TH18410A - ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน - Google Patents
ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกันInfo
- Publication number
- TH18410A TH18410A TH9401002199A TH9401002199A TH18410A TH 18410 A TH18410 A TH 18410A TH 9401002199 A TH9401002199 A TH 9401002199A TH 9401002199 A TH9401002199 A TH 9401002199A TH 18410 A TH18410 A TH 18410A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- alloy
- resistance
- clause
- Prior art date
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 19
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 3
- 239000006148 magnetic separator Substances 0.000 claims 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
Abstract
ในทรานส์ดิวเซอร์ใช้อ่านที่มีความต้านทานแบบแม่เหล็ก วัสดุซึ่งเฉื่อยเมื่อเทียบ กับชั้นที่ไบอัสด้วยแม่เหล็กที่เป็นฟิล์มอ่อนจะถูกสร้างที่ผิวหน้าของซับสเตรทก่อน การสร้างและ เกาะตัวของฟิล์มอ่อน ในรูปแบบที่ดีของการประดิษฐ์นี้ชั้นผิวหน้าของซับสเตรทของโลหะ เช่น Cr หรือ Ta จะถูกนำมาใช้ โลหะเหล่านี้มีความต้านทานสูงเนื่องจากการอ๊อกซิเดซีนบางส่วน เมื่อเกาะตัวบนซับสเตรทเพื่อลดการพ่วงของกระแสตรวจวัดผ่านชั้นที่มีความต้านทานแบบแม่เหล็ก และที่หน้าที่ต่อไปเป็นตัวกั้นขวาง เพื่อป้องกันฟิล์มอ่อนจากการปนเปื้อนที่ผิวหน้าร่วมของซับสเตรท ชั้นผิวหน้ายังทำหน้าที่เป็นชั้นในสุด เพื่อกำหนดการจัดเรียงความเป็นแม่เหล็กของฟิล์มอ่อนใน ทิศทางที่กำหนดไว้เป็นอย่างดีซึ่งจะลดความเสถียรของแม่เหล็กลง
Claims (7)
1. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบ แม่เหล็กดังกล่าวเป็นอัลลอยของ NiFe 1
2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการ เกาะติดชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่สอง ซึ่งปลดตัวทางแม่เหล็กออกจากชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง และเชื่อมต่อด้วยแม่เหล็กสถิตย์กับชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่หนึ่ง 1
3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 12 ที่ซึ่งชั้นผิวหน้าดังกล่าวของวัสดุที่เกาะ ติดอยู่ประกอบด้วย Ta หรือ Cr ที่ถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วน 1
4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 13 ที่ซึ่งชั้นบนดังกล่าวคือ Al2O3 หรือ SiO2 1
5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งอัลลอยของแม่เหล็กที่หนึ่งได้แก่ NiFeRh , NiFeNb, และ NiFeCr ตัวใดตัวหนึ่ง 1
6. วิธีการสำหรับการประกอบหัวอ่านที่ใช้ความต้านทานแม่แบบเหล็กที่ซึ่ง ประกอบด้วย การจัดให้มีซับสเตรทที่มีชั้นบนของ Al2O3 หรือ SiO2 การเกาะติดชั้นผิวหน้าของของ Cr หรือ Ta โดยตรงบนและติดกันกับชั้นที่เป็น ซับสเตรทดังกล่าว ชั้นผิวหน้าดังกล่าวจะกลายเป็นถูกอ๊อกซิไดส์บางส่วน เมื่อถูกเกาะติดบนชั้นบน ดังกล่าว การเกาะติดชั้นของอัลลอยแม่เหล็กที่ประกอบด้วย Ni, Fe และชิ้นส่วนที่ถูกเลือก จากกลุ่มที่ประกอบด้วย Cr, Nb, และ Rh โดยตรงบนและสัมผัสกับชั้นผิวหน้าดังกล่าว การเกาะติดชั้นตัวแยกที่ไม่มีแม่เหล็กบนชั้นของอัลลอยแม่เหล็ก และ การเกาะติดชั้นของวัสดุที่ใช้ความต้านทานแบบแม่เหล็กบนชั้นตัวแยกดังกล่าว 1
7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งการเกาะติดชั้นของวัสดุที่ใช้ ความต้านทานแบบแม่เหล็กประกอบด้วย การเกาะติดชั้นของอัลลอยที่ประกอบด้วย Ni และ Fe
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH18410A true TH18410A (th) | 1996-04-25 |
| TH14233B TH14233B (th) | 2003-02-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5849422A (en) | Spin valve film | |
| US6807034B2 (en) | Dual spin-valve CCP type thin-film magnetic element with multi free layers | |
| EP0152000B1 (en) | Magnetic transducer using magnetoresistance effect | |
| US5708358A (en) | Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets | |
| US5262914A (en) | Magnetoresistive head with enhanced exchange bias field | |
| JP2004103769A (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子 | |
| JP2000222709A (ja) | スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002304711A (ja) | シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド及びアセンブリ | |
| JPH10143822A (ja) | 薄膜磁気構造及び薄膜磁気ヘッド | |
| KR19980042666A (ko) | 자기저항효과소자 및 시일드형 자기저항효과센서 | |
| US5657191A (en) | Stabilization of giant magnetoresistive transducers | |
| JP2001014616A (ja) | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 | |
| KR950020419A (ko) | 비대칭 변화를 감소시키는 안정된 연자성막을 구비한 박막 자기 변환기 | |
| JP2006013430A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置 | |
| EP1286336A2 (en) | Magnetic sensor, magnetic head and magnetic recording apparatus | |
| US5556718A (en) | Magnetoresistive head | |
| TH18410A (th) | ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน | |
| TH14233B (th) | ทรานส์ดิวเซอร์แม่เหล็กที่เป็นแผ่นฟิล์มบางที่มีฟิล์มอ่อนใช้ลดการเปลี่ยนค่าที่สมนัยกัน | |
| JP3794470B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 | |
| JPH06338033A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH1186229A (ja) | スピンバルブ効果センサ | |
| JPH11175925A5 (th) | ||
| JP3730976B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置 | |
| JPH11175925A (ja) | 磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置 | |
| JPS62143223A (ja) | ソフトバイアス型磁気抵抗効果素子 |