TH31233A - แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้ - Google Patents
แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้Info
- Publication number
- TH31233A TH31233A TH9801001058A TH9801001058A TH31233A TH 31233 A TH31233 A TH 31233A TH 9801001058 A TH9801001058 A TH 9801001058A TH 9801001058 A TH9801001058 A TH 9801001058A TH 31233 A TH31233 A TH 31233A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- porous
- porous layer
- layer
- separation
- base plate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract 3
- 244000141353 Prunus domestica Species 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 abstract 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (04/06/41) สิ่งที่จัดเตรียมไว้ก็คือวิธีการของการผลิตแผ่นเวเฟอร์แบบเอสโอไอที่มีคุณภาพสูงที่ดีเลิศ ในด้านของความสามารถในการ ควบคุม, สมรรถนะการผลิต และการประหยัด และแผ่นเวเฟอร์ที่ ผลิตขึ้นมาโดยวิธีการดังกล่าว โดยในแผ่นเวเฟอร์ที่ได้รับ การผลิตขึ้นมาโดยการเชื่อมประสาน, หลังจากการเชื่อมประสาน การแยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาที่ผิวขอบเขตของชั้นมี ความพรุนมาก ในบริเวณมีรูพรุนที่ประกอบรวมอยู่ด้วยชั้นมี ความพรุนน้อยและชั้นมีความพรุนมากในพื้นผิวที่ได้รับการ ก่อ รูปขึ้นมาทางด้านของพื้นผิวหลักของแผ่นฐาน Si แผ่นที่หนึ่ง 2 เพื่อการทำให้ชั้นไม่มีรูพรุนเคลื่อน ย้ายไปอยู่บนแผ่นฐาน ที่สอง หลังจากการแยก ณ ชั้นมีความพรุนมาก ชั้นบางที่มีความพรุนน้อยที่ยัง คงเหลืออยู่จะได้รับการทำ ให้ไม่มีรูพรุนโดยกระบวนการทำให้เรียบ ดังเช่น การอบเหนียว ใน ไฮโดรเจนโดยไม่ใช้การกัดแบบมีการเลือก สิ่งที่จัดเตรียมไว้ก็คือวิธีการของการผลิตแผ่นเวเฟอร์แบบเอสโอไอที่มีคุณภาพสูงที่ดีเลิศในด้านของความสามารถในการ ควบคุม, สมรรถนะการผลิต และการประหยัด และแผ่นเวเฟอร์ที่ ผลิตขึ้นมาโดยวิธีการดังกล่าว โดยในแผ่นเวเฟอร์ที่ได้รับ การผลิตขึ้นมาโดยการเชื่อมประสาน, หลังจากการเชื่อมประสาน การแยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาที่ผิวขอบเขตของชั้นมี ความพรุนมากในบริเวณมีรูพรุนที่ประกอบรวมอยู่ด้วยชั้นมี ความพรุนน้อยและชั้นมีความพรุนมากในพื้นผิวที่ได้รับการก่อ รูปขึ้นมาทางด้านของพื้นผิวหลักของแผ่นฐาน Si แผ่นที่หนึ่ง 2 เพื่อการทำให้ชั้นไม่มีรูพรุนเคลื่อนย้ายไปอยู่บนแผ่นฐาน ที่สอง หลังจากการแยก ณ ชั้นมีความพรุนมาก ชั้นบางที่มีความพรุนน้อยที่ยังคงเหลืออยู่จะได้รับการทำ ให้ไม่มีรูพรุนโดยกระบวนการทำให้เรียบ ดังเช่น การอบเหนียว ในไฮโดรเจนโดยไม่ใช้การกัดแบบมีการเลือก
Claims (1)
1. วิธีการของการผลิตแผ่นฐานสารกึ่งตัวนำประกอบด้วยขั้นตอนของ: การเตรียมแผ่นฐานที่หนึ่งที่มีบริเวณมีรูพรุนที่ประกอบรวม อยู่ด้วยชั้นอย่างน้อยที่สุดสองชั้นที่มีความพรุนต่างกัน และชั้นไม่มีรูพรุนที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนบริเวณมีรู พรุนที่กล่าวมาแล้ว; การเชื่อมประสารพื้นผิวของชั้นไม่มีรูพรุนที่กล่าวมาแล้ว ของแผ่นฐานที่หนึ่งที่กล่าวมาแล้วเข้ากับพื้นผิวของแผ่นฐาน ที่สอง; การแยกแผ่นฐานที่หนึ่งและแผ่นฐานที่สองที่กล่าวมาแล้วออก จากกันในลักษณะที่ทำให้ชั้นไม่มีรูพรุนที่กล่าวมาแล้ว เคลื่อนย้ายไปอยู่บนแผ่นฐานแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH31233A true TH31233A (th) | 1998-12-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2233115A1 (en) | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| CA2233096A1 (en) | Substrate and production method thereof | |
| TW330313B (en) | A semiconductor substrate and process for producing same | |
| TW373330B (en) | Method of manufacturing semiconductor articles | |
| CA2061264A1 (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| EP0747935A3 (en) | Process for the production of an SOI substrate | |
| CA2075020A1 (en) | Method for preparing semiconductor member | |
| CA2182442A1 (en) | Semiconductor Substrate and Fabrication Method for the Same | |
| CA2221100A1 (en) | Process for producing semiconductor article | |
| MY114469A (en) | Method of manufacturing semiconductor article | |
| CA2187269A1 (en) | Semiconductor substrate and producing method thereof | |
| CA2069038A1 (en) | Method for preparing semiconductor member | |
| DE69826053D1 (de) | Halbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| JPH11103011A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP1195798A4 (en) | SEMICONDUCTOR DISC AND ITS MANUFACTURING METHOD | |
| TH31233A (th) | แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้ | |
| US6716721B2 (en) | Method for manufacturing a silicon wafer | |
| RU2035805C1 (ru) | Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов | |
| TW370690B (en) | Selective-etch edge trimming process for manufacturing semiconductor-on-insulator wafers | |
| JP2001320033A5 (ja) | 半導体部材の製造方法 | |
| TH33514A (th) | แผ่นฐานและระเบียบวิธีการผลิตสำหรับแผ่นฐาน | |
| RU2207659C2 (ru) | Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов | |
| RU2197033C1 (ru) | Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов | |
| JP2008539582A (ja) | 基板を支持するための装置及びこのような装置の製造方法 | |
| TH29893A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ |