TH62690B - วิธีการสำหรับการถอดและเคลื่อนย้ายชิพสารกึ่งตัวนำออกจากฟอยล์ - Google Patents

Abstract

DC60 (20/12/60) การถอดและเคลื่อนย้ายชิพสารกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) เกิดขึ้นได้สอดคล้องกับการ ประดิษฐ์ในสามเฟส ในเฟสแรกนั้นมีการถอดชิพสารกึ่งตัวนำ (1) บางส่วนออกจากฟอยล์ (3) ด้วยเครื่องมือ เชิงกล โดยไม่เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ส่วนในเฟสที่สองนั้นชิพสารกึ่งตัวนำ (1) ถูกถอดออกจากฟอยล์ (3) ต่อไปที่มีชิพสารกึ่งตัวนำ (1) ถูกจับไว้โดยตัวหนีบชิพ (11) ในเฟสที่สามนั้นตัวหนีบชิพ (11) ถูกยกขึ้น และเคลื่อนออกไป ------20/12/2560------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ การถอดและเคลื่อนย้ายชิพสารกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) เกิดขึ้นได้สอดคล้องกับการ ประดิษฐ์ในสามเฟส ในเฟสแรกนั้นมีการถอดชิพสารกึ่งตัวนำ (1) บางส่วนออกจากฟอยล์ (3) ด้วยเครื่องมือ เชิงกล โดยไม่เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ส่วนในเฟสที่สองนั้นชิพสารกึ่งตัวนำ (1) ถูกถอดออกจากฟอยล์ (3) ต่อไปที่มีชิพสารกึ่งตัวนำ (1) ถูกจับไว้โดยตัวหนีบชิพ (11) ในเฟสที่สามนั้นตัวหนีบชิพ (11) ถูกยกขึ้น และเคลื่อนออกไป ------------ แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 26/01/2559 การถอดและเคลื่อนย้ายชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) เกิดขึ้นได้สอดคล้องกับการประดิษฐ์ ในสามเฟส ในเฟสแรกนั้นมีการถอดชิพกึ่งตัวนำ (1) บางส่วนออกจากฟอยล์ (3) ด้วยเครื่องมือเชิงกล โดย ไม่เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ส่วนในเฟสที่สองนั้นชิพกึ่งตัวนำ (1) ถูกถอดออกจากฟอยล์ (3) ต่อไปที่มี ชิพกึ่งตัวนำ (1) ถูกจับไว้โดยตัวหนีบชิพ (11) ในเฟสที่สามนั้นตัวหนีบชิพ (11) ถูกยกขึ้นและเคลื่อนออกไป (รูปที่ 1b) ------------------------------------------------------------------- การถอดและเคลื่อนย้ายชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) เกิดขึ้นได้สอดคล้องกับการประดิษฐ์ใน สามเฟส ในเฟสแรกนั้นมีการถอดชิพกึ่งตัวนำ (1) บางส่วนออกจากฟอยล์ (3) ด้วยเครื่องมือเชิงกล โดยไม่ เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ส่วนในเฟสที่สองนั้นชิพกึ่งตัวนำ (1) ถูกถอดออกจากฟอยล์ (3) ต่อไปที่มีชิพ กึ่งตัวนำ (1) ถูกจับไว้โดยตัวหนีบชิพ (11) ในเฟสที่สามนั้นตัวหนีบชิพ (11) ถูกยกขึ้นและเคลื่อนออกไป

