TH29894A - วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ - Google Patents

วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ

Info

Publication number
TH29894A
TH29894A TH9701004683A TH9701004683A TH29894A TH 29894 A TH29894 A TH 29894A TH 9701004683 A TH9701004683 A TH 9701004683A TH 9701004683 A TH9701004683 A TH 9701004683A TH 29894 A TH29894 A TH 29894A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
porous
silicon layer
layer
porous silicon
manufacturing semiconductors
Prior art date
Application number
TH9701004683A
Other languages
English (en)
Inventor
ซาคากูชิ นายคิโยฟูมิ
โยเนฮารา นายทาคาโอะ
อาโตจิ นายทาดาชิ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH29894A publication Critical patent/TH29894A/th

Links

Abstract

DC60 (16/03/41) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการเตรียมวัสดุรองรับแรกที่ รวมถึงวัสดุรองรับ ซิลิคอน ที่มีชั้น ซิลิคอน รูพรุน และชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน ที่จัดไว้บนชั้น ซิลิคอน รูพรุนนั้น, การยึดติดวัสดุรองรับแรก และ วัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้น ด้วยชั้นสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกวัสดุรองรับ แรกและที่สองของโครงสร้าง หลายชั้น ออกจากกันและกัน ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน โดยการให้ความร้อนโครงสร้าง หลายชั้นนั้น และการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบน วัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการเตรียมวัสดุรองรับแรกที่รวมถึงวัสดุรองรับ ซิลิคอน ที่มีชั้น ซิลิคอน รูพรุน และชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน ทีจัดไว้บนชั้น ซิลิคอน รูพรุน, การยึดติดวัสดุรองรับแรก และ วัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกวัสดุรองรับ แรกและที่สองของโครงสร้างหลายชั้น ออกจากกันและกัน ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน โดยการให้ความร้อนโครงสร้าง หลายชั้นนั้นและการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบน วัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น

Claims (1)

1.วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่มีลักษณะเฉพาะที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ: การเตรียมวัสดุรองรับแรกที่รวมถึงวัสดุรองรับ ซิลิคอนที่ มีชั้น ซิลิคอน รูพรุน และชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน ที่จัดไว้บนชั้น ซิลิคอน รูพรุนที่กล่าวแล้วนั้น; การยึดติดวัสดุรองรับแรกที่กล่าวแล้วนั้น และวัสดุรองรับ ที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่ เป็นรูพรุนที่กล่าวแล้วนั้น ที่อยู่ด้านใน; การแยกวัสดุรองรับและที่สองที่กล่าวแล้วนั้นของโครงสร้าง หลายชั้นที่กล่าวแล้วนั้น ออกจากกันและกัน ตามชั้นแท็ก :
TH9701004683A 1997-11-14 วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ TH29894A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH29894A true TH29894A (th) 1998-09-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2220600A1 (en) Method of manufacturing semiconductor article
EP0867919A3 (en) Semiconductor substrate and process for producing same
EP0926709A3 (en) Method of manufacturing an SOI structure
EP0688048A3 (en) Semiconductor substrate with SOI structure
TW373330B (en) Method of manufacturing semiconductor articles
CA2225131A1 (en) Process for producing semiconductor article
DE69930583D1 (de) Verbundbauteil, Verfahren zu seiner Trennung, und Herstellungsverfahren eines Halbleitersubstrates unter Verwendung desselben
JPH11195562A5 (th)
EP0757377A3 (en) Semiconductor substrate and fabrication method for the same
CA2233096A1 (en) Substrate and production method thereof
CA2061264A1 (en) Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution
CA2221100A1 (en) Process for producing semiconductor article
EP0961312A3 (en) SOI Substrate formed by bonding
EP1006567A3 (en) Method of manufacturing semiconductor wafer method of using and utilizing the same
CA2233115A1 (en) Semiconductor substrate and method of manufacturing the same
EP1246238A3 (en) Method of fabricating a bonded substrate
JP2004507094A (ja) 半導体チップおよびこれを製造する方法
TH29894A (th) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ
TH29893A (th) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ
JPH10247648A5 (th)
TH32186A (th) กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ
EP0989616A3 (en) Method and apparatus for producing photoelectric conversion device
TH36084A (th) กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ
JP2560378Y2 (ja) 半導体製造装置
TH31233A (th) แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้