TW200300464A - Surface treating method of object to be treated and treatment appartus thereof - Google Patents

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Hideo Yoshida
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Description

200300464 玖、發圈誦明 〔發明所屬之技術領域〕 本發明係關於被處理物之表面處理 合於例如被處理物的電氣化學處理, 接觸,使得被處理表面能高度精確並 得金屬離子之良好析出,同時,能合 體和處理液體的供應排除,有效加以 系統外,實現合理化的系統並且提昇 時,能合理並且安全的進行電氣化學 減少設備體積使得費用降低便於維修 〔先前技術〕 例如在現行的電鍍步驟中,大致可 鍍步驟、和後處理步驟。其中,前處理 酸洗淨,該等處理通常是在專用洗淨 用液並且加溫,將被處理物放在該處 間而進行者。 從而,需要多個浸泡槽和作業空間 增加,也同時因爲處理用液體四散造 須在這樣惡劣的狀況下工作,人員之 該浸泡時間費時造成生產性太低的問 爲了解決這些問題,本發明申請人 質、電解質溶液、介面活性劑,都導 該懸浮乳狀混濁狀態下進行電鍍,β 化,將之排出於洗淨槽外,即可不需 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045.doc 方法及處理裝置,適 避免被處理物和空氣 且平均的活性化,獲 理地進行表面處理流 利用並且防止排除於 生產性及量產化,同 處理作業,而且,能 0 分爲前處理步驟、電 步驟具有脫脂洗淨' 槽內放入某特定處理 理用液中浸泡一段時 ,不但使得設備費用 成有害氣體發生,必 作業環境惡劣,而且 題。 ,將超臨界狀態的物 入反應洗淨槽內’在 鍍後將超臨界物質β 要洗淨液體而將反應 9 200300464 洗淨槽和電極等都淸洗乾淨,本發明人所開發出的該電氣 化學處理方法’已經在日本特願2000- 25 3 5 7 2當中提出。 該現行方法中,用高壓容器的反應槽來作爲電鍍槽,在 該容器中裝入被處理物、電解質溶液和超臨界物質,爲了 在內部將電解質溶液和超臨界物質加以攪拌,需要攪拌用 的空間和攪拌裝置,造成反應槽大型化重量化並且成本費 用昂貴等問題。 另一方面’將導入反應槽內的超臨界流體和藥劑等加以 攪拌的方法’在前述現行方法和日本專利特開平U- 87 306 號公報中’採用的是在反應槽中設置攪拌扇葉或是基板的 旋轉機構’或是搖動機構、超音波震動器等,使得反應槽 搖動或是震動的裝備。 但是’攪拌扇葉、旋轉裝備等,也有使得反應槽大型化 重量化並且昂貴的問題,除了使得搖動裝置體積增加之 外,更容易引起機械上的問題,此外超音波震動器不但昂 貴而且在攪拌的實際效果上仍有些不安。 於此,本發明之主要目的在於,一倂解決上述問題,將 已經開發的上述電氣化學處理方法和處理裝置更加改善, 提供能適合例如被處理物的電氣化學處理之具體的被處理 物之表面處理方法及處理裝置。 本發明之另一目的在於,提供被處理物之表面處理方法 及處理裝置,避免被處理物和空氣的接觸,使得被處理物 表面能更高度精確並且平均活性化’得到金屬離子良好析 出。 10 312\專利說明書(補件)\92-01 \9 ] 13 3045 .doc 200300464 本發明又一目的在於,提供被處理物之表面處理方法及 處理裝置,能合理的進行表面處理流體和處理液體的供應 排除,有效加以利用並且防止排除於系統外,實現合理化 的系統並且提昇生產性而得以進行量產。 本發明之再一目的在於,提供被處理物之表面處理方法 及處理裝置,同時能合理並且安全的進行電氣化學處理作 業,更能減少設備體積使得費用降低,非常便於維修。 本發明之再一目的在於,提供被處理物之表面處理方法 及處理裝置,能省略反應槽內的攪拌器設置,使得反應槽 能更小型化輕量化並且廉價化。 本發明之再一目的在於,提供被處理物之表面處理方法 及處理裝置,能在反應槽內精密的進行各表面處理流體的 攪拌,能優良並且合理的對被處理物進行各種不同的表面 處理,能使得離子供應更爲均勻而獲得良質的施鍍成果。 〔發明內容〕 本發明的被處理物之表面處理方法,係能將表面處理流 體導入於可容納被處理物的反應槽,在前述被處理物的表 面處理後,將前述表面處理流體導入分離槽,使得污染物 分離後的表面處理流體循環於反應槽者,其在前述被處理 物的表面處理時,將包含前述反應槽的表面流體循環途徑 連通,而使得前述表面處理流體始終能循環於該循環途 徑,故相較於使表面處理流體滯留於反應槽的表面處理方 法,以表面處理流體進行被處理物的表面處理,例如脫脂 洗淨、乾燥都能夠能高度精密並且迅速地進行。 11 312\專利說明書(補件)\92-01 \91〗33045 .doc 200300464 而且’能夠避免被處理物和空氣接觸,例如被處理物表 面的活性處理即可更高精度而確實地進行,而且後續步驟 的電鍍也能順利良好地進行,適合於多重電鍍等步驟。 此外’本發明的被處理物之表面處理方法,在被處理物 的脫脂或是洗淨或是其乾燥時,使得前述表面處理流體始 終能循環,因此使得被處理物的脫脂或是洗淨、乾燥等表 面活性處理,都能高精度而確實並且迅速地進行。 更且’本發明的被處理物之表面處理方法,在前述被處 理物的表面處理後,將因爲表面處理流體中的電氣化學反 應而產生的氣體分離或是除去,故可防止前述氣體混入於 系統內,使得被處理物的電氣化學反應良好,同時能更精 確地進行前述表面處理流體的再生。 本發明被處理物之表面處理方法,在前述被處理物的表 面處理後,將前述表面處理流體中的氧和氫分離或是除 去,故防止前述電氣化學反應所產生的氧氣和氫氣混入系 統內,使得被處理物的電氣化學反應良好,同時,能更精 確地進行前述表面處理流體的再生。 而且,本發明的被處理物之表面處理方法,使得前述表 面處理後的表面處理流體中的氧和氫燃燒而生成水,將該 水分離後使得前述表面處理流體循環於前述循環途徑,故 可更安全而輕易的除去前述氧氣和氫氣,防患氧氣和氫氣 以及水的混入所造成的弊端於未然,同時可以表面處理流 體更順利且效率良好的進行乾燥。 更甚之,本發明的被處理物之表面處理方法,將前述表 12 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 面處理流體和酸洗淨溶液或是電解液導入於反應槽後,將 前述反應槽的供排路隔離,進行被處理物的酸洗淨或是電 氣化學反應,可防止酸洗淨溶液或是電解液移動以及防止 流入於該循環途徑,使得酸洗淨和電氣化學反應更能安定 進行,同時,能夠防患循環途徑腐蝕和系統問題於未然。 本發明的被處理物之表面處理方法,在前述被處理物的 酸洗淨或是化學反應之後,使前述反應槽內的前述表面流 體循環於前述循環途徑,同時使前述酸洗淨溶液或是電解 液由前述表面處理流體的循環途徑中分離出來,可將表面 處理流體和酸洗淨溶液或是電解液等分開處理,更合理且 安全的處理後重新再生。 此外,本發明的被處理物之表面處理方法,前述被處理 物的酸洗淨或是電氣化學反應之後,將該酸洗淨溶液或是 電解液中的前述表面處理流體加以分離,使其流回表面處 理流體的循環途徑中,在酸洗淨時或是電化學反應時,混 入酸洗淨溶液或是電解液的表面處理流體可以更加有效地 加以利用。 更且,本發明的被處理物之表面處理方法,前述表面處 理流體,係爲1大氣壓力以上的加壓流體或是超臨界或是 亞臨界流體,在加壓爲1大氣壓以上的加壓流體的情形, 表面處理流體可輕易到手,而能廉價並且安全的製作運轉 系統,在超臨界或是亞臨界流體的情形,可以高擴散性而 獲得良好的表面處理狀態。 本發明的被處理物之表面處理裝置’係於具備能將被處 13 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 200300464 理物容納於內部,且能將表面處理流體導入的可密閉的反 應槽、以及將被處理物的表面處理後的表面處理流體從該 反應槽移送,且能將該表面處理流體中的污染物分離的分 離槽,而在可使得污染物分離後的表面處理流體循環於前 述反應槽的被處理物表面處理裝置中,其在前述被處理物 的表面處理時,將包含前述反應槽的表面流體循環途徑連 通’而使得前述表面處理流體始終能循環於該循環途徑, 故相較於使表面處理流體滯留於反應槽的表面處理裝置, 以表面處理流體進行被處理物的表面處理,例如脫脂洗 淨、乾燥都能夠能高度精密並且迅速地進行,同時,能夠 避免被處理物和空氣接觸,被處理物表面的活性處理即可 更高精度而確實的進行,例如金屬離子可以良好析出,適 合於電鍍和多重電鍍等步驟。 而且’用來儲存使用後的表面處理流體和處理液的儲存 槽,事實上可以廢止,而可使得設備小型化而且低廉化, 更迅速進行表面處理流體的再生。 此外,本發明的被處理物之表面處理裝置,在被處理物 的脫脂或是洗淨或是其乾燥時,使得前述表面處理流體始 終能循環,更能夠高精度而迅速的進行被處理物的脫脂洗 淨步驟、酸洗淨步驟、乾燥步驟等表面活性處理。 更且,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前述被處 理物的表面處理後,將因爲表面處理流體中的電氣化學反 應而產生的氣體分離或是除去,可防止前述氣體混入系統 內,使被處理物更能獲得良好的電氣化學反應,同時更精 14 3 ] 2\專利說明書(補件)\92-0 ] \91133045 .doc 200300464 確地進行前述表面處理流體的再生。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,將能 或是除去表面處理流體中的氧和氫的反應器介插入 循環途徑之中,防止氧和氫混入的弊端於未然,更 進行表面處理流體的再生。 本發明的被處理物之表面處理裝置,將能夠分離 水裝置介插入於前述循環途徑的反應器的下游側, 且輕易的除去氧和氫,不但能防範氧氣和氫氣、水 所造成的弊病於未然,同時也能順利並且效率良好 面處理流體進行乾燥。 此外,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前 槽設置供排路,能夠藉以導入前述表面處理流體和 溶液或是電解液,而在將之導入於前述反應槽後, 將該反應槽的供排路隔離,可防止酸洗淨溶液或是 移動以及防止流入於該循環途徑,使得酸洗淨和電 反應更能安定進行,同時,能夠防患循環途徑腐鈾 問題於未然。 更且,本發明被處理物之表面處理裝置,在前述 物的酸洗淨或是化學反應之後,使前述反應槽內的 面流體循環於前述循環途徑,同時使前述酸洗淨溶 電解液由前述表面處理流體的循環途徑中分離出來 表面處理流體和酸洗淨溶液或是電解液等分開處理 理且安全的處理後重新再生。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,將能 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045.doc 夠分離 於前述 精確地 水的脫 可安全 的混入 地以表 述反應 酸洗淨 也能夠 電解液 氣化學 和系統 被處理 前述表 液或是 ,可將 ,更合 夠分離 15 200300464 酸洗淨溶液或是電解液中的表面處理流體的處理液回收槽 介插入前述反應槽的排出路,使得該回收槽連通於前述表 面處理流體的循環途徑,在酸洗淨時或是電化學反應時, 混入酸洗淨溶液或是電解液的表面處理流體可以更加有效 地加以利用。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,前述表面處 理流體,係爲1大氣壓力以上的加壓流體或是超臨界或是 亞臨界流體,在加壓爲1大氣壓以上的加壓流體的情形, 表面處理流體可輕易到手,而能廉價並且安全地製作運轉 系統,在超臨界或是亞臨界流體的情形,可以高擴散性而 獲得良好的表面處理狀態。 