TH37154A - วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH37154A TH37154A TH9701002036A TH9701002036A TH37154A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- porous
- base layer
- cleaning
- cleaning method
- semiconductor
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (06/08/42) ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำ ชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรง หรือรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครง สร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิว รู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วง พิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรงหรอืรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิวรู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา
Claims (2)
1. วิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนสำหรับการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่าง น้อยที่สุดในพื้นผิวของชั้นฐาน ซึ่งในนั้น การทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาค ฝุ่นที่ยึด ติดอยู่กับพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานดังกล่าวออกมาจะบังเกิด ขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ ซึ่งบนนั้น จะซ้อนทับคลื่นความถี่ สูงด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์เข้ามา
2. วิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนที่สอดคล้องกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในนั้น พื้นผิวของชั้นฐานที่จะนำมาทำ ความสะอาดจะมีโครงสร้าแท็ก :
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH37154A true TH37154A (th) | 2000-02-14 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2206139A1 (en) | Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface | |
KR930000597B1 (ko) | 웨이퍼 가공방법 | |
CA2033318A1 (en) | Super high frequency oscillator/resonator | |
KR890008952A (ko) | 반도체 기판의 표면처리방법 | |
DE60226805D1 (de) | Verfahren zur Abstimmung von akustischen Volumenwellen -Resonatoren | |
ATE73961T1 (de) | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung. | |
WO2002029860A3 (en) | Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate | |
US5927308A (en) | Megasonic cleaning system | |
KR910010639A (ko) | 압력차에 의해 제품의 표면에서 오염입자를 제거시키는 방법 및 장치 | |
KR20080094539A (ko) | 매엽식 세정장치 | |
TH37154A (th) | วิธีการทำความสะอาดพื้นผิวรูพรุนและพื้นผิวสารกึ่งตัวนำ | |
JPH0314230A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置 | |
JPH05243203A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP4144201B2 (ja) | ウエット洗浄処理装置 | |
JP3357037B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
DE69818953D1 (de) | Verfahren und Lösung zum Ätzen von Trimetallschichten zur Herstellung von elektronischen Schaltungen | |
JP2777570B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
CN214638652U (zh) | 一种活性炭清洗装置 | |
KR970053520A (ko) | 반도체 장치의 건식 식각 공정에서 발생하는 반응성 생성물의 제거 방법 및 이를 이용한 금속배선 형성 방법 | |
JP2003304052A (ja) | 基板の水分除去方法と水分除去装置 | |
EP1108803A3 (en) | Method and apparatus for removing a coating from a passage hole in a metal substrate | |
JPH0513396A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
JPH08108157A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JPH06244164A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
KR19990073897A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 세정방법 |