SU534808A1 - Фоточувствительный слой - Google Patents
Фоточувствительный слойInfo
- Publication number
- SU534808A1 SU534808A1 SU2160788A SU2160788A SU534808A1 SU 534808 A1 SU534808 A1 SU 534808A1 SU 2160788 A SU2160788 A SU 2160788A SU 2160788 A SU2160788 A SU 2160788A SU 534808 A1 SU534808 A1 SU 534808A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- photosensitive layer
- air
- working
- layers
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
(54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ СЛОЙ
1
Изобретение относитс к оптоэлектроник, В частности к устройствам, преобразующим пучистую энергию: в электрическую.
Известны вход щие в состав устройсгв, (преобразующих лучистую энергию в электри- ;ческую,, фоточувствительные слои, заключен-ные между двум электродами, с барьером у освещаемого электрода. Чувствительность прибора определ етс удельным сопротивле-; кием фоточувствительного сло , которое в значительной степени заЬисит от способа его 1ФИГОТО влени t.
Известны фоточувствительные слои, вклк чающие в св(б металлфталодианин St},
Эти слои недолговечны, что снижает эффективносТь фотоэлементов (уменьшение э.д,с. и тока короткого замыкани ) при работе на воздухе вследствие диффузии киолорода в фоточувствительТиый слой.
Цель изобретени - повышение эффектиЕ ности и долговечности фоточувствительного элемента при работе на воздухе,
В предлагаемом фоточувствительном слое в качестве материала сло использован диалюминийфталоцианиноксид ,
Способ приготовлени предлагаемого фо тоэлемента:,
1) На стекл нную или эластичную под .ложку с нанесенным на нее электродом из серебра или алюмини нанос т фоточувстви« тельньй слой в вакууме 10 - 10 тор Гпри температуре подложки С и ско рости испарени А/мин, Подлож-|кой йожет служить также провод щее стек™ |ло (стекл нна пластинка с прозрачным сло |ем из 3n.), I 2) Фоточувствительный слой легируют ;путем кратковременного ( мин) воздей-т стви на него сухим очищенным кислородо {или кислородом воздуха.
3) На легированную кислородом nOBti: JHOCTb фотопровод щего сло нанос т в ва- jkyyMe Ю - Ю тор верхний полупрозрачный электрод из алюмини или другого металла ( Sb , Эп ),
Claims (1)
- Использование предложенных слоев позвс л ет значительно повысить долговечность :при работе на воздухе и стабильнссгь рабор ты в атмосферных услови х, а также рас 8-/ ,. . 11ирить температурный интервал уМьПётйоЬительной работы фотоэлемента до 100°С ( у известных слоев 60с). Формула изобретени Фэточувствительный слой, включающий в себ металлфталоцианин отличаю-. щ и и с тем, что, с делью повышени 53 4808 4 Срока службы и эффективности сло при работе на воздухе, в качестве материала сло использован диалюминийфталоцианиноксид. Источники информациие прин тые во вниg лание при экспертизе: 1, Смит Р, Обнаружение и измерение инфракрасного излучени , ИЛ, 195 9, стр. 152 2, Федоров М, И, Кандидатска диссерtO «аи , Черноголовка, М, О,, 1973,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2160788A SU534808A1 (ru) | 1975-08-06 | 1975-08-06 | Фоточувствительный слой |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2160788A SU534808A1 (ru) | 1975-08-06 | 1975-08-06 | Фоточувствительный слой |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU534808A1 true SU534808A1 (ru) | 1976-11-05 |
Family
ID=48227871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2160788A SU534808A1 (ru) | 1975-08-06 | 1975-08-06 | Фоточувствительный слой |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU534808A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4175982A (en) * | 1978-07-03 | 1979-11-27 | Xerox Corporation | Photovoltaic cell |
-
1975
- 1975-08-06 SU SU2160788A patent/SU534808A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4175982A (en) * | 1978-07-03 | 1979-11-27 | Xerox Corporation | Photovoltaic cell |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2644852A (en) | Germanium photocell | |
US4104084A (en) | Solar cells having integral collector grids | |
JPS56135980A (en) | Photoelectric conversion element | |
SU534808A1 (ru) | Фоточувствительный слой | |
US2096170A (en) | Light-sensitive device | |
US6087651A (en) | Highly sensitive light reception element | |
JPS5721875A (en) | Photosensor | |
JPH0550857B2 (ru) | ||
JPS5825283A (ja) | 光検知装置 | |
JPS57157578A (en) | Active crystalline silicon thin film photovoltaic element | |
JPH06101576B2 (ja) | アモルフアスシリコンx線センサ | |
JPS6320874A (ja) | 放射線検出装置 | |
JPS55124964A (en) | Chemically decorated wet type photocell | |
JPS5754377A (en) | Photoelectric converting element | |
CN1024234C (zh) | 漂移型非晶硅光电阴极 | |
JPS6467978A (en) | Amorphous photocell | |
JPS5745288A (en) | Thin film photo diode | |
JPH08190939A (ja) | 光電気化学セルとその製造方法 | |
JPS6313381A (ja) | 光電センサ | |
JPS5632774A (en) | Thin film type photovoltaic element and manufacture thereof | |
JPH0642351Y2 (ja) | 光起電力装置 | |
JP3469061B2 (ja) | 太陽電池 | |
JPS54102992A (en) | Photoelectric converting device | |
JPS55160475A (en) | Amorphous thin film solar battery | |
JPS5955075A (ja) | 半導体放射線検出器 |