TH14233B - ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน - Google Patents

ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน

Info

Publication number
TH14233B
TH14233B TH9401002199A TH9401002199A TH14233B TH 14233 B TH14233 B TH 14233B TH 9401002199 A TH9401002199 A TH 9401002199A TH 9401002199 A TH9401002199 A TH 9401002199A TH 14233 B TH14233 B TH 14233B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
magnetic
layer
resistance
alloy
substrate
Prior art date
Application number
TH9401002199A
Other languages
English (en)
Other versions
TH18410A (th
Inventor
พินาร์บาซี นายมูสทาฟา
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH18410A publication Critical patent/TH18410A/th
Publication of TH14233B publication Critical patent/TH14233B/th

Links

Abstract

ในทรานส์ดิวเซอร์ใช้อ่านที่มีความต้านทานแบบแม่เหล็ก วัสดุซึ่งเฉื่อยเมื่อเทียบ กับชั้นที่ไบอัสด้วยแม่เหล็กที่เป็นฟิล์มอ่อนจะถูกสร้างที่ผิวหน้าของซับสเตรทก่อน การสร้างและ เกาะตัวของฟิล์มอ่อน ในรูปแบบที่ดีของการประดิษฐ์นี้ชั้นผิวหน้าของซับสเตรทของโลหะ เช่น Cr หรือ Ta จะถูกนำมาใช้ โลหะเหล่านี้มีความต้านทานสูงเนื่องจากการอ๊อกซิเดซีนบางส่วน เมื่อเกาะตัวบนซับสเตรทเพื่อลดการพ่วงของกระแสตรวจวัดผ่านชั้นที่มีความต้านทานแบบแม่เหล็ก และที่หน้าที่ต่อไปเป็นตัวกั้นขวาง เพื่อป้องกันฟิล์มอ่อนจากการปนเปื้อนที่ผิวหน้าร่วมของซับสเตรท ชั้นผิวหน้ายังทำหน้าที่เป็นชั้นในสุด เพื่อกำหนดการจัดเรียงความเป็นแม่เหล็กของฟิล์มอ่อนใน ทิศทางที่กำหนดไว้เป็นอย่างดีซึ่งจะลดความเสถียรของแม่เหล็กลง

Claims (7)

1. ทรานส์ดิวเซอร์ใช้อ่านที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็ก ที่ซึ่งประกอบด้วย ซับสเตรทที่มีชั้นบนของ Al2O3 หรือ SiO2 อยู่บนนั้น ชั้นผิวหน้าของโครเมียมที่ถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วน หรือแทนทาลัมที่เกาะอยู่เหนือ และติดกันกับชั้นบนของ Al2O3 หรือ SiO2 วัสดุชั้นผิวหน้าที่มีความต้านทานสูง ชั้นไบอัสของวัสดุแม่เหล็กอ่อนบนชั้นผิวหน้าดังกล่าว; ชั้นของวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็กที่แยกตัวทางแม่เหล็กจาก และเชื่อม ตัวทางแม่เหล็กสถิตย์กับวัสดุแม่เหล็กอ่อน ในลักษณะที่วัสดุแม่เหล็กอ่อนจะไบอัสด้วยแม่เหล็กกับ ตัววัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็กชั้นของวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็ก ถูกแยกจาก ชั้นไบอัสดังกล่าวโดยชั้นตัวแยกที่ไม่มีแม่เหล็ก และวัสดุของชั้นผิวหน้าดังกล่าวที่มีลักษณะเฉื่อย ทั้งหมดเมื่อเทียบกับวัสดุแม่เหล็กอ่อน เพื่อที่จะจัดให้มีผิวหน้าที่กำหนดไว้เป็นอย่างดีสำหรับการ สร้างตัวของชั้นไบอัสดังกล่าว 2. ทรานส์ดิวเซอร์ใช้อ่านที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็ก ตามที่ระบุถึงใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งชั้นไบอัสดังกล่าวเป็นวัสดุแม่เหล็กอ่อนที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย NiFeCr NiFeNb และ NiFeRh 3. ทรานส์ดิวเซอร์ใช้อ่านที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็ก ตามที่ระบุไว้ในข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งชั้นของวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็กดังกล่าวประกอบด้วยอัลลอยของ NiFe 4. ทรานส์ดิวเซอร์ใช้อ่านที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็ก ตามที่ระบุไว้ในข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นตัวสวมที่เกาะอยู่เหนือชั้นของวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบ แม่เหล็กดังกล่าว 5. ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่มีโครงสร้างแบบหลายชั้น ซึ่งรวมถึงซับสเตรทที่มี ชั้นบนของ Al2O3 หรือ SiO2 อยู่บนนั้น ชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่งและที่สองที่สร้างตัวในที่นั้น ตามลำดับ ซึ่งจะเชื่อมต่อทางแม่เหล็กสถิตย์ชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่งที่สร้างตัวบนซับสเตรท ชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่งและที่สองถูกแยกจากกัน โดยชั้นตัวแยกที่ไม่มีแม่เหล็กการปรับปรุง ประกอบด้วยชั้นผิวหน้าของโครเมียมที่ถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วนหรือแทนทาลัมที่ติดกันกับชั้นบน ของ Al2O3 หรือ SiO2 ใต้ชั้นของอัลลอยของแม่เหล็กที่หนึ่ง โดยชั้นผิวหน้าดังกล่าวของวัสดุจะถูก กำกับโดยลักษณะที่มีความต้านทานสูง และเฉื่อยทั้งหมด เมื่อเทียบกับอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่งเพื่อที่ จะจัดให้มีผิวหน้าที่กำหนดไว้เป็นอย่างดีสำหรับการสร้างขึ้นเป็นชั้นอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง 6. ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งอัลลอยแม่เหล็ก ที่หนึ่งเป็นวัสดุแม่เหล็กอ่อน และอัลลอยแม่เหล็กที่สองเป็นวัสดุที่มีความต้านทานแม่แบบเหล็ก 7. ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 6 ที่ซึ่งอัลลอยแม่เหล็ก ที่หนึ่งดังกล่าวถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย NiFeCr, NiFeNb และ NiFeRh 8. ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 6 ที่ซึ่งอัลลอยแม่เหล็ก ที่สองดังกล่าวประกอบด้วยอัลลอยของ NiFe 9. วิธีการสำหรับการประกอบหัวแม่เหล็กที่เป็นชั้น ที่ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน ของ การจัดให้มีซับสเตรทสำหรับหัวแม่เหล็กที่เป็นชั้น ซับสเตรทดังกล่าวจะมีชั้นบน การเกาะติดชั้นผิวหน้าของวัสดุโดยตรง และสัมผัสกับชั้นบนของซับสเตรท ชั้น ผิวหน้าดังกล่าวของวัสดุจะกลายเป็นถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วน เมื่อถูกเกาะติดบนชั้นบนดังกล่าว และ การเกาะติดชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่งโดยตรงบนและสัมผัสกับชั้นผิวหน้า ดังกล่าว ของวัสดุโดยวัสดุของชั้นผิวหน้าดังกล่าวจะถูกกำกับโดยลักษณะที่เฉื่อยทั้งหมดเมื่อเทียบ กับอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง ซึ่งเป็นการจัดให้มีผิวหน้าที่กำหนดเป็นอย่างดีสำหรับการสร้างตัวของ ชั้นอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง 1 0. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 12 ที่ซึ่งอัลลอยแม่เหล็กที่สอง คือ วัสดุที่ มีความต้านทานแบบแม่เหล็ก 1
1. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบ แม่เหล็กดังกล่าวเป็นอัลลอยของ NiFe 1
2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการ เกาะติดชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่สอง ซึ่งปลดตัวทางแม่เหล็กออกจากชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง และเชื่อมต่อด้วยแม่เหล็กสถิตย์กับชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง 1
3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 12 ที่ซึ่งชั้นผิวหน้าดังกล่าวของวัสดุที่เกาะ ติดอยู่ประกอบด้วย Ta หรือ Cr ที่ถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วน 1
4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 13 ที่ซึ่งชั้นบนดังกล่าวคือ Al2O3 หรือ SiO2 1
5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งอัลลอยของแม่เหล็กที่หนึ่งได้แก่ NiFeRh , NiFeNb, และ NiFeCr ตัวใดตัวหนึ่ง 1
6. วิธีการสำหรับการประกอบหัวอ่านที่ใช้ความต้านทานแม่แบบเหล็กที่ซึ่ง ประกอบด้วย การจัดให้มีซับสเตรทที่มีชั้นบนของ Al2O3 หรือ SiO2 การเกาะติดชั้นผิวหน้าของของ Cr หรือ Ta โดยตรงบนและติดกันกับชั้นที่เป็น ซับสเตรทดังกล่าว ชั้นผิวหน้าดังกล่าวจะกลายเป็นถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วน เมื่อถูกเกาะติดบนชั้นบน ดังกล่าว การเกาะติดชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่ประกอบด้วย Ni, Fe และชิ้นส่วนที่ถูกเลือก จากกลุ่มที่ประกอบด้วย Cr, Nb, และ Rh โดยตรงบนและสัมผัสกับชั้นผิวหน้าดังกล่าว การเกาะติดชั้นตัวแยกที่ไม่มีแม่เหล็กบนชั้นของอัลลอยแม่เหล็ก และ การเกาะติดชั้นของวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็กบนชั้นตัวแยกดังกล่าว 1
7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งการเกาะติดชั้นของวัสดุที่ใช้ ความต้านทานแบบแม่เหล็กประกอบด้วย การเกาะติดชั้นของอัลลอยที่ประกอบด้วย Ni และ Fe
TH9401002199A 1994-10-12 ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน TH14233B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH18410A TH18410A (th) 1996-04-25
TH14233B true TH14233B (th) 2003-02-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5849422A (en) Spin valve film
US6807034B2 (en) Dual spin-valve CCP type thin-film magnetic element with multi free layers
EP0152000B1 (en) Magnetic transducer using magnetoresistance effect
JP3300291B2 (ja) シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド及びアセンブリ
US5708358A (en) Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets
JP2004103769A (ja) Cpp構造磁気抵抗効果素子
JP2000222709A (ja) スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
JPH1069610A (ja) 磁気ヘッドアセンブリ
JPH10143822A (ja) 薄膜磁気構造及び薄膜磁気ヘッド
KR19980042666A (ko) 자기저항효과소자 및 시일드형 자기저항효과센서
US5657191A (en) Stabilization of giant magnetoresistive transducers
JP2001014616A (ja) 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
KR950020419A (ko) 비대칭 변화를 감소시키는 안정된 연자성막을 구비한 박막 자기 변환기
JP2006013430A (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置
EP1286336A2 (en) Magnetic sensor, magnetic head and magnetic recording apparatus
US5556718A (en) Magnetoresistive head
TH14233B (th) ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน
TH18410A (th) ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน
JP3794470B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
JPH06338033A (ja) 複合型薄膜磁気ヘッド
JPH11175925A5 (th)
JPH1186229A (ja) スピンバルブ効果センサ
JP3730976B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置
JPH11175925A (ja) 磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置
JPS62143223A (ja) ソフトバイアス型磁気抵抗効果素子