TARIFNAME OPTIK CIHAZLARIN ÜRETIMINDE KUANTUM NOKTALARIN SEÇICI SEKILDE DESENLENMESI içiN BIR YÖNTEM Bulusun Ilgili Oldugu Teknik Alan Bulus, elektrolüminesan ve/veya fotolüminesan kuantum noktalarina dayali optik ekranlar ve elektronik/elektro optik cihazlarin üretiminde bir desenleme yöntemi ile Teknigin Bilinen Durumu Kuantum nokta (QDot) ekran teknolojisi televizyon ve diger uygulamalarda yüksek performansli ekran saglayabilen, ticarilestirilmis, üstün bir teknolojidir. Bu teknolojinin kalbinde nano boyutlu ve yariiletken kristaller olan kuantum noktalarina dayali pikseller bulunmaktadir. Bu pikseller, alternatif teknolojilere kiyasla yüksek renk safligi ve uzun vadeli malzeme stabilitesi sunmaktadir. Kuantum noktalarinin iç yapisi, diger cihazlara göre genel olarak üstün olan elektronik ve optik özellikleri belirlemektedir. Kuantum noktalarinin istenen optik ve malzeme özellikleri sayesinde kuantum noktalarina dayali düz panel ekranlar aktif bir sekilde gelistirilmektedir. Kuantum noktalarinin isik yaymak için kullandigi iki genel mekanizma mevcut olup, bunlar fotolüminesans (PL) ve elektrolüminesanstir (EL). Fotolüminesans mekanizmada; bir diger isik kaynagindan gelen isik bagimsiz kuantum nokta piksellerini aktiflestirmekte, aktiflestirilen kuantum noktalari daha sonra kendi karakteristik renginde isik yaymaktadir. Fotolüminesans mekanizmanin, esnek ve esnetilebilir ekranlarda kullanimi mümkün degildir. Esnek, esnetilebilir, giydirilebilir ekranlar için ilave bükülmez katmanlara ihtiyaç duyulmaktadir. Spesifik desenleme teknikleri (viskoelastik pul kullanilarak gerçeklestirilen transfer baski) kullanilarak arastirmalarda bu tür esnek ekranlara ait çok az örnek üretilmisse de; bu teknikler büyük, esnek ekranlarin üretilmesi için ölçeklenememektedirler. Elektrolüminesans mekanizmada ise; elektrik akimi kuantum noktalarina uygulanmakta ve kendi karakteristik renginde isigi yaymalari için kuantum noktalarini aktiflestirmektedir. Tüm ticari ekranlar fotolüminesans mekanizmasi ile çalisirken, daha ucuz ve basit cihazlarin kullanimini saglayabilecek elektrolüminesans mekanizmasina sahip kuantum noktalarinin gelistirilmesi birtakim dezavantajlarindan dolayi önceki teknikte yer almamaktadir. Örnegin; elektrolüminesans mekanizmasi ile çalisan kuantum nokta ekranlarinin üretimi mesakkatlidir. Buradaki zorluk kuantum noktalarinin bir sivi çözelti tabanli prosesle üretilmesinden kaynaklanmaktadir. Öte yandan elektronik ekranlar, cam veya silikon gibi bir düzlemsel alt katman üzerinde standart bir izgara yapisinin (pikseller) kullanimini gerektirmektedir. Bunun sonucunda, kuantum noktalari geleneksel mikro üretim tekniklerine kolayca entegre edilememektedir. Teknigin bilinen durumunda kuantum nokta ekran teknolojisine iliskin kritik faktörlerden biri de; bir yandan kirliligi (kontaminasyon) önlerken, diger yandan yüzey üzerinde kaliteli ve yüksek yogunluklu kuantum noktalari desenlerinin olusturulmasini saglayacak uygun bir teknigin var olmamasidir. Kuantum noktalari genellikle, bir sivi içerisinde asili nanopartiküller olarak üretildiklerinden geleneksel elektronik cihazlara kolaylikla entegre edilemezler. Mevcut teknikte; her bir renk pikselinin ayri ayri adreslenmesini gerektiren, özellikle elektrolüminesan kuantum noktalarina dayali ekranlarin daha da gelistirilmesi için; diger safsizliklarin miktarinin göz ardi edilebilecek oranda oldugu, kuantum noktalarindan mikroskobik desenler (örnegin; pikseller yahut bir piksel içinde farkli renklerde isik çikmasindan sorumlu alt-pikseller) olusturan, güvenilir ve hizli bir teknige ihtiyaç duyulmaktadir. Bir yüzeyin elektrolüminesan kuantum noktalariyla desenlenmesine yönelik üç ana yaklasim bulunmaktadir. Bunlar su sekilde siniflandirilabilir: a) kuantum noktalariyla karistirilmis bir fotorezist kullanilarak gerçeklestirilen fotolitografi, b) viskoelastik pul kullanilarak gerçeklestirilen transfer baski ve c) mürekkep püskürtmeli baski. Bu üç yaklasimin da birtakim dezavantajlari vardir. Fotolitografi ve mürekkep püskürtmeli mekanizmalar, pikseller üzerinde artik organik kontaminasyona neden olmaktadir ve bu da optik performansi azaltmaktadir. Öte yandan, viskoelastik pul kullanilarak gerçeklestirilen transfer baskinin büyük bir alana sahip ekranlarda ölçeklendirilmesi zordur. Bu dezavantajlar nedeniyle, neredeyse hiçbir kirlilik birakmayan bir genis alan desenleme teknigine yönelik ihtiyaç olusmaktadir. Ayrica, önceki teknikte fotolitografi kullanilan desenleme yöntemlerinde, kuantum noktalari fotorezist içine yüzeye tatbik edilmekteydi. Fotolitografi yapildiktan sonra ise yüzeyde hem kuantum noktalar hem de fotorezist katmani kalmakta, bu durum da kuantum noktalarinin optik performanslarini düsürmektedir. Önceki teknikte kullanilan baska bir desenleme yöntemi olan elektrohidrodinamik jet serme yöntemi, yüzeysel olarak elektrosprey iyonizasyon yöntemine benzese bile; elektrohidrodinamik jet serme yönteminde yüksek elektriksel gerilim, içinde kuantum noktalarin bulundugu bir tasiyici siviyi dogrudan bir yüzeye tatbik etmektedir. Böyle olunca hem tasiyici sivinin kendisi, hem de tasiyici sivi içinde bulunmasi gereken baska kimyasal katkilama malzemeleri, kuantum noktalarla birlikte yüzeye konmaktadir. Tasiyici sivi zamanla uçsa bile, bu süreç zarfinda yüzeye daha önceden birakilmis bulunan yapilara zarar verebilmekte, hem