TH33509A - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH33509A TH33509A TH9801000886A TH9801000886A TH33509A TH 33509 A TH33509 A TH 33509A TH 9801000886 A TH9801000886 A TH 9801000886A TH 9801000886 A TH9801000886 A TH 9801000886A TH 33509 A TH33509 A TH 33509A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- porous
- single crystal
- semiconductor layer
- silicon substrate
- holes
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (21/05/41) ในสับสเตรตกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย ซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมีบริเวณที่มีรูพรุน และชั้นกึ่ง ตัวนำที่ถูกจัดให้มีขึ้นบนบริเวณที่มีรูพรุน ชั้นกึ่งตัวนำจะประกอบด้วย สารประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว และจะถูกสร้างขึ้นบนผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน ซึ่งรูของมันจะถูกผนึกที่ผิวหน้า สับสเตรตนี้ สามารถจะถูกผลิตขึ้น โดยกระบวนการที่ประกอบด้วย ขั้นตอนการบำบัดซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมี บริเวณที่มีรูพรุนด้วยความร้อน เพื่อผนึกรูที่ผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน และสร้างชั้นกึ่งตัวนำเชิง ประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว โดยการเติบโตแบบยืดขยายต่างกันบนบริเวณที่มีรูพรุน ซึ่งมีรูที่ถูกผนึก โดยการบำบัดด้วยความร้อน แผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำเชิงประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว ที่มีตำหนิของผลึกน้อยลง สามารถจะถูกสร้าง ขึ้นบนซิลิคอนสับสเตรตที่มีพื้นที่มาก โดยมีกำลังการผลิตที่สูง, ความสม่ำเสมอสูง, อำนาจการควบคุม การทำงานสูง และข้อดีที่เป็นการประหยัดเป็นอย่างมาก
Claims (1)
- : DC60 (21/05/41) ในสับสเตรตกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย ซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมีบริเวณที่มีรูพรุน และชั้นกึ่ง ตัวนำที่ถูกจัดให้มีขึ้นบนบริเวณที่มีรูพรุน ชั้นกึ่งตัวนำจะประกอบด้วย สารประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว และจะถูกสร้างขึ้นบนผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน ซึ่งรูของมันจะถูกผนึกที่ผิวหน้า สับสเตรตนี้ สามารถจะถูกผลิตขึ้น โดยกระบวนการที่ประกอบด้วย ขั้นตอนการบำบัดซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมี บริเวณที่มีรูพรุนด้วยความร้อน เพื่อผนึกรูที่ผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน และสร้างชั้นกึ่งตัวนำเชิง ประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว โดยการเติบโตแบบยืดขยายต่างกันบนบริเวณที่มีรูพรุน ซึ่งมีรูที่ถูกผนึก โดยการบำบัดด้วยความร้อน แผ่นฟิล์มกึ่งตัวนำเชิงประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว ที่มีตำหนิของผลึกน้อยลง สามารถจะถูกสร้าง ขึ้นบนซิลิคอนสับสเตรตที่มีพื้นที่มาก โดยมีกำลังการผลิตที่สูง, ความสม่ำเสมอสูง, อำนาจการควบคุม การทำงานสูง และข้อดีที่เป็นการประหยัดเป็นอย่างมาก ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH33509A true TH33509A (th) | 1999-06-24 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69720249D1 (de) | Atomare drähte von grosser länge und stabilität und verfahren zum herstellen dieser drähte | |
| EP0663698A4 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD. | |
| CN206098458U (zh) | 显示结构 | |
| TH33509A (th) | ||
| KR840000075A (ko) | 반도체 기판과 그 제조방법 | |
| JPS6012742A (ja) | 半導体装置 | |
| RU96109772A (ru) | Способ подготовки кремниевых подложек | |
| JPS54101278A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS56126971A (en) | Thin film field effect element | |
| JPS52112290A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| RU93046639A (ru) | Способ изготовления полупроводниковых приборов | |
| JPS5336180A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS62293638A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS56114375A (en) | Manufacture of nonvolatile semiconductor memory | |
| JPS538083A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS5384585A (en) | Solar cell | |
| TH36305A (th) | อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีพื้นผิวที่ได้รับการแยกออก | |
| JPS5354973A (en) | Semiconductor device and its production | |
| JPS5470764A (en) | Recrystallization method for semiconductor | |
| JPS5232682A (en) | Manufacturing process of semiconductor device | |
| JPS57196561A (en) | High density semiconductor integrated circuit device and manufacture thereof | |
| KR920008988A (ko) | 초전도 박막층의 제조방법 | |
| KR880008061A (ko) | 액정 셀의 제조 방법 | |
| JPS5742146A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR930020743A (ko) | 태양전지의 제조방법 |