TH37154A - Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfaces - Google Patents
Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfacesInfo
- Publication number
- TH37154A TH37154A TH9701002036A TH9701002036A TH37154A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 9701002036 A TH9701002036 A TH 9701002036A TH 37154 A TH37154 A TH 37154A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- porous
- base layer
- cleaning
- cleaning method
- semiconductor
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (06/08/42) ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำ ชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรง หรือรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครง สร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิว รู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วง พิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา ได้รับการจัดเตรียมจะเป็น วิธีการทำความสะอาดของชั้นฐานสารกึ่งตัวนำชนิดรูพรุนโดยไม่มีการเกิดขึ้นมาของการยุบตัว ของโครงสร้างรูพรุน เนื่องมาจากการเป็นโพรงหรอืรีโซแนนซ์ ในวิธีการทำความสะอาดของพื้นผิวรูพรุนของชั้นฐานสารกึ่ง ตัวนำที่มีโครงสร้างรูพรุนอย่างน้อยที่สุดในพื้นผิวนี้ การ ทำความสะอาดสำหรับการนำอนุภาคฝุ่นที่ยึดติดกับพื้นผิวรู พรุนของชั้นฐานออกมาจะบังเกิดขึ้นมาด้วยน้ำบริสุทธิ์ซึ่ง คลื่นความถี่สูงพร้อมด้วยความถี่ในช่วงพิสัยจาก 600 กิโลเฮิรตซ์ถึง 2 เมกะเฮิรตซ์จะได้รับการซ้อนทับเข้ามา DC60 (06/08/42) was prepared to be Cleaning method of the semiconductor base layer Porous type without the occurrence of collapse Of porous structures Due to being hollow Or resonance In the cleaning method of the porous surface of the semi-base layer Conductor with frame This cleaning process for removing dust particles attached to the porous surface of the base layer is produced with pure water. High-frequency waves with frequencies in the range from 600 kHz to 2 MHz are superimposed. Be prepared to be The cleaning method of the porous semiconductor base layer without the occurrence of collapse. Of porous structures Due to being hollow or resonance In the cleaning method of the porous surface of the semi-base layer Conductors with the least porous structure in this surface, cleaning for conduction of dust particles attached to the hole surface. The porosity of the base layer is produced with pure water, which High-frequency waves with frequencies in the range from 600 kHz to 2 MHz are superimposed.
Claims (2)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH37154A true TH37154A (en) | 2000-02-14 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2206139A1 (en) | Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface | |
KR930000597B1 (en) | Wafer fabricating method | |
CA2192630A1 (en) | Fabrication process and fabrication apparatus of soi substrate | |
KR890008952A (en) | Surface treatment method of semiconductor substrate | |
DE60226805D1 (en) | Method for tuning bulk acoustic wave resonators | |
ATE73961T1 (en) | DEVICE FOR THE PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES IN A PLASMA DISCHARGE EXCITED BY HIGH FREQUENCY. | |
WO2002029860A3 (en) | Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate | |
TH37154A (en) | Method for cleaning porous surfaces and semiconductor surfaces | |
JPH0964000A (en) | Dry cleaning device | |
ATE438952T1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A PIEZOELECTRIC FILTER MOLDED ON A SUPPORT SUBSTRATE HAVING AN ACOUSTIC RESONATOR ON AN ACOUSTIC REFLECTOR LAYER | |
JPH0314230A (en) | Cleaning of semiconductor wafer and device therefor | |
JPH05243203A (en) | Ultrasonic washer | |
PE20000403A1 (en) | METHOD TO OBTAIN A MORE EFFECTIVE DRYING | |
JP3357037B2 (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
JP4144201B2 (en) | Wet cleaning processing equipment | |
JP2777570B2 (en) | Cleaning method and cleaning device | |
CN214638652U (en) | Active carbon belt cleaning device | |
KR970053520A (en) | Method for removing reactive product generated in dry etching process of semiconductor device and metal wiring formation method using same | |
EP1108803A3 (en) | Method and apparatus for removing a coating from a passage hole in a metal substrate | |
JPH0513396A (en) | Cleaning method for semiconductor device | |
JP3549285B2 (en) | Substrate cleaning method and cleaning apparatus, high-clean substrate manufacturing method and high-clean substrate | |
JPH08108157A (en) | Ultrasonic washer | |
JPH06244164A (en) | Ultrasonic cleaning device | |
JPH0714643U (en) | Silicon wafer cleaning equipment | |
KR960019557A (en) | Substrate Cleaning Method Using Megasonic |