de sivi akis ve yüzeyden buharlama sirasinda, yüzeyde üretilmek istenen deseni bozabilmektedir Mevcut teknikteki ticari kuantum nokta ekranlarinin fotolüminesans mekanizmasi kullanildigindan agir ve pahali olmasi, buradaki söz konusu fotolüminesans mekanizmasinin kuantum nokta katmanina ek olarak diger bir isik kaynagina, çoklu optik katmanlar ve sivi kristal ekranlara ihtiyaç duymasi, elektrolüminesan kuantum noktalarina dayali ekranlar için farkli renk pikselleri arasinda çapraz kirliligin olusmasi gibi kisitliliklar ve yetersizlikler nedeniyle, çok az kontaminasyona sahip olacak biçimde, bir yüzey üzerinde hedeflenen mikroskobik alanlarda seçici bir sekilde kuantum noktalarinin desenlenmesine yönelik bir yöntem gelistirilmesi gerekli kilinmistir. Bulusun Kisa Açiklamasi ve Amaçlari Mevcut bulusta, istenilen alt-piksellerin, sadece istenilen türde isik yayan kuantum noktalar içerecek sekilde olusturuldugu bir ekran üretilmesine iliskin bir yöntem açiklanmaktadir. Mevcut bulusta, kuantum noktalarini içeren piksellerden olusan bir ekranin üretilmesine, öyle ki bu ekrandaki her bir pikseli olusturan (tercihen farkli renklerdeki) her bir alt-piksel çesidinin aktif optik bölgesinin istenen çesitte kuantum noktalarindan olusmasini saglayan, ve ayni zamanda da hem farkli alt-piksel tipleri arasindaki çapraz-kontaminasyonu, hem de her bir alt-piksel için üretimde kullanilan kimyasallardan kaynaklanan diger kontaminasyonu çok aza indirecek biçimde, optik bir yüzey üzerinde hedeflenen mikroskobik alanlarda seçici bir sekilde kuantum noktalarinin desenlenmesine iliskin bir yöntem açiklanmaktadir. Bu seçici yöntem için, kuantum noktalari uygun bir mekanizma ile iyonlastirilmakta, ve bu iyonlar istenen bir yüzey üzerine iyonik lens vasitasi ile aktarilmaktadir. Kullanilan iyonik lens, üzerine voltaj uygulanan bir iletken aygit olabilecegi gibi (iletken lens), üzerine gelen yükleri biriktirerek iyonik lens etkisi gösteren ve üzeri desenlenmis olan bir yalitkan aygit da (yalitkan lens) olabilir. Bu yalitkan lens, tercihen üzerinde delikler olan bir polimer katman olarak gerçeklestirilebilir. Bu sekilde polimer katmandan üretilen lens ise polimerik lens olarak adlandirilir. Mevcut bulusun bir uygulamasinda, desenli deliklere sahip bir polimerik katmandan olusan yalitkan lens, bir alt katmanin üzerine yerlestirilebilmekte veya dogrudan serilebilmektedir ve kuantum noktalarini içeren bir sivi çözeltisine, elektrosprey iyonizasyonu süreci uygulanmakta, böylece elektrik yüklü kuantum noktalari üretilmektedir. Elektrosprey iyonizasyon sürecinin bilinen isleyisi sayesinde, kuantum noktalari sividan ve diger kirleticilerden ayri ve arinmis iyonlar haline dönüsmektedir. Bu islem esnasinda, polimerik katman da üzerinde biriken kuantum noktalarinin bir kismi da dahil olmak üzere, yüklü parçaciklar ve moleküller sayesinde elektrik yüklenmekte ve dolayisiyla bu katman, gelen elektrik yüklü kuantum noktalarinin büyük bir kismini, katmandaki deliklere odaklayan bir elektrik alani olusturmaktadir. Bu sayede kuantum noktalarinin istenilen piksel bölgesine dogru odaklanma etkisini tetiklemektedir. Böylece, islemin sonunda kuantum noktalarinin çogu istenilen desene göre odaklanmaktadir ve polimerik katman tarafindan belirlenen her bir deligin orta kisminin içerisine biriktirilmektedir. Ayrica; farkli desenler ve kuantum noktalarina sahip olacak sekilde ayni prosedürün tekrarlanmasi, farkli mikroskobik alanlarin farkli kuantum noktalariyla desenlenmesine yönelik bir yöntem saglamaktadir. Bulusun bir diger uygulamasina göre, odaklayici iyonik lens, alt katman üzerinde kuantum noktalarini belirli alanlara çekmek veya bu alanlardan ittirmek için elektriksel olarak adreslenebilen ve ister alt katman üzerine biriktirilen veya yerlestirilen bir iletken maskeyle ikame edilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasina göre, odaklayici yalitkan lens ve kuantum noktalarinin elektrosprey iyonizasyonuna ek olarak alt katman üzerinde desenlenmis metal elektrotlar kullanilmaktadir; böylece metal elektrotun voltaji ve/veya bunun elektrik topraklama gibi bir elektrik nötrleme rezervuarina baglantisi, gelen kuantum noktalarinin ister çekilmesi veya ittirilmesi için kullanilmaktadir; böylece bir pikselin içerisindeki kuantum noktalarina dogrudan elektrik baglantisi saglanmaktadir ve ayni zamanda da farkli alanlara farkli tipteki kuantum noktalarinin biriktirilmesi için daha az sayida polimerik katmanin kullanilmasiyla sonuçlanan bir diger seçilebilirlik katmani saglanmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasina göre, alt katman üzerindeki metal elektrotlar kuantum noktalarinin elektrosprey iyonizasyonuna ek olarak kullanilmaktadir; böylece elektrotun voltaji ve/veya bunun, bir elektrik topraklama gibi bir elektrik nötrleme rezervuarina baglantisi ister kuantum noktalarinin çekilmesi veya ister ittirilmesi için kullanilmaktadir; bunun sonucunda, bir pikselin içerisindeki kuantum noktalarina dogrudan elektrik baglantisi saglanmaktadir ve ayni zamanda da baslangiçtaki odaklanma islemi için bir polimerik katmana ihtiyaç duyulmaksizin, farkli alanlarda farkli tipteki kuantum noktalarinin toplanilmasi için seçicilik saglanmaktadir. Bulusun bir amaci, elektrosprey iyonizasyonu ve desenlenmek istenen yüzeye yakin konumlanan veya dogrudan yüzey üzerinde bulunan iyonik lensler kullanilarak elektrolüminesan kuantum noktalarinin, elektrotlari içeren hedef piksellerin üzerine dogrudan biriktirilmesidir. Bulus sayesinde, elektrolüminesan kuantum noktalari elektrotlari içeren hedef piksellerin üzerine dogrudan biriktirilebilmekte ve bu sekilde, ekran büyük oranda basitlestirilebilmekte ve kuantum nokta ekranlarinda çok fazla iç katmana artik ihtiyaç duyulmamaktadir. Bulus, bu amaca, elektrosprey iyonizasyonuna ugramasi sayesinde çözeltiden kurtularak tek tek parçaciklar seklinde havaya yayilan ve ayni zamanda da elektrik yük kazanan kuantum noktalarinin, iyonik lens kullanilarak olusturulan elektrik alan vasitasiyla istenilen desen piksellerine ulasmasini saglayarak erismektedir. Bulusun bir diger amaci, daha az çapraz kirlilige sahip olan elektrolüminesan kuantum noktalarinin biriktirilmesidir. Bilindigi üzere, elektrosprey iyonlasma süreci sirasinda, biriktirilmek istenilen malzemeyi tasiyan ufak damlaciklarda bulunan sivi çözücü molekülleri buharlasarak havaya karismakta ve böylece yüzeye sadece biriktirilmek istenilen malzeme ulasmaktadir. Bazi durumlarda, çözeltiye elektrosprey iyonizasyonu sürecini stabilize edecek tuzlar katilabilmektedir. Bu tuzlarin, amonyum asetat gibi uçucu ürünlere dönüsebilen tuzlardan seçilmesi durumunda, bu katki malzemeleri de elektrosprey süreci sirasinda buharlasarak havaya karisacak, ve böylece tuzlardan kaynakli bir kontaminasyon da yüzeyde olmayacaktir. Dolayisiyla, bulus sayesinde, her bir renkteki kuantum noktasi farkli bir iyonik lens ile yüzey üzerindeki farkli noktalara iletilebilecegi için, daha az çapraz kirlilige sahip olan elektrolüminesan kuantum noktalari biriktirilmekte ve bu nedenle hem ekran performansi hem de her bir pikselin performansi arttirilmaktadir. Elektrosprey iyonizasyonu sayesinde çözücü damlacik ve moleküllerinde arinmis kuantum noktalarinin istenilen piksellere seçici olarak iyonik lens sayesinde ulastirilmasi bulusun bu amaca erismesini saglamaktadir. Bulusun bir diger amaci, elektrosprey iyonizasyon isleminin iyonik lens ihtiva eden bir yüzeye uzaktan ve gerekirse birçok kaynaktan paralel bir sekilde tatbik edilebilmesi ve böylece üretim yöntemin hizinin arttirilmasidir. Ayni kuantum nokta çözeltisinin birçok elektrosprey iyonlasma ignesi tarafindan ayni anda isletilmesi sayesinde bulusun bu Bulusun diger bir amaci, desenleme yapilan yüzeyin rijit bir yapi yerine esnek yapida olmasi, ve elektrolüminesan kuantum noktalarina dayali olarak büyük ölçülü ekranlarin üretilmesi ve esnek, esnetilebilir, giydirilebilir ekranlarin kullaniminin saglanmasidir. Bulusta, istege bagli olarak büyük bir alana kuantum noktalari biriktirilebilmekte ve böylece büyük, esnek ekranlar üretilebilmektedir. Bulusta, yüklü kuantum noktalarinin, bulunduklari sivi içerisinden elektrosprey iyonizasyonu ve iyonik lens sayesinde olusturulmus elektrik alan içerisinde elektriksel yükleri sebebiyle yönlendirilmesi sayesinde alt katmanin biriktirme sirasinda düzlemsel sekilde tutulup, daha sonra istege bagli olarak esnetilebilen bir yüzey malzemesi kullanilarak ve yüzey malzemesinde iyonlari üzerine çekerek yüklerini nötralize edebilen, bagimsiz olarak adreslenen piksellere istenilen kuantum noktalarini ulastirarak bu amaca erisebilmektedir. Sekillerin Açiklamasi Sekil 1: Elektrosprey iyonizasyonu ve yalitkan lens vasitasiyla kuantum noktalarinin adreslenmis elektrotlar üzerine biriktirilmesi yönteminin genel görünümünü göstermektedir. Sekil 2: Yalitkan lensin odaklanma etkisiyle birlikte elektrosprey biriktirme faaliyeti sayesinde kuantum noktalarinin biriktirildigi üretim adiminin sonucu olarak, kuantum noktalarin kesit görünümünü göstermektedir. Sekil 3: Desenli deliklerin merkezinin içerisine kuantum noktalarinin ilave olarak odaklanmasinin görülebildigii kuantum noktalari ekran cihazinin adresli biriktirilmesinin tamamlanmasi üretim adiminin sonucu olarak, yüzeyin kesit görüntüsünü göstermektedir. Sekil 4: Adresleme elektrotlari kullanilmadigi durumda, önerilen üretim yöntemi sonucunda olusacak kuantum noktalarinin birikiminin kesit görünümünü göstermektedir Sekil 5: Bulusa konu üretim yöntemiyle meydana çikacak aygitlara örnek olarak, transparan alt katman ve transparan adresleme elektrotlarina sahip kuantum noktalar ekraninin kesit görünümünü göstermektedir. Sekil 6: Bulusa konu üretim yönteminde yapilacak bariz degisikliklerle, önceden elektron veya delik tasima (iletim) katmani desenlerine sahip yüzeylere de kuantum noktalarinin yalitkan lens kullanilarak uygun sekilde desenlemesi islemiyle olusturulabilecek ekran cihazinin kesit görünümünü göstermektedir. Sekil 7: Farkli iyonik lenslerin ardisik kullanimini kullanilarak farkli tipteki kuantum noktalarinin, ilgili yalitkan maske tarafindan belirlenen bölgelerde biriktirme prosesini göstermektedir (Her bir türdeki kuantum nokta istenilen yerde biriktirildikten sonra, yalitkan maske kaldirilmakta ve bir sonraki kuantum nokta türüne uygun yeni bir yalitkan maske serilmektedir.). Sekil 8: Transparan elektrotlar ve transparan alt katmani içeren ekran cihazi üretmek için, alt katman üzerinde farkli yerlerde biriktirilebileoek farkli tipteki kuantum noktalarinin desenlenme prosesini göstermektedir. Sekil 9: Bulusa konu üretim metoduyla olusturulabilecek aygitlara örnek olarak, her birinin 3 farkli kuantum nokta türünün biriktirilmesiyle olusan 3 alt pikselden meydana