TH29894A

TH29894A - Methods of manufacturing semiconductors

Info

Publication number: TH29894A
Application number: TH9701004683A
Authority: TH
Inventors: ซาคากูชิ นายคิโยฟูมิ; โยเนฮารา นายทาคาโอะ; อาโตจิ นายทาดาชิ
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 1997-11-14
Publication date: 1998-09-04

Abstract

DC60 (16/03/41) วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการเตรียมวัสดุรองรับแรกที่ รวมถึงวัสดุรองรับ ซิลิคอน ที่มีชั้น ซิลิคอน รูพรุน และชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน ที่จัดไว้บนชั้น ซิลิคอน รูพรุนนั้น, การยึดติดวัสดุรองรับแรก และ วัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้น ด้วยชั้นสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกวัสดุรองรับ แรกและที่สองของโครงสร้าง หลายชั้น ออกจากกันและกัน ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน โดยการให้ความร้อนโครงสร้าง หลายชั้นนั้น และการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบน วัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น วิธีการของการผลิตชิ้นวัตถุกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการเตรียมวัสดุรองรับแรกที่รวมถึงวัสดุรองรับ ซิลิคอน ที่มีชั้น ซิลิคอน รูพรุน และชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุน ทีจัดไว้บนชั้น ซิลิคอน รูพรุน, การยึดติดวัสดุรองรับแรก และ วัสดุรองรับที่สอง เพื่อผลิตโครงสร้างหลายชั้นด้วยชั้นสาร กึ่งตัวนำที่ไม่เป็นรูพรุนที่อยู่ด้านใน, การแยกวัสดุรองรับ แรกและที่สองของโครงสร้างหลายชั้น ออกจากกันและกัน ตามชั้น ซิลิคอน รูพรุน โดยการให้ความร้อนโครงสร้าง หลายชั้นนั้นและการแยกชั้น ซิลิคอน รูพรุน ที่เหลือบน วัสดุรองรับที่สองที่แยกแล้วนั้น DC60 (16/03/41) Method of manufacturing semiconductors. That consists of the process of preparing the first support material Includes silicon backing material with a porous silicon layer and a non-porous semiconductor layer. Provided on the porous silicon layer, the first and second substrate bonding To produce a multi-layer structure with a non-porous semiconductor layer inside, supporting separation The first and second of the multilayer structure are separated by the porous silicon layer by heating that multilayer structure and separating the remaining pore silicon layer on the split second support. Methods of manufacturing semiconductors It consists of the process of preparing the first substrate that includes a silicon backing with a porous silicon layer and a non-porous semiconductor layer. Provided on a porous silicon layer, the first and second substrate bonding To produce multilayer structures with substance layers Non-porous semiconductor inside, separation of supports. The first and second of the multilayer structure From each other by the porous silicon layer by heating the structure And the separation of the remaining porous silicon layer on the split second support

Claims

1.Methods of manufacturing semiconductors Characteristic that consists of steps of: Preparation of the first substrate including a silicon backing with a porous silicon layer and a non-porous semiconductor layer. Provided on the previously mentioned porous silicon layer; Adhesion of the first support material mentioned above And a second support material to produce a multi-layer structure with a non-semiconductor layer Porous as already mentioned That's the inside; Separation of the supporting material and the aforementioned second of the structure Many of the layers already mentioned Leaving each other by tag layer: