JPH0243399A - 電気めっき槽 - Google Patents
電気めっき槽Info
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- JPH0243399A JPH0243399A JP19383488A JP19383488A JPH0243399A JP H0243399 A JPH0243399 A JP H0243399A JP 19383488 A JP19383488 A JP 19383488A JP 19383488 A JP19383488 A JP 19383488A JP H0243399 A JPH0243399 A JP H0243399A
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Links
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野゛ｊ
本発明は平板状の被めっき部材にめっき膜を形成する電
気めっき槽に関し、特に半導体装置のバンプ電極にめっ
き膜を形成する電気めっき槽に関する。
気めっき槽に関し、特に半導体装置のバンプ電極にめっ
き膜を形成する電気めっき槽に関する。
一般に、ハイブリッｌ−Ｉ Ｃは回路基板上に半導装置
を配置するとともに、その半導体装置のハンプ電極と回
路基板のバンプ電極とを接続して形成されている。例え
ば、赤外線イメージセンサのようなハイブリットＩＣは
、信号用シリコンＩＣ半導体チップと光電変換用半導体
チップとを互いに向き合せて、それぞれのバンプ電極を
突き合せ熱圧着して接続していた。例えば、このハイブ
リットＩＣのバンプ電極は、直径：２５１１ｍで、高さ
１０μｍのインジウム等の軟質金属から作られており、
板面上に５０μｍの間隔で６４ Ｘ６４個が形成されて
いる。また、この寸法の小さいバンプ電極は接続性を十
分に良くする必要があり、表面は軟ちかで、しかもミク
ロン単位て平滑で緻密な面か要求されている。
を配置するとともに、その半導体装置のハンプ電極と回
路基板のバンプ電極とを接続して形成されている。例え
ば、赤外線イメージセンサのようなハイブリットＩＣは
、信号用シリコンＩＣ半導体チップと光電変換用半導体
チップとを互いに向き合せて、それぞれのバンプ電極を
突き合せ熱圧着して接続していた。例えば、このハイブ
リットＩＣのバンプ電極は、直径：２５１１ｍで、高さ
１０μｍのインジウム等の軟質金属から作られており、
板面上に５０μｍの間隔で６４ Ｘ６４個が形成されて
いる。また、この寸法の小さいバンプ電極は接続性を十
分に良くする必要があり、表面は軟ちかで、しかもミク
ロン単位て平滑で緻密な面か要求されている。
従来、このバンプ電極の表面は、電気めっきによるイン
ジウム等の金属で形成されていた。この電気めっきによ
るバンプ電極の表面膜の形成方法は、まず、回路基板の
下地金属膜の上にレジスＩ−膜を形成し、このレジスト
膜を選択的に除去し開口部を形成する。次に、この回路
基板を電気めっき槽に浸し陰極に取り付け、陽極にはめ
つきしようとする金属の板を取り付け、前記開口部の下
地金属膜にめっき膜を成長させる。次に、めっき膜形成
後に、不要のレジスｌ−膜及び下地金属膜を除去してを
製作していた。
ジウム等の金属で形成されていた。この電気めっきによ
るバンプ電極の表面膜の形成方法は、まず、回路基板の
下地金属膜の上にレジスＩ−膜を形成し、このレジスト
膜を選択的に除去し開口部を形成する。次に、この回路
基板を電気めっき槽に浸し陰極に取り付け、陽極にはめ
つきしようとする金属の板を取り付け、前記開口部の下
地金属膜にめっき膜を成長させる。次に、めっき膜形成
後に、不要のレジスｌ−膜及び下地金属膜を除去してを
製作していた。
上述した従来の電気めっきを行う電気めっき槽では、め
っき電流密度を十分にとることができず、また、その許
容範囲も小さかった。即ち、めっき電流密度が大きいと
、めっき液に泡が発生してめっき表面が荒れてしまい、
また、逆に小さ過ぎると、めっき表面に針状の突起が発
生し、バンプ電極に適するものてなかりた。これは、め
っきしようとする金属イオンの供給か追い付かなくなる
ことによる。特に、陽極付近から陰極近傍までのほとん
ど電界のかからない領域ては、金属イオンの拡散が不十
分なことに原因している。このことを改善するために、
例えば、バブリング等による攪拌を試みたが、さしたる
効果はなく、むしろめ−）き液が散逸し易い等の問題が
あった。更に、め−）き膜に不純物を含むことを避ける
ために、通常のめっきのような平滑剤を使うことも出来
ない。このような理由から、めっき電流密度を大きくて
きないため、めっき時間が非常に長くかかるといった欠
点があり、また、その許容範囲も小さいため、僅かな電
