TH30112A

TH30112A - ทรานส์ซิสเตอร์ชนิดมอสและกระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดนี้

Info

Publication number: TH30112A
Application number: TH9701001623A
Authority: TH
Inventors: คูโรดะ นายฮิเดอากิ
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 1997-04-28
Publication date: 1998-09-10

Abstract

DC60 (14/07/40) ที่เปิดเผยไว้เป็นทรานซิสเอต์ชนิดมอส และกระบวนการของการสร้าง ทรานส์ซิสเตอร์ชนิดมอส ทำการก่อรูปแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตแต่ละแบบรูปที่ทำด้วยสารซิลิคอน ไว้บนแผ่นฟิลม์ที่เป็นออกไซด์ของเกตที่ก่อรูปอยู่บนลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอน ทำการเจือปน สารเจือปนเข้าไปในลำตัวส่วนฐานของซิลิคอนโดยใช้กรอบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตเป็นหน้ากาก, ติดตามด้วยการเร่งเร้าสารเจือปนที่ใส่เข้าไป, เพื่อก่อรูปชั้นของการแพร่ซึมขึ้นในชั้นพื้นผิว ของลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอน ทำการก่อรูปแผ่นฟิล์มสำหรับกั้นชั้นที่วางซ้อน ในลักษณะที่ ให้ปิดคลุมแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกต, ทำการกำจัดส่วนด้านบนของแผ่นฟิล์มสำหรับกั้นชั้นที่วาง ซ้อนออกไปเพื่อเผยส่วนด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตแต่ละแบบรูป ทำการกำจัดแบบ รูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่เผยไว้ออกไปโดยการกัดสลักแบบเจาะจงเลือก หลังจากนั้น, ทำการ ฝังวัสดุที่เป็นโลหะลงในส่วนที่เว้าลึกที่ก่อรูปขึ้นโดยการนำเอาแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตแต่ละแบบ รูปออกไป, เพื่อก่อรูปทรานซิสเตอร์ชนิดซีมอส ที่เปิดเผยไว้เป็นทรานซิสเตอร์ชนิดมอส และการบวนการของการสร้าง ทรานซิสเตอร์ชนิดมอส ทำการก่อรูปแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตแต่ละแบบรูปที่ทำด้วยสารซิลิคอน ไว้บนแผ่นฟิลม์ที่เป็นออกไซด์ของเกตที่ก่อรูปอยู่บนลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอน ทำการเจือปน สารเจือปนเข้าไปในลำตัวส่วนฐานของซิลิคอนโดยใช้กรอบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตเป็นหน้ากาก ติดตามด้วยการเร่งเร้าสารเจือปนที่ใส่เข้าไป เพื่อก่อรูปชั้นของการแพร่ซึมขึ้นในชั้นพื้นผิว ของลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอน ทำการกำจัดส่วนด้านบนของแผ่นฟิล์มสำหรับกั้นชั้นที่วาง ซ้อนออกไปเพื่อเผยส่นด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตแต่ละแบบรุป ทำการกำจัดแบบ รูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่เผยไวออกไปโดยการกัดสลักแบบเจาะจงเลือก หลังจากนั้น ทำการ ฝังวัสดุที่เป็นโลหะในส่วนที่เว้าลึกที่ก่อรูปขึ้นโดยการนำเอาแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตแต่ละแบบ รูปออไป เพื่อก่อรูปทรานซิสเตอร์ชนิดซีมอส

