TH32284A - กระบวนการผลิตสิ่งของกึ่งตัวนำ - Google Patents

Abstract

DC60 (14/09/41) กระบวนการผลิตสิ่งกึ่งตัวนำถูกจัดให้มีขึ้น ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการยึดติดฟิล์มลง บนแผ่นรองพื้นที่มีแผ่นชั้นกึ่ง ตัวนำรูพรุนและการแยกฟิล์มออกจากแผ่นรองพื้นที่แผ่น ชั้นกึ่งตัวนำรู พรุนด้วยการประยุกต์ใช้แรงกระทำต่อฟิล์มใน ทิศทางปลอกเปลือกออก กระบวนการผลิตสิ่งกึ่งตัวนำถูกจัดให้มีขึ้น ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการยึดติดฟิล์มลง บนแผ่นรองพื้นที่มีแผ่นชั้นกึ่ง ตัวนำรูพรุนและการแยกฟิล์มออกจากแผ่นรองพื้นที่แผ่น ชั้นกึ่งตัวนำรู พรุนด้วยการประยุกต์ใช้แรงกระทำต่อฟิล์มใน ทิศทางปลอกเปลือกออก

Claims (78)

1. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย การยึดติดฟิล์มลงบนแผ่นรองพื้นที่ มีแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุน และการ แยกฟิล์มจากแผ่นรองพื้นที่แผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนด้วยการ ประยุกต์ ใช้แรงกระทำต่อฟิล์มในทิศทางที่ปอกเปลือกออก

2. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซึ่งฟิล์มถูกประกอบขึ้นด้วยยางเร ซิน

3. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซี่งฟิล์มถูกประกอบขึ้นด้วยฟิล์ม ตัวนำไฟฟ้า

4. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซึ่งฟิล์ม คือ สารยึดติด

5. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซึ่งฟิล์มถูกยึดติดกับตำแหน่งคั่น กลางของสารยึดติด กับแผ่นรองพื้น

6. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซึ่งฟิล์มมีความหนาที่มีย่านจาน จาก 5 ไมโคร เมตร ถึง 3 เซนติเมตร

7. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 6 ซึ่งฟิล์มมีความหนาที่มีย่านจาก 10 ไมโคร เมตร ถึง 1 เซนติเมตร

8. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซึ่งแผ่นรองพื้นถูกเตรียมด้วยการ ทำให้มีรูพรุนบาง ส่วนต่อแผ่นรองพื้นซิลิกอนคริสตันเดี่ยว

9. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 8 ซึ่งแผ่นรองพื้นถูกทำให้มีรูพรุน ด้วยการแอโนไดเซชั่น

10. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 1 ซึ่งอีกแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุน ถูกจัดรูปแบบขึ้นบน แผ่นรองพื้นหลังจากการเคลื่อนย้ายออกของแผ่นชั้นรูพรุนที่ยัง เหลืออยู่บนด้าน ข้างของแผ่นรองพื้นหลังจากการแยกออกของ ฟิล์ม และอีกหนึ่งฟิล์มถูกยึดติดอีกครั้งหนึ่งเข้ากับ แผ่นรอง พื้น

11. สิ่งกึ่งตัวนำที่ถูกผลิตขึ้นตามกระบวนการที่กำหนดไว้ใน ข้อถือสิทธิ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อ หนึ่ง

12. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยการยึด ติดฟิล์มลงบนแผ่นรองพื้น แรกที่มีแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนและ แผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน และการแยกแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่ มีรู พรุนจากแผ่นรองพื้นที่แผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนด้วยการ ประยุกต์ใช้แรงกระทำต่อฟิล์มในทิศทาง ปลอกเปลือก

13. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งฟิล์มถูกประกอบขึ้นด้วย ฟิล์มยางเรซิน

14. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งฟิล์มถูกประกอบขึ้นด้วย ฟิล์มตัวนำไฟฟ้า

15. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งฟิล์ม คือ สารยึดติด

16. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งฟิล์มถูกยึดติดกับตำแหน่ง คั่นกลางของสารยึดติด กับแผ่นรองพื้น

17. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งฟิล์มมีความหนาที่มีย่าน จาก 5 ไมโคร เมตร ถึง 3 เซนติเมตร

18. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 17 ซึ่งฟิล์มมีความหนาที่มีย่าน จาก 10 ไมโคร เมตร ถึง 1 เซนติเมตร

19. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งแผ่นรองพื้นแรกถูกจัดรูป แบบขึ้นจากแผ่นรองพื้น ซิลิกอน

20. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 19 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอน คือ แผ่น รองพื้นซิลิกอนค ริสตัลเดี่ยว

21. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 20 ซึ่งแผ่นรองพื้นแรกถูกเตรียม ด้วยการทำให้มีรูพรุน บางส่วนต่อแผ่นรองพื้นซิลิกอนคริสตัลเดี่ยวเพื่อจัดรูปแบบแผ่น ชั้นกึ่งตัวนำรู พรุน และการจัดรูปแบบแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรู พรุนบนแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุน

22. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 21 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน ถูกจัดรูปแอบบจาก ซิลิกอน

23. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 21 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน ถูกจัดรูปแบบขึ้น จากสารกึ่งตัวนำสารประกอบ

24. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 21 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน ถูกจัดรูปแบบขึ้น โดยการพัฒนาขึ้นตามลำดับด้านบน

25. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 20 ซึ่งแผ่นรองพื้นแรกถูกจัดรูป แบบขึ้นด้วยการปลูกฝังอิ ออนเข้าไปด้านในของแผ่นรองพื้นซิลิกอนคริสตัลเดี่ยวเพื่อจัด รูปแบบแผ่น ชั้นรูพรุนในด้านในโดยที่ผิวหน้าการปลูกฝังอิออนถูก รักษาไม่ให้มีรูพรุน

26. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 25 ซึ่งอิอินถูกเลือกสรรจากกลุ่ม ของอิออนของแก๊สหา ยาก ไฮโดรเจน และไนโตรเจน

27. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 25 ซึ่งแผ่นชั้นฉนวนถูกจัดรูปแบบ ขึ้นบนแผ่นรองพื้นซิลิ กอนคริสตัลเดี่ยว และอิออนถูกปลูกฝังจากด้านข้างของแผ่นชั้น ฉนวน

28. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งแผ่นชั้นรูพรุนถูกจัดรูปแบบ ขึ้นโดยการแอโนได เซชั่น

29. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 28 ซึ่งแผ่นชั้นรูพรุนถูกจัดรูปแบบ ในโครงสร้างหลายแผ่น ชั้นด้วยการเปลี่ยนแปลงความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าในระหว่างการแอ โนได เซชั่นเพื่อเปลี่ยนแปลงความพรุนของแผ่นชั้นรูพรุน

30. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 12 ซึ่งถูกประยุกต์ใช้ต่อการผลิต เซลล์แสงอาทิตย์

31. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 30 ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ การเตรียมแผ่นรองพื้นแรก ด้วยการจัดรูปแบบแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนด้วยการทำให้แผ่นรอง ซิลิกอน มีรูพรุนบางส่วน และการจัดรูปแบบแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่ มีรูพรุนบนแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุน การยึดติด ฟิล์มลงบนแผ่น ชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน แบะการแยกแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรู พรุนด้วยการประยุกต์ใช้ แรงในทิศทางของการปลอกเปลือกฟิล์มจาก แผ่นรองพื้นแรก

32. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งแผ่นรองพื้นที่ได้รับด้วยการ เคลื่อนย้ายออกของ แผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนที่ยังคงเหลืออยู่บนแผ่นรองพื้นแรก หลักจากขั้นตอนการ แยกถูกใช้งานซ้ำเป็นวัสดุของแผ่นรองพื้นแรก

33. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งรอยต่อสารกึ่งตัวนำถูกจัด รูปแบบขึ้นหลังจากการ แยกหลายแผ่นชั้นบนแผ่นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุนที่ว่างเปล่าโดยการ เคลื่อน ย้ายออกของแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนที่ยังคงเหลืออยู่บน ด้านข้างของฟิล์ม

34. กระบวนการสำหรับสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 31 ซึ่ง รอยต่อสารกึ่งตัวนำถูกจัดรูป แบบขึ้นในขั้นตอนของการจัดรูปแบบ แผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุนบนแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุน

35. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งทั้งผิวหน้าด้านหน้าและผิว หน้าด้านกลับกันของ แผ่นชั้นซิลิกอนถูกทำให้มีรูพรุน และขั้นตอนต่อจากนั้นถูกกระ ทำบนทั้งสอง ด้านของผิวหน้า

36. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอนถูก ประกอบขึ้นด้วยซิลิกอนค ริสตัลเดี่ยว

37. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอนถูก ประกอบขึ้นด้วยซิลิกอน หลายคริสตัล

38. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอนถูก ประกอบขึ้นด้วยซิลิกอน ชนิดโลหะ

39. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งซิลิกอนถูกใช้งานเป็นแผ่น ชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรู พรุน

40. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งสารกึ่งตัวนำสารประกอบถูก ใช้งานเป็นแผ่นชั้น กึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน

41. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งฟิล์มต้านทานความ ร้อนถูใช้งานเป็นฟิล์ม

42. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 41 ซึ่งฟิล์มเป็นชนิดต้านทาน ความร้อนที่อุณหภูมิไม่สูง กว่า 400 องศาเซลเซียส

43. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งฟิล์มต้านทานความร้อนคือ ฟิล์มโพลีเมอร์อย่างสูง

44. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งสารกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุนถูก ยึดตำแห่งคั่นกลางของแป้งเปียกตัวนำไฟฟ้า

45. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 31 ซึ่งแป้งเปียกตัวนำไฟฟ้าถูกเผา ไฟ

46. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำที่ประกอบขึ้นในข้อถือสิทธิ 12 ถึง 45 ข้อใดข้อ หนึ่ง

47. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยการยึดติดฟิล์มลงบนแผ่นรองพื้น แรกที่มีแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนและแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน การแยกแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน จากแผ่นรองพื้นแรกที่แผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนด้วยการประยุกต์ใช้แรงกระทำต่อฟิล์มในทิศทางปลอก เปลือกและการยึดติดแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุนที่ถูกแยหออกลงบนแผ่นรองพื้นที่สอง

48. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งฟิล์มถูกประกอบขึ้นด้วย ฟิล์มยางเรซิน

49. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งฟิล์มถูกประกอบขึ้นด้วย ฟิล์มตัวนำไฟฟ้า

50. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งฟิล์ม คือ สารยึดติด

51. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งฟิล์มถูกยึดติดกับตำแหน่ง คั่นกลางของสารยึดติด กับแผ่นรองพื้น

52. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งฟิล์มมีความหนาที่มีย่าน จาก 5 ไมโคร เมตร ถึง 3 เซนติเมตร

53. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 52 ซึ่งฟิล์มมีความหนาที่มีย่าน จาก 10 ไมโคร เมตร ถึง 1เซนติเมตร

54. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งแผ่นรองพื้นแรกถูกจัดรูป แบบขึ้นจากแผ่นรองพื้น ซิลิกอน

55. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 54 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอน คือ แผ่น รองพื้นซิลิกอนค ริสตัลเดี่ยว

56. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 55 ซึ่งแผ่นรองพื้นแรกถูกเตรียม ด้วยการทำให้เป็นรูพรุน บางส่วนต่อแผ่นรองพื้นซิลิกอนคริสตัลเดี่ยวเพื่อจัดรูปแบบแผ่น ชั้นกึ่งตัวนำ รูพรุน และการจัดรูปแบบแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรู พรุนบนแผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุน

57. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 56 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน ถูกจัดรูปแบบจากซิ ลิกอน

58. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 56 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำถูกจัดรูป แบบจากสารกึ่งตัวตนำ สารประกอบ

59. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 56 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน ถูกจัดรูปแบบด้วย การพัฒนาตามลำดับข้างบน

60. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 56 ซึ่งแผ่นชั้นฉนวนถูกจัดรูป แบบขึ้นบนผิวหน้าของแผ่น ชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน และฟิล์มถูกยึดติดกับผิวหน้าของแผ่น ชั้นฉนวน

61. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 55 ซึ่งแผ่นรองพื้นแรกถูกจัดรูป แบบขึ้นด้วยการปลูกฝังอิ ออนเข้าไปในด้านในของแผ่นรองพื้นซิลิกอนคริสตัลเดี่ยวเพื่อจัด รูปแผ่น ชั้นรูพรุนในด้านในโดยที่ผิวหน้าการปลูกฝังอิออนถูก รักษาไม่ให้มีรูพรุน

62. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 61 ซึ่งอิออนถูกเลือกสรรจากกลุ่ม ของอิออนของแก๊สหา ยาก ไฮโดรเจน และไนโตรเจน

63. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 61 ซึ่งแผ่นชั้นฉนวนถูกจัดรูปแบบ ขึ้นบนแผ่นรองพื้นซิลิ กอนคริสตัลเดี่ยว และอิออนถูกปลูกฝังจากด้านข้างของแผ่นชั้น ฉนวน

64. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 63 ซึ่งฟิล์มถูกยึดติดกับแผ่นชั้นฉนวน

65. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอนถูกใช้ งานเป็นแผ่นรองพื้นที่ สอง

66. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 65 ซึ่งแผ่นรองพื้นซิลิกอนที่มีแผ่น ชั้นฉนวนซึ่งถูกจัด รูปแบบขึ้นบนนั้นถูกใช้งานเป็นแผ่นรองพื้นที่สอง

67. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งแผ่นรองพื้นส่งต่อแสงถูกใช้ งานเป็นแผ่นรองพื้น ที่สอง

68. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุน บนฟิล์มที่ถูกแยก ออกถูกยึดติดกับชิ้นส่วนรองรับ และถูกยึดติดต่อไปกับแผ่นรอง พื้นที่สองโดยที่ชั้น ล่างรองรับถูกรัษาไว้ให้ยึดติด

69. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 68 ซึ่งแผ่นชั้นไม่มีรูพรุนซึ่งถูกจับ ยึดติดฟิล์มที่ ถูกแยกออกและถูกทำให้ว่างเปล่าโดยการเคลื่อนย้ายออกขอกแผ่น ชั้นรูพรุนที่เหลืออยู่ จากผิวหน้าของแผ่นชั้นไม่มีรูพรุนถูก ยึดติดกับชิ้นส่วนรองรับ

70. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 68 ซึ่งแผ่นรูพรุนที่เหลืออยู่บนผิว หน้าของแผ่นชั้นไม่ มีรูพรุนบนฟิล์มที่ถูกแยกออกถูกยึดติดกับชิ้นส่วนรองรับ

71. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 68 ซึ่งชิ้นส่วนรองรับถูกเคลื่อน ย้ายออกหลังจากการยึด ติดของแผ่นชั้นกึ่งตัวนำไม่มีรูพรุนลงบนแผ่นรองพื้นนี้

72. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งฟิล์มถูกเคลื่อนย้ายออกหลัง จากแผ่นชั้นไม่มีรู พรุนถูกยึดติดกับแผ่นรองพื้นที่สอง

73. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 56 ซึ่งแผ่นชั้นรูพรุนถูกจัดรูปแบบ โดยการแอโนไดเซชั่น

74. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 73 ซึ่งแผ่นชั้นรูพรุนถูกจัดรูป แบบขึ้นในโครงสร้างหลาย แผ่นชั้นด้วยการเปลี่ยนแปลงความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าในระหว่างการ แอโนไดเซชั่นเพื่อเปลี่ยนแปลงความพรุนของแผ่นชั้นรูพรุน

75. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 56 ซึ่งทั้งผิวหน้าด้านหน้าและผิว หน้าด้านกลับกันของ แผ่นรองพื้นซิลิกอนกูกทำให้มีรูพรุน และขั้นตอนต่อจากนั้นถูก กระทำบนทั้ง สองผิวหน้านั้น

76. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งแผ่นรองพื้นที่ได้รับด้วยการ เคลื่อนย้ายออกขอก แผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนที่เหลืออยู่บนแผ่นรองพื้นแรกหลังจาก ขั้นตอนการแยก ออกถูกใช้งานซ้ำเป็นวัสดุสำหรับแผ่นรองพื้นแรก

77. กระบวนการสำหรับผลิตสิ่งกึ่งตัวนำตามข้อถือ สิทธิ 47 ซึ่งแผ่นรองพื้นที่ได้รับด้วยการ เคลื่อนย้ายออกของ แผ่นชั้นกึ่งตัวนำรูพรุนที่เหลืออยู่บนแผ่นรองพื้นแรกหลังจาก ขั้นตอนการแยก ออกถูกใช้งานซ้ำเป็นวัสดุสำหรับแผ่นรองพื้นที่ สอง

78. สิ่งกึ่งตัวนำที่ถูกผลิตขึ้นโดยกระบวนการที่กำหนดขึ้น ในข้อถือสิทธิ 47 ถึง 77 ข้อใดข้อ หนึ่ง