Claims (1)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :------20/12/2560------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า ข้อถือสิทธิ 1. วิธีการสำหรับการถอดและการเคลื่อนย้ายชิพสารกึ่งตัวนำออกจากฟอยล์ที่ซึ่งตัวขับดันชิพให้ หลุดออกรองรับการถอดของชิพสารกึ่งตัวนำออกจากฟอยล์และตัวหนีบชิพเอาชิพสารกึ่งตัวนำขึ้น ด้วยตัว ขับกันชิพให้หลุดออกที่มีพื้นผิวรองรับที่ซึ่งฟอยล์วางพักอยู่บนนั้น วิธีการที่ประกอบด้วยเฟสแรกโดยไม่ เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ เฟสที่สองที่ตามมาและเฟสที่สามที่ตามมา เฟสที่หนึ่งซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน การจัดให้มีชิพสารกึ่งตัวนำถัดไปที่จะถูกเคลื่อนย้ายบนพื้นผิวรองรับของตัวขับดันชิพให้หลุด ออกที่ตำแหน่งที่ซึ่งชิพสารกึ่งตัวนำจะถูกยึดไว้โดยตัวหนีบชิพในเฟสที่สอง ชิพสารกึ่งตัวนำยังคงติดอยู่ อย่างสมบูรณ์กับฟอยล์ และจากนั้น การทำให้ตัวขับดันชิพให้หลุดออกเป็นสุญญากาศเพื่อยึดฟอยล์ไว้อย่างแน่นหนาอยู่บนตัวขับ ดันชิพให้หลุดออก และจากนั้น ความอ่อนตัวของการเชื่อมติดระหว่างชิพสารกึ่งตัวนำและฟอยลโดยการถอดฟอยล์บางส่วน ออกจากชิพสารกึ่งตัวนำที่จัดไว้ให้ด้วยเครื่องมือเชิงกล ในที่ซึ่งที่สุดท้ายความอ่อนตัว ชิพสารกึ่งตัวนำถูกยึด ไว้โดยฟอยล์ไปถึงขนาดที่ซึ่งโดยประการแรกชิพสารกึ่งตัวนำถูกงอหรือโค้งมากที่สุดที่จะทำให้กล้อง สามารถที่จะถ่ายภาพของชิพสารกึ่งตัวนำได้ซึ่งสามารถถูกประเมินค่าได้ และที่ซึ่งโดยประการที่สองชิพสาร กึ่งตัวนำยังไม่สามารถถูกยกขึ้นได้โดยตัวหนีบชิพจากฟอยล์ที่ไม่มีการทำให้เกิดความเสียหายหรือทำลายชิพ สารกึ่งตัวนำ และจากนั้น การบันทึกภาพของชิพสารกึ่งตัวนำและการตัดสินตำแหน่งของชิพสารกึ่งตัวนำนั้นหรือความ คลาดเคลื่อนของตำแหน่งจริงของชิพสารกึ่งตัวนำนั้นไปจากตำแหน่งเป้าหมาย ตามลำดับ เฟสที่สองประกอบด้วยขั้นตอน การทำให้ตัวหนีบชิพต่ำลงจนกระทั่งตัวหนีบชิพสัมผัสพื้นผิวของชิพสารกึ่งตัวนำ การทำให้ตัวหนีบชิพเป็นสุญญากาศเพื่อที่จะยึดชิพสารกึ่งตัวนำอย่างแน่นหนา และจากนั้น การถอดเพิ่มเติมของฟอยล์ออกจากชิพสารกึ่งตัวนำที่จัดให้นั้นที่รองรับโดยตัวขับดันชิพให้ หลุดออก ในที่ซึ่งที่สุดท้ายของเฟสที่สอง ฟอยล์ถูกถอดออกจากชิพสารกึ่งตัวนำอย่างสมบูรณ์หรือฟอยล์ สัมผัสชิพสารกึ่งตัวนำเพียงแค่บนร้อยละที่เล็กน้อยของพื้นผิวของด้านล่าง และ เฟสที่สามประกอบด้วยขั้นตอน การยกและเคลื่อนตัวหนีบชิพออกไปจากฟอยล์ หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 การถอดบางส่วนของฟอยล์ออกจากชีพสารกงตัวนำที่เกิดขึ้นโดยการ แทนที่ของแคร่เพื่อที่ว่าช่องว่างถูกทำขึ้นในพื้นผิวรองรับของตัวขับดันชีพให้หลุดออกที่อยู่ใต้ขอบด้านหนึ่ง ของชีพสารกึ่งตัวนำที่จัดไว้ให้ที่มีสุญญากาศอยู่ทั่วไปในช่องว่างที่ดึงฟอยณ์ข้าไปในช่องว่างและถอดฟอยล์ นั้นออกจากชีพสารกึ่งตัวนำ ในที่ซึ่งที่ปลายของการถอดบางส่วนของฟอยล์ออกได้ถูกถอดในบริเวณ ขอบเขตประมาณ 10% ถึง 20% ของความยาวของชีพสารกึ่งตัวนำ 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในที่ซึ่งการถอดของชีพสารกึ่งตัวนำออกจากฟอยลํถูกรองรับด้วยเข็ม ที่ซึ่งสามารถแทนที่ในทิศทางตั้งฉากหรือเฉียงสัมพันธ์กับพื้นผิวรองรับและที่มีระยะทางโดยที่ซึ่งปลายยอด