SU746731A1 - Посто нное запоминающее устройство - Google Patents

Посто нное запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU746731A1
SU746731A1 SU772562834A SU2562834A SU746731A1 SU 746731 A1 SU746731 A1 SU 746731A1 SU 772562834 A SU772562834 A SU 772562834A SU 2562834 A SU2562834 A SU 2562834A SU 746731 A1 SU746731 A1 SU 746731A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
decoder
inputs
information
rom
outputs
Prior art date
Application number
SU772562834A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Захарович Иванников
Алексей Дмитриевич Кравцов
Сергей Савельевич Глебов
Валерий Васильевич Буздин
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6644
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6644 filed Critical Предприятие П/Я Р-6644
Priority to SU772562834A priority Critical patent/SU746731A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU746731A1 publication Critical patent/SU746731A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

(54) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
1
Изобретение относитс  к области вычислительной техники и предназначено дл  многократной записи, хранени  и многоразового считывани  информации произвольно большого объема.
Известно посто нное запоминающее устройство (ПЗУ), содержащее накопитель, построенный на элементах на халькогенидных стеклах, и дешифратор-формирователь, выходы которого соединены со входами накопител  1.
Недостатками устройства  вл ютс  необходимость перестройки функциональной схемы при увеличении емкости накопител , что требует введени  внешних устройств коммутации выходных выводов ИМС и формировани  по величине и длительности информационных сигналов при записи программы в накопитель, а также значительна  потребл ема  мощность.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  ПЗУ, содержащее матричный накопитель, первые входы которого соединены свыходами входного дешифратора, а также выходной усилитель и выходной дешифратор 2.
Недостатками ПЗУ  вл ютс  одноразовое программирование и высока  мощность потреблени  на единицу информации, особенно Б режиме записи, что ухудшает температурный режим кристалла, накладывает повышенньЧе требовани  на размеры элементов , изол цию между ними и усложн ет технологию изготовлени  кристалла, а также длительное врем  программировани .
Цель изобретени  заключаетс  в повышении быстродействи  ПЗУ и его надеж10 ности.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в ПЗУ, содержащее накопитель, первые входы которого подключены к выходам входного дешифратора, выходной дешифратор и блок выходных усилителей, введены ком15 мутатор тактовых сигналов разр дный формирователь , блок задани  режимов записи и считывани , дополнительный дешифратор, селектор считываемого слова и формирователь информационных сигналов, выходы которого 20 подключены ко вторым входам накопител , входы формировател  информационных сигналов соединены с соответствующими входами дополнительного дешифратора, выходного дешифратора и с первым и вторым выходами блока задани  режимов записи и считывани , третий выход которого через разр дный формирователь подключен к третьим входам накопител  и ко входу селектора считываемого слова, выходы которого соединены с соответствующими входами блока выходных усилителей. Выходы дополнительного дешифратора подключены к соответствующим входам разр дного формировател , выходы выходного дешифратора - к соответствующим входам селектора считываемого слова, а четвертый выход блока задани  режимов записи и считывани  через коммутатор тактовых сигналов - к одному из входов входного дешифратора.
Структурна  схема предлагаемого программируемого ПЗУ изображена на чертеже.
Первые входы накопител  1 соединены с выходами входного дешифратора 2, вторые - с выходами-формировател  информаДйонйы: сигналов 3, ко входам которого ггодсоединены два выхода блока задани  режимов записи и считывани  4, входы выходного Дешифратора 5 и входы доцолнительHbfp дешифратора 6. Третьи входы накопител  1 соединены с выходами разр дного формировател  7 и со входами селектора считываемого слова 8. Выходы дешифратора 5 подсоединены ко входам селектора 8.
Выходы селектора 8 подключены ко входам блока выходных усилителей 9, выходы которого объединены со входами дешифратора 6. Выходы дешифратора 6 соединены со входами формировател  7, ко второму входу которого подключен третий выход блока задаии  режимов записи и считывани  4 четвертый выход которого св зан со входом коммутатора тактовых сигналов 10, выход которого подключен к соответствующему входу дешифратора 2. Предлагаемое ПЗУ работает в режимах записи и считывани  информации , а также обеспечивает хранение записанной информации как угодно долго при отключении тока питани .
Приход сигнала логического «О на вход «Р блока задани  режимов записи и считывани  4 определ ет переход ПЗУ в режим записи информации. Выходной сигнал блока 4 блокирует передачу импульсов синхронизации от входа CI на дешифратор 2 в коммутатор тактовых сигналов 10. Одновременно блок 4 вырабатывает сигнал дл  подготовки к режиму записи дешифратора 6, формировател  3, а также сигнал запрета адресной выборки слов дешифратором 5, чем перекрываетс  канал прохождени  информационного сигнала с накопител  1 через селектор 8 и блок выходных усилителей 9. На выходах блока усилителей 9 устанавливаютс  в этим случае потенциалы логической единицы, что необходимо дл  функционировани  дешифратора 6, входы которого объединены с выходами блока 9.
Поступающий на входы АО-A3 дешифратора 2 сигнал преобразуетс  в адресный
код, возбуждающий одну из строк накопител  1. Адресный сигнал выборки разр да подаетс  на входы дешифратора 6 через выводы ВО-ВЗ и далее управл ет формирователем 7, осуществл ющим выбор разр да накопител  1, в который будет внесена информаци , приход ща  на вход И блока 4. Одновременно блок 4 вырабатываетс  сигнал, поступающий на формирователь 3 дл  формировани  из импульса С2 импульса тока, по длительности соответствующего записываемой в  чейку накопител  информации: короткий импульс при записи «1 и длинный при записи «О.
Дл  записи информации в накопитель необходимы нормированный по амплитуде и времени действи  ток записи, соответствующий записываемой информации и сочетание входных сигналов, определ ющих режим записи ПЗУ, и адреса соответствующих  чеек накопител .
Поступление входного сигнала «1 на вход блока 4 переводит ПЗУ в режим считывани  с отключением блоков и цепей, участвующих только при записи информации .
Управл ющий сигнал с блока 4 запрещает прохождение сигнала с дешифратора б на формирователь 7 и отключает накопитель 1 от токозадающих цепей блока 4 дл  предупреждени  процесса ложной записи информации. Одновременно разрешаетс  работа дешифратора 5, управл ющего цеп ми считывани  информации (селектором считываемого слова 8, блоком выходных усилителей 9) и блокируетс  формирователь 3.
В режиме считывани  работа устройства определ етс  тактовым сигналом С1, который формируетс  коммутатором 10. Адресный код, поступающий на входы АО-A3 дешифратора 2, преобразуетс  дешифратором и за врем  действи  синхроимпульса С1, которое значительно короче времени записи информации, возбуждает определенную строку накопител  1. Отсутствие синхросигнала CI запрещает адресную выборку строки накопител . Входной код по входам А4-А5 дешифратора 5 вырабатывает адресный код выборки селектором 8 иеобходимых разр дов считываемого слова с возбужденной строки накопител .
Считанное слово поступает на усилитель 9 и в параллельном коде на выходы ПЗУ ВО-ВЗ. Динамическое считывание слова информации осуществл етс  только за врем  действи  синхроимпульса CI и обусловлено структурой и режимом работы запоминающих  чеек накопител .
Функциональн  схема ПЗУ универсальна по своей структуре построени  и допускает сколь угодно большое увеличение емкости ПЗУ и разр дности считываемого слова без изменени  функциональной схемы. Построение накопител  на запоминающих
элементах на халькогенндных стеклах обеспечивает большое число повторных записей и считывани  информации с длительным хранением ее при отключении питани  ПЗУ.
Предварительна  подготовка при считывании информации нужного адреса входным дешифратором и выборкой его с приходом синхроимпульса CI обеспечивает повышение быстродействи  ПЗУ.
Введение в функциональную схему ПЗУ формировател  информационного сигнала позвол ет из одного входного сигнала С2 формировать два нормированных по величине и длительности сигнала записи «1 или «О. Это позвол ет уменьшить общее количество входов ПЗУ.
Введение в функциональную схему ПЗУ блока задани  режимов записи и считывани , коммутатора тактовых сигналов, формировател  информационного сигнала и соответствующих св зей между ними позвол ет оптимизировать построение функцнональной схемы и при ее универсальности повь1сить быстродействие, надежность и улучщить температурный режим кристалла ПЗУ.

