TH32186A - กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ - Google Patents
กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH32186A TH32186A TH9701004681A TH9701004681A TH32186A TH 32186 A TH32186 A TH 32186A TH 9701004681 A TH9701004681 A TH 9701004681A TH 9701004681 A TH9701004681 A TH 9701004681A TH 32186 A TH32186 A TH 32186A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- porous semiconductor
- support
- ion implantation
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (16/03/41) เปิดเผยถึงกรรมวิธีใหม่สำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการ เตรียมวัสดุรองรับแรกที่ประกอบ ด้วยวัสดุรองรับ ซิลิคอน, ชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรู พรุน ที่ก่อเกิด บนวัสดุรองรับ ซิลิคอน นั้น, และชั้นการฝัง ไอออนที่ก่อเกิดบนวัสดุรองรับ ซิลิคอน, และชั้นการฝัง ไอออน ที่ก่อเกิดในอย่างน้อยหนึ่งของวัสดุรองรับแรกและชั้นสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน; การยึดติด วัสดุรองรับแรก กับ วัสดุรองรับที่สอง เพื่อให้ได้โครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้น สารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรู พรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกโครง สร้างหลายชั้นที่ชั้นการฝังไอออน; และการแยกชั้นการฝังไอออน ที่เหลือบนวัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น เปิดเผยถึงกรรมวิธีใหม่สำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการเตรียมวัสดุรองรับแรกที่ประกอบ ด้วยวัสดุรองรับ ซิลิคอน, ชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรู พรุน ที่ก่อเกิดบนวัสดุรองรับ ซิลิคอน, นั้น และชั้นการฝัง ไอออนที่ก่อเกิดบนวัสดุรองรับ ซิลิคอน, และชั้นการฝังไอออน ที่ก่อเกิดในอย่างน้อยหนึ่งของวัสดุรองรับแรกและชั้นสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน; การยึดติดวัสดุรองรับแรก กับ วัสดุรองรับที่สอง เพื่อให้ได้โครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้น สารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกโครง สร้างหลายชั้นที่ชั้นการฝังไอออน; และการแยกชั้นการฝัง ไอออนที่เหลือบนวัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น
Claims (1)
1. กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ การเตรียมวัสดุของรับแรกที่ประกอบด้วยวัสดุรอง รับ ซิลิคอน, ทำให้เกิดชิ้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน ที่ก่อเกิดบนวัสดุรองรับ ซิลิคอน นั้น, และชั้นการฝังไอออน ที่ก่อเกิดในอย่างน้อยหนึ่งของวัสดุรองรับซิลิคอน และชั้น สารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน; การยึดติดวัสดุรองรับแรก และวัสดุรองรับที่สอง เพื่อให้ได้โครงสร้างหลายชั้น ด้วย ชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนนั้น ที่อยู่ด้านใน; การ แยกโครงสร้างหลายชิ้นที่ชั้นการฝังไอออน; การแยกชั้นการฝังแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH32186A true TH32186A (th) | 1999-02-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0926709A3 (en) | Method of manufacturing an SOI structure | |
| TW373330B (en) | Method of manufacturing semiconductor articles | |
| CA2221100A1 (en) | Process for producing semiconductor article | |
| EP0757377A3 (en) | Semiconductor substrate and fabrication method for the same | |
| CA2061264A1 (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| EP0688048A3 (en) | Semiconductor substrate with SOI structure | |
| EP0867919A3 (en) | Semiconductor substrate and process for producing same | |
| TW372366B (en) | Method of manufacturing semiconductor article | |
| EP1039513A3 (en) | Method of producing a SOI wafer | |
| CA2233096A1 (en) | Substrate and production method thereof | |
| EP0961312A3 (en) | SOI Substrate formed by bonding | |
| EP0711866A3 (en) | Drapable, water vapor permeable, wind and water resistant composite fabric and method of manufacturing same | |
| CA2075020A1 (en) | Method for preparing semiconductor member | |
| EP0806793A3 (en) | Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same | |
| WO2005050711A3 (en) | A method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material | |
| CA2001934A1 (en) | Rod assembly for manufacturing large wafers for electronic devices | |
| CA2335247A1 (en) | Method for manufacturing a laminate consisting of individual layers | |
| JP2005347302A5 (th) | ||
| FR2616969B1 (fr) | Procede de fabrication d'un ensemble electrochimique comprenant une electrode et un electrolyte et ensemble ainsi realise | |
| TH32186A (th) | กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| TH29894A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| WO2022212492A3 (en) | Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof | |
| TH29893A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| JP2001320033A5 (ja) | 半導体部材の製造方法 | |
| WO2002045461A3 (en) | Surface mountable telecoil as for use in a hearing aid |