流密度の変動があっても、形成膜か荒れ歩留りを低下さ
せるという問題かあった。
っき電流密度を十分にとることができず、また、その許
容範囲も小さかった。即ち、めっき電流密度が大きいと
、めっき液に泡が発生してめっき表面が荒れてしまい、
また、逆に小さ過ぎると、めっき表面に針状の突起が発
生し、バンプ電極に適するものてなかりた。これは、め
っきしようとする金属イオンの供給か追い付かなくなる
ことによる。特に、陽極付近から陰極近傍までのほとん
ど電界のかからない領域ては、金属イオンの拡散が不十
分なことに原因している。このことを改善するために、
例えば、バブリング等による攪拌を試みたが、さしたる
効果はなく、むしろめ−）き液が散逸し易い等の問題が
あった。更に、め−）き膜に不純物を含むことを避ける
ために、通常のめっきのような平滑剤を使うことも出来
ない。このような理由から、めっき電流密度を大きくて
きないため、めっき時間が非常に長くかかるといった欠
点があり、また、その許容範囲も小さいため、僅かな電
流密度の変動があっても、形成膜か荒れ歩留りを低下さ
せるという問題かあった。
本発明の目的は、バンプ電極の表面が平滑て緻密であっ
て、しかも効率良く得られる電気めっき槽を提供するこ
とにある。
て、しかも効率良く得られる電気めっき槽を提供するこ
とにある。
本発明の電気めっき槽は、内側に被めっき部材の陰極と
金属板の陽極とを対向して配置するとともに前記電極を
浸すめつき液を満たず電気めっき槽において、格子状に
形成された多数の抜け穴を有する前記陽極板と、前記め
っき液を前記陽極板の前記抜け穴を通して前記陰極に噴
流するとともに前記めっき液を循環するめっき液送出機
構とを備え構成される。
金属板の陽極とを対向して配置するとともに前記電極を
浸すめつき液を満たず電気めっき槽において、格子状に
形成された多数の抜け穴を有する前記陽極板と、前記め
っき液を前記陽極板の前記抜け穴を通して前記陰極に噴
流するとともに前記めっき液を循環するめっき液送出機
構とを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明による電気めっき槽の一実施
例を示す斜視図及び断面図である。この電気めっき槽は
液槽１の内側に、例えば、インジウム材で板状に製作さ
れ、且つ縦横方向に整列され形成された多数個の正方形
状の抜け穴１１を有する格子状の陽極板２と、板状の被
めっき部材の陰極板３とか対向して配置されている。ま
た、この画電極を浸すめっき液９が満たされている。
例を示す斜視図及び断面図である。この電気めっき槽は
液槽１の内側に、例えば、インジウム材で板状に製作さ
れ、且つ縦横方向に整列され形成された多数個の正方形
状の抜け穴１１を有する格子状の陽極板２と、板状の被
めっき部材の陰極板３とか対向して配置されている。ま
た、この画電極を浸すめっき液９が満たされている。
方、液槽１の外側にはめっき液送出機構４が配置されて
いる。このめっき液送出機ｆＩＩ４は液送ポンプ７と、
液槽１の下部に設けられた供給口６及び液出口５と液送
ポンプ７とを継なぐ配管８ａ及び８１）とからなる。更
に、液槽１内の供給口６が設けられた液槽１の側壁と陽
極板２との間は、メツシュ８で仕切られている。
いる。このめっき液送出機ｆＩＩ４は液送ポンプ７と、
液槽１の下部に設けられた供給口６及び液出口５と液送
ポンプ７とを継なぐ配管８ａ及び８１）とからなる。更
に、液槽１内の供給口６が設けられた液槽１の側壁と陽
極板２との間は、メツシュ８で仕切られている。
次に、この電気めっき槽の動作を説明すると、まず、液
送ポンプ７によりめっき渣９を供給口６から矢印１２に
示すように、液槽１に流入し、メツシュ８により、矢印
１３に示すように、層流状態で分流される。この分流は
、矢印１４に示すように陽極板２の抜け穴１１を通り抜
け、矢印１５に示すように、板状の被め−）き部Ｈの陰
極板３に噴流する。更に、陰極板３の下部を抜け、矢印
１６に示すように、液出口５へ排出さぜる。このとき、
陽極板２と陰極板３との間に直流電源１０を印加する。
送ポンプ７によりめっき渣９を供給口６から矢印１２に
示すように、液槽１に流入し、メツシュ８により、矢印
１３に示すように、層流状態で分流される。この分流は
、矢印１４に示すように陽極板２の抜け穴１１を通り抜
け、矢印１５に示すように、板状の被め−）き部Ｈの陰
極板３に噴流する。更に、陰極板３の下部を抜け、矢印
１６に示すように、液出口５へ排出さぜる。このとき、
陽極板２と陰極板３との間に直流電源１０を印加する。
前述のように、めっき液９が陽極板２の抜け穴１１を通
り抜ける際に、陽極板２の金属であるインジウムがイオ
ン化して液中に溶は込み、そのまま被めっき部材の陰極
板３まで運ばれめっき膜として析出する。
り抜ける際に、陽極板２の金属であるインジウムがイオ