而且,本發明被處理物之表面處理裝置,設置多個前述 反應槽,使該等反應槽連通於前述循環途徑,將加壓到1 大氣壓力以上的加壓流體或是超臨界或是亞臨界流體、和 酸洗淨溶液或是電解液依序導入前述反應槽,可在各反應 槽中依序施行被處理物的脫脂洗淨步驟、酸洗淨步驟、乾 燥步驟、電鍍、和乾燥,另一方面,將相鄰的反應槽相連 通,在可供應排出所使用流體的同時,在其先後處理步驟 的反應槽,先進行的反應槽的處理後,可將該使用流體供 應給後進行的反應槽,可在各反應槽之間依序使用表面處 理流體和酸溶液,不但能更有效加以運用,同時也能合理 的進行被處理物的表面處理和其他各處理步驟。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,係爲具備內 部容納有能夠裝卸被處理物的夾具和攪拌裝備,且供排前 16 312\專利說明書(補件)\92-0 ] \9113 3 045 .doc 200300464 述被處理物的表面處理流體的槽本體、以及能使該槽本體 密閉的蓋體的反應槽的被處理物之表面處理裝置,前述蓋 體上安裝有可裝卸單一或是多數的前述夾具,促進蓋體和 夾具一體化,使得處理使用更加便利,並且更能輕易進行 蓋體、夾具以及槽本體的維修。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,前述蓋體和 夾具構成爲一體而能夠升降,如此該等進出槽本體的動作 即可更輕易且迅速地進行。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,前述槽本體 的腔室的橫剖面形狀、和前述夾具的橫剖面形狀,係形成 爲相似的形狀,且該等配置爲同心圓狀,能有效的容納並 且處理多個被處理物,在進行量產化的同時,更可精確的 進行表面處理流體和使用溶液等的攪拌。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,前述槽本體 的腔室的橫剖面形狀、和前述夾具的橫剖面形狀都形成爲 圓形,且該等都配置爲同心圓狀,將前述夾具區劃成多個 部分,以可旋轉的方式將該等連結,能更輕易進行夾具的 開闔,將被處理物裝卸於夾具的動作也更加簡便。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前述蓋體 上安裝可以和前述夾具通電的電極,促進蓋體和夾具、電 極一體化,使得處理使用更加便利,並且更能輕易進行維 修。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,對相鄰接配 置的夾具施加同電位,對著裝於各夾具上的被處理物,可 17 312\專利說明書(補件)\92_01\91133〇45.doc 200300464 使得電鍍等電氣化學反應更均一化,對各被處理物可以獲 得更均勻的電鍍等電氣化學反應。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前述腔室 的中心配置電極,將各夾具設定爲相同的電場強度,對著 裝於各夾具上的被處理物,可獲得更均勻的電鍍等電氣化 學反應。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前述蓋體 中心,安裝可使前述攪拌裝備旋轉的攪拌軸,在該攪拌軸 外側將前述電極配置成同軸狀,促進蓋體和夾具、電極、 攪拌裝備的一體化,使得處理使用更加便利,並且更能輕 易進行維修。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,可對於前述 反應槽,依序導入1大氣壓力以上的加壓流體或是超臨界 或是亞臨界流體、酸洗淨溶液、和電解液,依序進行被處 理物的脫脂洗淨、酸洗淨、乾燥、和電鍍,可將該使用流 體供應給後進行的反應槽,可在各反應槽之間依序使用表 面處理流體和酸溶液,不但能更有效加以運用,同時也能 合理的進行被處理物的表·面處理和其他各處理步驟,有利 於量產化。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,以非可溶性 的材料來構成前述電極,同時將超臨界或是亞臨界流體和 電解液導入於前述反應槽,而可將被處理物電鍍,在具有 高擴散性的超臨界或是亞臨界流體下,被處理物的金屬離 子析出良好而且進行一致,可消除電極的耗損,不需要因 18 3專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 爲換裝電極而中止,提昇前述電氣化學反應的生產 本發明的被處理物之表面處理裝置,係爲能夠將 理流體導入於可容納被處理物的反應槽,而能對前 理物進行表面處理的被處理物之表面處理裝置,其 述表面處理流體噴出於前述被處理物的至少一側, 而迅速地進行被處理物的表面處理。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前 槽外部設置腔室,可將同種類或是不同種類的表面 體導入該腔室,加以分散或是攪拌,並可將該分散 拌後的流體,導入至少面臨前述被處理物一側的前 槽內,而可經由種種分散或是攪拌流體來進行表面 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,其中 面處理流體係爲超臨界或是亞臨界流體、或是酸洗 或是電解液,經由該等而可進行被處理物的脫脂洗 洗淨、乾燥以及氧化被膜除去、電鍍、乾燥等處理 合電鍍處理的一連串步驟。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,將超 是亞臨界流體和電解質溶液和介面活性劑導入於 室,加以分散或是攪拌,可將該分散或是攪拌後所 乳濁流體導入於前述反應槽,以超臨界或是亞臨界 基礎來提昇各表面處理流體的擴散性,使得酸洗淨 被膜除去、電鍍處理等作業效率提昇,同時以前述 態來減少介面的能量,促進脫水而能迅速乾燥,同 得電鍍等表面處理品質更提昇。 312\ 專利說明書(補件)\92-01 \91133iM5.doc 性。 表面處 述被處 能使前 更精密 述反應 處理流 或是攪 述反應 處理。 前述表 淨溶液 淨、酸 ,最適 臨界或 前述腔 產生的 流體爲 和氧化 乳濁狀 時可使 19 200300464 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,設置多數個 前述腔室,將超臨界或是亞臨界流體導入各腔室中,同時 將酸洗淨溶液或是電解液導入於一部分的腔室中,將超臨 界或是亞臨界流體加以分散或是攪拌,而能將該分散或是 攪拌後的流體導入於前述反應槽,以超臨界或是亞臨界流 體爲基礎來作成酸洗淨溶液或是電解液,提昇酸洗淨和氧 化被膜除去、電鍍處理等作業的效率,同時能獲得品質良 好的電鍍成果。 而且,本發明的表面處理裝置,前述被處理物的至少一 側,和面對於被處理物的前述反應槽之間,配置有能夠讓 前述表面處理流體透過的透過構件,可向該透過構件噴出 表面處理流體,促進表面處理流體的細微粒子化和精密的 分散或是攪拌,使得前述酸洗淨溶液或是電解液等的分散 或是攪拌流體的攪拌得以施行,省略反應槽內的攪拌器設 置,使得反應槽更小型更輕巧化,並且能更輕易廉價的製 作。從而,只要將前述透過構件分別配置於前述被處理物 的兩側、和該被處理物的對面的前述反應槽之間,即可增 進前述表面處理流體的細微粒子化和分散或是攪拌的精密 化,使得被處理物的表面處理更爲精密且迅速。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,係以可通電 的電極來構成前述透過構件,如此兼具例如陽極等電極和 攪拌的功能,使得電鍍槽構成更爲簡單而電鍍處理更加合 理化。 而且,本發明的被處理物之表面處理裝置,在前述被處 20 3 ] 2\專利說明書(補件)\92·01 \91133 045 .doc 200300464 理物表面和背面兩側都配置前述透過構件,從該透過構件 的外側朝向前述被處理物,可將前述表面處理流體以同速 度大約同等量噴出,促進表面處理流體的精密均勻的攪 拌,實現被處理物的精密迅速的表面處理,同時使得電場 分布均勻,增進被處理物電鍍的品質。 爲更明確敘述本發明,茲將本發明上述目的、特徵以及 優點,經由所附圖式詳細說明如下: 〔實施方式〕 以下,利用超臨界或是亞臨界流體的電氣化學處理法適 用的電鍍(鍍鎳)的實施形態的圖示,來說明本發明,在 圖1到圖9中,元件符號1爲設置於作業室的箱狀處理裝 置,在其前面中間較高位置設置可開闔的門扉2,在面臨 該門扉2的處理室3內下部,設置有耐壓的反應槽4。 前述反應槽4開口朝上,該內部有可裝卸被鍍物等的被 稱謂夾具的被處理物收納容器5,並且可以收容電極等, 以蓋體6將其密閉,並且經由後述的夾體將蓋體6鎖住, 在作業終了後可以將其一體一倂取出。 在前述反應槽4的正下方,並設有可收容不同種類電鍍 液體的第1處理液槽7和第2處理液槽8,可以經過送液 幫浦9、1 0,將該等液體選擇性的供應給反應槽4。 在前述反應槽4後方正下方,設有分離槽的耐壓性處理 液回收槽1 1,該處理液回收槽1 1和前述反應槽4具有大 致相同的容積和耐壓能力,在前述反應槽4內處理過後的 處理液因重力作用而流下,將之加熱,使得二氧化碳和處 21 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 理液可以分離。 將前述反應槽4和處理液回收槽1 1以處理液排出管1 2 加以連接,在該處理液排出管1 2中插入處理液排出閥1 3。 在處理液排出閥1 3將超臨界或是亞臨界流體導入反應槽4 時,在反應槽4脫脂淸洗以及乾燥時閥片打開,另一方面, 在反應槽4酸洗淨和電鍍處理時可以將閥片關閉。 在前述反應槽4下游側設置耐壓性的分離槽1 4,該分離 槽1 4和前述處理液回收槽1 1具有相同形狀和相同構成, 經過其減壓和加熱作用,可將處理氣體中的油脂部分分離 去除。 另外,在圖中的元件符號1 5爲可以容納氧化被膜除去的 酸洗淨溶液的酸洗淨溶液收納箱,可將該酸洗淨溶液供應 給反應槽4,而元件符號1 6爲和前述送液幫浦9、1 0並設 的加壓幫浦,將作爲超臨界或是亞臨界產生流體的二氧化 碳加壓成爲密度0.4以上,可以將二氧化碳加壓成液體狀 或氣體狀或是超臨界或是亞臨界狀態。 圖中,元件符號1 7爲設於處理裝置1內後部的凝縮回收 槽,經過冷媒導管而和正下方的冷凍機1 8聯絡,可將導入 該凝縮回收槽1 7內,作爲超臨界或是亞臨界產生流體的二 氧化碳冷卻並液化。 此外,元件符號1 9爲內藏有各種電氣機器的控制盤,2 0 爲整流器、21爲繼電器盒、22爲變壓器、23爲油槽,而 24爲作爲脫水裝置的脫水槽。 前述反應槽4如同圖6到圖8所示,具備有:有底桶狀 22 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 的槽本體25、閉塞住該本體26的開口部分的蓋體6、保持 該蓋體6的閉塞狀態的夾環2 7,該等部分都是由厚重的不 鏽鋼所構成’其周圍則有氯乙嫌、硬橡膠圍繞而將其絕緣。 在前述槽本體25上部外周圍面上設置有直徑縮小狀的 夾片部28,在該夾片部28中高部周圍面上形成多個舌片 狀的夾爪2 9。 該夾環27以可轉動的安裝在前述夾片部28上,其內周 圍面的中咼部分上形成有可以和前述夾爪29配合的環狀 停止部3 0,該停止部上下形成有環狀的溝槽3 1、3 2。 其中’前述夾爪29繫合於前述環狀溝31,而在該環狀 溝31正下方形成多數個舌片狀的夾爪33,而該夾爪33可 以和前述夾爪29繋合。 後述蓋體6的夾爪則和前述環狀溝3 2繫合,在前述環狀 溝32正上方形成多數個舌片狀的夾爪34,而該夾爪34可 以和前述蓋體6的夾爪繫合。 前述蓋體6形成爲大小多段的圓板狀,其最大直徑部分 周圍面上形成多個夾爪35,該夾爪35可和前述夾爪34繫 合或是分離,使得蓋體6能夠裝卸。 前述蓋體6下部突出設置有可和前述反應槽4的腔室3 6 嵌合的略圓形板狀突起部3 7,在該突起部3 7周面形成多 個螺絲孔3 8,將螺栓3 9或是螺絲釘旋入該螺絲孔3 8內, 而可裝卸的將該被處理物收納容器5安裝。 在前述蓋體6的中央部分和其兩側,設置孔徑大小不同 的貫穿孔40、41,其中在中央部的貫穿孔40中插入攪拌 23 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045.doc 200300464 軸42,在該攪拌軸42下端部安裝風扇43,而該攪泮軸42 的上端部設置有馬達44。 此外,在孔徑較大的前述貫穿孔4 1、4 1中也插入相同的 電極棒4 5、4 6,對該等施加正電位和負電位。 其中,施加正電位的電極棒4 5下端部上,安裝碳等導電 構件4 7的一端,另一端對攪拌軸4 2的周面安裝的電極管 48以可通電的連接。 前述電極管48係以碳、鐵(Ferrite)等不溶性電極材料所 構成,即使浸泡在電解溶液中,並且被放在電場中也不會 溶解出來。 此外,施加負電位的電極棒4 6的下端部,安裝有碳等的 導電構件(省略圖示),另一端則和上述被處理物收納容器 5的上端部可通電的連接。 圖中,元件符號49係爲構成被處理物收納容器5的導電 性外框,可以掛住或是夾住被處理物。元件符號5 0〜5 3 係爲在前述槽本體25外面開口的埠,連接於腔室3 6而將 所定的導管連接。 圖5顯示本發明裝置的槪要,圖中的元件符號54係爲將 超臨界或是亞臨界形成流體的二氧化碳液化後加以容納的 氣體筒,該二氧化碳經過開闔閥5 5和導管5 6,經由凝縮 回收槽1 7和後述的冷卻器,而可導入於加熱器57。 前述加熱器5 7具備加熱部和攪拌器,可將前述二氧化碳 加熱到可形成超臨界或是亞臨界狀態的溫度,將之經過導 管58和導入閥59即可供應給反應槽4。 24 31A 專利說明書(補件)\92·〇1\91 ] 33045.doc 200300464 前述反應槽4上,連接有連通第1和第2處理液槽7、8 的給液導管60、61,該給液導管60、61中插有給液閥62、 63。而且,第1和第2處理液槽7、8上裝備有加熱設備和 攪拌器。 在前述反應槽4上部,連接有通於分離槽1 4的氣體回收 管64,該管64中插設有氣體回收閥65和調壓閥66。 前述氣體回收閥65,可在脫脂洗淨過程和乾燥過程之際 打開,而可在酸洗淨過程和電鍍處理過程時關閉。 此外,前述調壓閥6 6,可以將該調壓閥6 6下游側的管 路,也就是處理氣體導管的壓力降壓,而在實施形態中設 定爲‘6MPa。 另一方面,在處理液回收槽1 1底部連接有通往外部的排 出管67,該管中介插有排出閥68,而前述排出管67的上 游側連接有處理液回收管69。 前述處理液回收管69經由精製部連通於第1和第2處理 液槽7、8,該處理液回收管69中插入有調壓閥70和遮斷 閥7 1,可以前述調壓閥7 0將處理液壓力調整爲接近1大 氣壓力。 在前述處理液回收槽1 1的上部連接有分流管7 2的一 端,該管72的另一端連接於前述氣體回收管64的前述氣 體回收閥6 5的上游側,該管7 2中插入有兼具防止逆流作 用的遮斷閥7 3。 前述遮斷閥7 3,在排出於前述處理液回收槽1 1的酸洗 淨溶液和電鍍液的處理過程中,將分離的二氧化碳導向分 25 專利說明書(補件)\92-〇l\91133045.doc 200300464 流管7 2,而可將之移動到氣體回收管6 4。 圖中,元件符號7 4、7 5、7 6爲設於反應槽4、處理液回 收槽1 1和分離槽1 4的加熱器。 前述氣體回收管64中插入有分離槽14和反應器78,該 配置於分離槽1 4的下游側。 前述反應器7 8,係在略成桶狀的容器中藏有以鉻和鋁爲 基體組成的觸媒,使得處理氣體經過該觸媒而接觸,在反 應槽4中的酸洗淨和電鍍處理過程中所產生的氧氣和氫氣 燃燒而成爲水,在消除氫氣和氧氣的同時,也可將前述所 產生的水吸收於前述脫水裝置24、24。 前述脫水裝置24、24的下游側連接有迴轉管79的一端, 另一端經過凝縮回收槽入口閥8 0而連接於凝縮回收槽 17,可將尙未適用或是再度發生的二氧化碳冷卻液化。 前述凝縮回收槽1 7的出口連接注入管8 1的一端,另一 端連接前述導管5 6的中游部。前述注入管8 1中插入冷卻 器82和加壓幫浦1 6,可將從前述凝縮回收槽1 7流出的氣 體液體混合的二氧化碳確實的液化,並可將之加壓後供應 給加熱器5 7。 . 圖中,元件符號8 3爲插入前述注入管8 1上游側的凝縮 回收槽出口閥,84爲配管於冷卻器82的冷媒導管,將前 述冷凍機1 8和凝縮回收槽1 7連接而和冷媒導管Π 5並列 插入。元件符號8 5爲插入於前述反應器7 8和脫水裝置2 4 之間的調壓閥,而可將比該閥7 7更下游側的管路設定爲低 壓0 26 3】2\專利說明書(補件)\92-0〗\91133045 .doc 200300464 如此構成的被處理物之表面處理裝置,如同後述的電鍍 前處理,也就是脫脂、酸洗淨、乾燥等各處理、電鍍處理、 電鍍後處理,也就是被處理物4的回收、乾燥等多步驟, 都可以一個單一的反應槽4來進行,故和現行技術各處理 都需要專用槽的電鍍處理方法設備相比較,構成簡單而且 設備更不佔空間,能夠減少設備費用。 而且,事實上廢除了暫時收容使用後的二氧化碳和處理 液的儲存槽,故這部分的設備體積也減少而減少成本,而 且處理液等的再生和循環也可迅速的進行。 此·外,本發明的表面處理裝置,由前述脫脂、酸洗淨、 洗淨、乾燥、電鍍處理等各作業中所排出的各種排出物, 也就是二氧化碳和酸洗淨溶液、包含介面活性劑的電鍍 液’都可將氣體和液體分開排出於處理液回收槽1 1和分離 槽1 4,而在將其再生的同時,也不將之排出於系統外,故 不需要現行技術的昂貴且大型的排水排氣處理設備。 並且,使用後的酸洗淨溶液和電鍍液等不排除於系統 外,而將之加以再生使用,故能減少材料消耗到最低限度, 減低電鍍成本。 甚而,前述各處理因爲利用具有良好擴散性的超臨界或 是亞臨界二氧化碳來進行,故和現行的將被處理物浸泡在 電鍍液中的電鍍法相比較,只需要極少的酸溶液和電解質 溶液的使用量即足夠,從而可以節省該等的使用量並且使 得排出處理設備更爲小型輕量化,和前述效果相乘更加提 昇生產性。 27 312\專利說明書(補件)\92-0〗\9 ] 133045 .doc 200300464 另一方面’本發明裝置,再被電鍍物的脫脂洗淨步驟和 乾燥步驟和再生步驟(包含供應離子)時,由導管5 8、氣 體導管64、連通管77、迴轉管79、注入管81而形成封閉 迴路,以該等設備將尙未使用以及再生的二氧化碳加以循 環使用’故前述脫脂洗淨以及乾燥過程、和該再生步驟等 都可短時間並且合理迅速的進行,提昇生產性。 而且,反應槽4如同後述,脫脂洗淨步驟、酸洗淨步驟' 乾燥步驟、電鍍處理步驟等各步驟,尤其是電鍍處理前的 各步驟結束之前,反應槽4都是密閉的,並且超臨界或是 亞臨界流體循環,可以避免被鍍物和大氣尤其是和氧氣接 觸,故被鍍物表面的活性化處理可以確實並且高度精密的 進行,而該表面的金屬離子的析出也能確實進行。 因此,可以確實實現對被鍍物的多層電鍍。 此外’本發明裝置,以氣體導管64、連通管77、迴轉管 7 9、注入管8 1形成封閉迴路,使得尙未使用以及再生的二 氧化碳能夠循環,故前述脫脂洗淨以及乾燥過程、和該再 生步驟等都可短時間並且合理迅速的進行,提昇生產性。 並且’本發明裝置,在被鍍物的酸洗淨步驟、電鍍步驟 時,以第1和第2處理液槽7、8、導管60、61、處理液排 出管1 2等形成封閉迴路,來供應該等並未使用以及再生酸 洗淨液、電鍍液等,故前述酸洗淨步驟以及電鍍步驟、和 該再生步驟等都可合理並且迅速的進行,除了能提昇生產 性之外’還能更有效運用前述溶液。 另一方面,本發明裝置需要三個耐壓的處理槽4、11、 28 31:2\專利說明書(補件)\92-〇1\91133045.doc 200300464 1 4 °其中,處理液回收槽n和分離槽1 4爲大致相同大小 而能開闔構成密閉,具有能適當加熱的設備。 此外’反應槽4,如圖6所示具有槽本體2 5和蓋體6和 夾環27,該夾環27可經由適當的(並未圖示的)激勵器 而加以轉動。 前述該蓋體6經由適當的(並未圖示的)激勵器而能上 下移動,此外安裝和馬達44連動的攪拌軸42、正負電極 的電極棒4 5、4 6、和被處理物收納容器5,將前述一端的 陽極側的電極棒4 5連接於導電構件4 7的一端,將另一端 連接於安裝在攪拌軸4 2外周面上的電極管4 8上。 如此,該等和蓋體6即可安裝爲一體,如同後述可使得 來自腔室3 6的進出都能輕易並且迅速的進行,同時,將該 等從反應槽4取出即可輕易進行該等和反應槽4的維修。 使用如此的被處理物表面處理裝置進行電鍍的時候’再 被處理物收納容器5的框體49的內側,可以經由直接或是 適當的夾具,來安裝作爲被處理物的被鍍物。 接著,將前述被處理物收納容器5上端部的周圍邊緣’ 經由螺栓39而安裝在事先從槽本體25取下的蓋體6的突 起部37周面上。 此時,在被處理物收納容器5中央,將攪拌軸42和其周 面的電極管48定位,而另一方面在電極棒45的下端安裝 導電構件47的另一端,將該另一端和前述電極管48作電 氣性連接。 如此,將被鍍物安裝於被處理物收納容器5後’以激勵 29 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 200300464 器將該等吊起移動到槽本體25的正上方,再吊下將被 物收納容器5等收納於腔室3 6內,同時將蓋體6載放 本體25的開口端部上。 前述槽本體25開口部分外周上事先裝著夾環27, 環2 7的多數個夾爪3 4之間,嵌合住蓋體6的多個夾;1 然後,將夾環27經由(並未圖示的)激勵器而向關 方向壓下旋轉,在前述夾爪34、35的上下位置繫合的 上,將定位栓插入夾環27和蓋體6內,將之栓鎖住 在如此的情況下將收納於前述反應槽4的被鍍物脫 淨的時候,凝縮回收槽入口閥80、83、導入閥59、氣 收閥6 5、處理液排出閥1 3、遮斷閥7 3都分別是在活 啓狀態,而將調壓閥66設定爲階段性的低壓,而將開 5 5的活閥打開。 如此一來,塡充於氣體筒54內的液化二氧化碳即可 汽化,該汽化後的二氧化碳導向於導管56而向凝縮回 1 7移動,在該凝縮回收槽1 7中冷卻液化而成爲氣體 混合狀態。 前述二氧化碳,從凝縮回收槽1 7經過注入管8 1而 冷卻器8 2,在該冷卻器8 2中更被冷卻液化而全部都 液化。 前述液化後的二氧化碳,導向加壓幫浦1 6而被加壓 槪lOMPa、密度0.4以上,而且被加熱裝置57加熱爲 5 0 °C,到達超臨界或是亞臨界狀態,在此狀態下經由 5 8而流入反應槽4內。 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 處理 於槽 該夾 ‘35。 閉的 位置 脂洗 體回 閥開 闔閥 噴出 收槽 液體 導向 成爲 成大 大槪 導管 30 200300464 前述二氧化碳流入反應槽4之後稍微減壓,其中一部分 從反應槽4經由回收管64而流入分離槽1 4,在將該槽1 4 昇壓的同時,也從該槽14經由反應器7 8和脫水裝置24 而移動到迴轉管79,將該等管路昇壓。 此外,前述二氧化碳的一部分,從反應槽4經由處理液 排出管1 2而流入處理液回收槽1 1,在將該槽1 1昇壓的同 時,導向分流管72而和前述氣體回收管64匯合,將該等 管路昇壓。 此後,更將從導入管5 8加壓並且加熱過的二氧化碳供應 給反應槽4,使得反應槽4和其周邊管路到達超臨界狀態。 也就是說,反應槽4、氣體回收管64的上游側端部、處 理液排出管1 2、處理液回收槽1 1、分流管7 2處於系統中 最高溫且最高壓(大約lOMPa、50°C )的超臨界狀態下。 此外,調壓閥66、85之間的氣體回收管64、分離槽14、 反應器7 8則處於系統內第2高溫和第2高壓狀態(大約 6MPa、22°C )的亞臨界狀態,而比調壓閥85更下游側的 脫水裝置24、迴轉管79,則處在系統內最低壓且最低溫的 亞臨界狀態以下的狀態下。 在如此的狀況下將馬達44驅動,使得和該驅動軸連動的 攪拌軸4 2旋轉而轉動風扇4 3,攪拌反應槽4內的超臨界 二氧化碳,同時也將反應槽4和處理液回收槽Π和分離槽 14的各加熱器74〜76加熱。 如此,使得超臨界二氧化碳在反應槽4內循環擴散,接 觸該槽4內的前述被鍍物,故可快速並且效率良好的將該 31 3 ] 2\ 專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 200300464 被鍍物、陽極側的電極棒45下端部、導電構件47、電極 管4 8、以及陰極側的電極棒4 6下端部等所附著的油脂成 分、水分、異物等都加以洗淨。 而且,因爲廢除了現行的乳濁液洗淨之類的水和溶液的 使用,故可促進被鍍物等的後述乾燥。 如此的本發明,因爲以超臨界二氧化碳來進行被處理物 4的脫脂洗淨,故和被處理物浸泡在脫脂液中的現行方法 相比較,免除去有害脫脂劑的使用、改善作業環境、並且 能安全迅速且輕易的進行,同時,因爲在反應槽4內進行 脫脂洗淨,故不需要現行的專用脫脂槽,這部分的設備費 用也可減少。 