KR950021286A - 반도체 장치의 입력패드 및 이의 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 입력패드 및 이의 형성방법에 관한 것으로, 와이어 공정의 신뢰도의 향상과 입력패드를 통한 정전기 도는 과전압로부터의 보호 수단을 구비한 반도테 장치의 입력패드 및 이의 형성방법에 관한 것이며, 입력패드는 외부에서 인가된 신호를 반도체 칩내부로 전달하는 입력패드와, 상기 입력 패드에 연결된 과전압 바이패스용 스위칭 수단과, 상기 입력패드에 인가된 과전압을 검출하여 상기 과전압 바이패스용 스위칭 수단을 스위칭시키는 과전압 검출부로 구성되고, 입력패드와 이에 연결된 과전압 검출부를 포함하는 반도체 장치의 입력패드 형성방법은 접지에 연결되는 콜렉터로서의 제1도전형의 반도체 기판에 제2도전형의 에피택셜층을 형성하여 유효베이스층을 형성하고, 기판 전면에 산화층을 형성한후, 제2도전형 불순물을 에피택셜층에 주입하여 소자분리하여 패드 형성부위를 정의하고 상기 에피택셜층에 제2도전형 불순물이온과 제1도전형 불순물 이온을 상기 에피택셜층의 선택된 영역에 수입하여 에미터 영역과 베이스 접촉영역을 각각 형성하며, 상기 에미터영역과 베이스접촉영역의 접촉창을 사진식각방법으로 형성한후 입력패드와 베이스 배선층을 형성하는 고정을 가지며, 상기 베이스 배선층은 상기 과전압검출부에 연결된다.

Description

반도체 장치의 입력패드 및 이의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 따른 반도체 장치의 입력패드의 단면도.

Claims (5)

  1. 외부에서 인가된 신호를 반도체 칩내부로 전달하는 입력패드와, 상기 입력 패드에 연결된 과전압 바이패스용 스위칭 수단과, 상기 입력패드에 인가된 과전압을 검출하여 상기 과전압 바이패스용 스위칭 수단을 스위칭시키는 과전압 검출부로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 입력패드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 과전압 바이패스용 스위치 수단은 바이포라 트랜지스터로 구성되고, 상기 입력패드는 바이폴라 트랜지스터의 에미터에 연결하고, 베이스는 상기 과전압 검출부에 연결되며, 콜렉터는 접지에 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 입력패드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 접지에 연결되는 제1도전형의 반도체 기판인 콜렉터와, 상기 반도체기판에 제2도전형의 에피택셜층을 형성하여 된 베이스층과, 상기 에피택셜층에 제2도전형 불순물 이온과 제1도전형 불순물 이온을 상기 에픽텍셜층의 선택된 영역에 주입하여 형성된 에미터 영역 및 베이스 접촉영역과, 상기 에미터영역과 베이스접촉영역의 접촉창을 통해 연결된 입력패드 및 베이스 배선층으로 구성되며, 상기 베이스 배선층은 상기 과전압검출부에 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 입력패드.
  4. 입력패드와 이에 연결된 과전압 검출부를 포함하는 반도체 장치의 입력패드 형성방법은 접지에 연결되는 콜렉터로서의 제2도전형의 반도체 기판에 제1도전형의 에피텍셜층을 형성하여 유효베이스층을 형성하고, 기판전면에 산화층을 형성한후, 제2도전형 불순물을 상기 에피텍셜층에 주입하여 소자분리하여 패드형성부위를 정의하고, 상기 에피택셜층에 제2도전형 불순물 이온과 제1도전형 불순물 이온을 상기 에피택셜층의 선택된 영역에 주입하여 에미터 영역과 베이스 접촉영역을 각각 형성하며, 상기 에미터영역과 베이스접촉영역의 접촉창을 사진식각방법으로 형성한후 입력패드와 베이스 배선층을 형성하는 공정을 가지며, 상기 베이스 배선층은 상기 과전압검출부에 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 입력패드 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1도전형 영역은 n형 불순물이 포함된 반도체 영역이며, 제2도전형은 p형 불순물이 포함된 반도체 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 입력패드 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930026367A 1993-12-03 1993-12-03 반도체 장치의 입력패드 및 이의 형성방법 KR960014444B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443690B1 (ko) * 2002-06-17 2004-08-12 유일산업전자 주식회사 과전압 방지회로를 포함하는 송풍방향 조절모터 제어장치

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