geldigi, 5 piksele sahip ekran cihazinin bir bölümünün üstten görünümünü ve iki kesit görünümünü göstermektedir. Sekil 10: Bulusa konu üretim yöntemiyle olusturulabilecek, kuantum noktalarinin seçici sekilde desenlenmesi için esnek alt katman ve üste kaplanan yalitkan lensin izometrik görünümünü göstermektedir. Sekil 11: Desenleme prosesinden sonra esnek alt katman üzerine yerlestirilen biriktirilmis kuantum noktalarini göstermektedir. Sekil 12: Zamanla malzemesini kaybeden (sakrifisiyel) bir alt katmandan bir aktarim alt katmani üzerine piksel aktarimi prosesini göstermektedir. Sekil 13: Kuantum noktalarinin odaklanmasinin elektrostatik lens üzerine polarlama voltajinin uygulanmasiyla saglandigi, bir iletken lens kullanilarak kuantum noktalarinin biriktirilmesi üretim yöntemini göstermektedir. Sekil 14: Desenli, bagimsiz bir iletken lens kullanilarak kuantum noktalarinin biriktirilmesi üretim yöntemini göstermektedir. Sekil 15: Önerilen yöntemle bir yüzey üzerinde biriktirilmis 100 nm çapinda, floresan polistiren nanoparçaciklarin, hala yüzeyde duran yalitkan Iensle birlikte mikroskobik görünümü. Bulusu Olusturan UnsurlarinlKisimlarin/Parçalarin Tanimlari Bu bulus ile gelistirilen yöntemin daha iyi açiklanabilmesi için sekillerde yer alan parça ve kisimlar numaralandirilmis olup, her bir numaranin karsiligi asagida verilmektedir: 1. Elektrosprey iyonizasyon ucu 2. Yalitkan lens 3. Yalitkan lensteki desenli delikler 4. Elektrot . Alt katman 6. Kuantum noktalarini içeren sivi çözelti 7. Çözelti içindeki kuantum noktalari 8. Alt katman üzerine biriktirilen kuantum noktalari 9. Alt katman üzerinde odaklanarak biriktirilen kuantum noktalari .Partiküllerin odaklanmasina karsilik gelen mesafe 1 1 .Yüksek voltaj kaynagi 12.Transparan elektrot 13.Transparan alt katman 14. Elektron veya delik tasima katmani .Kuantum noktalarinin birinci renginin biriktirilmesi için polimerik lens 16.Kuantum noktalarinin ikinci renginin biriktirilmesi için polimerik lens 17.Kuantum noktalarinin üçüncü renginin biriktirilmesi için polimerik lens 18. Elektrotlarin adresleme baglantisi 19.AIt-piksellerden olusan ekran . Esnek alt katman 21 .Zamanla malzemesini kaybeden alt katman 22.Aktarim alt katmani 23.Iletken lens 24. Iletken lens için polarlama voltaji .Bagimsiz iyonik lens Bulusun Ayrintili Açiklamasi Bulus, elektrolüminesan ve/veya fotolüminesan kuantum noktalarina dayali optik ekranlar ve elektronik/elektro optik cihazlarin üretiminde bir desenleme yöntemi ile ilgilidir. Söz konusu desenleme yöntemi, fotovoltaik mekanizma ile isigi elektrik enerjisine çeviren nanoparçaciklarin ve fototermal etki ile isigi elektrik enerjisine çeviren nanoparçaciklarin da istenen yüzey üzerinde desenlenmesi için kullanilabilir. Bu bulusta her bir renkteki kuantum noktalarinin yüzey üzerinde istenilen yere serilerek alt-piksellerin olusturulmasi için SEKIL 1'deki gibi bir düzenek kurulmaktadir. Bulusa konu kuantum noktalarina dayali optik ekranlar ve elektronik/elektro optik cihazlarin üretiminde bir desenleme yöntemi asagidaki islem adimlarini içermektedir: Daha önceden üzerinde elektrotlar, ve/veya elektrik akiminin iletilmesini kolaylastiracak ek malzemeler islenmis bulunan bir alt katman üzerine iyonik lensi olusturacak malzemenin serilmesi, Desenleme yapilarak, iyonik Iensi olusturacak malzeme üzerinde istenilen alt- piksel deseninin delikler seklinde olusturulmasi ve standart hizalama yöntemleri kullanilarak alt-pikseli tanimlayan deliklerin, islenmis elektrotlar üzerine denk getirilmesi sonucunda iyonik Iensin elde edilmesi, Kuantum noktalari içeren sivi çözeltinin, elektrosprey iyonlasmasi sürecinden geçirilmesi vasitasiyla elektrik yüklü kuantum noktalarinin diger malzemelerden ari ve ayrik bir sekilde havada olusturulmasi ve desenlenmesi istenen yüzeye gönderilmesi, Iyonik lensin yalitkan lens olmasi durumunda üzerinde biriken elektrik yükleri sayesinde, iyonik Iensin iletken lens olmasi durumunda ise üzerine uygulanan elektrik potansiyeli sayesinde, kuantum noktalarini elektrik kuvvet vasitasiyla alt-pikseli tanimlayan deliklere dogru odaklamasi ve böylece kuantum noktalarinin çogunlugunun istenilen elektrotlar üzerinde desenlenmesi, Iyonik lens olarak islev gören katmanin uygun bir çözücü, oyucu ya da asindirici vasitasiyla alt katman yüzeyinden kaldirilmasi, Kullanilmak istenilen her bir farkli türdeki kuantum noktalari için önceki islem adimlarinin, uygun desenleme kullanilarak, sirasiyla tekrar edilmesi, Söz konusu desenleme yöntemi sayesinde; alt katman yüzeyinde, elektrotlar üzerinde farkli tiplerde kuantum noktalari istenildigi gibi desenlenmektedir. Yukarida listelenen (i-vi) adimlari, bulusa konu olan yöntemin temel çekirdegini olusturmaktadir. Bu adimlarin sagladigi avantaj, diger bilinen yöntemlerinin aksine kuantum noktalari saf bir sekilde, bir alt katman yüzeyinde istenilen yerlere desenlenmesini saglamasidir. Bu temel basamaklara ek olarak, farkli basamaklar da yönteme dahil edilebilir. Özellikle elektrolüminesans kuantum noktalar içeren ekranlarda birçok farkli tabaka daha bulunmaktadir ve bu diger tabakalar, farkli kombinasyonlar seklinde, yukarida bahsedilen (i-vi) adimlarindan önce ya da sonra, standart yöntemler kullanilarak üretilebilir. Açiktir ki, bu bulusun sagladigi temel adimlar olan (i-vi) sayesinde istenilen konumlara desenlenen kuantum noktalara ek olarak, ekran