TH26021A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- TH26021A TH26021A TH9601002996A TH9601002996A TH26021A TH 26021 A TH26021 A TH 26021A TH 9601002996 A TH9601002996 A TH 9601002996A TH 9601002996 A TH9601002996 A TH 9601002996A TH 26021 A TH26021 A TH 26021A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- semiconductor
- layer
- base
- semiconductor layer
- capacitance
- Prior art date
Links
Abstract
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งแก้ไขปัญหาของความจุไฟฟ้า ของชั้นฐานเชิงปรสิตที่ลดทอนอัตราเร็วการดำเนินกรรมวิธีสัญญาณ และ ลดอัตราเร็วการปฏิบัติการของไอซี จะก่อรูปชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 แบบชนิดเอ็นบนฐานของสารกึ่งตัวนำ แบบชนิดพี แอลฟิล์ม ฉนวน 13 และแผ่น 16 จะได้รับการก่อรูปบนชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 จะก่อรูปชั้นการแพร่ซึม 20 เพื่อการแยกโดดแบบชนิดพี ใน ส่วนหนึ่งของชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 ข้างใต้ฟิล์มฉนวน 13 จะ ก่อรูปชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 แบบชนิดเอ็นที่เชื่อมต่อ กับชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 บนชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 และอิเล็กโท รด 19 ที่เชื่อมต่อกับชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 ผ่านรู 18 เพื่อการเชื่อมต่อที่ก่อรูปในฟิล์มฉนวน 13 ข้างบนชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 จะได้รับการก่อรูปใน ลักษณะที่ว่าจะเป็นอิสระอย่างทางไฟฟ้าจากแผ่น 16 จะก่อรูป ชั้นการแพร่ซึม 20 เพื่อการแยกโดดไว้ภายนอกส่วนรอบนอกด้าน ข้าง ของชั้นการแพร่ซึมสารเจือปน 17 และในลักษณะที่ว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัว นำ 12 จะปรากฎอยู่อย่างน้อยที่สุดในส่วนหนึ่งของพื้นที่ ข้างใต้แผ่น 16 ในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่นนี้ เพราะว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัว นำ 12 จะปรากฏอยู่อย่างน้อยที่สุดในส่วนหนึ่งของพื้นที่ ข้างใต้แผ่น 16 ในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเช่นนี้ เพราะว่ารอย ต่อพีเอ็นระหว่างฐานของสารกึ่งตัวนำ 11 และชั้นสารกึ่งตัวนำ 12 จะปรากฏอยู่อย่างน้อยที่สุด ในส่วน หนึ่งของพื้นที่ข้างใต้แผ่นความจุไฟฟ้าของรอยต่อพีเอ็นเช่น นี้จะได้รับการเชื่อมต่อในลักษณะอนุกรมกับแผ่นนี้ ดังผล ลัพธ์ที่ได้จะทำให้ความจุไฟฟ้าที่เรียกว่าความจุไฟฟ้าของ ชั้นฐาน (ฐานของสารกึ่งตัวนำ) ที่เชื่อมต่ออย่างเชิงปรสิต ลดลง เช่นเดียวกันโดยการป้อนเข้าของสนามแบบผกผัน บนชั้นสาร กึ่งตัวนำและฐานของสารกึ่งตัวนำจากอิเล็กโทรด 19 จะทำให้ ความจุไฟฟ้าของรอยต่อพีเอ็นนี้ลดลงในความกว้างของชั้นการ ปลอดพาหะ A semiconductor device that solves the problem of electrical capacitance. Of the parasitic basal layer that reduces the signal processing speed and the operating speed of ICs. On a PL-type semiconductor base, insulating film 13 and sheet 16 are formed on the semiconductor layer 12 to form a diffusion layer 20 for the P-type isolation, in part of the semiconductor layer 12, under the insulating film 13 forms 17 N-connected dope diffusion layers. With semiconductor layer 12 on semiconductor layer 12 and electrode 19 connected to dopant diffusion layer 17 through hole 18 for the connections formed in insulating film 13 above the diffusion layer. Contaminated 17 will be formed in In such a way that it is electrically independent from sheet 16, it forms a diffusion layer 20 for external isolation, the lateral periphery of the impurity diffusion layer 17, and in such a manner that it is welded. The PN between the semiconductor base 11 and the semiconductor layer 12 is present at least part of the area under plate 16 in such semiconductor devices because the PN junction between the semiconductor bases. Conductor 11 and semiconductor layer 12 appear at least in part of the area under plate 16 in such semiconductor devices, because the PN junction between the base of the semiconductor 11 and the semiconductor layer 12 will It appears at least in part of the area below the capacitance of a PN junction. This will be connected in series with this plate, as a result, the resulting capacitance known as the parasitically connected base layer (semiconductor base) capacitance is likewise reduced by The inverse field input on the semiconductor layer and the semiconductor base from the electrode 19 reduces the capacitance of this PN junction in the width of the carrier-free layer.
Claims (1)
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH26021A true TH26021A (en) | 1997-07-16 |
TH26021B TH26021B (en) | 1997-07-16 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5025298A (en) | Semiconductor structure with closely coupled substrate temperature sense element | |
SU457237A3 (en) | Integrated circuit | |
EP0457886B1 (en) | Power mosfet transistor circuit | |
KR880008428A (en) | Semiconductor structure using merged bipolar / CMOS technology using electrically active trench and method of manufacturing the same | |
KR960009180A (en) | Electrostatic discharge protection device and its manufacturing method | |
KR950007080A (en) | Peripheral Circuit (ESD) Protection Circuit Manufacturing Method | |
CN100514678C (en) | Low capacitance ESD-protection structure under a bond pad | |
KR970024165A (en) | A Semiconductor Integrated Circuit and Its Fabricating Method | |
ATE107440T1 (en) | MONOLITHIC INTEGRATED TRANSISTOR CIRCUIT FOR LIMITING POSITIVE OVERVOLTAGE. | |
KR100298819B1 (en) | Structure for esd protection in semiconductor chips | |
JP2751650B2 (en) | Semiconductor circuit | |
JPS61296770A (en) | Insulated gate field effect type semiconductor device | |
US6392307B1 (en) | Semiconductor device | |
TH26021A (en) | Semiconductor device | |
TH26021B (en) | Semiconductor device | |
KR970030781A (en) | Input protection circuit of semiconductor device | |
KR940018964A (en) | Semiconductor devices | |
EP0353308A4 (en) | Semiconductor device | |
KR850000805A (en) | Supporting device | |
JPH0644626B2 (en) | Monolithic semiconductor device | |
JPS58186959A (en) | Semiconductor device | |
KR950021286A (en) | Input pad of semiconductor device and forming method thereof | |
JPS627160A (en) | Semiconductor device | |
JPH069208B2 (en) | Semiconductor device | |
TWI231593B (en) | Line skeleton of power MOS product having gate-source protection diode |