TH36084A - กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ - Google Patents

กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ

Info

Publication number
TH36084A
TH36084A TH9701000702A TH9701000702A TH36084A TH 36084 A TH36084 A TH 36084A TH 9701000702 A TH9701000702 A TH 9701000702A TH 9701000702 A TH9701000702 A TH 9701000702A TH 36084 A TH36084 A TH 36084A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
porous
layer
substrate
support
bonded
Prior art date
Application number
TH9701000702A
Other languages
English (en)
Inventor
ซาคากูชิ นายคิโยฟูมิ
โยเนฮารา นายทาคาโอะ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH36084A publication Critical patent/TH36084A/th

Links

Abstract

DC60 (24/03/42) ผลิตวัสดุรองรับ SOI ด้วยคุณภาพที่เพียงและด้วยความสามารถผลิตซ้ำได้ดี ที่เวลาเดียว ทำให้การประหยัดแหล่งทรัพยากรและ ลดต้นทุน เป็นจริงโดยการใช้ใหม่ของแผ่นพื้นและสิ่งที่คล้าย กัน ที่ดำเนินการเพื่อบรรลุสิ่งข้างบนนี้คือขั้นตอนของการยึด ติดผิวหลักของวัสดุรองรับแรก กับผิว หลักของวัสดุรองรับที่ สอง, วัสดุรองรับแรกเป็นวัสดุรองรับ Si ซึ่งทำให้เกิดอย่าง น้อยหนึ่งชั้นของ ฟิล์มบางที่ไม่เป็นรูพรุน ผ่านชั้น Si รู พรุน, ขั้นตอนของการเผย ชั้น Si รูพรุน ในผิวด้านข้าง ของ วัสดุรองรับที่ยึดติดที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับแรกและวัสดุ รองรับที่สอง, ขั้นตอนของการแบ่ง วัสดุรองรับที่ยึดติดใน ชั้น Si รูพรุน โดยการออกซิไดซ์วัสดุรองรับที่ยึดติดนั้น และขั้นตอนของการ แยกเอาชั้น Si รูพรุน และชั้น Si รูพรุน ที่ออกซิไดซ์แล้ว บนวัสดุรองรับที่สอง ที่แยกออกโดยการ แบ่ง วัสดุรองรับที่ยึดติดในชั้น Si รูพรุน ผลิตวัสดุรองรับ SOI ด้วยคุณภาพที่เพียงและด้วยความสามารถผลิตซ้ำได้ดี ที่เวลาเดียวทำให้การประหยัดแหล่งทรัพยากรและ ลดต้นทุน เป็นจริงโดยการใช้ใหม่ของแผ่นพื้นและสิ่งที่คล้าย กัน ที่ดำเนินการเพื่อบรรลุสิ่งข้างบนนี้คือขั้นตอนของการยึด ติดผิวหลักของวัสดุรองรับแรก กับผิวหลักของวัสดุรองรับที่ สอง วัสดุรองรับแรกเป็นวัสดุรองรับ Si ซึ่งทำให้เกิดอย่าง น้อยหนึ่งชั้นของฟิล์มบางที่ไม่เป็นรูพรุน ผ่านชั้น Si รู พรุน, ขั้นตอนของการเผย ชั้น Si รูพรุน ในผิวด้านข้างของ วัสดุรองรับที่ยึดติดที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับแรกและวัสดุ รองรับที่สอง, ขั้นตอนของการแบ่งวัสดุรองรับที่ยึดติดใน ชั้น Si รูพรุน โดยการออกซิไดซ์วัสดุรองรับที่ยึดติดนั้น และขั้นตอนของการแยกเอาชั้น Si รูพรุน และชั้น Si รูพรุน ที่ออกซิไดซ์แล้ว บนวัสดุรองรับที่สอง ที่แยกออกโดยการแบ่ง วัสดุรองรับที่ยึดติดในชั้น Si รูพรุน

Claims (1)

1. กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วย: ขั้นตอนของการยึดติดผิวหลักของวัสดุรองรับแรก กับผิวหลัก ของวัสดุรองรับที่สอง, วัสดุรองรับแรกที่กล่าวแล้วนั้นเป็น วัสดุรองรับ Si ซึ่งทำให้เกิดอย่างน้อยหนึ่งชั้นของฟิล์ม บางที่ไม่เป็นรูพรุนผ่านชั้น Si รูพรุน: ขั้นตอนของการเผย ชั้น Si รูพรุนที่กล่าวแล้วนั้น ในผิว ด้านข้างของวัสดุรองรับที่ยึดติดที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับ แรกที่กล่าวแล้วนั้นและวัสดุรองรับที่สองที่กล่าวแล้วนั้น; ขั้นตอนของการแบ่งวัสดุรองรับที่ยึดติดในชั้น Si รูพรุน ที่กล่าวแล้วนแท็ก :
TH9701000702A 1997-02-27 กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ TH36084A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH36084A true TH36084A (th) 1999-12-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2198552A1 (en) Fabrication process of semiconductor substrate
MY115477A (en) Process for producing semiconductor article
ID21598A (id) Substrat semikonduktor dan piranti semikonduktor dengan film tipis, metoda pembuatannya, dan peralatan oksidasi anoda
EP0757377A3 (en) Semiconductor substrate and fabrication method for the same
CA2221245A1 (en) Method of manufacturing semiconductor article
DE69826053D1 (de) Halbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0911884A3 (en) Photoelectric converter and method of manufacturing the same
CA2187269A1 (en) Semiconductor substrate and producing method thereof
DE3770958D1 (de) Substrat mit schleifkoerner tragender haftschicht, seine herstellung und schleifmaterial.
ID28011A (id) Bantalan penggosok untuk substrat semikonduktor
EP1006567A3 (en) Method of manufacturing semiconductor wafer method of using and utilizing the same
EP0975012A3 (en) Porous silicon with uniform pore size distribution
WO2002095799A3 (en) Thin films and production methods thereof
MY114469A (en) Method of manufacturing semiconductor article
EP0867920A3 (en) Thin film formation process
CA2321835A1 (en) Abrasive article and method for making the same
GR3002639T3 (en) Sheet of roofcovering material
MY134793A (en) Punched adhesive tape for semiconductor
TH36084A (th) กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ
CA2289436A1 (en) Method for manufacturing catalysed surface hardware
DE59706879D1 (de) Sensor- und/oder trennelement sowie verfahren zu dessen herstellung und anwendung desselben
TH29894A (th) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ
TW242695B (en) Manufacturing method for silicon wafer
KR880004411A (ko) 기판이 없는 스티커 및 그 제조방법.
TH29893B (th) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