üretmek için standart yöntemlerin farkli siralarda kullanildigi bütün kombinasyonlar da kullanilabilir. Bulusun bir uygulamasinda, söz konusu desenleme yönteminin (i-vi) nolu basamaklarina ek olarak, eger istenilirse, elektrolüminesans kuantum nokta ekrani yönteminde kullanilan elektron transfer katmani da (örnegin; çinko oksit (ZnO) ya da magnezyum çinko oksit (ManO) nanoparçaciklari gibi) bulusa konu olan yöntemle desenlenebilir. Bu ek desenlemeyi gerçeklestirmek için, yukarida (ii) ve (iii) numarali adimlar arasinda asagidaki adim yapilir: a. elektron transfer katmani fonksiyonuna sahip nanoparçaciklarin bulundugu çözeltiye, elektrosprey iyonlasmasi islemi uygulanmasi, ve kuantum noktalar için kullanilacak iyonik Iensin bu adimda da kullanilarak alt katman yüzeyi üzerine nanoparçaciklarin desenlenmesi. Böylelikle, kuantum noktalari alt katman yüzeyi üzerinde desenlenmeden önce, ayni alanlarda elektron transfer katmani da önceden desenlenmis olur. Bu sekilde bir eklentinin faydasi, ayni iyonik lensi art arda kullanilarak, üst üste gelmesi gereken iki farkli katmanin otomatik olarak hizalanmasidir. Bulusun bir uygulamasinda, kuantum noktalarinin hazirlanan yüzeye gönderilmesinden önce, a) elektron transfer katmani olarak islev görecek olan çinko oksit (ZnO), magnezyum katkili çinko oksit (Mg-katkili ZnO) ya da kuantum noktalara elektron akimini kolaylastirabilecek özelliklerdeki nanoparçaciklarin, elektrosprey iyonizasyonu ile yüzeye gönderilmesidir. b) iyonik lensin nanoparçaciklari elektrik kuvvet vasitasiyla alt-pikseli tanimlayan deliklere dogru odaklamasi ve böylece nanoparçaciklarin büyük çogunlugunun istenilen elektrotlar üzerinde desenlenmesi, islem adimlari gerçeklestirilmektedir. Bulusun bir baska uygulamasinda, elektron transfer katmani önceden ayni alt katman yüzeyine farkli bir yöntemle de desenlenebilir. Bulusun bir diger uygulamasinda; söz konusu yöntemde kuantum noktalarini desenlemek için elektron transfer katmani yerine farkli bir malzeme, örnegin; delik transfer katmani, da kullanilabilir. Bulusa konu yöntemle kuantum noktalari istenilen yerlerde elektron transfer katmani üzerinde desenlendikten sonra, standart süreçlerle ekranin üretimi bitirilebilir. Mesela, bulusa konu desenleme yöntemi sonrasi; b. uygun bir gaz ortaminda ve döndürmeli kaplama cihazi kullanarak deliktransfer katmaninin serilmesi, c. delik enjeksiyon katmaninin serilmesi, d. üzerinde elektrotlar bulunan bir alt katmanin, olusturulan bu yigin üzerine birlestirilmesi islem adimlarinin uygulanmasi ile tek renkli veya çok renkli ekran üretilmektedir. Bulusun bir baska uygulamasinda, ekran üretimine yönelik olarak standart olarak kullanilan herhangi baska bir yöntem de kullanilabilir. Mesela kullanilan bu katmanlara ek olarak, elektrolüminesans kuantum noktalar teknolojisinde standart olarak kullanilan delik enjeksiyon katmaninin da bu üretim sürecine, tercihen döndürmeli kaplama ile serilerek dahil edilebilir. Bulusa konu yöntemde bahsi geçen elektrosprey iyonizasyonu, kuantum noktalari içeren çözeltiyi bir igne ucuna ilettikten sonra igneye yüksek bir voltaj tatbik ederek, igneden elektriksel yüklü küçük damlaciklarin üretilmesi ve bu damlaciklarin havada giderken buharlasmasi ve Rayleigh fizyon olgusunu geçirmesi sonucu git gide küçülerek en sonunda elektriksel olarak yüklü tek tek kuantum noktalarin havada olusmasi ve bu kuantum noktalarin, elektrosprey iyonizasyonu ignesi ucuna kiyasla daha düsük bir elektrik potansiyelinde tutulan alt katmana dogru hareket etmesi sürecidir. Söz konusu desenleme yönteminin en büyük avantaji olan kuantum noktalarin istenilen yerlere, düsük kontaminasyonla serilmesi, elektrosprey iyonizasyonu ve yalitkan Iensin bir arada kullanilmasiyla saglanmaktadir. Daha önce fotolitografi kullanilan yöntemlerde, kuantum noktalari fotorezist içine yüzeye tatbik edilmekteydi. Fotolitografi yapildiktan sonra ise yüzeyde hem kuantum noktalar hem de fotorezist katmani kalmakta. bu durum da kuantum noktalarinin optik performanslarini düsürmekteydi. Bulusta açiklanan yöntemde ise, fotorezist ile kuantum noktalar birbirinden ayrilmaktadir. Böylece fotorezist, istenilen desenle birlikte yüzeye tatbik edilirken; kuantum noktalar yüzeye belirli bir mesafeden elektrosprey iyonizasyonu ile gönderilmekte, elektrosprey iyonizasyonu sürecinde havada serbest ve kontaminasyonu düsük bir sekilde kuantum noktalari olusturmakta, ve kuantum noktalari yüzeye yaklasirken, fotorezist tabakanin yalitkan lens özelligi göstermesi sayesinde istenilen deliklerin içine koyulmaktadir. Bulusta önerilen yöntemde, kuantum noktalarini tasiyan sivi, elektrosprey iyonizasyonunu üreten igneden alt katman yüzeyine dogru hareket ederken buharlasmakta; böylece yüzeye ulasmamaktadir. Elektrosprey iyonizasyon sürecini daha etkin yapabilmek için (örnegin; çözeltinin iletkenligini arttirarak elektrosprey iyonizasyonunun ürettigi ilk damlaciklarin boyutunu küçültmek amaciyla), tasiyici siviya çesitli tuzlarin katkilanmasi gerekebilir. Bu tuzlarin uçucu tuzlardan, tercihen amonyum asetat ya da amonyum bikarbonat, seçilmesi durumunda yine bu tuzlar da elektrosprey iyonizasyonu sonrasinda gaz fazinda havaya karisacagi için, kuantum noktalarin serilmesi açisindan çok düsük kontaminasyon saglamaktadir. Bulusta elektrotlar ve alt katman saydam olabilir veya saydam olmayacak sekilde bir malzemeden de mamul