ン化して液中に溶は込み、そのまま被めっき部材の陰極
板３まで運ばれめっき膜として析出する。
この結果、めっき液９を循環してめっきすることにより
、従来例に比し、めっき電流密度即ちめっき速度を２倍
にしても陰極板３の近傍でインジウムイオンが不足する
ことがなくなり、泡の発生がなくなり、その結果、表面
が荒れることがなく、また、針状の突起のない平滑で緻
密なインジウムめっき膜を形成することが出来た。更に
、電流密度即ちめっき形成速度に対する許容範囲が拡が
ったので、めっき膜の形成歩留りを向上することも出来
た。
、従来例に比し、めっき電流密度即ちめっき速度を２倍
にしても陰極板３の近傍でインジウムイオンが不足する
ことがなくなり、泡の発生がなくなり、その結果、表面
が荒れることがなく、また、針状の突起のない平滑で緻
密なインジウムめっき膜を形成することが出来た。更に
、電流密度即ちめっき形成速度に対する許容範囲が拡が
ったので、めっき膜の形成歩留りを向上することも出来
た。
なお、以上の実施例はあくまでも一例であって、インジ
ウム以外のめっきにも同様に適用出来ることは言うまで
もない。また、この実施例では、格子状に形成された陽
極板の抜け穴１１については、正方形の形状で説明した
が、この形状に限定するものでなく、例えば、面積効率
の高い六角形の形状、あるいは層流状態を形成し易い円
形とかにしてもよい。
ウム以外のめっきにも同様に適用出来ることは言うまで
もない。また、この実施例では、格子状に形成された陽
極板の抜け穴１１については、正方形の形状で説明した
が、この形状に限定するものでなく、例えば、面積効率
の高い六角形の形状、あるいは層流状態を形成し易い円
形とかにしてもよい。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、陽極板に、格子状
に形成された多数の抜け穴を設けて、この抜け穴にめっ
き液を通して陰極に噴流し、めっき液を循環することに
より、陰極の近傍で消費される金属イオンを速やかに効
果的に供給出来る。従って、ハンプ電極の表面が平滑で
緻密な面であって、しかも効率良く得られる電気めっき
槽か得られるという効果がある。
に形成された多数の抜け穴を設けて、この抜け穴にめっ
き液を通して陰極に噴流し、めっき液を循環することに
より、陰極の近傍で消費される金属イオンを速やかに効
果的に供給出来る。従って、ハンプ電極の表面が平滑で
緻密な面であって、しかも効率良く得られる電気めっき
槽か得られるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明による電気めっき槽の一実施
例を示す斜視図及び断面図である。 １・・・液槽、２・・・陽極板、３・・・陰極板、４・
・・めっき液送出機構、５・・・液出口、６・・・供給
口、７・・・液送ポンプ、８ａ、８ｂ・・・配管、９・
・・めっき液、１０・・・直流電源、１１・・・抜け穴
、１２〜１６・・・矢印。
例を示す斜視図及び断面図である。 １・・・液槽、２・・・陽極板、３・・・陰極板、４・
・・めっき液送出機構、５・・・液出口、６・・・供給
口、７・・・液送ポンプ、８ａ、８ｂ・・・配管、９・
・・めっき液、１０・・・直流電源、１１・・・抜け穴
、１２〜１６・・・矢印。
Claims (1)
- 内側に被めっき部材の陰極板と金属の陽極板とを対向し
て配置するとともに前記電極板を浸すめっき液を満たす
電気めっき槽において、格子状に形成された多数の抜け
穴を有する前記陽極板と、前記めっき液を前記陽極板の
前記抜け穴を通して前記陰極に噴流するとともに前記め
っき液を循環するめっき液送出機構とを備えたことを特
徴とする電気めっき槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19383488A JPH0243399A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 電気めっき槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19383488A JPH0243399A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 電気めっき槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243399A true JPH0243399A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16314512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19383488A Pending JPH0243399A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 電気めっき槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243399A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2318588A (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Honda Motor Co Ltd | Composite plating apparatus using jetted liquid |