而且,以前述脫脂洗淨所除去的油脂部分,被移動於氣 體回收管64內的處理氣體,也就是超臨界或是亞臨界二氧 化碳所搬運,移動到分離槽14,在該槽14內加熱而被回 收。 前述回收後、前述處理氣體被導向反應器78,接觸內藏 於該反應器7 8內的金屬觸媒,使得處理氣體中的氧氣和氫 氣燃燒,可除去該等元素,同時產生水。 其後,前述處理氣體,在調壓閥8 5被減壓而移動到脫水 裝置24,在該脫水裝置24吸收前述所產生的水分而再生, 該再生的氣體則向迴轉管7 9下游側移動。 前述處理氣體,向迴轉管7 9的下游側終端部移動後,導 向凝縮回收槽1 7,於該凝縮回收槽1 7冷卻液化,又在冷 卻器8 2再度冷卻液化,使得全部都被液化後,以加壓幫浦 32 312\ 專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 1 6加壓,並且以加熱器5 7加熱後收容於反應槽4內,恢 復超臨界狀態。 如此一來前述脫脂洗淨’因爲在系統內進行二氧化碳的 循環,故和超臨界二氧化碳被封閉在反應槽4內的情形相 比較,可以乾淨的二氧化碳來進行脫脂洗淨,使得脫脂洗 淨更能高度精確地進行。 此外,前述二氧化碳,在系統內循環再生時,進行脫脂 洗淨和污染物分離後重新再生,因此可以更有效的利用。 而且,在此期間,完全不將二氧化碳排出於系統外,故 二氧化碳的消耗和消費都極爲稀少,只需要從氣體筒54 補充所消耗的份量即可。 另外,也可在反應槽4的超臨界狀態形成後,關閉處理 液排出閥1 3的活閥而進行脫脂洗淨。 如此在所定時間的脫脂洗淨後,結束該作業,進行下次 酸洗淨。 在該酸洗淨之際,反應槽4的密閉狀態、被處理物收納 容器5的收納狀態、被鍍物的收納狀態等都維持原狀,在 該狀況下,例如可以暫時停止加壓幫浦1 6和馬達44的驅 動,將凝縮回收槽入口閥8 0、8 1、導入閥5 9、處理液排出 閥13、氣體回收閥65等關閉。 換句話說,將反應槽4和周圍的管路全部隔絕,而用打 開酸洗淨溶液收納箱1 5的開闔閥(圖示省略)來代替,將 該送液幫浦(省略圖示)驅動,將加溫後的酸洗淨溶液供 應給反應槽4。 33 312\專利說明書(補件)\92·01 \91 ] 33〇45.doc 200300464 在此情形中,反應槽4維持在高壓下,但是因爲酸洗淨 溶液的密度比內部二氧化碳的密度大,故可以輕易將前述 酸洗淨溶液送入反應槽4。 而且,前述反應槽4,和前述脫脂洗淨時相同的密閉而 維持在高壓狀態下,加熱器加熱而維持超臨界狀態。 在如此的狀況下驅動馬達44,將酸溶液攪拌的話,超臨 界二氧化碳就能快速擴散而接觸被鍍物表面,除去被鍍物 表面的氧化被膜,使得表面被活性化。 在此情形,在酸溶液中添加適當的介面活性劑使其成乳 濁狀的話,可以更均勻而且效率良好的除去氧化被膜,而 提昇酸洗淨的效率。 如此這般前述酸洗淨,維持反應槽4內的密閉狀態,藉 此即可不需要供應新的二氧化碳,而能利用脫脂洗淨時的 超臨界狀態’合理並且效率極佳的進行。 然後,在所定時間的酸洗淨之後,將處理液排出閥1 3 和氣體回收閥65的活閥打開。 如此一來反應槽4即可減壓,內部的超臨界二氧化碳即 可汽化,在反應槽4內二氧化碳和酸洗淨液成爲兩層狀態。 其中,密度較低的二氧化碳流出於氣體回收管64側,而 密度較大的使用後的酸洗淨液,和氧化被膜一起導向處理 液排出管1 2,流下於處理液回收槽1 1。 該情形中,處理液回收槽1 1位於反應槽4正下方位置, 前述酸洗淨液因爲是依重力落下,故加上前述噴出速度而 能夠迅速移動到處理液回收槽1 1,防止殘留在反應槽4內 34 312\專利說明書(補件)\92-01 \9】133045 .doc 200300464 的可能。 此外,處理液回收槽1 1經過分流管72而連通於氣體回 收管64,故可吸收前述酸洗淨液的流入壓力而產生緩衝。 另一方面,前述處理液回收槽1 1,在前述酸洗淨液排出 時間前後以加熱器75加熱,以此加熱而將酸洗淨液、和混 入在該液體內的二氧化碳分離,該分離後的二氧化碳被押 出於分流管72,朝向氣體回收管64移動。 前述除去後的氧化被膜,將排出閥6 8打開而排出於外 部,氧化被膜除去後的酸洗淨液,經由調壓閥70而使得管 內壓力降到大致1大氣壓,將遮斷閥7 1打開送入到(圖示 省略的)精製部,精製後的酸洗淨液流下到酸洗淨溶液收 納箱1 5或是其回收筒中。 如此本發明,因爲在超臨界狀態下除去被鍍物的氧化被 膜,故和被鍍物浸泡在酸洗淨液內的現行酸洗淨法相比 較,可以減少酸洗淨液體的使用量,迅速並且輕易的進行, 同時因爲在反應槽4內進行酸洗淨,故不需要現行的專用 酸洗淨槽,這部分的設備費用也可減輕。 在此情形下,在避免反應槽4、處理液排出管丨2、處理 液回收槽1 1、給液導管60、6 1附著酸洗淨液的時候,在 前述酸洗淨溶液收納箱1 5設置水箱部,經由前述送液幫浦 9、1 0和給液導管6 0、61,將水供應給反應槽4,用流下 到處理液回收槽1 1的水來淸洗的話,即可獲得所希望的目 的。 而且,在前述酸洗淨時,因爲將反應槽4和周圍管路隔 35 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045.doc 200300464 開進行,故可以防止酸洗淨液流出系統內,尤其是可防止 流入氣體回收管6 4、迴轉管7 9側,而能防止被酸洗淨液 腐蝕。 如此,在將酸洗淨液精製而送回前述酸洗淨溶液收納箱 1 5時,可使被鍍物乾燥。 該情形時,在前述脫脂洗淨後,將凝縮回收槽入口閥 8 0、8 1、導入閥5 9、氣體回收閥6 5打開,並且以加壓幫 浦1 6加以驅動,將加壓二氧化碳供應或是補充給反應槽4 內,維持反應槽4內的超臨界狀態,同時,也使前述二氧 化碳在系統內循環移動。 如此,超臨界二氧化碳和被鍍物、電極管4 8、被處理物 收納容器5、導電構件47上所附著的水分接觸,快速並且 精密的將之擴散乾燥。此情形下,前述水分以二氧化碳來 搬運,而以脫水裝置24來除去,維持二氧化碳的乾燥效率。 如此前述乾燥,將超臨界二氧化碳導入反應槽4,並且 迅速將之擴散排出’因爲在系統內循環,故和反應槽4隔 絕於系統外的乾燥情形相比較,水分能夠更有效而迅速的 •運送而能快速乾燥。 如此在使被鍍物乾燥後’暫時中止加壓幫浦16和馬達 44的驅動,將凝縮回收槽入口閥80、81、處理液排出閥 1 3、氣體回收閥65等活閥關閉,以驅動第」或是第2處理 液槽7、8的送液幫浦9、10來取代,將所定的電鍍液供應 給反應槽4。此情形,要先在前述電鍍液內添加適當的介 面活性劑。 312\ 專利說明書(補件)\92-01 \9113 3045 .doc 36 200300464 在如此的狀況下將凝縮回收槽入口閥80、8 1、導入閥59 的活閥打開,再度驅動加壓幫浦1 6,將系統內的二氧化碳 加壓並且加熱而供應給反應槽4內,在使反應槽4內形成 維持在超臨界狀態時,將導入閥5 9關閉,使得反應槽4 和系統內隔離。在此時前後驅動馬達44,轉動攪拌軸42 來攪拌超臨界二氧化碳和電鍍液。 如此動作,可使超臨界二氧化碳在反應槽4快速擴散, 使得前述電鍍液和介面活性劑急速混合而乳濁化,電鍍液 的細微粒子在反應槽4內高密度擴散,接觸於被鍍物表面。 在此狀況下將連接於電極棒4 5、4 6的(並未圖示的)電 源用開關打開爲ON,使得陽極側的電極管48和陰極側的 被處理物收納容器5通電,即可使電鍍液中的純鎳離子析 出於被鍍物表面。 此際,用前述風扇4 3的旋轉,攪拌前述乳濁物質,使得 前述電解鎳離子能平均的分布,而能使該離子細密的附著 於被鍍物表面。 在此情形,電極管4 8的陽極位於反應槽4的中央位置, 陰極的被處理物收納容器5和被鍍物位於反應槽4內的外 周部位置,因爲對該正負電極施加相同大小的電位,故產 生直線狀的電力線,從電極管4 8朝向被處理物收納容器5 和被鍍物,形成爲放射狀。此狀況爲圖7所示。 此情形中,被處理物收納容器5位於電極管4 8的同心圓 位置上,因爲被鍍物安裝在該被處理物收納容器5上,故 所有的被鍍物都處於同電位下。 37 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 200300464 從而,在被鍍物都相同的情形下,對於該被鍍物可以得 到大致相同的電流密度,而獲得均勻的電鍍狀態。因此和 現行方法將一對電極分別配置於電鍍槽中的電鍍方法相比 較,能獲得更均勻的電鍍狀態。 而且,因爲反應槽4和被處理物收納容器5的圓形剖面 上,該等都成同心圓狀配置,故可將多個被鍍物更有效率 的配置在等距離位置,不但能提昇電鍍的量產能力和生產 性,更能以風扇43使電鍍液和超臨界二氧化碳獲得良好的 攪拌效果,而能得均勻的離子分布而使得電鍍更均勻而品 質優良。 更且,前述電解鎳離子的電解,因爲在超臨界狀態下進 行析出和附著,故能迅速使電解鎳離子擴散於反應槽4 內,並且高密度而均勻的分布,附著於被鍍物的表面和背 面。 從而,相較於在電解質溶液中使得陽極物質電解析出、 附著的現行電鍍法,更能使得電鍍的附著品質非常優良, 在被鍍物的表面和背面都能獲得均勻而且細緻的電鍍狀 態,而獲得優良的電鍍表面。 因此,不需要如同現行電鍍法,將被鍍物的表面和背面 分別進行電鍍的麻煩手續,這部分的生產性也得以提昇, 而且,在被鍍物的形狀複雜的情形,也不需要輔助電極而 能夠輕易對應。 而且,因爲電極管4 8係由不溶性材料構成,即使放置於 電解液或是電場中也不會溶出,故不會如同以往一般消耗 38 312\ 專利說明書(補件)\92·01\91133045.doc 200300464 電極也不需要麻煩的更換手續。 此外,在前述電鍍時,因爲在反應槽4和周圍管路隔絕 的狀態下進行,故可防止電鍍液流出於系統內、尤其是流 出於氣體回收管64、迴轉管79側,故能防止因電鍍液所 造成的腐蝕。 如此在前述電鍍步驟結束後,關閉電極施加開關成爲 OFF,停止風扇43動作,將處理液排出閥13、氣體回收閥 65、導入閥59、凝縮回收槽入口閥80、81活閥打開。 如此一來,反應槽4壓力減低,超臨界二氧化碳被減壓 而急速汽化或是液化,即形成電鍍液和介面活性劑的兩層 狀態。 其中,密度比較小的二氧化碳被押出於氣體回收管64, 密度較大的電鍍液和介面活性劑被押出於處理液排出管 1 2,而流下於處理液回收槽1 1。 前述處理液回收槽1 1,在前述電鍍液排出之前後,以加 熱器7 5加熱,以該加熱而使得電鑛液和混入該液的二氧化 碳分離,分離後的二氧化碳被押出於分流管7 2,而移動到 氣體回收管64。 此外,電鍍液和介面活性劑,經由調壓閥70而降壓成爲 大約1氣壓後移動到(並未圖示的)精製部,將之精製後 流下於第1或是第2處理液槽7、8。 如此該實施形態,將使用後的電鍍液和介面活性劑歸還 於第1或是第2處理液槽7、8而能再度加以利用。 如此在被鍍物等電鍍以後,將之乾燥。 39 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045 .doc 200300464 在該情形中,繼續進行前述加壓幫浦1 6的運轉,將超臨 界二氧化碳供應或是補充給反應槽4內,和附著於被鍍 物、電極管4 8、被處理物收納容器5、導電構件4 7等上的 電鍍液等接觸,將之快速擴散而押出於氣體回收管64。 如此前述乾燥,將超臨界二氧化碳導入反應槽4,將之 迅速擴散排出,因爲在系統內循環,故能更有效的搬運水 分而迅速的乾燥。在此情形,被二氧化碳運送的水分在脫 水裝置2 4內被除去,而能維持乾燥效率。 如此在將被鍍物乾燥後,將被鍍物從反應槽4取出。此 情形時,將加壓幫浦1 6和馬達44停止,關閉導入閥5 9、 氣體回收閥65、處理液排出閥1 3。 然後,將(並未圖示的)定位栓拔除,經由激勵器將夾 環27打開轉動,解除該夾環27的夾爪34和蓋體6的夾爪 3 5的繫合狀態,該狀態即以圖8顯示。 此後,經由激勵器將蓋體6吊起,將被處理物收納容器 5、被鍍物、電極棒45、46、攪拌軸42、電極管48、導電 構件47等從反應槽4中整個取出。此狀況則以圖3顯示。 此後,將螺栓3 9取下,將被處理物收納容器5從蓋體6 取下,再將內部的被鍍物取下,即可結束一連串的電鍍作 業。 