olabilir. Farkli uygulamalarda farkli optik özelliklere sahip malzemeler kullanilarak da ayni üretim süreci gerçeklestirilebilir. Bulusun bir diger uygulamasinda, iyonik lensin malzemesi iletken veya yalitkan özellikte olabilir. Iyonik lensin iletken olmasi durumunda, elektrosprey iyonizasyonu ile istenilen yere gönderilen parçaciklarin odaklanmasi için iyonik Iense bir voltaj uygulanabilir. Bu durumda kullanilan iyonik lens herhangi bir iletken malzemeden seçilebilir (örnegin; herhangi bir metal ya da karbon gibi iletken elementler). Bulusun bir diger uygulamasinda; iyonik lens, alt katman üzerinde ya da elektrosprey iyonizasyonu ignesi ve alt katman arasinda konumlandirilabilir. Bulusun bir diger uygulamasinda, iyonik lens malzemesi yalitkan olabilir. Yalitkan bir katman üzerinde istenilen ebatlarda deliklerin herhangi bir yöntemle açildigi sürece, bahsedilen odaklama islevini görebilecek bir yapi elde edilmektedir. Yalitkan olan iyonik lens malzemesi polimerik, alümina ya da silikon dioksit benzeri seramik vb. malzemelerden seçilebilir. Bulusun bir diger uygulamasinda, yüzeyde elektron transfer katmani yerine, genel aygit mimarisinde bulunan baska bir katman, mesela delik transfer katmani da bulunabilecegi serbestligi vardir. Ayrica bu katmanlarin elektrosprey iyonizasyonu disinda bir yöntemle de yüzeye desenlenmis olmasi, üretim sürecini etkilememektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda, bir alt katman (5) üzerinde iyonik lens tarafindan belirlenen spesifik alanlarda (alt-piksellerde) kuantum noktalarinin desenlenmesine yönelik bir yöntem saglanmaktadir. Sekil 1'de görüldügü üzere kuantum noktalarini içeren sivi çözelti (6) bir elektrosprey iyonizasyon ucunun (1) içine yerlestirilmektedir. Bu uç mikroakiskan bir kanala da sahip olabilir ve kuantum noktalarini içeren sivi çözelti (6) bu mikroakiskan kanal sayesinde iyonizasyon ucunun (1) içerisine yerlestirilebilir. Kuantum noktalarini içeren sivi çözelti (6), bunlarla sinirli olmamak üzere; su, metanol, etanol, diger alkoller, asetonitril, kloroform, hekzan, oktan, diger alkanlar ve diger organik çözücüler gibi elektrosprey iyonizasyonuna uygun herhangi bir çözücü ile olusturulabilmektedir. Elektrosprey iyonizasyon sürecini kolaylastirmak için çözeltinin içerisine uçucu ilave kimyasallar, örnegin amonyum asetat gibi tuzlar, asetik asit gibi asitler ve amonyak gibi bazlar eklenebilmektedir. Çözelti bir elektrosprey iyonizasyon ucunun (1) içerisine eklendikten sonra elektrosprey iyonizasyonunun tetiklenmesi için uç ve bunun yakinindaki bir karsi elektrot (4) arasinda bir potansiyel fark olusturulmaktadir. Bu karsi elektrot (4) alt katmanin (5) kendisi olabilir veya uçlardan iyonlarin çikarilmasi için kullanilan, örnegin bir halkadaki gibi merkez delige sahip, iyonlarin geçisini engellemeyen, herhangi bir diger uygun elektrot olabilmektedir. Elektrik farkinin üretilmesi için bir yöntem, çözelti veya elektrosprey ucunun (1) üzerine yüksek voltaj kaynagi (11) ile yüksek voltaj uygulanmasi olabilir. Bulusun bir diger uygulamasinda kuantum noktalarinin spesifik deseninin üretilecegi alt katmanin (5) üzerine, desenlendirilmis deliklere sahip bir yalitkan katman yerlestirilmektedir. Desenli deliklere sahip yalitkan katman, Sekil 1'de gösterildigi gibi yalitkan lense (2) sahiptir. Burada yalitkan lens (2), fotolitografi ile tanimlanan deliklere sahip olacak sekilde alt katmanin (5) üzerine döndürmeli kaplama ile biriktirilebilen herhangi bir tipteki fotorezist olabilir veya diger mikro imalat yöntemleri ile üzerine delikler islenmis ve sonrasinda yüzey üzerine yerlestirilmis bir yalitkan malzeme olabilir. Elektrosprey iyonizasyonu sayesinde üretilen ve bu polimerik katmanin üzerine çarpan elektrik yüklü partiküller, yüzeyin üzerine yük birikimini tetiklemekte ve polimerik katmani etkin bir sekilde iyonik lense dönüstürmektedir. Sonuç olarak, gelen kuantum noktalarinin büyük bir bölümü, Sekil 2'de gösterildigi üzere polimerik katmanin deliklerinin merkez bölümü üzerine olusan elektrik alan sayesinde odaklanir. Desenlenmis kuantum noktalarinin (9) çogunun yalitkan lensin deliklerinin sinirindan ötede belirli bir mesafede (10) yer aldigi, Sekil 3'te de gösterildigi gibi, elektrostatik odaklanma nedeniyle, alt katman üzerindeki nihai desenleme, polimerik Iensin üzerindeki esas desenden daha dar olabilmektedir. Bu odaklama yönteminin avantaji, piksel boyutunun, yalitkan lens üzerindeki deliklerin boyutundan da küçük olabilmesi, böylece piksel yogunlugunun arttirilabilmesidir. Istenen kuantum noktalari yerlestirildikten sonra, biriktirilmis olan kuantum noktalarini ortadan kaldirmadan, çözdürme, kimyasal veya plazma daglama gibi uygun bir prosesle polimerik katman ortadan kaldirilabilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasina göre, elektrosprey iyonizasyonunu kolaylastirmak amaciyla, elektrosprey uç (1) nebülizasyon gazi, koruyucu gaz ve kurutma gazi gibi ilave bilesenler ile saglanabilmektedir. Elektrosprey iyonizasyonun (örnegin pozitif mod veya negatif mod) polaritesi ve bununla birlikte, elektrosprey iyonizasyonunun tipi (örnegin erisim içi veya erisim disi, nano-ESI v.s.) biriktirmenin herhangi bir asamasinda kuantum noktalari ve alt katmanlarin özelliklerine uyum saglayacak sekilde seçilebilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda, elektrosprey iyonizasyonu için