Claims (2)

1.MCi-LSI Мемогу Д. А. Т. А Book, 1976 editio i 10, pp. 113.
2.MCI-LSI Мемогу Д. А. Т. А. Book, 1976 edition 10, p. 133 (прототип).
f ..,.и ;.
746731
6666 3D B1 82 B3
SU772562834A 1977-12-30 1977-12-30 Посто нное запоминающее устройство SU746731A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772562834A SU746731A1 (ru) 1977-12-30 1977-12-30 Посто нное запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772562834A SU746731A1 (ru) 1977-12-30 1977-12-30 Посто нное запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU746731A1 true SU746731A1 (ru) 1980-07-07

Family

ID=20741480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772562834A SU746731A1 (ru) 1977-12-30 1977-12-30 Посто нное запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU746731A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3317187B2 (ja) 半導体記憶装置
EP0143647A2 (en) Semiconductor memory device
GB1438861A (en) Memory circuits
KR100397723B1 (ko) 반도체 기억 장치 및 데이터의 판독 방법
JPS63146298A (ja) 可変語長シフトレジスタ
JPH1040685A (ja) 同期型記憶装置および同期型記憶装置におけるデータ読み出し方法
EP0259862A1 (en) Semiconductor memory with improved write function
SU746731A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
JPS61194910A (ja) デイジタル信号遅延用回路装置
JPS5613584A (en) Setting circuit for data line potential
JP2624680B2 (ja) 半導体記憶装置
US20230015255A1 (en) Integrated counter in memory device
JPS57208686A (en) Semiconductor storage device
JPS6243888A (ja) デユアルポ−トメモリ
SU1117709A1 (ru) Запоминающее устройство
SU970462A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
SU983757A1 (ru) Устройство дл контрол пам ти
JP2893690B2 (ja) 半導体メモリ
SU847377A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU1104498A1 (ru) Устройство дл сопр жени
SU642878A1 (ru) Устройство дл селекции видеосигнала заданной фигуры сложной формы
JP3110192B2 (ja) プログラマブル・リード・オンリ・メモリ
SU663113A1 (ru) Двоичный счетчик
SU1418811A2 (ru) Многоканальное запоминающее устройство
JPH0750856B2 (ja) 遅延回路