TH3750A - การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอย - Google Patents
การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอยInfo
- Publication number
- TH3750A TH3750A TH8501000401A TH8501000401A TH3750A TH 3750 A TH3750 A TH 3750A TH 8501000401 A TH8501000401 A TH 8501000401A TH 8501000401 A TH8501000401 A TH 8501000401A TH 3750 A TH3750 A TH 3750A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- vapor
- coating
- reaction
- initiates
- film
- Prior art date
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 title 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 230000004520 agglutination Effects 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 abstract 1
Abstract
วิธีการและเครื่องมือเพื่อการจับเกาะฟิล์มที่มีโลหะบนผิวด้านล่างของแถบแก้วโดยวิธีการจับเกาะไอเคมี ซึ่งประกอบด้วยการให้มี ส็อซซึลหัวหนึ่งที่มีโครงร่างซึ่งสร้างการไหลปั่นป่วนของไอสาร เริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว การส่งผ่านไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบ ผิวดังกล่าวโดยวิถีทางของส็อซซึลดังกล่าวไปยังผิวด้านล่างของ ซับสเตรตแก้วดังกล่าวที่ซึ่งสารเริ่มปฏิกิริยาดังกล่าวจะเกิด ปฏิกิริยาเพื่อให้เกิดการจับเกาะของฟิล์ม การให้มีวิถีทาง ระบายแก๊สที่ร่วมเป็นหน่วยเดียวกับวิถีทางหนึ่งใกล้กับน็อซซึล ดังกล่าว การคงให้มีความดันต่ำกว่าบรรยากาศในวิถีทางระบายแก๊ส ดังกล่าว และการเคลื่อนย้ายไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว และ ผลิตภัณฑ์พลอยได้จากปฏิกิริยาที่ไม่เกิดปฏิกิริยา และไม่เกิด การจับเกาะออกทางวิถีทางระบายแก๊สดังกล่าว ลักษณะของวิธีการแบบ อื่นประกอบด้วยการสัมผัสผิวด้านบนของซับสเตรตดังกล่าวด้วยสาร เริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิวที่มีโลหะชนิดหนึ่งซึ่งจะเกิดปฏิกิริยา ให้เกิดการจับเกาะฟิล์มโลหะออกไซด์ชนิดสะท้อนแสงอินฟาเรดบนนั้น โดยที่ฟิล์มดังกล่าวนั้นจะแสดงผลของสีแทรกสอดชนิดหนึ่งที่มอง เห็นได้ในการสะท้อนออกมา และการสัมผัสโดยในเวลาเดียวกันของ ผิวล่างของซับสเตรตแก้วดังกล่าวด้วยไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบ ผิวที่มีโลหะชนิดหนึ่งซึ่งจะเกิดปฏิกิริยาให้เกิดการจับเกาะของ ฟิล์มโลหะออกไซด์ที่สามารถสะท้อนแสงได้มากกว่า ซึ่งจะกัน ผลของสีแทรกสอดชนิดที่มองเห็นได้ในฟิล์มโลหะออกไซด์ชนิดสะท้อน แสงอินฟาเรดที่ผิวด้านบน
Claims (1)
1.วิธีการสำหรับการเคลือบผิวซับสเตรตแก้วซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ a. การคงให้ซับสเตรตแก้วดังกล่าวอยู่ในตำแหน่งแนวระดับ b. การคงให้ซวับสเตรตแก้วดังกล่าวอยู่ที่อุณหภูมิที่ เพียงพอให้ไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิวเกิดปฏิกิริยา และ จับเกาะฟิล์มบนผิวแก้วนนั้น c. การระเหยสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว d. เพื่อให้มีน็อซซึลซึ่งมีโครงร่างที่จะสร้างการไหลปั่น ป่วนของไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว e. การส่งผ่านไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิวดังกล่าวโดย วิถีทางของส็อซซึลดังกล่าวไปยังผิวล่างของซับสเตรตแก้ว ดังกล่าวที่ซึ่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH3750A true TH3750A (th) | 1987-01-02 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2141444A (en) | Chemical vapor deposition of titanium nitride and like films | |
| SE7908654L (sv) | Sett vid beleggning av glas | |
| DE69916378D1 (de) | Transparentes substrat mit einer folge von schichten zur reflexion thermischer strahlung | |
| ATE188195T1 (de) | Transparentes substrat beschichtet mit einem metallnitridfilm | |
| TH3750A (th) | การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอย | |
| JPS54162969A (en) | Plasma etching device | |
| KR900001612A (ko) | 산화 비스무트의 화학 증착방법 | |
| JPS5351187A (en) | Gas phase chemical evaporation apparatus | |
| SE8207195L (sv) | Hogkorrosionsbestendigt reflexionsskiktsystem pa substrat | |
| JPS57207256A (en) | Photomask | |
| JPS55124244A (en) | Method of fabricating chip component | |
| JPS56128901A (en) | Reflecting plate | |
| JPS57145382A (en) | Silicon light receiving device | |
| JPS5573868A (en) | Coating method for thin aluminum-silicon alloy film | |
| JPS5745288A (en) | Thin film photo diode | |
| JPS5313382A (en) | Manufacture of thin-film light electromotive element | |
| JPS5647001A (en) | Optical system | |
| JPS5462843A (en) | Light reflecting plate | |
| JPS5378777A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5421272A (en) | Metal photo mask | |
| JPS5411674A (en) | Semiconductor device of mesa type | |
| JPS54156650A (en) | High durability mirror | |
| JPS5787135A (en) | Manufacture of semiconductor | |
| JPS5758109A (en) | Infrared-ray reflective filter | |
| JPS57203772A (en) | Thin film forming method |