SU447110A1 - Способ получени линейных изображений - Google Patents

Description

I

Изобретение относитс  к микроэлектронике , в частности к изготовлению фотошаблонов дл  интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Известен способ получени  линейных изображений с использованием контактной фотопечати , включающий операции наложени  на подложку с предварительно нанесенным слоем маскирующей пленки и слоем фоторезиста прозрачпой подложки, на поверхности которой сформирована топологи  микроизображений , создани  плотного контакта, экспонировани  через прозрачную подложку с топологией микроизображений. Затем экспонированную подложку со светочувствительным слоем про вл ют и трав т.

Однако при этом способе из-за вли ни  дифракции на краю изображени , рассе ни  и многократного отражени  в слое фоторезиста не удаетс  получить качественные изображени  менее I-2 мкм.

С целью пол чени  линейных изобран ений субмикронного размера по предлагаемому способу по окончании операции нанесени  фоторезиста формируют один край линейного изображени , после чего на протравленную поверхность нанос т негативный фоторезист , на который накладывают подложку поверхностью , имеющей слой с наружным отражением , и формируют второй край линейного изображени ; формирование второго кра  линейного изображени  производ т экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.

По предлагаемому способу приведена технологическа  схема последовательного получени  линейных изображений.

На прозрачной подложке I с предварительно нанесенным тонким слоем маскирующей пленки 2 способом фотолитографии формируетс  один край 3 линейного изображени , носле чего на ту же поверхность подложки 1 нанос т слой негативного 4зоторезиста 4, а

затем накладывают подложку 5 с отражательным слое.м 6, обращенным в сторону фоторезиста . Экспонирование производ т через подлол ку 1. За счет дифракции па линейном краю 3 маскирующей нленкп 2, рассе ни  света в пленке фоторезиста 4, .многократного отражени  света между отраженной поверхностью 6 подложки 5 п маскирующей пленкой 2 подложки 1 фоторезист 4 поглощает энергию облучени  в зоне, закрытой

маскирующей пленкой 2 от пр мого облучени  световой энергией.

В процессе про влени  удал етс  слой фоторезиста , на который не воздействует энерги , и часть маскирующей .пленки 2 оказываетс  защищенной слоем фоторезиста. ТаKH .f образом создаетс  второй край лннэнного изображени .

Предмет изобретени 

Claims (2)

1. I. Способ получени  линейных изображений , включающий операции нанесени  маскирующей пленки и фоторезиста, формировани  изображени , про влени  и травлени , отличающийс  тем, что, с целью получени  линейных изображений субмикронного размера , по окончании операции нанесени  фоторезиста формируют один край линейного изображени , после чего на прой лшиую поверхность нанос т негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверхностью , имеющей слой с наружным отражением , и формируют второй край лнййййого изображени .
2. 2. Способ по п. 1, отличающийс  тем, что формирование второго кра  линейногс изображени  производ т экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.

   /

   -,™---gjjj- ™-;.:.г,

   Oiliil:

   гЖ, /у /

   6

   rTT rViKJi -o- iOSS r T -1( t о г о о   п

   |ЖСЛ35Ж531Х;23 ЕЯЗШ

   Ч // - // /

   24