CN106784402B - 一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法 - Google Patents

一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106784402B
CN106784402B CN201611189184.6A CN201611189184A CN106784402B CN 106784402 B CN106784402 B CN 106784402B CN 201611189184 A CN201611189184 A CN 201611189184A CN 106784402 B CN106784402 B CN 106784402B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
bank
hydrophobic
lithographic
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611189184.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106784402A (zh
Inventor
李福山
刘洋
徐中炜
郑聪秀
叶芸
唐�谦
郭太良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuzhou University
Original Assignee
Fuzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuzhou University filed Critical Fuzhou University
Priority to CN201611189184.6A priority Critical patent/CN106784402B/zh
Publication of CN106784402A publication Critical patent/CN106784402A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106784402B publication Critical patent/CN106784402B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法包括以下步骤：步骤S1：在基板上沉积TFT驱动电路与阳极层；步骤S2：配制具有疏水性材料的墨水；步骤S3：在TFT基板上沉积一层图案化的疏水的bank层；步骤S4：在bank层内依次打印电子注入层、电子传输层和发光层；步骤S5：依次沉积空穴传输层、空穴注入层和阴极，得到印刷发光显示器件；步骤S6：封装整个发光显示器件。通过本发明方法可以大面积、溶液法、低功耗和高材料利用率的制备发光显示器的像素bank，拓宽了bank材料的选择空间，大大简化了像素bank的制备流程，有利于工业化量产发光显示器。

Description

一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法
技术领域
本发明涉及光电材料器件技术领域，特别是涉及一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法。
背景技术
OLED被业界公认为下一代显示技术，但受限于比较蒸发镀膜高的成本，离市场普及还有相当距离。鉴于此，基于溶液法的光电显示技术日益受到行业的重视和青睐。三星、LG等国际品牌以及我国京东方、华星光电等本土厂商也已经在印刷OLED以及QLED布局。然而目前，TFT基板的bank依然采用如光刻、离子束刻蚀技术方法，都存在成本高、步骤复杂、bank材料选择空间小、以及表面需要复杂的疏水处理等缺点。
喷墨打印、气流喷印、转印、微米压印、卷对卷等图案化非光刻成膜技术据报道已经可以将线宽降到10um甚至微米以下，可以满足对显示TFT基板的bank的精度要求。利用图案化技术制备TFT基板的bank的特点有成本低、步骤简单、不需要使用大量化学药剂、对环境和设备要求不高、适合大规模可柔性显示面板的生产等。
传统的光刻方式步骤复杂、成本较大、模板(mask)制作成本较高、缺乏灵活性，且在制备的过程中需要使用大量化学药剂，造成环境污染。熟知的导电图形薄膜的光刻法制备过程如图1所示，其过程必须经过沉积成膜、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、清洗和烘干等许多步骤。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，通过该方法可以大面积低成本的制备TFT基板的bank，省去了传统光刻方式必须经过涂布光刻胶、曝光、显影、固化、刻蚀、清洗、烘干以及增加疏水性等流程，拓宽了bank材料的选择空间，大大简化了像素bank的制备流程，有利于工业化量产发光显示器。
本发明采用以下方案实现：一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，包括以下步骤：
步骤S1：在基板上沉积TFT驱动电路与阳极层；
步骤S2：配制具有疏水性材料的墨水；
步骤S3：在TFT基板上沉积一层图案化的疏水的bank层；
步骤S4：在bank层内依次打印电子注入层、电子传输层和发光层；
步骤S5：依次沉积空穴传输层、空穴注入层和阴极，得到印刷发光显示器件；
步骤S6：封装整个发光显示器件。
进一步地，所述基板选用的材料包括玻璃、柔性材料与可伸缩材料。
进一步地，所述阳极极层包括ITO、银纳米线、纳米银、石墨烯与透明导电材料。
进一步地，所述步骤S3中，在TFT基板上沉积的一层图案化的疏水的bank层通过包括喷墨打印、气流喷印、转印、微纳米压印、卷对卷图案化非光刻的印刷方式进行制备。
