 本發明之較佳實施方式中，上述第1資訊記錄層較上 述第2資訊記錄層，位於偏靠上述光入射面側處。 本發明之更理想的實施方式中，將形成於上述第2資 訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最先脈衝及/或最後 脈衝的記錄能量’設定爲與多重脈衝之記錄能量大致相 同，以進行資訊的記錄。 本發明之更理想的實施方式中’具有作爲上述雷射光 的光路之光透過層’且上述光透過層的厚度爲3〇至200 β m 〇 -11 - (7) (7)200303533 根據本發明，對任一資訊記錄層直接覆寫資料時，皆 可形成良好形狀的記錄標記。 【實施方式】 · 以下，茲參佐附加圖面詳細說明本發明之較佳實施方 ， 式。 第1圖是槪略地顯示本發明之較佳實施方式的光記錄 媒體1 〇之構造剖視圖。 φ 如第1圖所示，本發明實施方式之光記錄媒體10具 有基體1 1、中間層12、光透過層1 3、設於中間層12和 光透過層13之間的L0層20、設於基體1 1和中間層12 之間的L 1層3 0。L 0層2 0構成位於光入射面1 3 a較近側 的資訊記錄層，其由第1介電體膜2 1、L0記錄膜22和第 2介電體膜23所構成。此外，L 1層3 0構成位於光入射面 1 3 a較遠側的資訊記錄層，其由第3介電體膜3 1、L1記 錄膜3 2、第4介電體膜3 3和反射膜3 4所構成。因此， ® 本實施方式之光記錄媒體10具有2層資訊記錄層（L0層 2 0 和 L 1 層 3 0 )。 基體11爲厚度約1.1mm的圓盤狀基板，具有確保光 . 記錄媒體1 0的機械強度之功用，且於其表面設有凹軌 (groove) 11a及凸軌（land) lib。對L1層30進行資料 的記錄/再生時，這些凹軌11a和/或凸軌11b具有作爲 雷射光的導軌（guide track)之功用。凹軌11a的深度雖 無特別限制，然而宜設爲10至40nm，凹軌Ua的間距宜 -12- (8) (8)200303533 設爲0.2至0.4//m。基體11的材料可使用各種材料，例 如玻璃、陶瓷或樹脂。而這些當中，就成形容易度的觀點 視之，以樹脂爲宜。此種樹脂具有例如聚碳酸酯樹脂、烯 烴（olefin )樹脂、丙烯基樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯 (poly styrene )樹脂、聚乙烯（p〇lyethylene )樹脂、聚 丙烯樹脂、矽樹脂、氟系樹脂、AB S樹脂、和胺基甲酸酯 (urethane )樹脂等。其中，就加工性來說，聚碳酸酯樹 脂或烯烴樹脂最爲合適。然而，因爲基體1 1並非雷射光 的光路，故不須具有高的光透過性。 中間層12具有令L0層20與L1層30保持充分距離 的功用，且於其表面設有凹軌（groove ) 12a及凸軌 (land) 12b。對L0層20進行資料的記錄/再生時，這 些凹軌12a和/或凸軌i2b具有作爲雷射光的導軌 (guide track )之功用。凹軌12a的深度、間距宜設定爲 相同於設於基體1 1之凹軌1 1 a的深度、間距。再者，中 間層1 2的材料並無特別限制，但以使用紫外線硬化性丙 烯基樹脂爲宜。對L1層30進行資料的記錄/再生時，中 間層1 2會爲雷射光的光路，故必須具有充分高的光透過 性。 光透過層1 3是雷射光的光路，同時，亦構成光入射 面13a，其厚度宜設定爲約30至200#m。光透過層13 的材料並無特別限制’然而與中間層1 2 一樣，以使用紫 外線硬化性丙燦基樹脂爲宜。如上所述，由於光透過層 1 3爲雷射光的光路，故必須具有充分高的光透過性。 -13- 200303533 Ο) L0記錄膜22和L 1記錄膜3 2是由相變化材料所構成 者，利用其在結晶狀態時之反射率與非結晶狀態時之反射 率不同的特性’來進行資料的記錄。就L〇記錄膜22及 L 1記錄膜3 2的具體材料而言，並無特別限定，然而以使 用SbTe系材料爲宜。SbTe系材料亦可僅爲sbTe，就添 加物來說’可使用加入In、Te、Ge、Ag等的InSbTeGe、

AglnSbTe、 AgSbTeGe、 AglnSbTeGe 等。 於此，對LI層30進行資料的記錄/再生時，l〇記 錄膜22乃爲雷射光的光路，故必須具有充分的光透過 性，故L 0記錄膜2 2的膜厚係以充分薄於l1記錄膜3 2 的膜厚之方式設計。具體而言，L1記錄膜32之膜厚宜設 定爲約3至20nm，L0記錄膜22的膜厚宜設定爲L1記錄 膜3 2之膜厚的0.3至0.8倍。 以夾住L0記錄膜22而設置的第1介電體膜21及第 2介電體膜23，對於L0記錄膜22乃具有保護膜的功能·， 且以夾住L1記錄膜3 2而設置的第3介電體膜3 1及第4 介電體膜3 3，對於L 1記錄膜3 2乃具有保護膜的功能。 第1介電體膜21的厚度宜設定2至200nm，第2介電體 膜23的厚度宜設定爲2至200nm爲宜，第3介電體膜31 的厚度宜設爲2至200nm，和第4介電體膜33的厚度宜 設定爲2至200nm。 再者，第1介電體膜21至第4介電體膜33亦可爲1 層之介電體膜所構成的單層構造，亦可爲由2層以上之介 電體膜所構成的積層構造。第1介電體膜21至第4介電 -14 - (10) (10)200303533 體膜33的材料並無特別限制，然而以使用Si02、Si3 04、 AI2O3、AIN、Tao、ZnS、Ce 〇2 等、Si、Al、Ta、Zn 的氧 化物、氮化物、硫化物、碳化物或這些的混合物爲宜。 反射膜34具有反射從光入射面13a入射雷射光，再 將雷射光從光入射面1 3 a射出的功用，其厚度宜設定爲 20至200nm。反射膜34的材料並無特別限制，然而以使 用主成分爲Ag或A1的合金爲宜，亦可使用Au或Pt 等。又，爲了防止反射膜34的腐蝕，亦可在反射膜34與 基體1 1之間設置防濕膜。該防濕膜可使用與第1介電體 膜21至第4介電體膜33相同的材料。此外，L0層20雖 不具有反射膜，然而亦可將3至15nm左右之薄反射膜設 置於L0反射層20。在此情況下，該反射膜的材料可使用 與反射膜3 4相同的材料。 將記錄於具有此種構造之光記錄媒體i 〇的資料再生 時’從光入射面13a照射具有200至450nm波長的雷射 光’以檢測其反射光量。