TH26021B

TH26021B - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ

Info

Publication number: TH26021B
Application number: TH9601002996A
Authority: TH
Inventors: นาย ฮิเดกิโมริ นายฮิเดกิ โมริ
Original assignee: โซนี่ คอร์ปอเรชั่น
Filing date: 1996-09-06
Publication date: 1997-07-16

Abstract

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งแก้ไขปัญหาของความจุไฟฟ้า ของชั้นฐานเชิงปรสิตที่ลดทอนอัตราเร็วการดำเนินกรรมวิธีสัญญาณ และ ลดอัตราเร็วการปฏิบัติการของไอซี จะก่อรูปชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 แบบชนิดเอ็นบนฐานของสารกึ่งตัวนำ แบบชนิดพี แอลฟิล์ม ฉนวน 13 และแผ่น 16 จะได้รับการก่อรูปบนชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 จะก่อรูปชั้นการแพร่ซึม 20 เพื่อการแยกโดดแบบชนิดพี ใน ส่วนหนึ่งของชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 ข้างใต้ฟิล์มฉนวน 13 จะ ก่อรูปชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 แบบชนิดเอ็นที่เชื่อมต่อ กับชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 บนชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 และอิเล็กโท รด 19 ที่เชื่อมต่อกับชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 ผ่านรู 18 เพื่อการเชื่อมต่อที่ก่อรูปในฟิล์มฉนวน 13 ข้างบนชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 จะได้รับการก่อรูปใน ลักษณะที่ว่าจะเป็นอิสระอย่างทางไฟฟ้าจากแผ่น 16 จะก่อรูป ชั้นการแพร่ซึม 20 เพื่อการแยกโดดไว้ภายนอกส่วนรอบนอกด้าน ข้าง ของชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 และในลักษณะที่ว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัว นำ 12 จะปรากฎอยู่อย่างน้อยที่สุดในส่วนหนึ่งของพื้นที่ ข้างใต้แผ่น 16 ในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่นนี้ เพราะว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัว นำ 12 จะปรากฏอยู่อย่างน้อยที่สุดในส่วนหนึ่งของพื้นที่ ข้างใต้แผ่น 16 ในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่นนี้ เพราะว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 จะปรากฏอยู่อย่างน้อยที่สุด ในส่วน หนึ่งของพื้นที่ข้างใต้แผ่นความจุไฟฟ้าของรอยต่อพีเอ็นเช่น นี้จะได้รับการเชื่อมต่อในลักษณะอนุกรมกับแผ่นนี้ ดังผล ลัพธ์ที่ได้จะทำให้ความจุไฟฟ้าที่เรียกว่าความจุไฟฟ้าของ ชั้นฐาน (ฐานของสารกึ่งตัวนำ) ที่เชื่อมต่ออย่างเชิงปรสิต ลดลง เช่นเดียวกันโดยการป้อนเข้าของสนามแบบผกผัน บนชั้นสาร กึ่งตัวนำและฐานของสารกึ่งตัวนำจากอิเล็กโทรด 19 จะทำให้ ความจุไฟฟ้าของรอยต่อพีเอ็นนี้ลดลงในความกว้างของชั้นการ ปลอดพาหะ

Claims

1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยฐานของสารกึ่งตัวนำที่เป็นแบบชนิดนำไฟฟ้าแบบชนิดที่หนึ่ง ชั้นสารกึ่งตัวนำที่เป็นแบบชนิดนำไฟฟ้า แบบชนิดที่สองที่ ตรงกันข้ามกับแบบชนิดนำไฟฟ้า แบบชนิดที่หนึ่งดังกล่าวซึ่ง ก่อรูปบนฐานของสารกึ่งตัวนำดังกล่าว ฟิล์มฉนวนที่ก่อรูปบนชั้นสารกึ่งตัวนำดังกล่าว แผ่นที่ประกอบด้วยฟิล์มนำไฟฟ้า ซึ่งก่อรูปบนฟิล์มฉนวนดัง กล่าว ชั้นการแพร่ซึมเพื่อการแยกโดด ที่เป็นแบบชนิดนำไฟฟ้าแบบ ชนิดที่หนึ่งดังกล่าว ซึ่งได้รับการก่อรูปบนส่วนของชั้นสาร กึ่งตัวนำดังกล่าวข้างใต้ฟิล์มฉนวนดังกล่าว ชั้น