进一步地，所述疏水的bank层的材料为正负光胶以及具有绝缘性的疏水和超疏水材料，所述疏水和超疏水材料包括氟离子或氯离子的低表面能材料、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯为原料制备超疏水薄膜以及自组装微纳表面疏水材料，所述疏水的bank层材料墨水粘度为1cp~1000cp。
特别地，所述基板的亲疏水特征通过非增加功能薄膜层的等离子刻蚀或等离子臭氧等方式获得。
进一步地，所述疏水的bank层厚度为0.5um~2um。
进一步地，所述疏水的bank层的垂直剖面形状包括倒梯形、正梯形与弧形。
进一步地，所述发光显示器件包括OLED、QLED与PeLED。
进一步地，所述发光显示器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极电极通过喷墨打印的方式进行制备。
进一步地，所述发光显示器件通过包括玻璃封装、薄膜封装以及基于印刷的封装方式进行封装。
与现有技术相比，本发明通过一种基于非光刻像素bank的制备及在全打印发光显示器的应用方法，可以大面积低成本的制备TFT基板的bank，省去了传统光刻方式必须经过涂布光刻胶、曝光、显影、固化、刻蚀、清洗、烘干以及增加疏水性等流程，拓宽了bank材料的选择空间，大大简化了像素bank的制备流程，有利于工业化量产发光显示器。
附图说明
图1是本发明的方法流程示意图；
图2是像素bank的俯视图；
图3是在基板上沉积TFT驱动电路；
图4是在TFT驱动电路沉积阳极层；
图5是在TFT基板上沉积一层图案化的疏水的bank层；
图6是在bank内依次打印电子注入层、电子传输层和发光层，依次沉积空穴传输层、空穴注入层；
图7是沉积阴极得到印刷发光显示器件；
图8是封装整个发光显示器件。
图中标号说明：100—基板；110—TFT驱动电路；120—阳极层；130—疏水bank层；140—依次为电子注入层、电子传输层、发光层、积空穴传输层、空穴注入层；150—阳极层；160—封装的保护层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例具体对本发明进行进一步说明，本发明提供优选实施例，但不应该被认为仅限于在此阐述的实施例。在图中，为了清楚放大了层和区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。
在此参考图是本发明的理想化实施例的示意图，本发明所示的实施例不应该被认为仅限于图中所示的区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。在本实施例中均以矩形和三角形表示，图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。
本实施例提供一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤S1：在基板上沉积TFT驱动电路与阳极层；
步骤S2：配制具有疏水性材料的墨水；
步骤S3：在TFT基板上沉积一层图案化的疏水的bank层；
步骤S4：在bank层内依次打印电子注入层、电子传输层和发光层；
步骤S5：依次沉积空穴传输层、空穴注入层和阴极，得到印刷发光显示器件；
步骤S6：封装整个发光显示器件。
在本实施例中，所述基板选用的材料包括玻璃、柔性材料与可伸缩材料。
在本实施例中，所述阳极极层包括ITO、银纳米线、纳米银、石墨烯与透明导电材料。
在本实施例中，所述步骤S3中，在TFT基板上沉积的一层图案化的疏水的bank层通过包括喷墨打印、气流喷印、转印、微纳米压印、卷对卷图案化非光刻的印刷方式进行制备。
在本实施例中，所述疏水的bank层的材料为正负光胶以及具有绝缘性的疏水和超疏水材料，所述疏水和超疏水材料包括氟离子或氯离子的低表面能材料、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯为原料制备超疏水薄膜以及自组装微纳表面疏水材料，所述疏水的bank层材料墨水粘度为1cp~1000cp。
在本实施例中，所述基板的亲疏水特征通过非增加功能薄膜层的等离子刻蚀或等离子臭氧等方式获得。
在本实施例中，所述疏水的bank层厚度为0.5um~2um。
在本实施例中，所述疏水的bank层的垂直剖面形状包括倒梯形、正梯形与弧形。
在本实施例中，所述发光显示器件包括OLED、QLED与PeLED。
在本实施例中，所述发光显示器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极电极通过喷墨打印的方式进行制备。
在本实施例中，所述发光显示器件通过包括玻璃封装、薄膜封装以及基于印刷的封装方式进行封装。
在本实施例中，给出以下两个具体方案进行说明：
实施例1
一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，具体步骤为：
第一步：提供一基板100，依次在大气环境下，通过丙酮、酒精、去离子水依次超声清洗，干燥，并沉积TFT驱动电路，如图3所示；
第二步：沉积阳极层ITO，也可以是银纳米线、纳米银、石墨烯和其他透明导电材料，如图4所示；
第三步：将一定化学剂量比的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)溶解在四氢呋喃溶剂中制成聚合物墨水，然后通过喷墨打印制备图形化bank（如图2所示），然后静置待四氢呋喃溶剂挥发，最后将其浸泡在环己烷中一定时间后取出并自然晾干得到疏水bank层，厚度为0.5~2um，如图5所示，也可以通过气流喷印、转印、卷对卷等方式制备；
第四步：bank层中依次沉积发光显示器件的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，如图6所示；
第五步：利用真空蒸发蒸镀顶部电极银，如图7所示；
第六步：使用玻璃封装、薄膜封装或基于印刷的封装方式封装，如图8所示。
实施例2