igne ucu yerine herhangi bir alt katman ya da kanal olan herhangi bir iletken malzeme içerisine çözelti koyulup da elektrosprey iyonizasyonu gerçeklestirilebilir. Bulusun bir diger uygulamasinda, iyonlarin odaklanmasi amaciyla kullanilan yalitkan lens poli(metil metakrilat) (PMMA) gibi bir Elektron lsin Litografisi (EBL) direnci (rezist malzemesi) olabilmektedir ve EBL prosesiyle desen olusturulmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda, iyonlarin odaklanmasi amaciyla kullanilan yalitkan lens, polidimetilsiloksan (PDMS) gibi bir yumusak litografi için uygun bir polimer olabilir ve desen yumusak Iitografiyle olusturulmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasina göre, iyonik lens, desenli mikroskobik deliklere sahip iletken veya yari-iletken bir katidir ve dogrudan temasla veya bir maske hizalayicisi kullanilarak, ya da harici bir konumlandirma sistemi kullanilarak alt katmanin üzerine yerlestirilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda, iyonik lens alt katmanla temasta degildir, hatta alt katmanin yüzey kalitesinden ödün verilmemesi amaciyla alt katmana 10 cm'ye kadar bir mesafede üstte olacak sekilde yerlestirilmektedir ve iyonik Iensin üzerindekinden daha küçük olan boyutlara sahip desenler alt katman ve iyonik lens arasindaki ekstra bosluk sayesinde elde edilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda iyonik lensi olusturacak olan malzeme herhangi bir mikro üretim yöntemiyle elde edilmis herhangi bir yalitkan veya iletken polimer olabilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda, kuantum noktalarinin elektrosprey ile desenlenmesi sürecini kolaylastirmak için, alt katman (5), hem kuantum noktalarina elektrik baglantisi olusturmak için, hem de kendilerini, gelen elektrik yüklü kuantum noktalarinin desarj edilmesinin gerçeklestigi iletken yüzey olarak ortaya koyan, yalitkan Iensle (2) hizali olan ön-desenlenmis elektrotlari (4) içermektedir. Bulusun bir uygulamasinda, Sekil 4'te gösterildigi üzere, üretim yapilirken alt katman (5) ön-desenli herhangi bir elektrotu içermeyince Sekil 4'teki bir malzeme yigini elde edilebilir. Burada kuantum noktalarinin desenlenmesi ve odaklanmasi genel olarak yalitkan lensin (2) elektrostatik itme ve böylelikle gelmekte olan iyonlari odaklama faaliyetiyle gerçeklesmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda, Sekil 5'te gösterildigi üzere, transparan bir alt katman (13) ve transparan elektrotlar (12) kullanildigi durumda da üretim yapilabilmektedir, çünkü iyonlarin odaklanmasi süreci, malzemelerin opak ya da saydam olmasina bagli degildir. Diger uygulamalarda, saydam/opak alt katmanlarin/elektrotlarin herhangi bir kombinasyonu kullanilabilir. Bulusun bir diger uygulamasinda, Sekil 6'de gösterildigi üzere, Elektron Tasima Katmani (ETL) ve Delik Tasima Katmani (HTL) gibi, elektrolüminesansin tetiklenmesi için kuantum noktalarinin içine yük tasimasini kolaylastirabilen malzemeler, kuantum noktalarinin biriktirilmesinden önce ön-desenlenmektedir. Bulusun bir uygulamasinda ETL veya HTL katmanlari ön-desenli elektrotlar üzerine biriktirilmekteyken, bir diger uygulamada ETL ve HTL katmanlari dogrudan bir alt katman üzerine desenlenmektedirler. ETL ve HTL katmanlarinin desenlenmesi, bu bulusta bahsedilen Elektrosprey Iyonlasmasi ve yalitkan lens kullanilarak gerçeklestirilebilecegi gibi, ETL ve HTL malzemelerinin desenlenmesine uygun baska bir yöntemle de yapilabilir. Açiktir ki, elektrolüminesans kuantum noktalari ile standart olarak kullanilan delik enjeksiyon katmani da HTL katmaniyla ardisik olarak desenlenebilir. Farkli alanlarda farkli tiplerdeki kuantum noktalarinin desenlenmesi için, Sekil 7 ve Sekil 8'de gösterildigi üzere farkli bir polimerik lens ve farkli tipteki bir kuantum noktasinin kullanilmasiyla ayni alt katman üzerinde proses tekrarlanmaktadir. Alt katman üzerindeki hizalama isaretleri birbirine göre farkli katmanlarin hizalanmasi için kullanilabilmektedir. Sekil 8'de hem alt katmanin hem de elektrotlarin saydam oldugu bir uygulama gösterilmektedir. Diger uygulamalarda, saydam/opak alt katmanlar/elektrotlarin herhangi bir kombinasyonunun kullanilabilecegi açiktir. Her bir biriktirme adimindaki kuantum noktalari, yaydiklari isigin rengi bakimindan farklilik gösterebilmektedir. Bu sekilde, bulus farkli renklerdeki alt piksellerden meydana gelen kuantum noktasina dayali piksellerin desenlenmesine ve çok renkli ekran cihazlarinin Bulusun bir diger açiklamasinda, sadece tek bir yalitkan lens kullanilmaktadir ve farkli tipteki kuantum noktalari, Sekil 9'da gösterildigi üzere elektrotlarin voltajinin elektriksel olarak kontrol edilmesiyle istenen elektrotlar üzerine ardisik olarak biriktirilmektedir. Birinci tipteki kuantum noktalari elektrospreylenirken (örnegin tip-R), gelen tip-R yüklü kuantum noktalarini çekmek için R ön eki ile belirtilen elektrotlar uygun voltaj seviyesinde tutulabilmektedir, bu esnada, G ve/veya B ön ekleri ile belirtilen diger elektrotlar tip-R kuantum noktalarini itmek amaciyla farkli voltaj seviyelerinde tutulabilir veya elektriksel olarak sabit olmayan sekilde birakilabilirler. Örnek vermek gerekirse, pozitif yüklü kuantum noktalarinin olusturulmasi için elektrospreyin pozitif modu kullaniliyorsa, bu durumda R ön ekine sahip elektrotlar negatif voltaj seviyesinde veya topraklama voltajinda tutulabilmektedir, bu esnada G