如上所述，L 0記錄膜2 2及L1 記錄膜3 2皆由相變化材料所構成者，由於其在結晶狀態 時之光反射率與非結晶狀態時之光反射率不同，故從光入 射面13 a照射雷射光，使其聚焦於l〇記錄膜22和L1記 錄膜32其中之一，而藉由檢測其反射光量，便可判別雷 射光所照射的部分之L0記錄膜22及L1記錄膜3 2是結 晶狀態或非結晶狀態。 對光記錄媒體1 〇進行資料的記錄時，亦從光入射面 13a照射具有約200至45〇nm波長的雷射光，使其聚焦於 (11) (11)200303533 L〇記錄膜22或L1記錄膜32，根據記錄的資料，將L〇 記錄膜2 2及L 1記錄膜3 2的預定部分加熱至大於結晶化 溫度後’若加以快速冷卻，則該部分會形成非結晶狀態； 而將L 0記錄膜2 2及L1記錄膜3 2的預定部分加熱至大 於結晶化溫度後，若加以緩緩冷卻，則該部分會形成結晶 狀態。非結晶狀態的部分稱爲「記錄標記（mark )」，記 錄資料形成由記錄標記之起點至終點的長度，和由終點至 下一個記錄標記之起點的長度。雖然各個記錄標記之長度 和記錄標記間之長度（邊緣（edge )間），並無特別的限 制’然而在採用（1，7 ) RLL之調變方式時，則設定爲與 2 T至8T(T是時脈週期）對應之長度的任一長度。此 外，對L0記錄膜22進行資料記錄時的脈衝列圖案及對 L 1記錄膜32進行資料記錄時的脈衝列圖案，則於後詳述 之。 對L 1層3 0進行資料的記錄/再生時，雷射光是經由 L0層20而照射在L1層32。因此L0層20必須具有充分 的光透過性，而如上所述，與L1記錄膜3 2的模厚相比 較，L0記錄膜22的膜厚係以充分薄於L1記錄膜3 2的膜 厚之方式設S十。 繼之，說明本實施方式之光記錄媒體10的製造方 法。 第2圖至第5圖是顯示光記錄媒體10之製造方法的 步驟圖。 首先，如第2圖所示，使用印模（stamper ) 40，射 (12) (12)200303533 出成形具有凹軌na和凸軌11b之基體11。其次，如第3 圖所示，在形成有凹軌11a和凸軌lib之基體11的大致 整面，利用濺鍍法，依序形成反射膜3 4、第4介電體膜 3 3、L1記錄膜3 2和第3介電體膜3 1。藉此方式，完成 L 1層3 0。並且，施行濺鍍後之L1記錄膜3 2的狀態通常 爲非結晶狀態。 接著，如第4圖所示，在L1層30上旋轉塗敷（spin coat )紫外線硬化性樹脂，並在其表面被覆印模4 1之狀 態下，透過印模4 1來照射紫外線，藉此方式，形成具有 凹軌12a和凸軌12b之中間層12。然後，如第5圖所 示，在形成有凹軌12a和凸軌12b之中間層12的大致整 面，利用濺鍍法，依序形成第2介電體膜23、L0記錄膜 22和第1介電體膜21。藉此方式，完成L0層20。並 且，施行濺鍍後之L0記錄膜22的狀態通常爲非結晶狀 肯旨 〇 如第1圖所示，藉由在L0層20上旋轉塗敷（spin c 〇 at )紫外線硬化性樹脂，並照射紫外線，以形成光透過 層1 3。藉此方式，完成全部的成膜步驟。本說明書中， 將完成成膜步驟狀態下之光記錄媒體稱爲「光記錄媒體前 驅體」。 繼之，將光記錄媒體前驅體載置於雷射照射裝置的旋 轉台（未圖示）上，並使該旋轉台旋轉，同時，連續照射 沿著軌道方向之長度較短且垂直於軌道方向之長度較長的 矩形雷射光，而每當光記錄媒體前驅體旋轉1圈時，便會 -17- (13) (13)200303533 在垂直於軌道的方向挪移照射位置，藉此方式，可將矩形 的雷射光照射於L0記錄膜22和L1記錄膜3 2的大致整 面。因此，因爲將構成L0記錄膜22及L1記錄膜32的 相變化材料加熱至大於結晶化溫度的溫度後，再加以緩緩 · 冷卻，故L0記錄膜22和L1記錄膜32實質上會整面形 成結晶狀態，也就是未記錄狀態。此步驟一般稱爲「初期 化步驟」。 完成該初期化步驟完成即完成了光記錄媒體10。 鲁 對如此製造之光記錄媒體1 〇而言，如上所述，藉由 將雷射光聚焦於L0記錄膜22和L1記錄膜3 2的其中之 一者，以形成記錄標記，即可記錄所期望的數位資料。 又，將資料記錄於光記錄媒體10的L0記錄膜22和L1 記錄膜3 2後，如上所述，藉由將雷射光聚焦於L〇記錄膜 22和L1記錄膜3 2的其中之一者，以檢測反射光量，俾 得以再生所記錄的數位資料。 並且，對L0記錄膜22進行資料記錄時的脈衝列圖案 ® 及對L 1記錄膜3 2進行資料記錄時的脈衝列圖案，則於後 詳述之。 如上所述，由於在L1層30上設有熱傳導性高的反射 膜34，故散熱性高，同時，無論L0層20上是否設有反 射膜，皆應將其膜厚設得很薄，故散熱性低，且因熱干擾 ~ 而容易發生再結晶化。因此，本發明中對L0記錄膜22進 行記錄時，採用與對L1記錄膜32進行資料記錄時不同的 脈衝列圖案，藉以緩和冷卻效果低之L0記錄膜22上的熱 18- (14) (14)200303533 干擾。 以下，具體說明採用（1，7 ) RLL之調變方式時的脈 衝列圖案。以下詳述之，本實施方式中，對L1記錄膜32 進行資料記錄時，將雷射光的記錄能量Pw設定爲Pw 1 (以下，稱爲「1値記錄」），並且對L0記錄膜22進行 資料記錄時，將雷射光的記錄能量Pw設定爲PwO或 PwO’之任一者（以下，稱爲「2値記錄」）。 第6圖是顯示對L 1記錄膜3 2進行資料記錄時之脈衝 列圖案的波形圖，（a )是顯示形成2T信號的情形， (b )是顯示形成3 T信號的情形，（c )是顯示形成4T信 號的情形，（d )是顯示形成5T至 8T信號的情形。 如第6圖（a)至（d)所示，本實施方式中，對L1 記錄膜3 2進行資料記錄時，雷射光的強度調變爲由記錄 能量（Pwl)、刪除能量（Pel)和基底能量（Pbl)所構 成的3個強度。記錄能量（Pw 1 )之強度的設定爲，藉由 照射而使L1記錄膜32融化之高位階，刪除能量（Pel ) 之強度的設定爲，藉由照射而使L 1記錄膜32達到結晶化 溫度以上的溫度之位階，基底能量（Pb 1 )之強度的設定 爲，即使受到照射，融化中的L 1記錄膜3 2亦會冷卻之低 位階。 記錄能量（Pwl )、刪除能量（Pel )和基底能量 (Pbl)的各能量亦可依據光記錄媒體的構造或資訊記錄 裝置的光學系以適當決定，例如：若記錄能量（Pw 1 )設 定爲 7.〇mW至lO.OmW左右，刪除能量（Pel )設定爲 (15) (15)200303533 4.0mW至 7.0mW左右，基底能量（Pbl )設定爲O.lmW 至0.5mW左右亦可。