| KR20010051039A (ko) * | 1999-10-14 | 2001-06-25 | 박기영 | 안내장치형 방충창 |
| WO2003042434A1 (fr) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Asahi Engineering Co.,Ltd | Procede et dispositif de traitement de surface d'un objet traite |
| EP2733238A1 (fr) * | 2012-11-16 | 2014-05-21 | Cyklos SA | Procédé de traitement de surface, cuve et machine mettant en oeuvre le procédé |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP19383488A patent/JPH0243399A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2318588A (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Honda Motor Co Ltd | Composite plating apparatus using jetted liquid |
| US6086731A (en) * | 1996-10-24 | 2000-07-11 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Composite plating apparatus |
| GB2318588B (en) * | 1996-10-24 | 2001-02-07 | Honda Motor Co Ltd | Composite plating apparatus |
| DE19746703B4 (de) * | 1996-10-24 | 2005-03-24 | Honda Giken Kogyo K.K. | Galvanisiervorrichtung |
| KR20010051039A (ko) * | 1999-10-14 | 2001-06-25 | 박기영 | 안내장치형 방충창 |
| WO2003042434A1 (fr) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Asahi Engineering Co.,Ltd | Procede et dispositif de traitement de surface d'un objet traite |
| US7323096B2 (en) | 2001-11-14 | 2008-01-29 | Hideo Yoshida | Method for treating the surface of object and apparatus thereof |
| US7857952B2 (en) | 2001-11-14 | 2010-12-28 | Hideo Yoshida | Method for treating the surface of object and apparatus thereof |
| EP2733238A1 (fr) * | 2012-11-16 | 2014-05-21 | Cyklos SA | Procédé de traitement de surface, cuve et machine mettant en oeuvre le procédé |
| WO2014076664A3 (fr) * | 2012-11-16 | 2014-09-12 | Cyklos Sa | Procédé de traitement de surface, cuve et machine mettant en oeuvre le procédé |
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