ของเข็มยื่นพ้นพื้นผิวรองรับได้ถูกกำหนดเป็นความสูง วิธีการประกอบเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนตังต่อไปนี้เพื่อ ทำการถอดฟอยล์บางส่วนดังกล่าวออกจากชีพสารกึ่งตัวนำที่จัดไว้ให้นั้น การยกเข็มขึ้นจนถึงความสูง z1 ตามที่กำหนด เพื่อที่ว่าเข็มยื่นพ้นพื้นผิวรองรับ และ การทำให้เข็มอยู่ต่ำลงถึงความสูง z2 ตามที่กำหนดซึ่งมีค่าน้อยกว่าความสูง z1 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 3 ประกอบเพิ่มเติมด้วยการเถือกความสูง z2 ในที่ลักษณะที่เข็ม ไม่ได้ ยื่นพ้นพื้นผิวรองรับ ------------ แก้ไข 26/01/2559 1. วิธีการสำหรับการถอดและการเคลื่อนย้ายชิพกึ่งตัวนำออกจากฟอยล์ซึ่งตัวขับดันชิพให้หลุด ออกรองรับการถอดของชิพกึ่งตัวนำออกจากฟอยล์และตัวหนีบชิพเอาชิพกึ่งตัวนำขึ้น ด้วยตัวขับดันชิพให้ หลุดออกที่มีพื้นผิวรองรับที่ซึ่งฟอยล์วางพักอยู่บนนั้น วิธีการที่ประกอบด้วยเฟสแรกโดยไม่เกี่ยวข้องกับตัว หนีบชิพ, เฟสที่สองที่ตามมาและเฟสที่สามที่ตามมา, เฟสที่หนึ่งซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน: การจัดให้มีชิพกึ่งตัวนำถัดไปที่จะถูกเคลื่อนย้ายบนพื้นผิวรองรับของตัวขับดันชิพให้หลุดออกที่ ตำแหน่งที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำจะถูกยึดไว้โดยหนีบชิพในเฟสที่สอง, ชิพกึ่งตัวนำยังคงติดอยู่อย่าสมบูรณ์ กับฟอยล์; และจากนั้น การทำให้ตัวขับดันชิพให้หลุดออกเป็นสุญญากาศเพื่อยึดฟอยล์ไว้อย่างแน่นหนาอยู่บนตัวขับดัน ชิพให้หลุดออก; และจากนั้น ความอ่อนตัวของการเชื่อมติดระหว่างชิพกึ่งตัวนำฟอยล์โดยการถอดฟอยล์บางส่วนออกจาก ชิพกึ่งตัวนำที่จัดไว้ให้ด้วยเครื่องมือเชิงกล, ในที่ซึ่งที่สุดท้ายความอ่อนตัว, ชิพกึ่งตัวนำถูกยึดไว้โดยฟอยล์ไป ยังดังขอบเขตที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำประการแรกถึงขนาดที่ว่าประการแรกมันถูกงอหรือโค้งมากที่สุดที่จะทำได้ถึง ขนาดที่ว่ากล้องสามารถจะถ่ายภาพของชิพกึ่งตัวนำได้ซึ่งสามารถภูกประเมินค่าได้ และที่ซึ่งชิพกึ่งตัวนำ ประการที่สองยังไม่สามารถถูกยกได้โดยตัวหนีบชิพจากฟอยล์ ที่ไม่มีการทำให้เกิดความเสียหายหรือ ทำลายชิพกึ่งตัวนำ, และจากนั้น การบันทึกภาพของชิพกึ่งตัวนำและการตัดสินตำแหน่งของชิพกึ่งตัวนำหรือความคลาดเคลื่อน ของตำแหน่งจริงของชิพกึ่งตัวนำนั้นไปจากจำแหน่งเป้าหมาย, ตามลำดับ; เฟสที่สองประกอบด้วยขั้นตอน: การทำให้ตัวหนีบชิพต่ำลงจนกระทั่งตัวหนีบชิพสัมผัสพื้นผิวของชิพกึ่งตัวนำ; การทำให้ตัวหนีบชิพเป็นสุญญากาศเพื่อที่จะยึดชิพกึ่งตัวนำอย่างแน่นหนา; และจากนั้น การถอดเพิ่มเติมของฟอยล์ออกจากชิพกึ่งตัวนำที่รองรับโดยตัวขับดันชิพให้หลุดออก, ในที่ซึ่งที่ สุดท้ายของเฟสที่สอง, ฟอยล์ถูกถอดออกจากชิพกึ่งตัวนำอย่างสมบูรณ์ด้วยเช่นกันหรือฟอยล์สัมผัสชิพกึ่ง ตัวนำเพียงแค่บนร้อยละที่เล็กน้อยของพื้นผิวของด้านล่าง; และ เฟสที่สามประกอบด้วยขั้นตอน: การยกและเคลื่อนตัวหนีบชิพออกไปจากฟอยล์ 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, การถอดบางส่วนของฟอยล์ออกจากชิพกึ่งตัวนำที่เกิดขึ้นโดยการ แทนที่ของแคร่เพื่อที่ว่าช่องว่างถูกทำขึ้นในพื้นผิวรองรับของตัวขับดันชิพให้หลุดออกอยู่ใต้ขอบด้านหนึ่ง ของชิพกึ่งตัวนำที่จัดไว้ให้ที่มีสุญญากาศอยู่ทั่วไปในช่องว่างที่ดึงฟอยล์เข้าไปในช่องว่างและถอดฟอยล์นั้น ออกจากชิพกึ่งตัวนำ, ในที่ซึ่งที่ปลายของการถอดบางส่วนของฟอยล์ออกได้ถูกถอดในบริเวณขอบเขต ประมาณ 10% ถึง 20% ของความยาวของชิพกึ่งตัวนำ 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในที่ซึ่งการถอดของชิพกึ่งตัวนำออกจากฟอยล์ถูกรองรับด้วยเข็มที่ ซึ่งสามารถแทนที่ในทิศทางตั้งฉากหรือเฉียงสัมพันธ์กับพื้นผิวรองรับและที่มีระยะทางโดยที่ซึ่งปลายยอด ของเข็มยื่นพ้นพื้นผิวรองรับได้ถูกกำหนดเป็นความสูง วิธีการประกอบเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้เพื่อ ทำการถอดฟอยล์บางส่วนดังกล่าวออกจากชิพกึ่งตัวนำ: การยกเข็มขึ้นจนถึงความสูง Z1 ตามที่กำหนด เพื่อที่ว่าเข็มได้ยื่นพ้นพื้นผิวรองรับและ การทำให้เข็มอยู่ต่ำลงถึงความสูง Z2 ประกอบเพิ่มเติมด้วยการเลือกความสูง Z2 ในที่ซึ่งวิธีทางที่ซึ่งเข็ม ไม่ได้ยื่นพ้นพื้นผิวรองรับ ----------------------------------------------------

1. วิธีการสำหรับการถอดและการเคลื่อนย้ายชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) ที่ซึ่งตัวขับดัน ชิพให้หลุดออกรองรับการถอดของชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) และตัวหนีบชิพ (11) เอาชิพกึ่งตัวนำ (1) ขึ้น ด้วยตัวขับดันชิพให้หลุดออก (2) ที่มีพื้นผิวรองรับ (13) ที่ซึ่งฟอยล์ (3) วางพักอยู่บนนั้น ซึ่ง ประกอบด้วยเฟสแรกโดยไม่เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน: การจัดให้มีชิพกึ่งตัวนำ (1) ถัดไปที่จะถูกเคลื่อนย้ายบนพื้นผิวรองรับ (13) ของตัวขับดันชิพ ให้หลุดออก (2); การทำให้ตัวขับดันชิพให้หลุดออก (2) เป็นสุญญากาศเพื่อยึดฟอยล์ (3) ไว้อย่างแน่นหนาอยู่ บนตัวขับดัยชิพให้หลุดออก (2); การถอดฟอยล์ (3) บางส่วนออกจากชิพกึ่งตัวนำ (1) ที่จัดไว้ให้ด้วยเครื่องมือเชิงกล; และ การบันทึดภาพของชิพกึ่งตัวนำ (1) และการตัดสินตำแหน่งของชิพกึ่งตัวนำนั้นหรือความ คลาดเคลื่อนของตำแหน่งจริงของชิพกึ่งตัวนำนั้นไปจากตำแหน่งเป้าหมาย; และยังประกอบด้วยเฟสที่สองที่มีขั้นตอน: การทำให้ตัวหนีบชิพ (11) ต่ำลงจนกระทั่งตัวหนีบชิพ (11) สัมผัสพื้นผิวของชิพกึ่งตัวนำ (1); การทำให้ตัวหนีบชิพ (11) เป็นสุญญากาศ เพื่อทำให้ยึดชิพกึ่งตัวนำ (1) ได้แน่นหนา; การถอดฟอยล์ (3) ออกจากชิพกึ่งตัวนำ (1) ที่ถูกจัดให้มีไว้ต่อไปที่ซึ่งรอบรับโดยตัวขับดันชิพ ให้หลุดออก (2) แลยังประกอบด้วยเฟสที่สามที่มีขั้นตอน: การยกและเคลื่อนตัวหนีบชิพ (11) ออกไป