並且，記錄能量（Pwl )、刪除能量 (Pel)和基底能量（Pbl )的値即爲照射雷射光時盤面的 値。 在L1記錄膜32形成記錄標記時（L1記錄膜32爲非 結晶狀態時），藉由將雷射光形成具有由記錄能量 (Pwl)或記錄能量（Pwl )至基底能量（Pbl )之振幅的 脈衝波形，以將L 1記錄膜3 2加熱至熔點以上，其後，藉 由將雷射光設定爲基底能量（Pb 1 )，以急速冷卻L 1記錄 膜32。另一方面，藉由刪除記錄標記時（L1記錄膜32爲 結晶狀態時），將雷射光固定於刪除能量（Pe 1 )，以將 L 1記錄膜3 2加熱至結晶化溫度以上的溫度，接著加以緩 緩冷卻。藉此方式，可固相刪除形成於L 1記錄膜3 2上的 記錄標記。以下，關於具體的脈衝列圖案，於各個記錄標 記中詳述之。 首先，如第6圖（a )所示，對L1記錄膜3 2形成2T 信號時，雷射光的脈衝數設定爲「1」，接著，插入冷卻 期間Tel。對L1記錄膜32進行記錄時，雷射光的脈衝數 意指，雷射光的強度由提昇至記錄能量（Pw 1 )的次數來 定義。此外，本說明書中，將全部雷射光的脈衝定義爲： 前頭脈衝爲最先脈衝，最終脈衝爲最後脈衝，最先脈衝和 最後脈衝之間存在的脈衝爲多重脈衝。然而，如地圖 (a )所示，脈衝數爲「1」時，該脈衝爲最先脈衝。 又，在冷卻期間Tel，雷射光的強度設定爲基底能量 (16) (16)200303533 (Pb 1 )。如此，本說明書中，對L1記錄膜3 2進行記錄 時，將雷射光強度設定於基底能量（Pb 1 )之最後期間定 義爲冷卻期間。因此，形成2T信號時’雷射光的強度在 時序til以前設定爲刪除能量（Pel);在時序til至時 序112的期間（Ttop )設定爲記錄能量（Pwl );在時序 tl2至時序tl3的期間（Tel )設定刪除能量（Pel );在 時序11以後設定爲刪除能量（Pe 1 )。 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop並無特別限制，然 而以設定爲0.3T至0.5T爲宜，較理想的是設定爲0.4 T。又，冷卻期間Tel並無特別限制，然而以設定爲〇.6T 至1.0T爲宜，較理想的是設定爲0.8 T。 如第6圖（b )所示，對L1記錄膜3 2形成3 T信號 時，雷射光的脈衝數設定爲「2」，接著，插入冷卻期間 Tel。因此，形成3T信號時，雷射光的強度在時序t2i以 前，設定爲刪除能量（Pel);在時序t21至時序t22的 期間（Ttop)及時序t23至時序t24的期間（Tip)，設定 記錄能量（Pwl );在時序t22至時序t23期間（Toff) 及時序t24至時序t25期間（Tel)，設定爲基底能量 (Pbl);在時序t25以後，設定爲刪除能量（Pel)。 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop並無特別限制，然 而以設定爲0.3T至0.5T爲宜，較理想的是設定爲〇.4 T。又’最先脈衝的脈衝寬度Tip並無特別限制，然而以 設定爲〇.4T至0.6T爲宜，較理想的是設定爲〇5 τ。再 者，截斷期間Toff並無特別限制，而以設定爲Τηχί (17) (17)200303533 爲且。在此，Tnxt思指，截斷期間Toff之前存在之脈衝 的脈衝寬度，在第6圖（b)中相當於最先脈衝的脈衝寬 度Tip。因此，Ttop若爲〇.4τ，則截斷期間Toff會變成 0.6 T。而且’冷卻期間T c 1並無特別限制，然而以設定爲 〇.6T至1.0T爲宜，較理想的是設定爲〇.8 T。 再者’如第6圖（c )所示，對l 1記錄膜3 2形成4T 信號時，雷射光的脈衝數設定爲「3」，接著，插入冷卻 期間Tel。因此，形成4T信號時，雷射光的強度在時序 t31以則’設疋爲刪除能量（Pel);在時序t31至時序 t32的期間（Ttop )、時序t33至時序t34的期間（Tmp ) 及時序t35至時序t36的期間（Tip )，設定記錄能量 (Pwl);在時序t32至時序t33期間（Toff)、時序t34 至時序t25的期間（Toff)及時序t36至時序t37的期間 (Tel )，設定爲基底能量（pbl );在時序t37以後，設 定爲刪除能量（Pel )。 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop及多重脈衝的脈衝 寬度Tmp並無特別限制，然而以設定爲〇.3T至〇.5τ爲 宜’較理想的是設定爲0.4 T。又，最先脈衝的脈衝寬度 Tip並無特別限制，然而以設定爲〇.4T至0.6T爲宜，較 理想的是設定爲0.5 T。再者，截斷期間Toff並無特別限 制’而以設定爲1— Tnxt爲宜。在此，Tnxt意指，於截斷 期間Toff之前存在之脈衝的脈衝寬度，在第6圖（c)中 相當於最先脈衝的脈衝寬度Ttop及多重脈衝的脈衝寬度 Tmp。因此，Ttop若爲0 4τ，則截斷期間Toff會變成 (18) (18)200303533 〇.6T。並且，冷卻期間Tcl並無特別限制，然而以設定爲 0.6T至ΐ·0Τ爲宜，較理想的是設定爲〇.8 τ。 如第6圖（d)所示，對L1記錄膜32形成5Τ至8Τ 信號時，雷射光的脈衝數分別設定爲「4」至「7」，接 著，插入冷卻期間Tel。因此，形成5Τ至8Τ信號時，雷 射光的強度在時序t41以前，設定爲刪除能量（Pel ); 在時序t41至時序t42的期間（Ttop)、時序M3至時序 t44的期間（Tmp )、時序t45至時序t46的期間（Tmp ) 及時序t47至時序t48的期間（Tip )，設定爲記錄能量 (Pwl );在時序t42至時序t43期間（Toff)、時序t44 至時序t45的期間（Toff)、時序t46至時序t47的期間 (Toff)及時序t48至時序t49的期間（Tel)，設定爲基 底能量（Pbl );與在時序t49以後，設定爲刪除能量 (Pel ) 〇 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop及多重脈衝的脈衝 寬度Tmp並無特別限制，然而以設定爲〇.3T至〇·5Τ爲 宜，較理想的是設定爲0.4 T。又，最先脈衝的脈衝寬度 Tip並無特別限制，然而以設定爲0.4T至0.6T爲宜，較 理想的是設定爲〇·5 T。