附帶說明,前述實施形態中,係以超臨界或是亞臨界流 體來作爲係經脫脂、電氣化學反應以及乾燥媒體,但是實 際並不限於此,只要是大氣壓力以上的加壓流體,例如二 氧化碳等都可使用,以如此的處理,形成超臨界或是亞臨 40 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 界狀態所需要的耐壓性處理槽4、1 1、1 4、耐壓性管路、 加熱和加壓設備等都不需要,因此能更廉價的製作,同時 能更輕易而且安全的進行,是其優點。 此外,前述實施形態中係以單一的反應槽4來處理一連 串的步驟,不過若裝備多個如此的反應槽4,在該等反應 槽4中依序獨立處理各步驟,同時在其前後在進行處理步 驟的反應槽4、4之間,在前行側的反應槽4中所使用的超 臨界二氧化碳、酸溶液、電鍍液、介面活性劑等,在該步 驟結束後,即可供應給隨後進行的反應槽4,如此有效的 利用來進行電氣化學處理,提昇量產化的效率亦可。 另外,在將被鍍物多層電鍍,也就是進行所謂的多層電 鍍的時候,不需要和現行電鍍一般,在每次電鍍處理結束 後將被鍍物從反應槽中取出,將之移動於各槽之間的前處 理等麻煩手續都可省略,如此即可提昇生產性,同時可以 防止因爲二氧化碳放出而造成的消耗損失。 而且,現行技術中在將被鍍物從反應槽中取出之際,和 外氣接觸的不安,也可因此消除,故被處理物表面的活性 處理表面更能切實而安全的維持,有和前述相乘的電鍍有 效優點。 圖1 0到圖1 5係表示本發明其他實施形態,在和前述構 成相對應的構成部分,使用相同的元件符號。 其中,圖1 0顯示本發明第2實施形態,該實施形態,只 要操作整流器2 0單純的切換電極棒4 5、4 6的極性即可實 現。 41 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 如此即使改變電極棒4 5、4 6的極性,也不會從電極管 4 8放出金屬離子,因爲只有在被處理物收納容器5之間形 成電場的功能,對於該等電氣化學反應並無不良影響,而 能容許電極的選擇和變更,可獲得合理的使用和作業。 而且,此際的電力線,係從被處理物收納容器5朝向內 側的電極管4 8形成放射狀,可以獲得和前述相同的作用效 果。 圖1 1所示係本發明第3實施形態,該實施形態,設置相 互形狀相似的多個被處理物收納容器5、5 a、5 b,以電極 管4 8爲圓心將該等配置在等距離上成爲同心圓狀,並且該 相鄰的電極管4 8和被處理物收納容器5、5 a以及成一對的 被處理物收納容器5、5b,施加同電位,經由配置於腔室 36中的多個被處理物收納容器5、5a、5b,即可達到電鍍 的量產化和構造簡單化的目的。 在此情形中,被處理物收納容器5、5 a、5 b都成同心圓 配置,不過也可適應於兩者平行相對配置的現行電鍍法、 或是剖面略成矩形的反應槽。 圖1 2顯示本發明第4實施形態,該實施形態,可將被處 理物收納容器5縱向切割形成二個,該等基端部經由合頁 87以可轉動的方式連接,並且其他端部以適當的夾具連 接,可以輕易的從前述容器5將被鍍物取出收入。 附帶說明,如前述實施形態般將電解後的電極物質析出 附著於另一電極物質上的方法,也可以使用於原理上相同 的電鑄和陽極氧化被膜形成法,而可達到和前述相同的效 312\ 專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 42 200300464 果。 而且,在反應槽內收容電解物質和電極物質,另 將電極物質電解,而在另一方的電極物質側來收集 法中也可使用,如此,即可使用於例如金屬的電解 電解抽出、電解硏磨等,而可得到相同的效果。 此外,在可收容電解物質的反應槽中,收容被處 將包含於電解質溶液內的電解物質,析出附著於前 理物上,對於不施加外部電場的非電解電鍍、化成虔 也都可以使用本發明,如此即可獲得如上述的效果 圖1 3到圖1 5所示爲本發明第5實施形態。該實5 利用超臨界或是亞臨界流體的電氣化學處理法的 (鍍鎳)。 換句話說,設置於作業室內的處理裝置1,具備 表面處理流體的組成成分之超臨界或是亞臨界形成 二氧化碳液化後收容於內的氣體筒54,經由開闔閥 管5 6、凝縮回收槽1 7和後述的冷卻器,而可將該 碳導入於加熱器57。 前述加熱器5 7具備加熱部和攪拌器,將前述二氧 熱到可形成超臨界或是亞臨界狀態的溫度,而可將 於連通導管56的分流管88〜90。 前述分流管88〜90,經由控制閥91〜93而連接 室94〜96,可將超臨界或是亞臨界狀態的二氧化碳 腔室9 4〜9 6。 前述控制閥9 1〜9 3 —般都是關閉的,其活閥打開 312\ 專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 一方面 的電解 精製、 理物, 述被處 I理法, 〇 £形態, 電鍍法 將作爲 流體的 55、導 二氧化 化碳加 之導入 於各腔 導入於 的時期 43 200300464 和時間都以程式控制。其中,控制閥9 1係可在被處理物的 脫脂洗淨步驟之前開啓’而控制閥9 2係可在被處理物的酸 洗淨步驟之前開啓,控制閥93係可在被處理物的電鍍步驟 之前開啓° 前述腔室94〜96構成爲耐壓型的分散室或是攪拌室,其 中94中只導入前述狀態的二氧化碳,而腔室95上連接有 連通於酸洗淨溶液收納箱15的導管97。 前述導管97中插入有送液幫浦98和給液閥99,可同時 將前述狀態的二氧化碳和酸洗淨液導入。 並且前述腔室96上,連接有導管100可以連通收容不同 電解質溶液的第1或是第2處理液槽7、8,可同時導入前 述狀態的二氧化碳和所定的電解質溶液。 前述腔室94〜96分別連接有一對噴出管1〇1〜1〇3’另 一端連接於反應槽4的上下位置。前述噴出管1 〇 1〜1 〇3的 另一端部側插入有攪拌室1 04〜1 06,其內部設置有風扇等 適當的攪拌器1 07,將導入室內的同種類或是不同種類的 表面處理流體加以攪拌或是分散,而可從反應槽4上下將 之大略同量而同速度的噴出。 前述反應槽4以小型輕量的耐壓容器所構成’其以有底 的桶狀槽本體1 08和其蓋體1 〇9所構成,該等結合的部分 係以空氣密閉而能自由開闔的方式裝著。 前述反應槽4在實施形態中係形成爲外部直徑大約3 〇 c m 的圓桶狀,而能夠搬動的構成。 在前述槽本體108和蓋體1〇9內面,安裝一對圓板狀的 44 312\專利說明書(補件)\92_〇1\91133〇45 d〇c 200300464 電極,在本實施形態中係以碳或是白金製的陽極1 1 〇上下 相對安裝,在電鍍之際,可以對其等施加所定的正電壓。 其中上側的陽極1 1 0,係構成爲可和蓋體1 09 —同處置。 前述陽極1 1 0係構成爲多孔構件或是多孔狀或是網狀, 可讓前述噴出管101〜103所噴出或是分散或是攪拌的流 體透過。 圖中,元件符號1 1 1爲構成設置於陽極1 1 0、1 1 0的陰極 的被處理物,安裝於適當的(並未圖示的)夾具,1 1 2爲 捲在反應槽4周面的加熱器。 前述反應槽4的側面連接有一對出口管1 2、64,其中一 出口管1 2連接於作分離槽的耐壓型處理液回收槽1 1,另 一出口管64則連接於分離槽1 4。 其中,前述處理液回收槽1 1配置於反應槽4下方,其周 圍捲有加熱器7 5,在反應槽4內處理後的處理液因重力作 用而流下,收容後,以加熱器7 5加熱,可使二氧化碳和處 理液分離。 前述處理液回收管69經由精製部而連通於第1和第2 處理液槽7、8,該管6 9插入調壓閥7 0和遮斷閥7 1,可以 前述調壓閥 7 0將處理液的壓力調整爲大致等於大氣壓 力。圖中,113、114爲插入前述出口管12、64的基端部 分的開闔閥。 如此構成的表面處理裝置的反應槽4,如同後述因爲不 在內部攪拌脫脂洗淨液、酸洗淨液、電解質溶液等,故可 以省略槽內部的攪拌空間和攪拌機器,這部分可使得反應 45 312\專利說明書(補件)\92-01 \9】133045.doc 200300464 槽4小型輕量化和簡潔的構成得以實現,可以輕易並且廉 價的製作。 接著,用該實施形態的表面處理裝置進行電鍍的時候’ 直接經過(圖示省略的)夾具或是適當的夾物來安裝被處 理物1 1 1,將之容納於槽本體1 〇 8,在該槽本體1 0 8上密閉 的裝著蓋體1 09,在此情況下首先將被處理物111脫脂洗 淨。 在此情形下,凝縮回收槽入口閥80、控制閥9 1、氣體回 收閥65、處理液排出閥102、遮斷閥73都分別開啓,而調 壓閥66、85則設定爲階段性的低壓,將開闔閥55開啓。 如此一來,塡充於氣體筒5 4內的液化二氧化碳流出而且 液化,該二氧化碳被導向導管5 6而移動到凝縮回收槽1 7, 在該凝縮回收槽1 7冷卻液化而成爲氣體液體分散狀態或 是攪拌狀態。前述二氧化碳,從凝縮回收槽1 7經過注入管 8 1而導向冷卻器8 2,在該冷卻器8 2更加冷卻液化,而全 部液化。 此後,前述二氧化碳,被導向加壓幫浦1 6而被加壓爲大 致10MPa密度0.4以上,又以加熱裝置57加熱爲大致50 °C,達到超臨界或是亞臨界狀態,在此狀態下從導管5 8 導向分流管88而流入腔室94。 前述超臨界或是亞臨界狀態的二氧化碳,在腔室94中相 同安定之後,分別由噴出管1(H、101導向攪拌室104、104, 在攪拌器107、107被攪拌而流入反應槽4。 換句話說,從前述反應槽4上下部,以相同的速度和大 46 312\ 專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 200300464 致相同的量將前述狀態的二氧化碳吹出,強烈的流量衝擊 接近的陽極11 〇、11 〇而成爲細微化並且被攪拌,透過該陽 極1 1 0、1 1 0後接觸於被處理物1 1 1的上下部,將附著於該 被處理物111的油脂和水分、異物等都快速精密的洗淨。 如此前述的脫脂洗淨,因爲將超臨界或是亞臨界狀態的 二氧化碳從被處理物1 11的上下部同時吹著,故能同時精 密且迅速的對被處理物1 11表面和背面進行脫脂洗淨。 而且,因爲係以超臨界二氧化碳進行被處理物111的脫 脂洗淨,故和被處理物浸泡在脫脂液中的現行方法相比 較,去除了有害脫脂劑的使用、改善作業環境、並且能安 全迅速且輕易的進行,同時,因爲在反應槽4內進行脫脂 洗淨,故不需要現行的專用脫脂槽,這部分的設備費用也 可減少。 另一方面,伴隨前述脫脂洗淨,一部分的二氧化碳,從 反應槽4經由出口管1 2而流入處理液回收槽1 1,在將該 槽1 1昇壓的同時,被導向於分流管72而流出於出口管64。 而且,以前述脫脂洗淨所除去的油脂部分等,和一部分 作爲處理氣體的二氧化碳一同從反應槽4的出口管64被導 向分離槽1 4,在該槽1 4內加熱而被回收。 前述回收後、前述處理氣體被導向反應器78,接觸內藏 於該反應器7 8內的金屬觸媒,使得處理氣體中的氧氣和氫 氣燃燒,可除去該等元素,同時產生水。 之後,前述處理氣體,在調壓閥8 5被減壓而移動到脫水 裝置24,在該脫水裝置24吸收前述所產生的水分而再生, 47 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045.doc 200300464 該再生的氣體則向迴轉管7 9下游側移動。 前述再生氣體,從迴轉管79的下游側終端部導向凝縮 收槽1 7,於該凝縮回收槽1 7冷卻液化,又在冷卻器8 2 度冷卻液化,使得全部都被液化後,以加壓幫浦1 6加壓 並且以加熱器5 7加熱後移動到分流管8 8,從腔室94經 噴出管101、101而導向反應槽4。 如此一來前述脫脂洗淨,因爲在系統內進行二氧化碳 循環,故和超臨界二氧化碳被封閉在反應槽4內的情形 比較,可以乾淨的二氧化碳來進行脫脂洗淨,使得脫脂 淨更能高度精確的進行。 此外,前述二氧化碳,在系統內循環時再生,除了可 有效的利用之外,其間完全不將二氧化碳排出於系統外 故二氧化碳的消耗和消費都極爲稀少,只需要從氣體筒 補充所消耗的份量即可。 另外,也可在反應槽4的超臨界狀態形成後,可關閉 理液排出閥1 3的活閥而進行脫脂洗淨。 如此在所定時間的脫脂洗淨後,結束該作業,進行下 酸洗淨。於該酸洗淨之際,反應槽4的密閉狀態和被處 物1 1 1的收容狀態都維持現狀,而處理液排出閥1 3和氣 回收閥65則關閉。 然後,關閉控制閥91,而打開控制閥92來取代,同 將酸洗淨溶液收納箱1 5的開合活閥打開,驅動該送液幫 98,以給液閥99將加溫後的酸洗淨液調整爲所定壓力, 經由導管97而導入腔室95。 312\ 專利說明書(補件)\92-01 \9 ] 133045 .doc 回 再 過 的 、相 洗 更 54 處 次 理 體 時 浦 再 48 200300464 如此一來,超臨界或是亞臨界狀態的二氧化碳’ 流管8 9而被導向腔室9 5,而前述酸洗淨液則導向丨 而流入腔室9 5,如此分散或是攪拌的流體以大致相 和相等的速度吹出, 強烈的流量衝擊附近的陽極Π 〇、1 1 〇而成爲細微 被攪拌,透過該陽極1 1 0、1 1 〇後接觸於被處理物1 該被處理物1 1 1的表面和背面都快速精密的進行酸 將附著於該被處理物表面氧化被膜除去,使得表面 化。 在此情形,在酸溶液中添加適當的介面活性劑使 濁狀的話,可以更均勻而且效率良好的除去氧化被 提昇酸洗淨的效率。 然後,在所定時間的酸洗淨之後,將處理液排出 和氣體回收閥65打開。如此即可使反應槽4減壓, 超臨界二氧化碳被汽化,在反應槽4內二氧化碳和 液形成二層狀態。 其中,密度較低的二氧化碳流出於出口管64,而 大的使用後的酸洗淨液,和氧化被膜一同導向出口 而流下於處理液回收槽1 1。 在本情形中,處理液回收槽1 1位於反應槽4正 置,前述酸洗淨液因爲是依重力落下,故加上前述 度而能夠迅速移動到處理液回收槽1 1,防止殘留在 4內的可能。 此外,處理液回收槽1 1經過分流管7 2而連通於 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 經由分 導管97 同的量 化並且 11,對 洗淨, 能活性 其成乳 膜,而 閥102 內部的 酸洗淨 密度較 管12, 下方位 噴出速 反應槽 出口管 49 200300464 6 4,故可吸收前述酸洗淨液的流入壓力而產生緩衝。 另一方面,前述處理液回收槽1 1,在前述酸洗淨液排出 時間前後以加熱器75加熱,以此加熱而將酸洗淨液、和混 入在該液體內的二氧化碳分離,該分離後的二氧化碳被押 出於分流管72,朝向出口管64移動。 前述除去後的氧化被膜,將排出閥68打開而排出於外 部,而使用後的酸洗淨液,經由處理液回收管6 9而使得管 內壓力降到大致1大氣壓,將遮斷閥7 1打開送入到(圖示 省略的)精製部,精製後的酸洗淨液流下到酸洗淨溶液收 納箱1 5或是其回收筒中。 如此在本實施形態中,將超臨界或是亞臨界狀態的二氧 化碳和酸洗淨液分散或是攪拌,將之同時從上下部吹著於 被處理物1 1 1上,故能將被處理物1 1 1的表面和背面的酸 洗淨一同精密並且迅速的進行。 此外,因爲是在超臨界狀態下除去被處理物的氧化被 膜,故和現行的將被處理物1 1 1浸泡在電鍍液中的電鍍法 相比較,可以減少酸洗淨液使用量,在迅速並且輕易進行 之外,因爲以反應槽4進行酸洗淨,故不需要現行的專用 酸洗淨槽,這部分的設備費用也可減少。 並且,前述酸洗淨時,將反應槽4和周邊管路隔離進行, 故可以防止酸洗淨液流出於系統內尤其是出口管64、迴轉 管79。 如此,在將酸洗淨液精製送回前述酸洗淨溶液收納箱1 5 時,將被處理物乾燥。 50 312\專利說明書(補件)\92-0]\9] 133045.doc 200300464 在此情形下,在前述脫脂洗淨後將原本關閉的氣體回收 閥65打開,將加壓後的二氧化碳經過分流管89、腔室95、 噴出管1 0 2而供應給反應槽4內,在維持形成反應槽4內 的超臨界或是亞臨界狀態同時,也使得前述二氧化碳在系 統內循環移動。 如此一來,超臨界或是亞臨界二氧化碳從被處理物m 上下吹出,和附著於被處理物1 1 1表面和背面的水分接 觸,將其快速而精密的擴散乾燥。 在此情形中,則述水分係由二氧化碳來搬運,在脫水裝 置2 4中除去,而促進二氧化碳的乾燥。 如此前述的乾燥,將超臨界或是亞臨界二氧化碳導入反 應槽4,將之迅速擴散排出,在系統內循環,故和從系統 和反應槽4隔絕乾燥的情形相比較,更能效率良好並且迅 速的搬送水分而迅速加以乾燥。 如此在將被處理物1 1 1乾燥後,關閉控制閥92,而打開 控制閥93代替,另外也將處理液排出閥1 3、氣體回收閥 65等關閉,將超臨界或是亞臨界狀態的二氧化碳經由分流 管90導向腔室96。 此外,驅動第1或是第2處理液槽7、8的送液幫浦9、 10,將所定的電解質溶液經過導管100而送入腔室96。 在此情形下,最好能在前述電解質溶液中添加適當的介 面活性劑。 如此,將超臨界或是亞臨界狀態的二氧化碳和電解質溶 液和介面活性劑在腔室96中分散或是攪拌,使其乳濁化而 51 312\專利說明書(補件)\92-01\9〗133045.doc 200300464 從噴出管103、103導向攪拌室106、106,以該攪拌器107、 1 攪拌後送入反應槽4。 換句話說,從前述反應槽4的上下部,將前述乳濁狀的 二氧化碳和電解質溶液和介面活性劑的分散或是攪拌流 體’以大略相等的量和等速度吹出,激烈的衝擊接近附近 的陽極1 1 0、1 1 〇而細微粒子化並被攪拌,透過該陽極1 1 〇、 1 1 0後精密而均勻的接觸於被處理物1 1 1。 然後,在反應槽4內維持形成超臨界或是亞臨界狀態的 乳濁狀態,將電解質溶液中的純鎳離子析出於被處理物 111表面。 在該情形中,因爲反應槽4如同前述比較小型,故電場 能相同的分布,而且經過各一對的噴出管1 03和陽極1 1 〇, 可使得電解質溶液和超臨界二氧化碳和介面活性劑攪拌效 果良好,獲得均勻的離子分布和離子供應,故金屬離子可 以和陰極也就是被處理物1 1 1 一樣析出,而獲得均勻而良 質的電鍍。 而且,反應槽4在圓形剖面上,圓板形的陽極1 1 0、1 1 〇 配置爲同心圓狀,故可更有效率的配置許多被處理物 111,而能提昇電鍍的量產性和生產性。 更且,前述電解鎳離子的電解、析出以及附著因爲都是 在超臨界狀態下進行,故電解鎳離子可迅速擴散於反應槽 4內,並且高密度而均勻的分布,附著在被處理物111的 表面和背面。 從而,相較於在電解質溶液中把陽極物質電解析出、附 52 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045.doc 200300464 著的現行電鍍法’電鍍的狀況可謂非常良好,而加上前述 理由而使得被處理物3 8的表面和背面都能有均勻而細緻 的鍍面狀態。 因此’不需要和現行電鍍法一樣,分開進行被處理物的 表面和背面電鍍的麻煩,這部分的生產性即可提高,而且 即使被處理物1 1 1的形狀複雜,也不需要輔助電極即可對 應。 此外,前述電鍍時,因爲將反應槽4和周邊管路隔離進 行’故可防止電解質溶液流出於系統內,尤其是出口管64 和迴轉管7 9側。 如此,在前述電鍍步驟結束後,將電極開關關閉爲〇FF, 而打開處理液排出閥1 3、氣體回收閥6 5、控制閥9 3。 這樣一來,反應槽4內壓力減低,超臨界或是亞臨界二 氧化碳因爲減壓而急速被汽化或是液化,如此電解質溶液 和介面活性劑形成二層狀態。 其中,將密度較小的二氧化碳押出於出口管6 4,密度較 大的電解質溶液和介面活性劑押出於出口管1 2,而流下於 處理液回收槽1 1。 前述處理液回收槽1 1在前述電解質溶液排出之際也以 加熱器7 5加熱,因此加熱而使得電解質溶液和混入於該液 內的二氧化碳分離,而所分離的二氧化碳被押出於分流管 72,而移動於出口管64。 如此前述乾燥,將超臨界或是亞臨界二氧化碳從反應槽 4的上下部導入,將之迅速擴散排出,故能更有效的搬運 53 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 水分而迅速的乾燥。在此情形,被二氧化碳運送的水分在 脫水裝置2 4內被除去,而能維·持乾燥效率。如此在使被處 理物1 1 1乾燥後,將之從反應槽4取出,即可結束一連串 的電鍍作業。 附帶說明,在前述實施形態中,被處理物1 1 1的兩側同 時吹著表面處理流體,不過也可只對被處理物1 1 1的其中 一側吹著,此外在被處理物1 1 1的兩側配置透過構件1 1 0 的情形,也可改成只對其中一側配置,如此一來,不但能 減少構成的零件數目而使構造更簡單,也能使反應槽4小 型化輕量化。 此外’在前述實施形態中,用超臨界或是亞臨界流體作 爲洗淨、脫脂、電氣化學反應以及乾燥的媒體,但是不限 於此’也可利用例如二氧化碳等1氣壓以上的加壓流體。 如此這般,形成超臨界或是亞臨界狀態所需要的耐壓容 器、管路、加壓和加熱裝置等都不再需要,而能更廉價的 製作’此外更具有作業輕鬆並且安全的優點。 此外,前述的實施形態係以單一的反應槽4來處理一連 串的步驟,不過也可裝備多個反應槽4,在各反應槽4依 序獨立進行各步驟,同時在先後的處理步驟的反應槽4、4 之間’先行側的反應槽4所使用的超臨界二氧化碳、酸溶 液、電解質溶液、介面活性劑等,都在該步驟結束後,供 應給後進行的反應槽4,如此即可有效利用而使得電氣化 學處理的量產化更加有利。 更且’在將被處理物多層電鏟,進行所謂的多重電鍍的 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 54 200300464 時候’只要將前述各步驟反覆連續進行處理即可。 從而’如現行的多重電鍍一般,在每次電鍍結束後必須 將被處理物從反應槽取出,在各槽之間移動的繁複手續都 可省略’如此即可大幅提高生產性,同時可以防止二氧化 碳被放出而消耗。 而且,因爲可以使得現行技術中將被處理物從反應槽中 取出之際接觸外氣的不安加以消除,故可以更確實而且安 全的維持被處理物表面的活性處理面,而使得前述多重電 鍍更爲有利。 此外’在前述實施形態中是對各一對的噴出管1 〇 1〜1 03 設置了攪拌室1 04〜1 06,不過也可將之省略。如此一來, 構成部分更加簡單,不但可更廉價的製作,而且可以選擇 陽極11 0、1 1 〇的材料、形狀、尺寸,並且調整噴出的壓力 等,使得陽極1 1 0、1 1 0的攪拌效果更加強化,而可得到如 前述攪拌室104〜106相同的效果。 〔產業上之可利用性〕 如上所述,本發明的被處理物的表面處理方法和處理裝 置,可避免被處理物和大氣接觸,並且可使被處理物表面 更高精密度更均勻的活性化,獲得金屬離子更良好的析 出,同時可合理的進行表面處理流體和處理液的供應和排 出,阻止該等排出於系統外而更有效的加以利用,故能實 現合理的系統並且提昇生產性而且有利於量產化,可更合 理並且安全的進行電氣化學處理作業,而且設備更加小型 化而廉價化,此外維修工作更爲便利,最適合利用爲例如 55 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc 200300464 被處理物的電氣化學性處理。 〔圖式簡單說明〕 圖1爲表示本發明裝置的設置狀態外觀的前視圖。 圖2爲顯示本發明裝置內部狀況的前視圖。 圖3爲圖1的左側面圖,顯示本發明裝置的內部狀況。 圖4爲圖1的俯視圖,顯示本發明裝置的內部狀況。 圖5爲表示本發明裝置槪要的說明圖。 圖6爲將適用本發明裝置的反應槽擴大顯示的剖面圖, 顯示在反應槽中安裝夾具並且加蓋,用壓鎖環(clamp ring: 鎖緊’預備進行被處理物的電氣化學反應的狀況。 圖7爲沿著圖6中之A-A線所作的剖面圖,稍微縮小顯 示反應槽內的夾具和電極之間的通電狀況。 圖8爲適用本發明裝置的反應槽的俯視圖,顯示省略了 電極和馬達’在將蓋子和壓鎖環鎖緊之前的開放狀態。 圖9爲適用於本發明裝置的蓋子的底面圖。 圖1 0爲顯示本發明第2實施形態的重要部份的剖面圖, 顯示反應槽內的夾具和電極的極性改變後的通電狀態。 圖1 1爲顯示本發明第3實施形態的重要部份的剖面圖, 顯示反應槽內以電極爲中心將多個夾具配置成同心圓狀態 時的通電狀態。 圖1 2爲顯示本發明第4實施形態的重要部份的俯視圖, 顯示分隔爲二的構成的夾具的狀況。 圖1 3爲顯示本發明第5實施形態的槪要說明圖。 圖1 4爲顯示將適用前述第5實施形態的反應槽放大的縱 56 3 ] 2\專利說明書(補件)\92-01 \9】133045 .doc 200300464 剖面圖。 圖1 5爲適用前述第5實施形態的反應槽的俯視圖。 〔元件 符號之 ,說 ;明 ) 1 箱 狀 處 理 裝 置 2 門 扉 3 處 理 室 4 反 應 槽 5 被 處 理 物 收 納 容 器 6 蓋 體 7、8 處 理 液 槽 9 送 液 幫 浦 10 送 液 幫 浦 11 處 理 液 回 收 槽 12 處 理 液 排 出 管 13 處 理 液 排 出 閥 14 分 離 槽 15 酸 洗 淨 溶 液 收 納 箱 16 加 壓 幫 浦 17 凝 縮 回 收 槽 18 冷 凍 機 19 控 制 盤 20 整 流 器 21 繼 電 器 盒 22 變 壓 器 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc
57 200300464 23 油槽 24 脫水裝置 25 槽本體 27 夾環 28 夾片部 29 夾爪 30 停止部 31、32 環狀溝 33、34 夾爪 35 夾爪 36 腔室 37 突起部 38 螺絲孔 39 螺栓 40 貫穿孔 4 1 貫穿孔 42 攪拌軸 43 風扇 44 馬達 45 電極棒 46 電極棒 47 導電構件 48 電極管 49 外框 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133 045 .doc
58 200300464 50 〜53 ί阜 54 采體同 55 開闔閥 56 導管 57 力口熱器 58 導管 59 導入閥 60 給液導管 61 給液導管 62 給液閥 63 給液閥 64 氣體回收管 65 氣體回收閥 66 調壓閥 67 排出管 68 排出閥 69 處理液回收管 70 調壓閥 7 1 遮斷閥 72 分流管 73 遮斷閥 74 〜76 加熱器 77 連通管 78 反應器 312\專利說明書(補件)\92·01 \91133045 .doc
59 200300464 79 迴轉管 80 凝縮回收槽入口 閥 8 1 注入管 82 冷卻器 83 凝縮回收槽出口 閥 84 冷媒導管 85 調壓閥 87 合頁 88 〜90 分流管 91 〜93 控制閥 9 4 〜9 6 腔室 97 導管 98 送液幫浦 99 給液閥 101〜103 噴出管 104〜106 攪拌室 107 攪拌器 108 槽本體 109 蓋體 110 陽極 111 被處理物 112 力D熱器 113 開闔閥 114 開闔閥 312\專利說明書(補件)\92-01 \91133045 .doc
60 200300464 1 1 5 冷煤導管
312\專利說明書(補件)\92-01 \9113 3045 .doc 61

Claims (1)

  1. 200300464 拾、申請專:科範:圍 1. 一種被處理物之表面處理方法,係爲能將表面處理流 體導入於可容納被處理物的反應槽(4 ),在前述被處理物 的表面處理後,將前述表面處理流體導入分離槽(1 4 ),使 得污染物分離後的表面處理流體循環於反應槽(4 )者,其 特徵爲:在前述被處理物的表面處理時,將包含前述反應槽 (4 )的表面流體循環途徑連通,而使得前述表面處理流體 始終能循環於該循環途徑。 2. 如申請專利範圍第1項之被處理物之表面處理方法, 其中,在被處理物的脫脂或是洗淨或是其乾燥時,使前述 表面處理流體始終循環。 3 .如申請專利範圍第1項之被處理物之表面處理方法, 其中,在前述被處理物的表面處理後,將因爲表面處理流 體中的電氣化學反應而產生的氣體分離或是除去。 4.如申請專利範圍第3項之被處理物之表面處理方法, 其中,在前述被處理物的表面處理後,將前述表面處理流 體中的氧和氫分離或是除去。 5 ·如申請專利範圍第4項之被處理物之表面處理方法, 其中,使得前述表面處理後的表面處理流體中的氧和氫燃 燒而生成水,將該水分離後使得前述表面處理流體循環於 前述循環途徑。 6.如申請專利範圍第1項之被處理物之表面處理方法, 其中,將前述表面處理流體和酸洗淨溶液或是電解液導入 前述反應槽(4)後,將前述反應槽(4)的供排路隔離,進行被 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 62 200300464 處理物的酸洗淨或是電氣化學反應。 7 .如申請專利範圍第6項之被處理物之表面處理方法, 其中,在前述被處理物的酸洗淨或是化學反應之後,使前 述反應槽(4 )內的前述表面流體循環於前述循環途徑,同 時,使前述酸洗淨溶液或是電解液由前述表面處理流體的 循環途徑中分離出來。 8.如申請專利範圍第7項之被處理物之表面處理方法, 其中,前述被處理物的酸洗淨或是電氣化學反應之後,將 該酸洗淨溶液或是電解液中的前述表面處理流體加以分 離,使其流回表面處理流體的循環途徑中。 9 .如申請專利範圍第1項之被處理物之表面處理方法, 其中,前述表面處理流體,係爲1大氣壓力以上的加壓流 體或是超臨界或是亞臨界流體。 1 0. —種被處理物之表面處理裝置,係於具備能將被處理 物容納於內部,且能將表面處理流體導入的可密閉的反應 槽(4 )、以及將被處理物的表面處理後的表面處理流體從 該反應槽(4 )移送,且能將該表面處理流體中的污染物分 離的分離槽(1 4 ),而在可使得前述污染物分離後的表面處 理流體循環於前述反應槽(4 )的被處理物表面處理裝置 中,其特徵爲:在前述被處理物的表面處理時,將包含前述 反應槽(4 )的表面流體循環途徑連通,而使得前述表面處 理流體始終能循環於該循環途徑。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之被處理物之表面處理裝 置,其中,在被處理物的脫脂或是洗淨或是其乾燥時,使 63 312\專利說明書(補件)\92·01 \91133045 .doc 200300464 前述表面處理流體始終循環。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之被處理物之表面處理裝 置’其中,在前述被處理物的表面處理後,將因爲表面處 理流體中的電氣化學反應而產生的氣體分離或是除去。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之被處理物之表面處理裝 置,其中,將能夠分離或是除去表面處理流體中的氧和氫 的反應器(7 8 )介插入於前述循環途徑之中。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之被處理物之表面處理裝 置,其中,將能夠分離水的脫水裝置(24 )介插入前述循 環途徑的反應器(78 )的下游側。 1 5 ·如申請專利範圍第1 0項之被處理物之表面處理裝 置,其中,在前述反應槽(4 )設置供排路,能夠藉以導入 前述表面處理流體和酸洗淨溶液或是電解液,而在將此等 導入於前述反應槽(4 )後,也能夠將該反應槽(4 )的供 排路隔離。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之被處理物之表面處理裝 置,其中,在前述被處理物的酸洗淨或是化學反應之後, 使前述反應槽(4 )內的前述表面流體循環於前述循環途 徑,同時,使前述酸洗淨溶液或是電解液由前述表面處理 流體的循環途徑中分離出來。 1 7 .如申請專利範圍第1 〇項之被處理物之表面處理裝 置,其中,將能夠分離酸洗淨溶液或是電解液中的表面處 理流體的處理液回收槽(1 1 )介插入前述反應槽(4 )的排 出路,使得該回收槽連通於前述表面處理流體的循環途徑。 64 312\專利說明書(補件)\92-01\91133045 .doc 200300464 1 8 .如申請專利範圍第1 0項之被處理物之表面處理裝 置,其中,前述表面處理流體,係爲1大氣壓力以上的加 壓流體或是超臨界或是亞臨界流體。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項之被處理物之表面處理裝 置,其中’設置多個前述反應槽(4 ),將該等反應槽(4 ) 連通於前述循環途徑,將加壓到1大氣壓力以上的加壓流 體或是超臨界或是亞臨界流體、和酸洗淨溶液或是電解液 依序導入前述反應槽(4 ),可在各反應槽(4 )中依序施行 被處理物的脫脂洗淨步驟、酸洗淨步驟、乾燥步驟、電鍍、 和乾燥,另一方面,將相鄰的反應槽(4 )相連通,在可供 應排出所使用流體的同時,在其先後處理步驟的反應槽(4 ) 中,先進行的反應槽(4 )的處理後,可將該使用流體供應 給後進行的反應槽(4 )。 2 0.—種被處理物之表面處理裝置,係爲具備內部容納有 能夠裝卸被處理物的夾具(5 )和攪拌裝備(4 3 ),且供排 前述被處理物的表面處理流體的槽本體(25 )、以及能使該 槽本體(25 )密閉的蓋體(6 )的反應槽(4 )的被處理物 之表面處理裝置,其特徵爲··前述蓋體(6)上安裝有可裝 卸單一或是多數的前述夾具(5)。 2 1 .如申請專利範圍第 20項之被處理物之表面處理裝 置,其中,前述蓋體(6)和夾具能一體進行升降。 22.如申請專利範圍第 20項之被處理物之表面處理裝 置,其中,前述槽本體(2 5 )的腔室(3 6 )的橫剖面形狀、 和前述夾具(5 )的橫剖面形狀,係形成爲相似的形狀,且 65 312\ 專利說明書(補件)\92-01\91133045.doc 200300464 該等配置爲同心圓狀。 23·如申請專利範圍第22項之被處理物之表面處理裝 置’其中’前述槽本體(2 5 )的腔室(3 6 )的橫剖面形狀、 和前述夾具的橫剖面形狀都形成爲圓形,且該等都配置爲 同心圓狀。 2 4 ·如申請專利範圍第2 2或2 3項之被處理物之表面處理 裝置,其中’將前述夾具(5 )區劃成多個部分,以可旋轉 的方式將該等連結。 2 5 ·如申請專利範圍第2 0或2 3項之被處理物之表面處理 裝置,其中,在前述蓋體(6)上安裝可以和前述夾具通電 的電極(45、46、48)。 26·如申請專利範圍第20或23項之被處理物之表面處理 裝置,其中,對相鄰接配置的夾具(5 )施加同電位。 2 7 ·如申請專利範圍第2 0或2 3項之被處理物之表面處理 裝置,其中,在前述腔室(36)的中心配置電極(48)。 2 8 ·如申請專利範圍第2 0或2 3項之被處理物之表面處理 裝置,其中,在前述蓋體(6)中心,安裝可使前述攪拌裝 備(4 3 )旋轉的攪拌軸(4 2 ),在該攪拌軸(4 2 )外側將前 述電極(48)配置成同軸狀。 29·如申請專利範圍第20項之被處理物之表面處理裝 置,其中,可對於前述反應槽(4),依序導入1大氣壓力 以上的加壓流體或是超臨界或是亞臨界流體、酸洗淨溶 液、和電解液,依序進行被處理物的脫脂洗淨、酸洗淨、 乾燥、和電鍍。 66 3】2\專利說明書(補件)\92·01 \9113 3 045 .doc 200300464 3 0 .如申請專利範圍第 2 0項之被處理物之表面處理裝 置,其中,以非可溶性的材料來構成前述電極(45、46、 4 8 ),同時將超臨界或是亞臨界流體和電解液導入於前述反 應槽(4 ),而可將被處理物電鍍。 3 1 . —種被處理物之表面處理裝置,係爲能夠將表面處理 流體導入於可容納被處理物的反應槽(4 ),而能對前述被 處理物進行表面處理的被處理物之表面處理裝置,其特徵 爲:能使前述表面處理流體噴出於前述被處理物的至少一 側。 3 2 .如申請專利範圍第 3 1項之被處理物之表面處理裝 置,其中,在前述反應槽(4 )外部設置腔室(94、95、96 ), 可將同種類或是不同種類的表面處理流體導入該腔室 (94、95、96 ),加以分散或是攪拌,並可將該分散或是攪 拌後的流體,導入至少面臨前述被處理物一側的前述反應 槽(4 )內。 3 3 .如申請專利範圍第 3 1項之被處理物之表面處理裝 置,其中,前述表面處理流體係爲超臨界或是亞臨界流體、 或是酸洗淨溶液或是電解液。 34.如申請專利範圍第32或33項之被處理物之表面處理 裝置,其中,將超臨界或是亞臨界流體和電解質溶液和介 面活性劑導入於前述腔室(94、95、96 ),加以分散或是攪 拌,可將該分散或是攪拌後所產生的乳濁流體導入前述反 應槽(4 )。 35 ·如申請專利範圍第34項之被處理物之表面處理裝 312\專利說明書(補件)\92-01\91】33045.doc 67 200300464 置,其中,設置多數個前述腔室(94、95、96 ),將超 或是亞臨界流體導入各腔室(94、95、96)中,同時 洗淨彳谷液或是電解液導入一部分的腔室(9 4、9 5、9 6 ) 將超臨界或是亞臨界流體加以分散或是攪拌,而能將 散或是攪拌後的流體導入前述反應槽(4 )。 3 6 ·如申請專利範圍第1項之被處理物之表面處 置,前述被處理物的至少一側,和面對於被處理物的 反應槽(4 )之間,配置有能夠讓前述表面處理流體透 透過構件(1 1 0 )。 3 7 ·如申請專利範圍第3 6項之被處理物之表面處 置,係以可通電的電極來構成前述透過構件(1丨〇 )。 3 8 ·如申請專利範圍第3 6或3 7項之被處理物之表面 裝置,其中,在前述被處理物表面和背面兩側都配置 透過構件(Π 0、1 1 0 ),從該透過構件(1 1 〇、丨丨〇 )的 朝向前述被處理物,可將前述表面處理流體以同速度 大約同等量。 312\專利說明書(補件)\92·〇 1 \9113 3 045 .doc 臨界 將酸 中, 該分 理裝 前述 過的 理裝 處理 前述 外側 噴出 68
