TH33514A - แผ่นฐานและระเบียบวิธีการผลิตสำหรับแผ่นฐาน - Google Patents
แผ่นฐานและระเบียบวิธีการผลิตสำหรับแผ่นฐานInfo
- Publication number
- TH33514A TH33514A TH9801001000A TH9801001000A TH33514A TH 33514 A TH33514 A TH 33514A TH 9801001000 A TH9801001000 A TH 9801001000A TH 9801001000 A TH9801001000 A TH 9801001000A TH 33514 A TH33514 A TH 33514A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- base plate
- plate assembly
- base
- porous
- piece
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 6
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 238000011426 transformation method Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (04/06/41) สิ่งที่จัดเตรียมไว้ก็คือระเบียบวิธีของการผลิตแผ่นเวเฟอร์แบบเอสโอไอที่มีคุณภาพสูงซึ่งมี ความสามารถในการควบคุม, สมรรถนะการผลิต และการประหยัดที่ดีเลิศ และแผ่นเวเฟอร์ที่ ผลิต ขึ้นมาโดยระเบียบวิธีดังกล่าว ในระเบียบวิธีของการผลิต แผ่นฐานโดยการใช้การเชื่อมประสาน แผ่นเวเฟอร์, ชิ้นประกอบ แผ่นฐานชิ้นที่หนึ่งและชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่สองจะได้ รับการเชื่อม ประสานเข้าด้วยกัน และจากนั้นชิ้นประกอบแผ่น ฐานชิ้นที่สองก็จะได้รับการทำให้แยกออกมาจาก ชิ้นประกอบแผ่น ฐานชิ้นที่หนึ่งที่ผิวขอบเขตชั้นที่หนึ่งและชั้นที่สองที่ ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนพื้นผิว หลักของชิ้นประกอบแผ่นฐาน ชิ้นที่หนึ่ง, ด้วยเหตุนี้ ชั้นที่สองจะได้รับการทำให้ ไปอยู่บนชิ้นประกอบ แผ่นฐานชิ้นที่สอง ในการแยก ตำแหน่งการ แยกที่ผิวขอบเขตของชั้นที่หนึ่งและชั้นที่สองจะได้รับการ ทำ ให้มีความแน่นอนโดยระเบียบวิธีของการแปรเปลี่ยนความพรุนของ ชั้น Si มีรูพรุน, ระเบียบวิธี ของการก่อรูประนาบที่แยกออก ได้ง่ายขึ้นมาโดยอาศัยการรวมตัวกันของรูพรุนใน Si มีรู พรุน, ระเบียบวิธีของการกระทำการฝังไอออนลงในผิวขอบเขต หรือระเบียบวิธีของการใช้ผิวขอบเขต แบบเฮเทอโรเอฟิแทกซีให้ เป็นประโยชน์ สิ่งที่จัดเตรียมไว้ก็คือระเบียบวิธีของการผลิตแผ่นเวเฟอร์แบบเอสโอไอที่มีคุณภาพสูงซึ่งมีความสามารถในการควบคุม, สมรรถนะการผลิต และการประหยัดที่ดีเลิศ และแผ่นเวเฟอร์ที่ ผลิตขึ้นมาโดยระเบียบวิธีดังกล่าว ในระเบียบวิธีของการผลิต แผ่นฐานโดยการใช้การเชื่อมประสานแผ่นเวเฟอร์, ชิ้นประกอบ แผ่นฐานชิ้นที่หนึ่งและชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่สองจะได้ รับการเชื่อมประสานเข้าด้วยกัน และจากนั้นชิ้นประกอบแผ่น ฐานชิ้นที่สองก็จะได้รับการทำให้แยกออกมาจากชิ้นประกอบแผ่น ฐานชิ้นที่หนึ่งที่ผิวขอบเขตชั้นที่หนึ่งและชั้นที่สองที่ ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนพื้นผิวหลักของชิ้นประกอบแผ่นฐาน ชิ้นที่หนึ่ง, ด้วยเหตุนี้ ชั้นที่สองจะได้รับการทำให้ ไปอยู่บนชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่สอง ในการแยก ตำแหน่งการ แยกที่ผิวขอบเขตของชั้นที่หนึ่งและชั้นที่สองจะได้รับการทำ ให้มีความแน่นอนโดยระเบียบวิธีของการแปรเปลี่ยนความพรุนของ ชั้น Si มีรูพรุน, ระเบียบวิธีของการก่อรูประนาบที่แยกออก ได้ง่ายขึ้นมาโดยอาศัยการรวมตัวกันของรูพรุนใน Si มีรู พรุน, ระเบียบวิธีของการกระทำการฝังไอออนลงในผิวขอบเขต หรือระเบียบวิธีของการใช้ผิวขอบเขตแบบเฮเทอโรเอฟิแทกซีให้ เป็นประโยชน์
Claims (1)
1. ระเบียบวิธีของการผลิตแผ่นฐานซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การเตรียมชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่หนึ่งที่มีชั้นที่หนึ่ง และขั้นที่สองที่ได้รับการจัดเตรียมไว้บนและใกล้กับชั้นที่ หนึ่ง ; การเชื่อมประสานชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่หนึ่งเข้ากับชิ้น ประกอบแผ่นฐานชิ้นทีสอง ; การแยกชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่หนึ่งและชิ้นประกอบแผ่นฐาน ชิ้นที่สองเพื่อการทำให้ชั้นที่สองไปอยู่ชิ้นประกอบแผ่นฐาน ชิ้นที่สอง โดยการแยกของชิ้นประกอบแผ่นฐานชิ้นที่หนึ่งและชิ้นประกอบ แผ่นฐานชิ้นที่สองจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาที่ผิวขอบเขต ชั้นทีแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH33514A true TH33514A (th) | 1999-06-24 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2233096A1 (en) | Substrate and production method thereof | |
| CA2233115A1 (en) | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| JP2001210810A (ja) | 半導体ウェハ及びその製作法 | |
| CA2187269A1 (en) | Semiconductor substrate and producing method thereof | |
| TW330313B (en) | A semiconductor substrate and process for producing same | |
| ATE322080T1 (de) | Verbundbauteil, verfahren zu seiner trennung, und herstellungsverfahren eines halbleitersubstrates unter verwendung desselben | |
| JP2002526933A (ja) | 熱電変換器を製作するための方法 | |
| EP0867919A3 (en) | Semiconductor substrate and process for producing same | |
| WO2005045492A3 (en) | Method for fabrication of optical element, and optical element having three-dimensional laminated structure | |
| AU4517497A (en) | Method for manufacturing semiconductor article | |
| EP1396883A3 (en) | Substrate and manufacturing method therefor | |
| JP2004507094A (ja) | 半導体チップおよびこれを製造する方法 | |
| KR100747710B1 (ko) | 스트레인드 실리콘층을 갖는 웨이퍼 구조를 제조하는 방법및 이 방법의 중간 생성물 | |
| JPWO2000037720A1 (ja) | 合成コランダムの接合方法、合成コランダムセルの製造方法及び合成コランダムセル | |
| TWI327745B (en) | Method for fabricating a compound material and method for choosing a wafer | |
| JPH11103011A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TH33514A (th) | แผ่นฐานและระเบียบวิธีการผลิตสำหรับแผ่นฐาน | |
| JPH10321548A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP5577456B2 (ja) | 少なくとも１層のマイクロテクノロジカル層の移行方法 | |
| RU2137259C1 (ru) | Способ изготовления многоэлементного фотоприемника | |
| US6716721B2 (en) | Method for manufacturing a silicon wafer | |
| JP2001320033A5 (ja) | 半導体部材の製造方法 | |
| TH31233A (th) | แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้ | |
| JPH03265156A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6314449A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 |