再者，截斷期間Toff並無特別限 制，而以設定爲1 — Tnxt爲宜。在此，Tnxt意指，於截斷 期間Toff之前存在之脈衝的脈衝寬度，且第6圖（d) 中，相當於最先脈衝的脈衝寬度Ttop或多重脈衝的脈衝 寬度Tmp。因此，Ttop若爲0.4T，則截斷期間Toff會變 成0.6T，而Tmp若爲0.4T，則截斷期間 Toff會變成 -23- (19) (19)200303533 0.6T。而且，冷卻期間Tel並無特別限制，然而以設定爲 0.6T至1.0T爲宜，較理想的是設定爲0.8 T。 由以上可知，在形成記錄信號（2T信號至8T信號） 的區域中，藉由具有記錄能量（P w 1 )之雷射光的照射， 已融化的L 1記錄膜3 2會在冷卻期間Tel急速冷卻，而變 成非結晶狀態。另一方面，在其他區域，藉由具有刪除能 量（P el )之雷射光的照射，將L1記錄膜32加熱至結晶 化溫度以上的溫度，然後，隨著雷射光的遠離而逐漸變 冷，最後形成結晶狀態。 以上即爲對L 1記錄膜32進行資料記錄時的脈衝圖 案。如此，本實施方式中，從光入射面13a對L1記錄膜 3 2進行資料記錄時，將雷射光的最先脈衝、 多重脈衝及最後脈衝的記錄能量Pw —律設定爲 Pw 1，因此可形成具有良好形狀的記錄標記。 繼之，詳述對L0記錄膜22進行資料記錄時的脈衝列 圖案， 第7圖是顯示對L0記錄膜22進行資料記錄時之脈衝 列圖案的波形圖，（a )是顯示形成2T信號的情形’ (b )是顯示形成3 T信號的情形，（c )是顯示形成4T信 號的情形，（d )是顯示形成5T至 8T信號的情形。 如第7圖（a)至（d)所示，本實施方式中’對L0 記錄膜22進行資料記錄時，雷射光的強度調變爲由記錄 能量（PwO )、記錄能量（PwO’）、刪除能量（Pe〇 )和 基底能量（Pb〇 )所構成的4個強度。記錄能量（PwO ) -24- (20) (20)200303533 及記錄能量（PwO ’）之強度的設定爲，藉由照射使記錄膜 32融化之高位階，刪除能量（PeO )之強度的設定爲，藉 由照射使L0記錄膜22達到結晶化溫度以上的溫度之位 階，基底能量（PbO )之強度的設定爲，即受到使照射， 融化中的L 0記錄膜2 2亦會冷卻之低位階。 記錄能量（PwO )、刪除能量（PeO )和基底能量 (PbO )的各能量亦可依據光記錄媒體的構造或資訊記錄 裝置的光學系以適當決定，例如：將記錄能量（PwO )設 定爲 5.0mW至 6.6mW左右，刪除能量（PeO )設定爲 1.3mW至1.7mW左右，基底能量（PbO )設定爲O.lmW 至0.5mW左右亦可。又，亦可將記錄能量（PwO’）設的 比記錄能量PwO還低，例如PwO的0.9倍左右（0.9x PwO )。並且，記錄能量（PwO )、記錄能量（PwO’）、 刪除能量（PeO )和基底能量（PbO )的値即爲照射雷射光 時盤面的値。 在L0記錄膜22形成記錄標記時（L0記錄膜22爲非 結晶狀態時），藉由使雷射光成爲具有記錄能量（PwO ) 或由記錄能量（PwO )至基底能量（PbO )之振幅的脈衝 波形，或者，具有記錄能量（PwO’）或由記錄能量 (PwO’）至基底能量（PbO)之振幅的脈衝波形，以將L0 記錄膜3 2加熱至熔點以上，其後，藉由將雷射光設定爲 基底能量（PbO )，以急速冷卻L0記錄膜22。另一方 面，藉由刪除記錄標記時（L0記錄膜22爲結晶狀態 時），將雷射光固定於刪除能量（PeO )，以將L0記錄膜 -25- (21) (21)200303533 22加熱至結晶化溫度以上的溫度，然後加以緩緩冷卻。 藉此方式，可刪除形成於L0記錄膜22上的記錄標記。以 下，關於具體的脈衝列圖案，於各個記錄標記中詳述之。 首先，如第7圖（a)所示，對L0記錄膜22形成2T 信號時，雷射光的脈衝數設定爲「1」，接著，插入冷卻 期間Tel。對L0記錄膜22進行記錄時，雷射光的脈衝數 意指，雷射光的強度是由提昇至記錄能量（PwO )或 (PwO’）的次數來定義。 又，在冷卻期間Tel，雷射光的強度設定爲基底能量 (PbO)。如此，本說明說中，對L0記錄膜22進行記錄 時，將雷射光之強度設定於基底能量（Pb〇 )的最後期間 定義爲冷卻期間。因此，形成2T信號時，雷射光的強度 在時序t51以前，設定爲刪除能量（Pe〇);在時序t51 至時序t52的期間（Ttop )，設定爲記錄能量（PwO’）； 在時序t52至時序t53的期間（Tel )設定基底能量 (PbO );與在時序t53以後，設定爲刪除能量（PeO )。 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop並無特別限制，然 而以設定爲0.2T至0.4T爲宜’較理想的是設定爲0.3T。 再者，冷卻期間 Tel並無特別限制，以設定爲0.8T至 1.2T爲宜，較理想的是設定爲1.0T。 如第7圖（b)所示，對L0記錄膜22形成3T信號 時，雷射光的脈衝數設定爲「2」，接著，插入冷卻期間 Tel。因此，形成3T信號時，雷射光的強度在時序t61以 前，設定爲刪除能量（PeO);在時序t61至時序t62的 (22) (22)200303533 期間（Ttop)及時序t63至時序t64的期間（Tip)，設定 記錄能量（PwO’）；在時序 t62至時序 t63的期間 (Toff)及時序t64至時序t65的期間（Tel )，設定爲基 底能量（PbO );在時序t65以後，設定爲刪除能量 (PeO ) ° 於此’最先脈衝的脈衝寬度Ttop及最後脈衝的脈衝 寬度Tip並無特別限制，然而以設定爲〇.丨5T至0.3T爲 宜’較理想的是設定爲0.2T。再者，截斷期間Toff並無 特別限制，而以設定爲1 — Tnxt爲宜。在此，Tnxt意指， 於截斷期間Toff之前存在之脈衝的脈衝寬度，在第7圖 (b )中相當於最先脈衝的脈衝寬度τ 1 p。因此，T t ο p若 爲0.2 T，則截斷期間τ 〇 f f會變成0.8 T。而且，冷卻期間 Tel並無特別限制，然而以設定爲〇.8T至ι.2Τ爲宜，較 理想的是設定爲1.0 T。 再者’如第7圖（C)所示，對L0記錄膜22形成4T 信號時，雷射光的脈衝數設定爲「3」，接著，插入冷卻 期間Tel。