TH37154A - วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำ - Google Patents

วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำ

Info

Publication number
TH37154A
TH37154A TH9701002036A TH9701002036A TH37154A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
porous
base layer
cleaning
cleaning method
semiconductor
Prior art date
Application number
TH9701002036A
Other languages
English (en)
Inventor
ฟูจิยามา นายยาซูโตโม
คูโมมิ นายฮิเดยะ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH37154A publication Critical patent/TH37154A/th

Links

Abstract

DC60 (06/08/42) ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำ ชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรง หรือรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครง สร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิว รู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วง พิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรงหรอืรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิวรู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา

Claims (2)

1. วิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนสำหรับการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่าง น้อยที่สุดในพื้นผิวของชั้นฐาน ซึ่งในนั้น การทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาค ฝุ่นที่ยึด ติดอยู่กับพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานดังกล่าวออกมาจะบังเกิด ขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ ซึ่งบนนั้น จะซ้อนทับคลื่นความถี่ สูงด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์เข้ามา
2. วิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนที่สอดคล้องกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในนั้น พื้นผิวของชั้นฐานที่จะนำมาทำ ความสะอาดจะมีโครงสร้าแท็ก :
TH9701002036A 1997-05-28 วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำ TH37154A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH37154A true TH37154A (th) 2000-02-14

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2206139A1 (en) Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
KR930000597B1 (ko) 웨이퍼 가공방법
CA2033318A1 (en) Super high frequency oscillator/resonator
KR890008952A (ko) 반도체 기판의 표면처리방법
DE60226805D1 (de) Verfahren zur Abstimmung von akustischen Volumenwellen -Resonatoren
ATE73961T1 (de) Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung.
WO2002029860A3 (en) Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
US5927308A (en) Megasonic cleaning system
KR910010639A (ko) 압력차에 의해 제품의 표면에서 오염입자를 제거시키는 방법 및 장치
KR20080094539A (ko) 매엽식 세정장치
TH37154A (th) วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำ
JPH0314230A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置
JPH05243203A (ja) 超音波洗浄装置
JP4144201B2 (ja) ウエット洗浄処理装置
JP3357037B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
DE69818953D1 (de) Verfahren und Lösung zum Ätzen von Trimetallschichten zur Herstellung von elektronischen Schaltungen
JP2777570B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
CN214638652U (zh) 一种活性炭清洗装置
KR970053520A (ko) 반도체 장치의 건식 식각 공정에서 발생하는 반응성 생성물의 제거 방법 및 이를 이용한 금속배선 형성 방법
JP2003304052A (ja) 基板の水分除去方法と水分除去装置
EP1108803A3 (en) Method and apparatus for removing a coating from a passage hole in a metal substrate
JPH0513396A (ja) 半導体装置の洗浄方法
JPH08108157A (ja) 超音波洗浄装置
JPH06244164A (ja) 超音波洗浄装置
KR19990073897A (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 세정방법