TH3750A - การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอย - Google Patents

การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอย

Info

Publication number
TH3750A
TH3750A TH8501000401A TH8501000401A TH3750A TH 3750 A TH3750 A TH 3750A TH 8501000401 A TH8501000401 A TH 8501000401A TH 8501000401 A TH8501000401 A TH 8501000401A TH 3750 A TH3750 A TH 3750A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
vapor
coating
reaction
initiates
film
Prior art date
Application number
TH8501000401A
Other languages
English (en)
Inventor
เอ็ลวูด สไลฟ์เตอร์ นายยอร์จ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH3750A publication Critical patent/TH3750A/th

Links

Abstract

วิธีการและเครื่องมือเพื่อการจับเกาะฟิล์มที่มีโลหะบนผิวด้านล่างของแถบแก้วโดยวิธีการจับเกาะไอเคมี ซึ่งประกอบด้วยการให้มี ส็อซซึลหัวหนึ่งที่มีโครงร่างซึ่งสร้างการไหลปั่นป่วนของไอสาร เริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว การส่งผ่านไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบ ผิวดังกล่าวโดยวิถีทางของส็อซซึลดังกล่าวไปยังผิวด้านล่างของ ซับสเตรตแก้วดังกล่าวที่ซึ่งสารเริ่มปฏิกิริยาดังกล่าวจะเกิด ปฏิกิริยาเพื่อให้เกิดการจับเกาะของฟิล์ม การให้มีวิถีทาง ระบายแก๊สที่ร่วมเป็นหน่วยเดียวกับวิถีทางหนึ่งใกล้กับน็อซซึล ดังกล่าว การคงให้มีความดันต่ำกว่าบรรยากาศในวิถีทางระบายแก๊ส ดังกล่าว และการเคลื่อนย้ายไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว และ ผลิตภัณฑ์พลอยได้จากปฏิกิริยาที่ไม่เกิดปฏิกิริยา และไม่เกิด การจับเกาะออกทางวิถีทางระบายแก๊สดังกล่าว ลักษณะของวิธีการแบบ อื่นประกอบด้วยการสัมผัสผิวด้านบนของซับสเตรตดังกล่าวด้วยสาร เริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิวที่มีโลหะชนิดหนึ่งซึ่งจะเกิดปฏิกิริยา ให้เกิดการจับเกาะฟิล์มโลหะออกไซด์ชนิดสะท้อนแสงอินฟาเรดบนนั้น โดยที่ฟิล์มดังกล่าวนั้นจะแสดงผลของสีแทรกสอดชนิดหนึ่งที่มอง เห็นได้ในการสะท้อนออกมา และการสัมผัสโดยในเวลาเดียวกันของ ผิวล่างของซับสเตรตแก้วดังกล่าวด้วยไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบ ผิวที่มีโลหะชนิดหนึ่งซึ่งจะเกิดปฏิกิริยาให้เกิดการจับเกาะของ ฟิล์มโลหะออกไซด์ที่สามารถสะท้อนแสงได้มากกว่า ซึ่งจะกัน ผลของสีแทรกสอดชนิดที่มองเห็นได้ในฟิล์มโลหะออกไซด์ชนิดสะท้อน แสงอินฟาเรดที่ผิวด้านบน

Claims (1)

1.วิธีการสำหรับการเคลือบผิวซับสเตรตแก้วซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ a. การคงให้ซับสเตรตแก้วดังกล่าวอยู่ในตำแหน่งแนวระดับ b. การคงให้ซวับสเตรตแก้วดังกล่าวอยู่ที่อุณหภูมิที่ เพียงพอให้ไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิวเกิดปฏิกิริยา และ จับเกาะฟิล์มบนผิวแก้วนนั้น c. การระเหยสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว d. เพื่อให้มีน็อซซึลซึ่งมีโครงร่างที่จะสร้างการไหลปั่น ป่วนของไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิว e. การส่งผ่านไอสารเริ่มปฏิกิริยาเคลือบผิวดังกล่าวโดย วิถีทางของส็อซซึลดังกล่าวไปยังผิวล่างของซับสเตรตแก้ว ดังกล่าวที่ซึ่แท็ก :
TH8501000401A 1985-07-30 การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอย TH3750A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH3750A true TH3750A (th) 1987-01-02

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2141444A (en) Chemical vapor deposition of titanium nitride and like films
SE7908654L (sv) Sett vid beleggning av glas
DE69916378D1 (de) Transparentes substrat mit einer folge von schichten zur reflexion thermischer strahlung
ATE188195T1 (de) Transparentes substrat beschichtet mit einem metallnitridfilm
TH3750A (th) การจับเกาะไอเคมีของฟิล์มสะท้อนแสงบนผิวล่างของแถบ003667แก้วลอย
JPS54162969A (en) Plasma etching device
KR900001612A (ko) 산화 비스무트의 화학 증착방법
JPS5351187A (en) Gas phase chemical evaporation apparatus
SE8207195L (sv) Hogkorrosionsbestendigt reflexionsskiktsystem pa substrat
JPS57207256A (en) Photomask
JPS55124244A (en) Method of fabricating chip component
JPS56128901A (en) Reflecting plate
JPS57145382A (en) Silicon light receiving device
JPS5573868A (en) Coating method for thin aluminum-silicon alloy film
JPS5745288A (en) Thin film photo diode
JPS5313382A (en) Manufacture of thin-film light electromotive element
JPS5647001A (en) Optical system
JPS5462843A (en) Light reflecting plate
JPS5378777A (en) Semiconductor device
JPS5421272A (en) Metal photo mask
JPS5411674A (en) Semiconductor device of mesa type
JPS54156650A (en) High durability mirror
JPS5787135A (en) Manufacture of semiconductor
JPS5758109A (en) Infrared-ray reflective filter
JPS57203772A (en) Thin film forming method