Claims

1.กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอส ประกอบด้วย ขั้นตอนที่หนึ่ง เป็นการก่อรูปแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่ทำจากสารซิลิคอนไว้บน แผ่นฟิล์มที่เป็นออกไซด์ของเกตที่ก่อรูปไว้บนวัสดุฐานรองที่เป็นซิลิคอน, ขั้นตอนที่สองเป็นการเจือปนสารเจือปนลงในวัสดุฐานรองที่เป็นซิลิคอนที่กล่าว มาแล้วโดยใช้แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วเป็นหน้ากาก ติดตามด้วยการเร่งเร้าสารเจือปน ที่ถูกเจือเข้าไปที่กล่าวมาแล้ว เพื่อก่อรูปขึ้นของการแพร่ซึมขึ้นในชั้นพื้นที่ผิวของวัสดุฐานรอง ที่เป็นซิลิคอนที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่สามที่เป็นการก่อรูปแผ่นฟิล์ม ฉนวนสำหรับกั้นชั้น ในลักษณะที่ให้ปิด คลุมแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่สี่ที่เป็นการกำจัดส่วนด้านบนของแผ่นฟิล์มฉนวนสำหรับกั้นขั้นที่แล้ว มาแล้วออกไปเพื่อทำการเผยส่วนด้านบนของรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่ห้าเป็นการกำจัดส่วนที่ทำให้เผยออกของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าว มาแล้วออกไปโดยการกำจัดสลักแบบเจาะจงเลือก และ ขั้นตอนที่หกเป็นการฝังวัสดุโลหะลงในส่วนที่เว้าลึกที่ก่อรูปขึ้นโดยการนำเอาส่วน ที่เผยออกของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้วออกไปโดยการกัดสลัก

2. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอสประกอบด้วย ขั้นตอนที่หนึ่ง เป็นการก่อรูป ของขั้วไฟฟ้าเกตที่บนแผ่นฟิล์มที่เป็นออ- ไซด์ของเกตุที่ก่อรูปไว้บนลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอน แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุดังกล่าวที่ก่อ รูปโดยทำการวางซ้อนสารซิลิคอน วัสดุซึ่งมีอัตราส่วนของการเลือกสำหรับกัดสลักต่อสาร ซิลิคอน และสารซิลิคอนในลำดับเช่นนี้ จากด้านของแผ่นฟิลม์ที่เป็นออกไซด์ของเกตที่กล่าวมา แล้ว; ขั้นตอนที่สองเป็นการเจือปนสารเจือปนเข้าไปในลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอน ที่กล่าวมาแล้วโดยการใช้แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้วเป็นหน้ากาก , ติดตามด้วยการ การเร่งเร้าสารเจือปนที่ ถูกเจือใส่เข้าไปดังกล่าว เพื่อก่อรูปชั้นของการแพร่ซึมในชั้นพื้นผิวของลำตัว ส่วนฐานของสารซิลิคอนดังกล่าว ขั้นตอนที่สามที่เป็นการก่อรูปแผ่นฟิล์ม ฉนวนสำหรับกั้นชั้น ในลักษณะที่ให้ปิดคลุม แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่สี่ที่เป็นการกำจัดส่วนด้านบนของแผ่นฟิล์มฉนวนสำหรับกั้นชั้นดังกล่าว ออกไปเพื่อเผยส่วนด้านบนของแบบรุปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่ห้าเป็นการกำจัดสารซิลิคอนซึ่งก่อรูปเป็นชั้นด้านบนของแบบรูปของขั้ว ไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้วมาแล้วที่ทำให้เผยออกไปโดยการสกัดสลักแบบเจาะจงเลือก ขั้นตอนที่หกเป็นการเจือปนสารเจือปนเข้าไปในสารซิลิคอนของชั้นด้านล่างของ แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้ว ติดตามด้วยการเร่งเร้าสารเจือปนที่ถูกเจือใส่เข้าไปดังกล่าว และ ขั้นตอนที่เจ็ดเป็นการฝังวัสดุโลหะไว้ในส่วนที่เว้าลึกที่ก่อรูปขึ้นโดยการ กำจัดซิลิคอนของชั้นด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้วออกไปโดยการกัดสลัก, โดยที่ กระบวนการดังกล่าวยังประกอบเพิ่มเติม ระหว่างขั้นตอนที่ห้าที่กล่าวมาแล้วกับ ขั้นตอนที่เจ็ดที่กล่าวมาแล้ว ด้วยขั้นตอนของการกำจัดวัสดุที่กล่ามาแล้วซึ่งมีอัตราส่วนของการเลือก สำหรับสลักต่อสารซิลิคอน ของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าดังกล่าวออกไปโดยการ กัดสลัก

3. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอสตามข้อถือสิทธิข้อที่ 2, โดยที่ กระบวนการดังกล่าวยังประกอบเพิ่มเติม ระหว่างขั้นตอนที่ห้าที่กล่าวมาแล้วกับขั้นตอนที่ หกที่กล่าวมาแล้ว ด้วยขั้นตอนของการกัดหลักแผ่น ฟิล์มฉนวนสำหรับกั้นชั้นที่กล่าวมาแล้ว บน ชั้นของการแพร่ซึมที่กล่าวมาแล้วเพื่อก่อรูปส่วนที่เว้าลึกส่วนที่สองที่ต่อถงกันกับชั้นของการแพร่ซึม ที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่หกดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนของการเจือปนสารเจือปนเข้าไปใน สารซิลิคอนของชั้นล่างของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้ว และในเวลาเดียวกัน ทำการเจือปนสารเจือปนเข้าไปในขั้นตอนของการแพร่ซึมที่กล่าวมาแล้วผ่านส่วนที่เว้าลึกส่วนที่สอง ที่กล่าวมาแล้ว , ตอนที่เจ็ดดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนของการฝังวัสดุโลหะไว้ในส่วนหนึ่งที่เว้า ลึกดังกล่าวที่ก่อรูปขึ้นโดยการ กำจัดซิลิคอนของชั้นด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าว มาแล้วออกไปโดยการกัดสลัก และในเวลาเดียวกันทำการฝังวัสดุโลหะไว้ในส่วนที่เว้าลึกส่วน ที่สองที่กล่าวมาแล้วที่ต่อถึงกับชั้นของการแพร่ซึมที่กล่าวมาแล้ว

4. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอสตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ยังประกอบเพิ่มเติมด้วย ระหว่างขั้นตอนที่ห้าที่กล่าวมาแล้วกับขั้นตอนที่หกที่กล่าวมาแล้ว ด้วย ขั้นตอนของการเจือปนเข้าไปในขั้นพื้นผิวของลำดับส่วนฐานของสารซิลิคอนที่กล่าว มาแล้ว

5. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอสตามข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ยังประกอบเพิ่มเติม , ระหว่างขั้นตอนที่ห้าที่กล่าวมาแล้วกับขั้นตอนที่เจ็ดที่กล่าวมาแล้ว , ด้วย ขั้นตอนของการเจือปนสารเข้าไปในชั้นพื้นผิวของลำตัวฐานของสารซิลิคอนที่กล่าว มาแล้ว

6. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอ, ประกอบด้วย ขั้นตอนที่หนึ่งเป็นการก่อรูปบริเวณพีมอสกับบริเวณเอ็มมอสขึ้นบนลำตัวส่วนฐาน ของสารซิลิคอน และทำการก่อรูปแผ่นฟิล์มที่เป็นออกไซด์ของเกตบนชั้นพื้นผิวของลำตัวส่วนฐาน ของสารซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณพีมอสและเอ็นมอสที่กล่าวมาแล้ว แต่ละแท่ง ขั้นตอนที่สองเป็นการก่อรุูปแบบ ของขั้วไฟฟ้าเกตุที่ทำจากสารซิลิคอนขึ้นบน แผ่นฟิล์มที่เป็นออกไซด์ของเกตที่กล่าวมาแล้วที่ก่อรูปไว้บนลำตัวส่วนฐานของซิลิคอนที่กล่าว มาแล้วในบริเวณดังกล่าวแต่ละแห่ง ขั้นตอนที่สามเป็นการปิดคลุมบริเวณเอ็นมอสที่กล่าวมาแล้ว ด้วยชั้นกั้นและทำ การเจือปนสารเจือปนแบบชนิด-พีเข้าไปในลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอนดังกล่าวในบริเวณพีมอสที่กล่าวมาแล้วโดยใช้ชั้นกั้นที่กล่าวมาแล้วกับแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วเป็นหน้ากาก ทำการปิดคลุมบริเวณพีมอสดังกล่าวด้วยชั้นกั้นและทำการเจือปนแบบชนิด -เอ็นเข้า ไปในลำตัวส่วนฐานของซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณเอ็นมอสดังกล่าว โดยใช้ชั้นกั้นที่กล่าว มาแล้วกับแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วเป็นหน้ากาก, และทำการเร่งเร้าสารเจือปนที่ถูก เจือเข้าไป โดยวิธีการนี้เป็นการก่อรูปชั้นของการแพร่ซึมในชั้นพื้นผิวของลำตัวส่วนฐานของ สารซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณเอ็นมอสและพีมอสดังกล่าว ตามลำดับ ขั้นตอนที่สี่เป็นการก่อรูปแผ่นฟิล์มฉนวนสำหรับกั้นชั้น ในลักษณะที่ให้ปิดคลุม แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วในบริเวณเอ็นมอส และ พีมอสที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่ห้าเป็นการกำจัดส่วนด้านบนของ ฟิล์มฉนวนสำหรับกั้นชั้นดังกล่าว ออกไปเพื่อเผยส่วนด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วแต่ละแบบรูป ขั้นตอนที่หกเป็นการกำจัดส่วนที่เผยออกของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตดังกล่าว แต่ละแบบรูปออกไปโดยการสกัดสลักแบบเจาะจงเลือก และ ขั้นตอนที่เจ็ดเป็นการฝังวัสดุโลหะไว้ในส่วนที่เว้าลึกที่ก่อรูปขึ้นโดยการกำจัด ส่วนที่เผยออกของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้วแต่ละแบบรูปออกไปโดยการกัดสลัก

7.กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดซีมอส , ประกอบด้วย ขั้นตอนที่หนึ่งเป็นการก่อรูปบริเวณพีมอสกับบริเวณเอ็นมอสขึ้นบน ลำตัว ส่วนฐานของสารซิลิคอน และทำการก่อรูปแผ่นฟิล์มที่เป็นออกไซด์ของเกตขึ้นบนพื้นผิวของลำตัว ส่วนฐานของสารวิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณด้านดังกล่าวแต่ละแห่ง ขั้นตอนที่สองเป็นการก่อรุูปแบบ ของขั้วไฟฟ้าเกตุ บนแผ่นฟิล์มที่เป็นออกไซด์ ของเกตที่กล่าวมาแล้วที่ก่อรูปไว้บนลำตัวส่วนฐานของซิลิคอนที่กล่าว มาแล้วในบริ- เวณดังกล่าวแต่ละแห่ง แบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตดังกล่าวจะให้ก่อรูปขึ้นโดยการวางซ้อนสาร ซิลิคอนที่ไม่มีการเติมสารเจือปน วัสดุซึ่งมีอัตราส่วนของการเลือกสำหรับกัดสลักต่อสารซิลิคอน และสารซิลิคินในลำดับเช่นนี้ จากด้าน ของแผ่นฟิล์มที่เป็นออกไซด์ของเกตที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่สามเป็นการปิดคลุมบริเวณเอ็นมอสดังกล่าวด้วยชั้นกั้น และทำการเจือ ปนสารเจือปนแบบชนิด-พีเข้าไปในลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณพีมอส ดังกล่าวโดยใช้ชั้นกั้นที่กล่าวมาแล้วกับแบบรูปที่เป็นออกไซด์ของเกตที่กล่าวมาแล้ว เป็นหน้ากาก ทำการปิดคลุมบริเวณพีมอสดังกล่าวด้วยชั้นกั้นและทำการเจือปนสารเจือปนแบบชนิด-เอ็น ลง ในลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอนดังกล่าวในบริเวณเอ็นมอสดังกล่าว โดยใช้ชั้นกั้นที่กล่าว มาแล้วกับแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วเป็นหน้ากาก และทำการเร่งเร้าสารเจือปนที่ถูก เจือเข้าไป โดยวิธีการนี้เป็นการก่อรูปชั้นของการแพร่ซึมในช้นพื้นผิวของลำตัวส่วนฐานของ สารซิลิคอนดังกล่าวในบริเวณเอ็นมอสกับพีมอสดังกล่าวตามลำดับ ขั้นตอนที่สี่เป็นการก่อรูปแผ่นฟิล์มสำหรับกั้นชั้น ในลักษณะที่ให้ปิดคลุม แบบรูปของขั้วไฟฟ้า เกตที่กล่าวมาแล้วในบริเวณเอ็นมอส และ พีมอสที่กล่าวมาแล้ว ขั้นตอนที่ห้าเป็นการกำจัดส่วนด้านบนของแผ่นฟิล์มสำหรับกั้นชั้น ดังกล่าว ออกไปเพื่อเผยส่วนด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วแต่ละแบบรูป ขั้นตอนที่หกเป็นการกำจัดสารซิลิคอนของชั้นด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกต ที่กล่าวมาแล้ว ดังนั้นจึงทำให้เผยออกไป ขั้นตอนที่เจ็ดเป็นการเจือปนแบบชนิด -พีเข้าไปในสารซิลิคอน่ของ ชั้นด้านล่างของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตุที่กล่าวมาแล้วในบริเวณพีมอสดังกล่าว ทำการเจือปน สารเจือปนชนิดเอ็นเข้าไปในสารซิลิคอนของชั้นด้านล่างของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้ว ในบริเวณเอ็นมอสดังกล่าวและทำการเร่งเร้สารเจือปนที่เจือปนเข้าไป และ ขั้นตอนที่แปดเป็นการฝังวัสดุโลหะลงในส่วนที่เว้าลึกที่ก่อรูปขึ้ตนโดยการกำจัด สารซิลิคอนของชั้นด้านบนของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วแต่ละแบบรูปออกไปโดยการ กัดสลัก โดยที่กระบวนการดังกล่าวประกอบเพิ่มเติม ระหว่างชั้นตอนที่หกที่กล่าวมา แล้วกับขั้นตอนที่แปดที่กล่าวมาแล้ว ด้วยขั้นตอนของการกำจัดวัสดุซึ่งมีอัตราส่วนของการเลือก สำหรับกัดสลักต่อสารซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วของแบบรูปของขั้วไฟฟ้าเกตที่กล่าวมาแล้วแต่ละแบบ รูปออกไปโดยการกัดสลัก

8. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอสตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ยังประกอบเพิ่มเติม ระหว่างขั้นตอนที่หกที่กล่าวมาแล้วกับขั้นตอนที่เจ็ดที่กล่าวมาแล้ว , ด้วยขั้นตอนของการเจือปนสารเจือปนแบบชนิด-พี ลงในชั้นพื้นผิว ของลำตัวส่วนฐานของสารซิลิ- คอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณพีมอสดังกล่าว และทำากรเจือปนสารเจือปนแบบชนิด -เอ็นลงในชั้น พื้นผิวของลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณเอ็นมอส ดังกล่าว

9. กระบวนการของการสร้างทรานซิสเตอร์ชนิดมอสตามข้อถือสิทธิข้อที่ 7 ยังประกอบเพิ่มเติม ระหว่างขั้นตอนที่หกที่กล่าวมาแล้วกับขั้นตอนที่แปดที่กล่าวมาแล้ว ด้วย ขั้นตอน ของการเจือปนแบบชนิด -พีลงในขั้นพื้นผิวของลำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอนที่ กล่าวมาแล้วในบริเวณพีมอสดังกล่าว และทำการเจือปนสารเจือปนแบบชนิด -เอ็น ลง ในชั้นพื้นผิวของสำตัวส่วนฐานของสารซิลิคอนที่กล่าวมาแล้วในบริเวณเอ็นมอสที่กล่าวมาแล้ว