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8916055B2 (en) 2011-08-02 2014-12-23 Tokyo Electron Limited Method and device for controlling pattern and structure formation by an electric field
US10413913B2 (en) 2017-02-15 2019-09-17 Tokyo Electron Limited Methods and systems for dielectrophoresis (DEP) separation

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040139987A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-22 Mount David J. Method for releasing and drying moveable elements of micro-electronic mechanical structures with organic thin film sacrificial layers
US20060033678A1 (en) * 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US20070271751A1 (en) * 2005-01-27 2007-11-29 Weidman Timothy W Method of forming a reliable electrochemical capacitor
US20060162658A1 (en) * 2005-01-27 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer deposition apparatus and method
US20060240187A1 (en) * 2005-01-27 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Deposition of an intermediate catalytic layer on a barrier layer for copper metallization
TWI374951B (en) * 2005-07-29 2012-10-21 Applied Materials Inc Integrated electroless deposition system
SE529744C2 (sv) * 2005-12-22 2007-11-13 Abb Technology Ag Anordning och metod för metallisk beläggning samt användning av anordningen
US7867900B2 (en) 2007-09-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Aluminum contact integration on cobalt silicide junction
WO2012087574A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-28 Neptune Research, Inc. Systems, methods, and devices for applying fluid composites to a carrier sheet
EP2717805B1 (en) * 2011-06-09 2018-06-20 Synthes GmbH Anodizing container
US9153803B2 (en) * 2012-07-13 2015-10-06 Massachusetts Institute Of Technology High temperature sealed electrochemical cell
BR102013017403A2 (pt) * 2013-07-05 2016-07-12 Charles Adriano Duvoisin equipamento compacto para esterilização por eletrólise de alimentos e utensílios
CN107971299B (zh) * 2017-12-22 2023-04-11 厦门理工学院 一种超临界二氧化碳清洗设备及其清洗方法
CN112317430B (zh) * 2020-10-29 2022-08-19 南安市叁凡工业设计有限公司 一种履带清洁设备
CN113061966A (zh) * 2021-03-26 2021-07-02 江苏理工学院 复合材料制备用超临界电沉积装置及其使用方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3070254A (en) * 1961-08-21 1962-12-25 Airmold Corp Pressure container for dispensing beverages
US3246793A (en) * 1965-09-07 1966-04-19 Charles E Wade Sealing closure
US3652431A (en) * 1970-03-12 1972-03-28 Julian Louis Reynolds Method of operating an electrolysis cell for the production of gases under hydrostatic pressure
AT328809B (de) * 1973-11-28 1976-04-12 Oemv Ag Verschluss fur kreisrunde offnungen mit grossem durchmesser
US4303177A (en) * 1979-03-05 1981-12-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Cavity closure arrangement for high pressure vessels
US4444331A (en) * 1982-11-08 1984-04-24 Gulf & Western Manufacturing Co. Closure assembly
US4963423A (en) * 1987-10-08 1990-10-16 Anelva Corporation Method for forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means
FR2625979B1 (fr) * 1988-01-20 1990-06-08 Tecnoma Recipient demontable, pouvant supporter une pression interne
JPH0243399A (ja) * 1988-08-02 1990-02-13 Nec Corp 電気めっき槽
US5269905A (en) * 1990-04-30 1993-12-14 Elf Atochem North America, Inc. Apparatus and process to regenerate a trivalent chromium bath
JPH076267U (ja) * 1993-06-29 1995-01-27 新共立化工株式会社 メッキ装置
JP2541148B2 (ja) 1994-03-30 1996-10-09 カシオ計算機株式会社 デ―タ処理装置
US5750014A (en) * 1995-02-09 1998-05-12 International Hardcoat, Inc. Apparatus for selectively coating metal parts
US5762227A (en) * 1995-08-28 1998-06-09 Eagle Manufacturing Co. Spreadable circular clamp ring and salvage drum including same
JPH1036999A (ja) * 1996-07-23 1998-02-10 Sony Corp メッキ液中の不純物除去方法と装置
JPH1187306A (ja) 1997-09-12 1999-03-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥装置
US6585882B1 (en) * 1999-02-10 2003-07-01 Ebara Corporation Method and apparatus for treatment of gas by hydrothermal electrolysis
EP1314799B1 (en) * 2000-08-24 2013-10-16 Hideo Yoshida Electrochemical treating method such as electroplating and electrochemical reaction device therefor
US20020157964A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Hoffman Industries International, Ltd. System and method for electrolytic cleaning

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8916055B2 (en) 2011-08-02 2014-12-23 Tokyo Electron Limited Method and device for controlling pattern and structure formation by an electric field
TWI486995B (zh) * 2011-08-02 2015-06-01 Tokyo Electron Ltd 利用電場施加器之組織建構用的系統及方法
US9228261B2 (en) 2011-08-02 2016-01-05 Tokyo Electron Limited System and method for tissue construction using an electric field applicator
US10413913B2 (en) 2017-02-15 2019-09-17 Tokyo Electron Limited Methods and systems for dielectrophoresis (DEP) separation

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Publication number Publication date
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