因此，形成4T信號時，雷射光的強度在時序 t7l以前’設定爲刪除能量（pe〇);在時序t7i至時序 t72的期間（Ttop )及時序t75至時序t76的期間 (Tip)，設定記錄能量（pw〇’）；在時序t73至時序t74 的期間（Tmp)，設定爲記錄能量（PwO);在時序t72 至時序t73的期間（Toff)、時序t74至時序t75的期間 (Toff)及時序t76至時序t77的期間（Tel)，設定爲基 底能量（PbO ) •，在時序t77以後，設定爲基底能量 (23) (23)200303533 (PeO ) 〇 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop、多重脈衝的脈衝 寬度Tmp及最後脈衝的脈衝寬度Tip並無特別限制，然 而以設定爲0.15T至0.3T爲宜，較理想的是設定爲0.2 T。再者，截斷期間Toff並無特別限制，而以設定爲1 -Tnxt爲宜。在此，Tnxt意指，於截斷期間Toff之前存在 之脈衝的脈衝寬度，在第7圖（c )中相當於最先脈衝的 脈衝寬度Tmp或多重脈衝的脈衝寬度Tip。因此，Ttop若 爲0.2T，則截斷期間Toff會變成0.8T ; Tmp若爲0.2T， 則截斷期間Toff會變成0.8T。而且，雖然冷卻期間Tel 並無特別限制，然而以設定爲0.8T至1·2Τ爲宜，較理想 的是設定爲1.0 Τ。 如第7圖（d )所示，對L0記錄膜22形成5Τ至8Τ 信號時，雷射光的脈衝數分別設定爲「4」至「7」，接 著，插入冷卻期間Tel。因此，形成5T至8T信號時，分 別設定爲「2」至「5」。此時，在Ttop (時序t81至時序 t82的期間）及Tip的期間（時序t87至時序t88的期 間），設定爲記錄能量（PwO’）；在Tmp (時序t83至時 序t84的期間、時序tS5至時序t86的期間），設定爲記 錄能量（PwO);截斷期間Toff (時序t82至時序t83的 期間、時序t86至時序t87的期間等）及冷卻期間Tci (時序t88至時序tS9的期間），設定爲基底能量 (PbO );其他期間，設定爲刪除能量（PeO )。 於此，最先脈衝的脈衝寬度Ttop、多重脈衝的脈衝 (24) 200303533 寬度Tmp及最後脈衝的脈衝寬度Tip並無特別限制 而以設定爲0.15T至0.3T爲宜，較理想的是設定爲 T。再者，截斷期間Toff並無特別限制，而以設定爲 Tuxt爲宜。在此，Tnxt意指，於截斷期間Toff之前 之脈衝的脈衝寬度，且在第7圖（d )中相當於最先 的脈衝寬度Tmp或多重脈衝的脈衝寬度Tip。因此， 若爲0.2T，貝[]截斷期間Toff爲0.8T，Tmp若爲0.2T 截斷期間Toff爲0.8T。而且，冷卻期間Tel並無特 制，然而以設定爲0.8T至1.2T爲宜，較理想的是 1.0 T 〇 由以上可知，在形成記錄信號（2T信號至8T信 的區域中，藉由具有記錄能量（PwO )及/或記錄1 (PwO’）之雷射光的照射，已融化的L0記錄膜22 冷卻期間Tel急速冷卻，而變成非結晶狀態。另一方 在其他區域，藉由具有刪除能量（PeO )之雷射光I 射，將L0記錄膜22加熱至結晶化溫度以上的溫度 後，隨著雷射光的遠離而逐漸變冷，最後形成結晶狀 以上即爲對L0記錄膜22進行資料記錄時的脈 案。如此，本實施方式中，從光入射面1 3 a對L0記 22進行資料記錄時，將雷射光的最先脈衝及最後脈 記錄能量設定爲低於多重脈衝之記錄能量Pw〇的記 量 PwO’， ，故可緩和冷卻效果低之L0記錄膜2的熱干擾 得以抑制再結晶化現象。 ，然 0.2 1 -存在 脈衝 T t ο p ，則 別限 疋爲 號） 能量 會在 面， 的照 ，然 態。 衝圖 錄膜 衝的 錄能 ，並 -29- (25) 用以指定與上述說明之L0層20及L1層30對應之 脈衝列圖案的資訊，以預先儲存在該光記錄媒體1 0內作 爲「記錄條件設定資訊」爲宜。若將此種記錄條件設定資 訊預先儲存於光記錄媒體1 〇內，使用者實際上在進行資 料記錄時，可由資訊記錄裝置讀取該記錄條件設定資訊， 並依據該資訊來決定脈衝列圖案。因此，例如：當使用者 對L 1層3 〇指示資料記錄時，資訊記錄裝置會使用第6圖 所示的脈衝列圖案來進行資料的記錄；而當使用者對L〇 層20指示資料記錄時，資訊記錄裝置會使用第7圖所示 的脈衝列圖案來進行資料的記錄。 記錄條件設定資訊不僅是對應於L 0層2 0及L 1層3 0 的脈衝列圖案，爲了在對光記錄媒體1 〇進行資料記錄時 指定必要的各種條件（記錄線速度等），較理想的是包括 所須的資訊。記錄條件設定資訊可記錄爲顫線（w〇bble ) 或訊洞，亦可於L0記錄膜22和L 1記錄膜32上記錄爲 資料。此外，不僅直接表示資料記錄所需的各種條件，亦 可藉由指定預先儲存於資訊記錄裝置內之各種條件的任一 條件’間接地指定脈衝列圖案。 第8圖是槪略地顯示用以對光記錄媒體1 〇進行資料 的記錄之資訊記錄裝置5 〇的主要部分圖。 如第8圖所示，資訊記錄裝置5〇具有用以令光記錄 媒體10旋轉的主軸馬達（Spin(jle motor) 52;對光記錄 媒體1 0照射雷射光，同時，接收反射光的光學讀寫頭 5 3 ;控制主軸馬達5 2及光學讀寫頭5 3的動作之控制器 -30- (26) (26)200303533 5 4 ;供給雷射驅動信號至光學讀寫頭5 3的雷射驅動電路 55 ;和供給透鏡（lens )驅動信號至光學讀寫頭53的透 鏡驅動電路5 6。 再者，如第8圖所示，控制器5 4包括聚焦伺服隨動 電路57、循軌伺服隨動電路58及雷射控制電路59。當聚 焦伺服隨動電路5 7活性化時，旋轉中之光記錄媒體1 〇的 記錄面會成聚焦狀態，而當循軌伺服隨動電路5 8活性化 時，對於光記錄媒體1 〇的偏心信號軌道，雷射光的光點 會成自動隨動狀態。 聚焦伺服隨動電路5 7和循軌伺服隨動電路5 8，各具 有用以自動調整聚焦增益之自動增益控制功能及用以自動 調整循軌增益之自動增益控制功能。又，雷射控制電路 5 9是形成雷射驅動電路5 5所供給的雷射驅動信號之電 路，並根據記錄於光記錄媒體1 〇的記錄條件設定資訊， 而形成適當的雷射驅動信號。 並且，這些聚焦伺服隨動電路5 7、循軌伺服隨動電 路58及雷射控制電路59不須是組裝於控制器54內的電 路，亦可以是控制器54以外的個別零件。