TH29893B - วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ - Google Patents
วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH29893B TH29893B TH9701004682A TH9701004682A TH29893B TH 29893 B TH29893 B TH 29893B TH 9701004682 A TH9701004682 A TH 9701004682A TH 9701004682 A TH9701004682 A TH 9701004682A TH 29893 B TH29893 B TH 29893B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- support material
- silicon layer
- porous
- layer
- methods
- Prior art date
Links
Abstract
วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการทำให้เกิดบริเวณการแพร่อย่างน้อยบนผิวของด้านหนึ่ง ของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิด การนำ, การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมถึง บริเวณการแพร่นั้น, การเตรียมวัสดุรองรับแรกโดยการทำให้ เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน บนชั้น ซิลิคอน รู พรุนนั้น , การยึดติดวัสดุรองรับแรก และวัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็น รูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกโครงสร้างหลายชั้น ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน แต่ไม่ตามบริเวณการแพร่ และการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบบนวัสดุรองรับที่สองที่แยก แล้วนั้น
Claims (1)
1. วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่มีลักษณะเฉพาะที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ การทำให้เกิดบริเวณการแพร่อย่างน้อยบนผิวของหนึ่งของด้าน ของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิด การควบคุม; การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมบริเวณการ แพร่ที่กล่าวแล้วนั้น; การเตรียมวัสดุรองรับแรกโดยการทำให้เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำ ที่ไม่เป้นรูพรุนบนชั้น ซิลิคอน รูพรุนที่กล่าวแล้วนั้น; การยึดติดวัสดุรองรับแขกที่กล่าวแล้วนั้น และวัสดุรองรับ ที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสาร:
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH29893B true TH29893B (th) | 1998-09-04 |
| TH29893A TH29893A (th) | 1998-09-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW373330B (en) | Method of manufacturing semiconductor articles | |
| CA2182442A1 (en) | Semiconductor Substrate and Fabrication Method for the Same | |
| EP0926709A3 (en) | Method of manufacturing an SOI structure | |
| TW376585B (en) | Semiconductor substrate and process for producing same | |
| CA2233096A1 (en) | Substrate and production method thereof | |
| SG59963A1 (en) | Semiconductor member and process for preparing semiconductor member | |
| CA2237591A1 (en) | Method for delivering a molten silicon composition into porous substrates | |
| CA2019474A1 (en) | Drapable, water vapor permeable, wind and water resistant composite fabric and method of manufacturing same | |
| TW330313B (en) | A semiconductor substrate and process for producing same | |
| CA2061264A1 (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| MY114469A (en) | Method of manufacturing semiconductor article | |
| KR980002967A (ko) | 3차원 소자 및 그 제조 방법 | |
| TH29893B (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| TH29893A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| TH29894A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| ATE288612T1 (de) | Mehrlagiges isolationselement | |
| TH32186A (th) | กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| JPS62120374U (th) | ||
| JPS59208856A (ja) | 多層配線 | |
| TH31233A (th) | แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้ | |
| TH36084A (th) | กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ | |
| JPH01146560U (th) | ||
| TH33509A (th) | ||
| TH32284A (th) | กระบวนการผลิตสิ่งของกึ่งตัวนำ | |
| JPS61166824U (th) |