ve/veya B ön eki ile etiketlenmis elektrotlar ise pozitif voltaj seviyelerinde tutulmaktadirlar. Tip-R kuantum noktalarinin biriktirilmesi tamamlandiginda diger tipteki kuantum noktalariyla ayni prosedür tekrarlanmaktadir ve elektrotlar üzerindeki voltajlar da bu dogrultuda yeniden ayarlanmaktadir. Bu durumda, tip-G kuantum noktalari elektrospreylendiginde, G ön eki ile etiketli elektrotlar üzerindeki voltajlar gelen kuantum noktalari için çekici olacak sekilde ayarlanirken, R ve/veya B ön eki ile etiketli elektrotlar üzerindeki voltajlar ise itici olacak sekilde ayarlanmaktadir. Benzer sekilde, tip-B kuantum noktalari elektrospreylendiginde, B ön eki ile etiketli elektrotlar üzerindeki voltajlar gelen kuantum noktalari için çekici olacak sekilde ayarlanirken, R ve/veya G ön eki ile etiketli elektrotlar üzerindeki voltajlar ise itici olacak sekilde ayarlanmaktadir. Sekil 9'da pikselleri kontrol eden elektrotlarin alt katman üzerinde yer aldiklari gösterilse de bulusun uygulamalarinin yerlesiminin ekranlar ve cihazlarin üretimine uygun olan herhangi bir diger biçime sahip olabilecegi asikardir. Özellikle, elektrotlar alt katmanin içerisinden geçebilmekte ve alt katmanin diger tarafindaki bir sonraki devreye elektriksel baglantilar olusturabilmektedirler. Bu sekilde, TSV (through silicon via) yöntemi kullanimi gibi bilinen teknolojiler de piksellere elektronik baglanti olusturmak için kullanilabilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda; kuantum noktalarinin seçici desenlemesi, bir yalitkan lens kullanilmadan ve sadece metal elektrotlar üzerine uygun voltajlarin uygulanmasiyla iyonlarin çekilmesi/itilmesi vasitasiyla gerçeklestirilmektedir. Bu uygulamada, metal elektrotlar ile kapli olmayan alt katman üzerinde küçük bir miktarda spesifik olmayan bir birikim beklenilmektedir. Fakat, bu alanlardaki kuantum noktalari elektronik baglanti eksikliginden dolayi pasif kalacagindan, bu tür kuantum noktalarinin varligi cihazin çalismasina engel olmayacaktir. Bulusun bir diger uygulamasinda, üzerinde üretimin yapildigi alt katman bükülmez bir kati degildir, aksine esnek ve/veya esneyebilir ve/veya giydirilebilir bir malzemedir. Sekil 10ida gösterildigi üzere kuantum noktalarinin biriktirilmesi esnasinda esnek alt katman (20) yassi tutulmaktadir ve yalitkan lens (2) bunun üzerine yerlestirilmektedir. Bulusun bir diger uygulamasinda, yalitkan lens fotorezist olabilmektedir ve yerlestirme islemi, döndürülerek, organik termal buharlastirma ile veya döküm kaliplama ile gerçeklestirilebilmektedir. Bir diger uygulamada, yalitkan lens mikroskobik desenlere sahip olan ve esnek alt katmanin üzerine veya üstüne temas edecek sekilde yerlestirilen kati bir yapidir. Biriktirme isleminden sonra, esnek alt katman Sekil 11,de gösterildigi gibi mekanik olarak deforme olabilmektedir ve alt katman üzerindeki desenlenmis kuantum noktalari (8) mekanik deformasyona uyum saglamaktadir. Esnek alt katmanlar için uygun olan metalik elektrotlarin, pikselleri elektriksel olarak adreslemek için desteklenebildigi açiktir. Bulusun bir diger uygulamasinda, uygun bir lens kullanilarak, ilk olarak pikseller gözden çikarilacak/feda edilecek bir alt katman (21) üzerine biriktirilmektedir. Zamanla malzemesini kaybeden alt katman daha sonra, kati veya esnek olabilen, yalitkan veya iletken olabilen veya adreslenebilir elektrotlara sahip olabilen, bir diger istenilen aktarim alt katmanin (22) üzerine biriktirilen pikselleri aktarmak için kullanilmaktadir. Aktarim islemi SEKIL 12,de gösterildigi üzere zorlamali mühürleme, isi transferi, nanobasimlama, sicak gofraj gibi herhangi bir uygun yöntemle gerçeklestirilebilmektedir. Zamanla malzemesini kaybeden alt katman, soyma, çözdürme veya korozif gazli daglama gibi fiziksel veya kimyasal yöntemler sayesinde, piksel aktarimindan sonra yerinden çikarilmaktadir. Sekil 13'te gösterildigi üzere, bulusun bir diger uygulamasinda yüklü kuantum noktalarinin iyonik odaklamasi, elektrosprey iyonizasyonu (11) üretmek için kullanilan voltajin bir kismi gibi uygun bir voltajda (24) tutulan bir iletken lens (23) sayesinde gerçeklestirilmektedir. Bir uygulamada, iletken lens alt katman bölgesinin üzerine biriktirilen bir metal veya yari iletken bir katman olabilmektedir ve standart mikro/nano- üretim prosesleri kullanilarak desenlenebilmektedir. Bir diger uygulamada, iletken lens Sekil 14'te gösterildigi üzere alt katmanin (temas noktasindan 10 cm üzerine kadar) biraz üzerine yerlestirilen bir bagimsiz metal veya yari iletken parça olabilmektedir. Bir diger uygulamada, kuantum noktalarinin yerine optik islevlere sahip diger nano boyutlu partiküller de optik ekranlar, optoelektronik aygitlar, günes panelleri vb. üretmek için kullanilabilir. Fotovoltaik veya termoelektrik malzemeler, günes panelleri üretmek için elektrosprey iyonizasyon kullanilarak ve iyonik odaklama kullanilarak biriktirilmektedir. Bu sekilde, isigi elektrige çevirebilen ve geleneksel mikro üretimle alt katmanlarin üzerine biriktirilmesi zor olan mikro boyutlu ve nano boyutlu malzemeler de desenlenebilmektedir. Böylece bu tarz malzemelerin nano ve mikro ölçülerde modüllerden olusmasinin verecegi avantajlardan, mesela isigin ayirdigi elektron ve delik çiftinin, malzeme içinde tekrar rekombine olmadan malzeme yüzeyine ulasarak elektriksel enerji dönüsümünü saglamasindan, faydalanilmis olunacaktir. TR TR