อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งแก้ไขปัญหาของความจุไฟฟ้า ของชั้นฐานเชิงปรสิตที่ลดทอนอัตราเร็วการดำเนินกรรมวิธีสัญญาณ และ ลดอัตราเร็วการปฏิบัติการของไอซี จะก่อรูปชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 แบบชนิดเอ็นบนฐานของสารกึ่งตัวนำ แบบชนิดพี แอลฟิล์ม ฉนวน 13 และแผ่น 16 จะได้รับการก่อรูปบนชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 จะก่อรูปชั้นการแพร่ซึม 20 เพื่อการแยกโดดแบบชนิดพี ใน ส่วนหนึ่งของชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 ข้างใต้ฟิล์มฉนวน 13 จะ ก่อรูปชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 แบบชนิดเอ็นที่เชื่อมต่อ กับชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 บนชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 และอิเล็กโท รด 19 ที่เชื่อมต่อกับชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 ผ่านรู 18 เพื่อการเชื่อมต่อที่ก่อรูปในฟิล์มฉนวน 13 ข้างบนชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 จะได้รับการก่อรูปใน ลักษณะที่ว่าจะเป็นอิสระอย่างทางไฟฟ้าจากแผ่น 16 จะก่อรูป ชั้นการแพร่ซึม 20 เพื่อการแยกโดดไว้ภายนอกส่วนรอบนอกด้าน ข้าง ของชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 และในลักษณะที่ว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัว นำ 12 จะปรากฎอยู่อย่างน้อยที่สุดในส่วนหนึ่งของพื้นที่ ข้างใต้แผ่น 16 ในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่นนี้ เพราะว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัว นำ 12 จะปรากฏอยู่อย่างน้อยที่สุดในส่วนหนึ่งของพื้นที่ ข้างใต้แผ่น 16 ในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่นนี้ เพราะว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 จะปรากฏอยู่อย่างน้อยที่สุด ในส่วน หนึ่งของพื้นที่ข้างใต้แผ่นความจุไฟฟ้าของรอยต่อพีเอ็นเช่น นี้จะได้รับการเชื่อมต่อในลักษณะอนุกรมกับแผ่นนี้ ดังผล ลัพธ์ที่ได้จะทำให้ความจุไฟฟ้าที่เรียกว่าความจุไฟฟ้าของ ชั้นฐาน (ฐานของสารกึ่งตัวนำ) ที่เชื่อมต่ออย่างเชิงปรสิต ลดลง เช่นเดียวกันโดยการป้อนเข้าของสนามแบบผกผัน บนชั้นสาร กึ่งตัวนำและฐานของสารกึ่งตัวนำจากอิเล็กโทรด 19 จะทำให้ ความจุไฟฟ้าของรอยต่อพีเอ็นนี้ลดลงในความกว้างของชั้นการ ปลอดพาหะ A semiconductor device that solves the problem of electrical capacitance. Of parasitic basal layers that reduce the signal processing speed and the operating speed of ICs On a PL-type semiconductor base, insulating film 13 and sheet 16 are formed on the semiconductor layer 12 to form a diffusion layer 20 for the P-type isolation, in part of the semiconductor layer 12, under the insulating film 13 forms 17 N-connected dope diffusion layers. With semiconductor layer 12 on semiconductor layer 12 and electrode 19 connected to dopant diffusion layer 17 through hole 18 for the connections formed in insulating film 13 above the diffusion layer. Contaminated 17 will be formed in In such a way that it is electrically independent from sheet 16 it forms a diffusion layer 20 for external isolation, the lateral periphery of the impurity diffusion layer 17, and in such a manner that it is welded The PN between the semiconductor base 11 and the semiconductor layer 12 is present at least part of the area under plate 16 in such semiconductor devices because the PN junction between the semiconductor bases. Conductor 11 and semiconductor layer 12 appear at least in part of the area under plate 16 in such semiconductor devices, because the PN junction between the base of the semiconductor 11 and the semiconductor layer 12 will It appears at least in part of the area below the capacitance of a PN junction, such as This will be connected in series with this plate, as a result, the resulting capacitance known as the parasitically connected base layer (semiconductor base) capacitance is likewise reduced by The inverse field input on the semiconductor layer and the semiconductor base from the electrode 19 reduces the capacitance of this PN junction in the width of the carrier-free layer.