一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，具体步骤为：
第一步：提供一基板100，依次在大气环境下，通过丙酮、酒精、去离子水依次超声清洗，干燥，并沉积TFT驱动电路，如图3所示；
第二步：沉积阳极层ITO，也可以是银纳米线、纳米银、石墨烯和其他透明导电材料，如图4所示；
第三步：将一定化学剂量比的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)溶解在四氢呋喃溶剂中制成聚合物墨水，然后通过喷墨打印制备图形化bank（如图2所示），然后静置待四氢呋喃溶剂挥发，最后将其浸泡在环己烷中一定时间后取出并自然晾干得到疏水bank层，厚度为0.5~2um，如图5所示，也可以通过气流喷印、转印、卷对卷等方式制备；
第四步：bank层中依次沉积发光显示器件的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，如图6所示；
第五步：利用喷墨打印纳米线沉积阴极，如图7所示；
第六步：使用玻璃封装、薄膜封装或基于印刷的封装方式封装，如图8所示。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (7)

1.一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：在基板上沉积TFT驱动电路与阳极层；
步骤S2：配制具有疏水性材料的墨水；
步骤S3：在TFT基板上沉积一层图案化的疏水的bank层；
步骤S4：在bank内依次打印空穴注入层、空穴传输层和发光层；
步骤S5：依次沉积电子传输层、电子注入层和阴极，得到印刷发光显示器件；
步骤S6：封装整个发光显示器件；
所述步骤S3中，在TFT基板上沉积的一层图案化的疏水的bank层通过包括喷墨打印、气流喷印、转印、卷对卷图案化非光刻的印刷方式进行制备；
所述疏水的bank层的材料为正负光胶以及具有绝缘性的疏水和超疏水材料的混合材料，所述疏水和超疏水材料包括自组装微纳表面疏水材料，所述疏水的bank层材料墨水粘度为1cp~1000cp；
所述疏水的bank层的垂直剖面形状包括倒梯形、正梯形与弧形。
2.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述基板选用的材料包括玻璃、柔性材料与可伸缩材料。
3.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述阳极极层包括ITO、银纳米线、纳米银、石墨烯与透明导电材料。
4.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述疏水的bank层厚度为0.5um~2um。
5.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述发光显示器件包括OLED、QLED与PeLED。
6.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述发光显示器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极电极通过喷墨打印的方式进行制备。
7.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述发光显示器件通过包括玻璃封装、薄膜封装以及基于印刷的封装方式进行封装。
CN201611189184.6A 2016-12-21 2016-12-21 一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法 Active CN106784402B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611189184.6A CN106784402B (zh) 2016-12-21 2016-12-21 一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611189184.6A CN106784402B (zh) 2016-12-21 2016-12-21 一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106784402A CN106784402A (zh) 2017-05-31
CN106784402B true CN106784402B (zh) 2019-01-18

Family

ID=58896484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611189184.6A Active CN106784402B (zh) 2016-12-21 2016-12-21 一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106784402B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109285947B (zh) * 2017-07-20 2023-06-06 武汉国创科光电装备有限公司 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法
CN109285926B (zh) * 2017-07-20 2020-03-24 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 印刷用薄膜led衬底、印刷型薄膜led器件及其制备方法
CN109411507A (zh) * 2017-08-17 2019-03-01 Tcl集团股份有限公司 像素界定层的制备方法
US10453907B2 (en) 2017-08-21 2019-10-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED device and method for fabricating the same
CN107528010A (zh) * 2017-08-21 2017-12-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件的制备方法
CN107644951A (zh) * 2017-10-20 2018-01-30 东莞理工学院 一种印刷oled显示屏的制备方法
CN108899278A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 昆山国显光电有限公司 图案化的纳米银线薄膜及触控面板的制造方法
CN110335889A (zh) * 2019-07-01 2019-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112829479B (zh) * 2020-12-22 2021-11-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 用于精细电路印刷的印章和印刷方法
CN113707835B (zh) * 2021-08-24 2022-12-23 福州大学 纳米压印图案化量子点led制备方法
CN113937242B (zh) * 2021-08-26 2023-09-12 福州大学 一种超精细化量子点薄膜及其高分辨qled制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367391A (zh) * 2013-06-28 2013-10-23 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
CN105667085A (zh) * 2016-01-14 2016-06-15 福州大学 一种实现图形化喷墨打印精细障壁阵列及其制造方法
CN106067478A (zh) * 2016-08-08 2016-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367391A (zh) * 2013-06-28 2013-10-23 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
CN105667085A (zh) * 2016-01-14 2016-06-15 福州大学 一种实现图形化喷墨打印精细障壁阵列及其制造方法
CN106067478A (zh) * 2016-08-08 2016-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106784402A (zh) 2017-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106784402B (zh) 一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法
CN110048005B (zh) 一种oled显示器件及其制备方法
CN103346271B (zh) 一种掩膜板、oled透明显示面板及其制造方法
CN109309101B (zh) 显示面板及显示装置
WO2013135053A1 (zh) 发光二极管显示背板及其制造方法、显示装置
KR101322310B1 (ko) 유기전기발광소자 및 그 제조방법
EP3333922A1 (en) Electrode structure, and organic luminescence unit and manufacturing method therefor
TW200945648A (en) Oganic thin film transistor and pixel and method for manufacturing the same and display panel
JP2006190671A (ja) 電界発光素子及びその製造方法
US10305049B2 (en) OLED substrate and manufacture method thereof
US10707079B2 (en) Orthogonal patterning method
WO2015085722A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN106129264A (zh) 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法
CN109378326A (zh) 显示面板及其制作方法
CN106856203B (zh) 一种顶发射显示发光器件及其制备方法
CN103205701A (zh) 蒸镀掩模板及其制作方法
CN101587939A (zh) 有机薄膜晶体管与像素结构及其制作方法以及显示面板
WO2018214416A1 (zh) 一种高分辨阵列有机薄膜的制备方法及其应用
CN106449658A (zh) Tft基板及其制作方法
CN112310179B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112670411A (zh) 一种全溶液柔性有机薄膜晶体管阵列及其制备方法与应用
CN105742332A (zh) 一种电致发光显示器件及其制作方法
CN108987452B (zh) 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示装置
CN202530150U (zh) 蒸镀掩模板
CN102110775B (zh) 实现半导体聚合物图形化的方法及其应用器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant