TH36084A - กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH36084A TH36084A TH9701000702A TH9701000702A TH36084A TH 36084 A TH36084 A TH 36084A TH 9701000702 A TH9701000702 A TH 9701000702A TH 9701000702 A TH9701000702 A TH 9701000702A TH 36084 A TH36084 A TH 36084A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- porous
- layer
- substrate
- support
- bonded
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (24/03/42) ผลิตวัสดุรองรับ SOI ด้วยคุณภาพที่เพียงและด้วยความสามารถผลิตซ้ำได้ดี ที่เวลาเดียว ทำให้การประหยัดแหล่งทรัพยากรและ ลดต้นทุน เป็นจริงโดยการใช้ใหม่ของแผ่นพื้นและสิ่งที่คล้าย กัน ที่ดำเนินการเพื่อบรรลุสิ่งข้างบนนี้คือขั้นตอนของการยึด ติดผิวหลักของวัสดุรองรับแรก กับผิว หลักของวัสดุรองรับที่ สอง, วัสดุรองรับแรกเป็นวัสดุรองรับ Si ซึ่งทำให้เกิดอย่าง น้อยหนึ่งชั้นของ ฟิล์มบางที่ไม่เป็นรูพรุน ผ่านชั้น Si รู พรุน, ขั้นตอนของการเผย ชั้น Si รูพรุน ในผิวด้านข้าง ของ วัสดุรองรับที่ยึดติดที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับแรกและวัสดุ รองรับที่สอง, ขั้นตอนของการแบ่ง วัสดุรองรับที่ยึดติดใน ชั้น Si รูพรุน โดยการออกซิไดซ์วัสดุรองรับที่ยึดติดนั้น และขั้นตอนของการ แยกเอาชั้น Si รูพรุน และชั้น Si รูพรุน ที่ออกซิไดซ์แล้ว บนวัสดุรองรับที่สอง ที่แยกออกโดยการ แบ่ง วัสดุรองรับที่ยึดติดในชั้น Si รูพรุน ผลิตวัสดุรองรับ SOI ด้วยคุณภาพที่เพียงและด้วยความสามารถผลิตซ้ำได้ดี ที่เวลาเดียวทำให้การประหยัดแหล่งทรัพยากรและ ลดต้นทุน เป็นจริงโดยการใช้ใหม่ของแผ่นพื้นและสิ่งที่คล้าย กัน ที่ดำเนินการเพื่อบรรลุสิ่งข้างบนนี้คือขั้นตอนของการยึด ติดผิวหลักของวัสดุรองรับแรก กับผิวหลักของวัสดุรองรับที่ สอง วัสดุรองรับแรกเป็นวัสดุรองรับ Si ซึ่งทำให้เกิดอย่าง น้อยหนึ่งชั้นของฟิล์มบางที่ไม่เป็นรูพรุน ผ่านชั้น Si รู พรุน, ขั้นตอนของการเผย ชั้น Si รูพรุน ในผิวด้านข้างของ วัสดุรองรับที่ยึดติดที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับแรกและวัสดุ รองรับที่สอง, ขั้นตอนของการแบ่งวัสดุรองรับที่ยึดติดใน ชั้น Si รูพรุน โดยการออกซิไดซ์วัสดุรองรับที่ยึดติดนั้น และขั้นตอนของการแยกเอาชั้น Si รูพรุน และชั้น Si รูพรุน ที่ออกซิไดซ์แล้ว บนวัสดุรองรับที่สอง ที่แยกออกโดยการแบ่ง วัสดุรองรับที่ยึดติดในชั้น Si รูพรุน
Claims (1)
1. กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วย: ขั้นตอนของการยึดติดผิวหลักของวัสดุรองรับแรก กับผิวหลัก ของวัสดุรองรับที่สอง, วัสดุรองรับแรกที่กล่าวแล้วนั้นเป็น วัสดุรองรับ Si ซึ่งทำให้เกิดอย่างน้อยหนึ่งชั้นของฟิล์ม บางที่ไม่เป็นรูพรุนผ่านชั้น Si รูพรุน: ขั้นตอนของการเผย ชั้น Si รูพรุนที่กล่าวแล้วนั้น ในผิว ด้านข้างของวัสดุรองรับที่ยึดติดที่ประกอบด้วยวัสดุรองรับ แรกที่กล่าวแล้วนั้นและวัสดุรองรับที่สองที่กล่าวแล้วนั้น; ขั้นตอนของการแบ่งวัสดุรองรับที่ยึดติดในชั้น Si รูพรุน ที่กล่าวแล้วนแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH36084A true TH36084A (th) | 1999-12-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2198552A1 (en) | Fabrication process of semiconductor substrate | |
| MY115477A (en) | Process for producing semiconductor article | |
| ID21598A (id) | Substrat semikonduktor dan piranti semikonduktor dengan film tipis, metoda pembuatannya, dan peralatan oksidasi anoda | |
| DE69826053D1 (de) | Halbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| EP0926709A3 (en) | Method of manufacturing an SOI structure | |
| MY115115A (en) | Method of manufacturing semiconductor article | |
| TW330306B (en) | A semiconductor substrate and its fabrication method | |
| EP0911884A3 (en) | Photoelectric converter and method of manufacturing the same | |
| DE3770958D1 (de) | Substrat mit schleifkoerner tragender haftschicht, seine herstellung und schleifmaterial. | |
| EP0747935A3 (en) | Process for the production of an SOI substrate | |
| CA2187269A1 (en) | Semiconductor substrate and producing method thereof | |
| CA2233096A1 (en) | Substrate and production method thereof | |
| CA2061264A1 (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| KR970009480A (ko) | 기판 제조방법 | |
| EP1006567A3 (en) | Method of manufacturing semiconductor wafer method of using and utilizing the same | |
| AU4982699A (en) | Polishing pad for a semiconductor substrate | |
| WO2002095799A3 (en) | Thin films and production methods thereof | |
| WO2003095358A3 (en) | Method of forming manofluidic channels | |
| EP0843346A3 (en) | Method of manufacturing a semiconductor article | |
| TW354855B (en) | Connecting structure of semiconductor element | |
| CA2233028A1 (en) | Thin film formation process | |
| CA2321835A1 (en) | Abrasive article and method for making the same | |
| JPH11150133A5 (th) | ||
| TH36084A (th) | กรรมวิธีการผลิตของวัสดุรองรับสารกึ่งตัวนำ | |
| AU7626500A (en) | Patterned release film between two laminated surfaces |