TH29893A - วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ - Google Patents
วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH29893A TH29893A TH9701004682A TH9701004682A TH29893A TH 29893 A TH29893 A TH 29893A TH 9701004682 A TH9701004682 A TH 9701004682A TH 9701004682 A TH9701004682 A TH 9701004682A TH 29893 A TH29893 A TH 29893A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon layer
- layer
- porous
- diffusion area
- porous silicon
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 10
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (16/03/41) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการทำให้เกิดบริเวณการแพร่ อย่างน้อยบนผิวของด้านหนึ่งของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิดการนำ, การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมถึงบริเวณการแพร่นั้น, การเตรียมวัสดุรองรับแรก โดยการทำให้เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน บนชั้น ซิลิคอน รูพรุนนั้น , การยึดติดวัสดุรองรับ แรก และวัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้าน ใน, การแยกโครงสร้างหลายชั้น ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน แต่ไม่ตามบริเวณการแพร่ และการแยก ชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบนวัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการทำให้เกิดบริเวณการแพร่อย่างน้อยบนผิวของด้านหนึ่ง ของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิด การนำ, การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมถึง บริเวณการแพร่นั้น, การเตรียมวัสดุรองรับแรกโดยการทำให้ เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน บนชั้น ซิลิคอน รู พรุนนั้น , การยึดติดวัสดุรองรับแรก และวัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็น รูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกโครงสร้างหลายชั้น ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน แต่ไม่ตามบริเวณการแพร่ และการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบบนวัสดุรองรับที่สองที่แยก แล้วนั้น
Claims (1)
1. วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่มีลักษณะเฉพาะที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ : การทำให้เกิดบริเวณการแพร่อย่างน้อยบนผิวของหนึ่งของด้าน ของวัสดุรองรับ ซิลิคอน โดยการแพร่ธาตุที่สามารถควบคุมชนิด การควบคุม; การทำให้เกิดชั้น ซิลิคอน รูพรุน ในบริเวณที่รวมบริเวณการ แพร่ที่กล่าวแล้วนั้น; การเตรียมวัสดุรองรับแรกโดยการทำให้เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำ ที่ไม่เป้นรูพรุนบนชั้น ซิลิคอน รูพรุนที่กล่าวแล้วนั้น; การยึดติดวัสดุรองรับแขกที่กล่าวแล้วนั้น และวัสดุรองรับ ที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสารแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH29893A true TH29893A (th) | 1998-09-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW373330B (en) | Method of manufacturing semiconductor articles | |
| CA2182442A1 (en) | Semiconductor Substrate and Fabrication Method for the Same | |
| EP0926709A3 (en) | Method of manufacturing an SOI structure | |
| CA2233096A1 (en) | Substrate and production method thereof | |
| SG59963A1 (en) | Semiconductor member and process for preparing semiconductor member | |
| TW330313B (en) | A semiconductor substrate and process for producing same | |
| KR890015358A (ko) | 반도체기판 및 그 제조방법 | |
| CA2220600A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor article | |
| EP0711866A3 (en) | Drapable, water vapor permeable, wind and water resistant composite fabric and method of manufacturing same | |
| CA2237591A1 (en) | Method for delivering a molten silicon composition into porous substrates | |
| CA2075020A1 (en) | Method for preparing semiconductor member | |
| MY114349A (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of prepa- ring semiconductor member using the etching solution | |
| TH29893A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| TH29894A (th) | วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| JPS6354740A (ja) | 集積回路基板の製造方法 | |
| JPH10247648A5 (th) | ||
| TH32186A (th) | กรรมวิธีสำหรับการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ | |
| TW370690B (en) | Selective-etch edge trimming process for manufacturing semiconductor-on-insulator wafers | |
| TH31233A (th) | แผ่นฐานสารกึ่งตัวนำ และวิธีการของการผลิตแผ่นฐานนี้ | |
| TH36084A (th) | กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ | |
| TH32284A (th) | กระบวนการผลิตสิ่งของกึ่งตัวนำ | |
| TH33509A (th) | ||
| TH33514A (th) | แผ่นฐานและระเบียบวิธีการผลิตสำหรับแผ่นฐาน | |
| JPS62197870U (th) | ||
| JPS61176208U (th) |