再者，這些構 造不須是物理性電路，亦可以是在控制器5 4內執行的軟 體。 使用由此種構造構成的資訊記錄裝置5 0對本實施方 式的光記錄媒體1 〇，進行資料的記錄時，如上所述那樣 讀取記錄於光記錄媒體1 〇的記錄條件設定資訊，並根據 此資訊來決定脈衝列圖案。因此，資訊記錄裝置50對L i -31 - (27) (27)200303533 層3 0進行資料的記錄時，是依據所讀取的記錄條件設定 資訊’並使用第6圖所示之脈衝列圖案來進行資料的記 錄；對L0層20進行資料的記錄時，是依據所讀取的記錄 條件設定資訊，並使用第7圖所示之脈衝列圖案來進行資 · 料的記錄。 本發明並不侷限於上述的實施方式，在申請專利範圍 所記載之本發明的範圍內亦可進行各種變更，當然這些變 更亦包括在本發明的範圍內。 φ 例如：上述實施方式中，雖然以具備2層資訊記錄層 (L0層20、L1層30 )之光記錄媒體10的例子來說明， 然而本發明的對象並非侷限在僅具有2層資訊記錄層的光 記錄媒體，亦可應用在具有3層以上資訊記錄層的光記錄 媒體。在此情況下，於至少一個記錄標記形成之際，對離 光入射面1 3 a最近的資訊記錄層進行資料記錄時，亦可將 最先脈衝及最後脈衝的記錄能量設定爲低於多重脈衝的記 錄能量之位階。 ® 上述實施方式中，雖然以採用（i，7) RLL調變方式 時之脈衝圖案的例子來說明，然而並不侷限在此，例如亦 可應用在採用8、16調變方式（3T至1 1T及MT時的調 變）時之脈衝列圖案。 此外，上述實施方式中，對L0層20進行資訊的記錄 時，是以記錄能量（Pw0)、記錄能量（Pw0’）、刪除能 量（PeO )和基底能量（Pb〇 )的4個強度來調變雷射光的 強度，尤其是，雖然以記錄能量爲（pw〇 )和（PwO’）的 -32- (28) (28)200303533 2値時之例子來說明，然而並不限定於此，亦可藉由以5 個以上的強度來調變雷射光的強度，以進行資訊的記錄， 同時，亦可將記錄能量Pw設定爲3値以上俾進行資訊的 記錄。 又，上述實施方式中，雖然說明對L0層20記錄資訊 時之雷射光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量皆爲 (PwO’）時的例子，然而並不限定在此，亦可令最先脈衝 及最後脈衝的記錄能量不同。此外，亦可僅將最先脈衝或 最後脈衝之任一者設定爲低於多重脈衝之記錄能量的位 階。簡言之，在離光入射面1 3 a最近的記錄層記錄資訊 時，雷射光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量亦可設 定爲低於多重脈衝之記錄能量的位階。 如上述之說明，根據本發明可緩和因熱干擾所生之再 結晶化，故得以形成良好形狀的記錄標記。 並且，熱干擾的影響會隨著所使用之雷射光的波長越 短而越明顯，同時，也會隨著用以聚集雷射光之物鏡的開 口數（NA )越大而越明顯。因此，本發明使用之雷射光 的波長（λ )和用以聚集雷射光之物鏡開口數（NA )的 比値（λ/ΝΑ)爲700nm以下時，例如：ΝΑ爲〇.7以上 (尤其是0.85左右），雷射光的波長；I爲200至450nm 左右時效果尤佳。 〔實施例〕 以下，具體說明本發明的實施例。 -33- (29) (29)200303533 光記錄媒體10的製造 首先’使用第2圖所示之印模40來進行聚碳酸酯的 射出成形，藉以製成凹軌1 1 a的深度和間距分別爲34nm 和0.32//m且厚度爲l.lmm的基體n。 繼之’將基體11搬入機鍍裝置（未圖示）內，藉由 在基體11中形成凹軌11a和凸軌lib的大致整面，依序 職鍍 Ag合金、ZnS和 Si〇2的混合物（莫耳比= 80: 20) 、AgSbTeGe和ZnS與Si02的混合物（莫耳比= 80: 20) ’以成膜厚度分別爲100nm、15nm、12nm和80nm 的反射膜34、第4介電體膜3 3、L 1記錄膜3 2和第3介 電體膜3 1 ( L 1層3 0 )。 接著，將形成有L1層3 0的基體1 1從濺鍍裝置搬 出，然後，在第3介電體膜31上，旋轉塗敷（spin coat )紫外線硬化性丙烯基樹脂。在旋轉塗敷有紫外線硬 化性丙烯基樹脂的表面，如第4圖所示那樣於被覆印模 4 1的狀態下，透過印模4 1照射紫外線。藉以形成凹軌 12a的深度和間距分別爲34nm及0.32//m且厚度爲20 // m的中間層1 2。 將形成有L 1層3 0及中間層1 2的基體1 1搬入濺鍍裝 置內，在形成有凹軌〗2a和凸軌l2b之中間層12的大致 整面，依序濺鍍 Al2〇3、SbTe及ZnS與 Si02的混合物 (莫耳比=80 : 20 )，以成膜厚度分別爲70nm、8nm、 60nm的第2介電體膜23、L0記錄膜22和第1介電體膜 2 1 ( L0 層 20 )。 -34- (30) (30)200303533 將形成有L1層3 0、中間層12和L 0層2 0的基體1 1 從濺鍍裝置（未圖示）搬出，然後，藉由在第1介電體膜 21上，旋轉塗敷（spin coat)紫外線硬化性丙烯基樹脂並 照射紫外線，以形成厚度爲1 〇〇 // m的光透過層1 3。藉此 方式，完成光記錄媒體前軀體。 將該光記錄媒體前驅體載置於雷射照射裝置的旋轉台 (未圖示）上，使其旋轉，同時，連續照射沿著軌道方向 之長度較短且垂直於軌道方向之長度較長的矩形雷射光， 而每當光記錄媒體前驅體旋轉1圈時，便會在垂直於軌道 的方向挪移照射位置，因此，L0記錄膜22及L1記錄膜 3 2的整面會實質地初期化成結晶狀態。藉此方式，完成 本實施例使用的光記錄媒體1 〇。 資料的記錄（單顫動値的測試） 對於如此製造之光記錄媒體1 〇的L0記錄層20，使 用第7圖（a )至（d )所示之2値記錄的脈衝列圖案，在 1條導軌上記錄2T至8T各信號的隨機信號。在此，脈 衝列圖案是以記錄能量（PwO )作爲參數，將記錄能量 (PwO’）、刪除能量（PeO )和基底能量（PbO )分別設定 爲 0.9xPw0、1.5mW 及 O.lmW。此外，Ttop、Tmp 及 Tip 皆設定爲〇·2Τ，Toff設定爲0.8T，Tel設定爲1.0T。 再者，就比較例而言，對光記錄媒體1 〇的L 0記錄層 20是使用第6圖（a) 至（d )所示之1値記錄的脈衝列圖案，該脈衝列圖 -35- (31) 200303533 案使用在記錄於L1層30時，而且在1條軌道上記錄2T 至8 Τ之各信號的隨機信號。在此，脈衝列圖案是以記錄 能量（PwO )作爲參數，將刪除能量（Pe〇 )和基底能量 (PbO )分別設定爲 1.5mW 及 O.lmW。此外，Ttop、Tmp 和Tip皆設定爲0.2T。Toff設定爲0.8T，Tel設定爲 1 . 〇 T。此爲以與記錄於L 1層3 0之情形相同的脈衝列圖案 來記錄L 0層2 0之情形的比較。

記錄時，將時鐘頻率設定爲 65.7MHz ( T = 15.2nsec)，記錄線速度設定爲 5.7m/sec，並利用 (1，7 ) RLL的調變方式來形成信號。使用於記錄之雷射 光的波長是405nm，用以聚集雷射光之物鏡的開口數是 0.85。 資料的再生 繼之，對於L0層20，將再生能量（Pf〇 )設定爲 0.5mW，再生2T至8T之各信號的隨機信號，以測試其 顫動（jitter )及C / N (載波/噪音比）。顫動是利用時 脈間距分析器（Time Interval Analyzer，TIA)來測試時 脈顫動（clock jitter )，以求得該再生信號的「顫動 (α )」，設限幅寬度爲Tw，藉由σ / Tw ( % )算出。 並且，將記錄於上述1條導軌上之信號的顫動値稱爲單顫 動（single jitter)値。 第9圖是顯示上述單顫動値之測試結果的曲線圖。# 記號是顯示1値記錄，▲記號是顯示2値記錄。如第9圖 -36- (32) (32)200303533 所示，因爲記錄能量PwO爲5.0m W左右時能量不充足， 故2値記錄的顫動値曲線圖以與1値記錄的圖同樣的斜度 而向右偏移，1値記錄的顫動値低於2値記錄。 然而，當記錄能量PwO爲5. OmW以上時，2値記錄 的顫動値亦到達基底（bottom)値的略12%，此外，記錄 能量PwO向上時，在1値記錄的情況，因爲受到熱干擾 使得顫動値劣化，相對於此，在2値記錄的情況，因爲受 到熱干擾而降低顫動値。 如此，將使用根據2値記錄之脈衝列圖案的情形與使 用根據1値記錄之脈衝列圖案的情形相比較可知，利用更 高的記錄能量可獲致良好的顫動値，顫動値爲例如1 2%以 下時記錄能量PwO的範圍較廣。因此，若使用本脈衝列 圖案，可抑制對於前後記錄標記的熱干擾，並使功率範圍 (power margin )變大。 資料的記錄（密集顫動値的測試） 繼之，對於光記錄媒體1 〇的L0記錄層20，使用第7 圖（a )至（d )所示之2値記錄的脈衝列圖案，在5條導 軌上記錄2T至8T各信號的隨機信號。詳言之，5條導 軌中，首先記錄兩側2條隨機信號，最後於中央的軌道上 記錄隨機信號。在此，脈衝列圖案是以記錄能量（PwO ) 作爲參數，將記錄能量（PwO’）、刪除能量（PeO )和基 底能量（PbO)分別設定爲0.9xPw0、1.5mW及O.lniW。 此外，Ttop、Tmp及Tip皆設定爲 〇.2T，Toff設定爲 (33) (33)200303533 0.8T，Tel 設定爲 1.0T。 再者，就比較例而言，對光記錄媒體10的L〇記錄層 20是使用第6圖（a )至（d )所示之1値記錄的脈衝列 圖案，該脈衝列圖案是使用在記錄於L1層30時’並且在 5條軌道上與上述同樣地記錄2T至8T之各信號的隨機 信號。在此，脈衝列圖案是以記錄能量（PwO )作爲參 數，將刪除能量（PeO )和基底能量（PbO )分別設定爲 0.9xPw0、1.5mW 及 O.lmW。此外，Ttop、Tmp 和 Tip 皆 設定爲0.2T，Toff設定爲0.8T，Tel設定爲1.0T。 記錄時，將時鐘頻率設定爲 65.7MHz ( T = 15.2 nsec )，記錄線速度設定爲5.7m// sec，並利用（ι，7 ) RLL的調變方式來形成信號。使用於記錄之雷射光的波長 是4〇 5 nm，用以聚集雷射光之物鏡的開口數是〇.85。 資料的再生 然後，對於L0層 20的中央軌道，將再生能量 (Pr〇 )設定爲0.5mW，再生2T至8T之各信號的隨機信 號以測試其顫動（jitter )及C/ N (載波/噪音比）。顫 動疋利用時脈間距分析器（Time Interval Analyzer， TIA )來測試密集顫動（cl〇se jitter )，以求得該再生信 號的「顫動（σ )」，設限幅寬度爲Tw，藉由σ / Tw (%)算出。並且，將上述5條導軌中，記錄於中央軌道 之的顫動値稱爲密集顫動（ci〇sejjtter)値。 胃1 0 B1是顯示上述密集顫動値之測試結果的曲線 -38- (34) (34)200303533 圖。•記號是顯示1値記錄，▲記號是顯示2値記錄。如 第1 0圖所示，因爲記錄能量PwO爲5 . OmW左右時能量不 充足，故2値記錄的顫動値曲線圖以與1値記錄的圖同樣 的斜度而向右偏移，1値記錄的顫動値低於2値記錄。 然而，當記錄能量PwO爲5.OmW以上時，2値記錄 的顫動値亦到達基底（bottom)値的略13%，此外，記錄 能量PwO向上時，在1値記錄的情況，因爲受到熱干擾 使得顫動値劣化，相對於此，在2値記錄的情況，因爲受 到熱干擾而降低顫動値。 如此，將使用根據2値記錄之脈衝列圖案的情形與使 用根據1値記錄之脈衝列圖案的情形相比較可知，利用更 高的記錄能量Pw可獲致良好的顫動値，顫動値爲例如 1 3 %以下時記錄能量Pw〇的範圍較廣。因此，若使用本脈 衝列圖案，可抑制對於前後記錄標記的熱干擾，並使功率 範圍（power margin)變大。 由以上得知，對於離光入射面13a較近的L0層20進 行資料的記錄時，將最先脈衝及最後脈衝的記錄能量設定 爲低於多重脈衝之記錄能量的位階，所形成之記錄標記的 特性較爲良好。 【圖示簡單說明】 第1圖是槪略地顯示本發明較佳實施方式之光記錄媒 體1 0的構造剖視圖。 第2圖是顯示光記錄媒體1 〇之一部分（基體11的形 -39- (35) (35)200303533 成）的製造步驟圖。 第3圖是顯示光記錄媒體10之一部分（L1層30的 形成）的製造步驟圖。 第4圖是顯示光記錄媒體1 〇之一部份（透明中間層 1 2的形成）的製造步驟圖。 第5圖是顯示光記錄媒體1 〇之一部份（L0層20的 形成）的製造步驟圖。 第6圖是顯示對L 1記錄膜3 2進行資料記錄時之脈衝 列圖案的波形圖，（a )是是形成2T信號的情形，（b ) 是形成3 T信號的情形，（c )是形成4T信號的情形， (d )是形成5T至 8T信號的情形。 第7圖是顯不對L 1記錄膜2 2進行資料記錄時之脈衝 列圖案的波形圖，（a )是是形成2T信號的情形，（b ) 是形成3 T信號的情形，（c )是形成4T信號的情形， (d)是形成5T至 8T信號的情形。 第8圖是槪略地顯示用以對光記錄媒體1 0進行資料 的記錄之資訊記錄裝置5 0的主要部分圖。 第9圖是顯示單顫動値之測試結果的曲線圖。 第1 〇圖是顯示密集顫動値之測試結果的曲線圖。 【圖號說明】 1 〇 :光記錄媒體 11:基體 1 1 a ' 12a:凹軌 -40- (36) (36)200303533 lib' 12b:凸軌 1 2 : 中間層 13:光透過層 1 3 a : 光入射面 ~ 20: L0 m · 2 1 :第1介電體膜 22: L0記錄膜 23:第2介電體膜 籲 30: L1 層 3 1 :第3介電體膜 3 2 : L 1記錄膜 3 3 :第4介電體膜 3 4 :反射膜 4 0、4 1 : EP 模 5 0 .·資訊記錄裝置 5 2 :主軸馬達 ^ 5 3 :光學讀寫頭 5 4 :控制器 5 5 :雷射驅動電路 _ 5 6 :透鏡驅動電路 5 7 :聚焦伺服隨動電路 ~ 5 8 :循軌伺服隨動電路 5 9 :雷射控制電路 Pwl、PwO、 PwO’：記錄能量 -41 - (37) (37)200303533

Pel、PeO:刪除能量 Pbl、PbO:基底能量 til 至 tl3、t2 1 至 25、 t3 1 至 t3 7、t4 1 至 t49、 ’ t51 至 t53、t61 至 65、 ， t71 至 t77、t81 至 t89:時序 Ttop:最先脈衝的脈衝寬度

Tip:最後脈衝的脈衝寬度 φ

Tmp:多重脈衝的脈衝寬度 Tel:冷卻期間 Toff:截斷期間

-42

Claims (1)

1. (1) (1)200303533 拾、申請專利範圍 1 . 一種資訊記錄方法，對於具有至少積層第1及第2 資訊記錄層的光記錄媒體，藉由從光入射面照射脈衝狀雷 射光，且該雷射光調變爲至少包含有記錄能量之複數能 量’以形成由彼此長度不同之複數種記錄標記所構成的群 組中選出的複數記錄標記，其特徵爲： 在上述複數種記錄標記中，將至少1種記錄標記形成 於上述第1資訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最先脈 衝及/或最後脈衝的記錄能量設定爲低於 多重脈衝之記錄能量的位階，以進行資訊的記錄。 2.如申請專利範圍第丨項之資訊記錄方法，其中，上 述第1資訊記錄層較上述第2資訊記錄層，位於偏靠上述 光入射面側處。 3 .如申請專利範圍第1項之資訊記錄方法，其中，將 上述最先脈衝與上述最後脈衝設定爲相同位階。 4.如申請專利範圍第1項之資訊記錄方法，其中，將 形成於上述第2資訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最 先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量，設定爲與多重脈衝之 記錄能量相同的位階，以進行資訊的記錄。 5 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄方法，其中，當 上述雷射光的波長設爲λ，且用以聚集雷射光之物鏡的開 口數設爲ΝΑ時，滿足A/NAS700nm的條件。 6.如申請專利範圍第1項之資訊記錄方法，其中，上 述雷射光的波長λ爲200至450nm。 (2) 200303533 7. —種資訊記錄裝置，對於具有至少積層第1和第2 資訊記錄層的光記錄媒體，藉由從光入射面照射脈衝狀雷 射光，且該脈衝狀雷射光調變爲至少包含有記錄能量之複 數能量，以形成由彼此長度不同之複數種記錄標記所構成 一 的群組中選出的複數記錄標記，其特徵爲： 將形成於上述第1資訊記錄層時進行照射之上述雷射 光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量，設定爲低於多 重脈衝之記錄能量的位階。 Φ 8. 如申請專利範圍第7項之資訊記錄裝置，其中，上 述第1資訊記錄層較上述第2資訊記錄層，位於偏靠上述 光入射面側處。 9. 如申請專利範圍第7項之資訊記錄裝置，其中，將 形成於上述第2資訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最 先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量，設定爲與多重脈衝之 記錄能量大致相同，以進行資訊的記錄。 10. 如申請專利範圍第7項之資訊記錄裝置，其中， · 當上述雷射光的波長設爲λ，且用以聚集雷射光之物鏡的 開口數設爲ΝΑ時，滿足A/NA$700nm的條件。 1 1 .如申請專利範圍第7項之資訊記錄裝置，其中， 上述雷射光的波長；I爲200至45 Onm。 12.—種光記錄媒體，具有至少積層第1和第2資訊 · 媒 射 雷 狀 l6TgJ 福 脈 射 照 面 射 入 光 從 由 藉 ， 中 量組 能群 數的 複成 之構 量所 匕匕 己 二ΠΠ 1三口 錄標 記錄 有記 含種 包數 少複 至之 爲同 變不 調度 錄光長 記射此 光雷彼 的該由 層且成 錄，形 記光以 -44- (3) (3)200303533 選出的複數記錄標記，其特徵爲： 具有所須的設定資訊，俾將形成於上述第1資訊記錄 層時照射之上述雷射光的最先脈衝及/或最後脈衝的記錄 能量，設定爲低於多重脈衝之記錄能量的準位。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之光記錄媒體，其中’上 述第1資訊記錄層較上述第2資訊記錄層，位於偏靠上述 光入射面側處。 1 4 .如申請專利範圍第1 2項之光記錄媒體，其中，將 形成於上述第2資訊記錄層時進行照射之上述雷射光的最 先脈衝及/或最後脈衝的記錄能量，設定爲與多重脈衝之 記錄能量大致相同，以進行資訊的記錄。 1 5 .如申請專利範圍第1 2項之光記錄媒體，其中，具 有作爲上述雷射光的光路之光透過層，且上述光透過層的 厚度爲30至200// m。

   -45-